IV Международная конференция

НАУЧНАЯ ПРОГРАММА
5 июля
Пленарное заседание
9:50	Коломийцевская лекция. A.V. Kolobov1, P. Fons2, A.I. Frenkel3, A. L. Ankudinov4, J. Tominaga2, and T. Uruga5 1 Center for Applied Near-Field Optics Research, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba Central 4, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8562, Japan and A.F. Ioffe Physico-Technical Institute, St Petersburg 194021, Russia 2 Center for Applied Near-Field Optics Research, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba Central 4, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8562, Japan 3 Department of Physics, Yeshiva University, 245 Lexington Avenue, New York, NY 10016, USA 4 Department of Physics, Box 351560, University of Washington, Seattle, WA 98195, USA 5 Spring-8, Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Mikazuki, Hyogo 679-5198, Japan Laser-induced structural changes in Te-based chalcogenides: physics and applications
10:40	J.P.Kleider, C. Longeaud, M.E. Gueunier Laboratoire de Genie Electrique de Paris/Supelec (CNRS UMR8507), 11 Rue Joliot-Curie, Plateau de Moulon, 91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France Determination of bandgap states characteristics using the modulated photocurrent technique in both low and high frequency regimes
11:10	Э.Н. Воронков, И.С. Савинов, А.Р. Файрушин Московский энергетический институт (ТУ) 111250, Красноказарменная ул., д.14, Москва, Россия Mоделирование динамики пробоя стеклообразных полупроводников
11:40-12:00 кофе
12:00	К.Д.Цэндин ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, г.Санкт-Петербург Сверхпроводимость в системах с U- - центрами
12:30	Н.В. Бодягин, С.П. Вихров, Т.Г. Ларина, С.М. Мурсалов, В.В. Кираковский Рязанская государственная радиотехническая академия Новые принципы технологии некристаллических материалов
13:00	А.С. Комолов Научно-исследовательский институт физики им. В.А.Фока Санкт-Петербургского Государственного Университета,Ульяновская ул. 1, Петродворец, Санкт-Петербург Фотовольтаические свойства и электронная структура интерфейсов пленок фталоцианина и перилена
13:30	Н.П.Серегин, П.П.Серегин* Институт аналитического приборостроения РАН, 198103,Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,195251, Санкт-Петербург, Россия Исследования перехода порядок-беспорядок в электронной подсистеме кристалла методом мессбауэровской спектроскопии
14:00-15:00 обед
Секция A Аморфный гидрированный кремний и сплавы на его основе
15:00	А.Г. Казанский Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119992, Москва, Россия Фотопроводимость микрокристаллического гидрированного кремния
15:20	X. Q. Wang1, M. Yin1, D. Y. He1, A. V. Karabutov2, A. G. Kazanskii3 1 Department of Physics, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China 2 General Physics Institute, Vavilova str. 38, 119991 Moscow, Russia 3 Moscow State University, Vorobyevy Gori, 119992 Moscow, Russia Electron field emission from silicon films deposited by inductively coupled plasma CVD at room temperature
15:40	Р.М.Айтмамбетов, С.М.Манаков, Ф.А.Мукашев, Б.М.Кабланбеков, К.Таусаров, Т.И.Таурбаев, Ю.В.Францев Казахский национальный университет им. Аль-Фараби, Алматы Республика Казахстан Свойства проводящих пленок ?-Si:H, полученных с использованием нетрадиционных источников легирования
16:00	A.Kosarev1 , A.Torres J.1 , R. Ambrosio1 , A.S.Abramov2 1 Institute Nacional for Astrophysiscs, Optics and Electronics, Puebla, Puebla, Mexico 2 Ioffe Phys.Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St.-Petersburg, Russia Plasma deposited Si-Ge films: properties and applications
16:20-16:40 кофе
16:40	M.F. Cerqueira1, Isabel Gomes1, Teresa C. Monteiro2, M. Stepikhova3, M. Losurdo4 1 Departamento de Fisica, Universidade do Minho, Campus de Gualtar, 4710-057 Braga, Portugal 2 Departamento de Fisica, Universidade de Aveiro, Campus de Santiago, 3700 Aveiro, Portugal 3 Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, GSP-105, Russia 4 Institute of Inorganic Methodologies and of Plasmas IMIP-CNR, via Orabona, 4-70126 Bari, Italy The visible and 1.54 ?m luminescence in nanocryctalline Si films doped with Er
17:00	А.В. Медведев, Н.А. Феоктистов, А.А. Дукин, А.Б. Певцов, В.Г. Голубев Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН,194021 Санкт-Петербург, Россия Усиление спонтаной эмиссии ионов эрбия вблизи края фотонной запрещенной зоны одномерной периодической структуры на основе аморфного кремния
17:20	С.A. Тетеруков, М.Г. Лисаченко, О. А. Шалыгина, Д. М. Жигунов, В.Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Физический факультет, Ленинские Горы, МГУ, 119992 Москва, Россия Эффект неоднородности диэлектрической проницаемости твердотельной матрицы на ширину спектра эрбиевой люминесценции в nc-Si/SiO2 структурах
17:40	Е.П.Светлов-Прокопьев ФГУП ГНЦ Институт теоретической и экспериментальной физики, г. Москва Анализ математических моделей процесса роста пленок в силановых плазменных смесях пониженного давления
18:00	Б.Г. Будагян, А.А. Шерченков Московский государственный институт электронной техники Микроструктура и плотность состояний в пленках a-SiGe:H с различным содержанием германия
18:20 Welcome party
6 июля
Секция B Аморфный углерод и другие широкозонные полупроводники
9:00	Самойлович М.И., Талис А.Л., Реу А.А. Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья (ВНИИСИМС) Структуры "аморфного" алмазоподобного углерода и локальный подход
9:20	Ш.Ш Сарсембинов, О.Ю. Приходько, Ф.А. Махмуд, А.П. Рягузов, С.Я. Максимова Казахский национальный университет им. аль-Фараби, Алматы, Казахстан О модифицировании электронных свойств пленок алмазоподобного углерода нанокластерами серебра
9:40	Б.П.Попов Санкт-Петербургский государственный политехнический университет 195251, Санкт-Петербург, СПбГПУ, ФМехФ Исследования ЭПР медь- углеродных систем
10:00	1В.И.Березкин, 2В.В.Самонин, 1И.В.Викторовский, 3Л.В.Голубев, 3М.А.Яговкина. 1Научно-исследовательский центр экологической безопасности РАН, 2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (ТУ) 3Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН. Механизмы адсорбции органических веществ на кристаллических фуллеренах
10:20	Э.А. Сморгонская, Т.К. Звонарева, Е.И. Иванова, И.И. Новак, В.И. Иванов-Омский Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Влияние модифицирования кобальтом и медью на углеродную структуру пленок а-C:H- рамановские исследования
10:40	Э.И.Точицкий, Н.М.Белявский, И.Г.Милашевская, Е.В.Станкевич Инженерный центр "Плазмотег" Национальной академии наук Беларуси Алмазоподобный квазиаморфный углеродный материал, модифицированный медью
11:00	Н. А. Поклонский, Т. М. Лапчук, Н. М. Лапчук Белорусский государственный университет ЭПР кристаллических зерен природного алмаза, облученных в атомном реакторе
11:20-11:40 кофе
Секция C Микрокристаллические и нанокристаллические полупроводники и сплавы
11:40	С.К. Лазарук, А.В. Мудрый, А.А. Лешок, Д.Н. Унучек, А.Г. Смирнов, В.А. Лабунов Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Легированные эрбием алюмооксидные пленки со встроенными кремниевыми наночастицами
12:00	С.А. Аржанникова, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, Г.Н. Камаев, Г.А. Качурин, А.В. Кретинин, В.В. Малютина-Бронская, Д.В. Марин, С.Г.Черкова ИФП СО РАН, 630090, пр. академика Лаврентьева 13, Новосибирск Кулоновское блокирование проводимости SiOx при одноэлектронной зарядке кремниевой квантовой точки в составе цепочки электронных состояний
12:20	Д. Г. Яркин1, Л. А. Балагуров1, С. Бэйлисс2, И. П. Звягин3, А. Ф. Орлов1, Е. А. Петрова1 1ГИРЕДМЕТ, Б. Толмачевский пер. 5, Москва, 109017, Россия 2Университет Де Монтфорт, Лейстер, LE1-9BH, Англия 3Физический факультет московского университета, Москва, 119899, Россия Туннельная проводимость и токи, ограниченные пространственным зарядом, в термически окисленном пористом кремнии
12:40	С.К. Лазарук, А.В Долбик, П.С. Кацуба, В.А. Лабунов Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Исследование процессов горения и взрыва в пленках наноструктурированного пористого кремния
13:00	N.V. Gaponenko, I.S. Molchan, D.A. Tsyrkunov, G.K. Malyarevich, M.A. Aegerter*, J. Puetz*, N. Al-Dahoudi*, J. Misiewicz**, R. Kudrawiec**, V. Lambertini***, P. Repetto*** Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, P. Browki St. 6, 220013 Minsk, Belarus *Institut fuer Neue Materialien, Department of Coating Technology, Im Stadtwald, D?66123 Saarbruecken, Germany **Institute of Physics, Wroclaw University of Technology, 50-370 Wroclaw, Poland ***Centro Ricerche FIAT Optics and Photonics Optical and structural properties of SOL-GEL derived materials embedded in porous anodic alumina
13:20	А.В. Ершов, А.Н. Михайлов, О.Н. Горшков, А.И. Машин, Д.И. Тетельбаум Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, Россия Фотолюминесценция кремниевых наноструктур, сформированных путем отжига сапфира, облученного ионами кремния, и многослойной нанопериодической системы a-Si/Al2O3
13:40-14:30 обед
Секция D Органические полупроводники
14:30	В.В.Шаманин, Е.И.Теруков* Институт высокомолекулярных соединений РАН, 199004, Санкт-Петербург * Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Гомосопряженные элементоорганические полимеры - новый класс органических полупроводников
14:50	Ю.Ф.Бирюлин1, Е.Н.Волкова1, И.Б.Захарова2, С.О.Когновицкий1, Е.Ю.Меленевская3, О.Ф.Поздняков1, О.В.Ратникова3, В.В.Розанов4, Д.А.Сыкманов1, Л.В.Шаронова1 1 Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия 2Санкт-Петербургский Технический Университет 3Институт высокомолекулярных соединений РАН 4Институт аналитического приборостроения РАН Физические свойства пленок тетрафенилпорфирина и С60 на различных подложках
15:10	С. А. Комолов, Ю.Г. Аляев Научно-исследовательский институт физики им. В.А.Фока Санкт-Петербургского Государственного Университета, Ульяновская ул. 1, Петродворец, Санкт-Петербург, Россия Электронная структура интерфейсов пленок PTCDA на различных неорганических подложках
15:30	S. Hartmann1, A. Janssen1, C. Himcinschi2, N. Meyer3, M. Gersdorff3, H.H. Johannes1, Е. В. Луценко4, К. А. Осипов4, А. В. Данильчик4, В. Н. Павловский4, Г. П. Яблонский4 и M. Heuken3 1Institut fur Hochfrequenztechnik, Technische Universitat Braunschweig, D-38106 Braunschweig, Germany 2Halbleiterphysik, Technische Universitat Chemnitz, D-09107 Chemnitz, Germany 3AIXTRON AG, D-52072 Aachen, Germany 4Iинститут физики Национальной академии наук Беларуси, Ф. Скорины пр. 68, 220072 Минск, Беларусь Тонкие органические пленки, осажденные методом OVPD: влияние отжига и фотолюминесценция
15:50	А.Р. Тамеев1, А.В. Фенухин2, А.Г. Казанский2, А.В. Ванников1 1Институт электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН 2Московский Государственный Университет им. М.В. Ломоносова Фотовольтаические свойства гетероперехода n-Si - органический полупроводник
16:10-16:20 кофе
16:20 - Стендовые секции
Секция A: Аморфный гидрированный кремний и сплавы на его основе
A01	Н.В. Вишняков1, С.П. Вихров1, В.Г. Мишустин1, А.П. Авачев1, И.Г. Уточкин1, А.А.Попов2 1Рязанская Государственная радиотехническая академия , г. Рязань Институт микроэлектроники и информатики РАН, г. Ярославль2 Формирование потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках
A02	О.В. Александров, Н.Н. Афонин* Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет *Воронежский государственный педагогический университет Влияние собственных точечных дефектов на сегрегацию фосфора в системе a-SiO2-c-Si
A03	В.П. Афанасьев1, Н.А.Селюженок1, Ю.В. Кожинова2, Е.И. Теруков3 1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ╚ЛЭТИ╩ 2Санкт-Петербургский государственный политехнический институт 3 Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Исследование тонких гетерофазных пленок на основе a-Si:H для оптоэлектронных применений
A04	Н.А. Поклонский, Т.М. Лапчук, Н.М. Лапчук, Н.И. Горбачук Белорусский государственный университет Аморфизация кристаллического Si при имплантации ионов водорода сквозь слой полиметилметакрилата по данным ЭПР
A05	А.И.Машин, А.В.Нежданов, А.В.Ершов, В.Г. Шенгуров Нижегородский Государственный Университет им. Н.И. Лобачевского Структурно√ неоднородный аморфный кремний: морфология поверхности и свойства
A06	А.В. Васин, А.В. Русавский, А.Н. Назаров, В.С. Лысенко, В.И. Кушниренко, С.П. Старик1 Институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева, г. Киев, Украина 1Институт сверхтвердых материалов им. В.Н.Бакуля, г. Киев, Украина Водородные связи и эффективность видимой фотолюминесценции пленок a-SiC:H полученных реактивным магнетронным распылением
A07	Л.Ю.Островская, А.В. Васин1, А.В. Русавский1, А.Н. Назаров1, В.С. Лысенко1, А.В.Семенов2, В.М.Пузиков2 Институт сверхтвердых материалов им. В. Бакуля, г. Киев, Украина 1Институт физики полупроводников им. В. Лашкарева, г. Киев, Украина 2Институт монокристаллов, г. Харьков, Украина Влияние термической обработки на структуру и смачиваемость пленок аморфного карбида кремния
A08	Ш.С.Асланов, И.Р.Нуриев, А.М.Назаров, Л.П.Алиев Институт Фотоэлектроники НАН Азербайджана, Баку Свойства пленок a-Si:H полученным методом магнетронного распыления
A09	В.А. Терехов1, Е.И. Теруков2, И.Н. Трапезникова2, В.М. Кашкаров1, О.В. Курило1, С.Ю. Турищев1, А.Б. Голоденко1, Э.П. Домашевская1 1 Воронежский государственный университет, 394006, г. Воронеж 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021, Санкт-Петербург Исследования локальной электронной и атомной структуры в аморфных сплавах a-SixC1-xметодом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии
A10	Б.Г. Будагян, А.А. Шерченков, Е.И. Артёмов Московский государственный институт электронной техники (технический университет) Применение модели свободной энергии к анализу микроструктуры сплава a-Si1-xCx:H
A11	А.А. Шерченков, Б.Г. Будагян, А.В. Мазуров Московский государственный институт электронной техники Механизмы токопереноса и свойства гетероструктур a-SiC:H/c-Si
A12	Н.Н. Ормонт, И.А. Курова, Г.В. Прокофьев Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si:H.
A13	И. А. Курова, М. А. Нальгиева, Н. Н. Ормонт Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде
A14	В.Вал.Соболев Удмуртский государственный университет, Россия, 426034 Ижевск, ул. Университетская 1 Оптические спектры и электронная структура четырех аморфных фаз системы SiOx
A15	М. С. Аблова, А. И. Шелых, С. К. Першеев, Г. С. Куликов Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН Оптические свойства гамма-облученного аморфного гидрогенизированного кремния
A16	А.А. Дукин, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов, В.Г. Голубев, А.В. Селькин Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Амплитудно-фазовая спектроскопия брэгговских структур на основе аморфного кремния
A17	А.С. Мазинов, Е.В. Лисовец, Д.Р. Яковлев, Т.С. Исмаилов Таврический Национальный Университет им. В.И. Вернадского Харьковский Технический Университет Радиоэлектроники Сравнительные характеристики пленочных структур в зависимости от состояния атомов водорода в плазме
A18	Ю.К.Ундалов, Е.И.Теруков, О.Б.Гусев, В.М.Лебедев*, В.Х.Кудоярова Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский институт ядерной физики им.Б.П.Константинова РАН, г.Гатчина Влияние площади эрбиевой мишени и кислорода на состав пленок a-SiOx:H, полученных dc-магнетронным способом, и интенсивность фотолюминесценции эрбия
A19	М.К. Гусейнов, Г.К. Сафаралиев, М.К. Курбанов, Б.А.Билалов, Ш.Ш. Шабанов, Ш.А.Нурмагомедов, Н.В.Офицерова Дагестанский Государственный Университет Свойства тонких пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x, полученных методом магнетронного распыления
A20	М.А.Быков, А.С. Мазинов Таврический Национальный Университет Оптические характеристики аморфных тонкопленочных структур
A21	А.Г. Казанский, К.Ю. Хабарова Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119992, Москва, Россия Исследование плотности состояний в аморфном и микрокристаллическом кремнии с помощью измерения модулированной фотопроводимости
Секция B: Аморфный углерод и другие широкозонные полупроводники
B1	V.I. Kovalev1, A.V. Khomich1, A.I. Rukovishnikov1, D. He2, X.Q. Wang2, I.G. Teremetskaya3, V.P. Varnin3, E.V. Zavedeev4 1 Institute of Radio Eng. & Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino, Russia 2 Department of Physics, Lanzhou University, Lanzhou, P.R. China 3 Institute of Physical Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia 4 General Physics Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia Spectroscopic ellipsometry study of amorphous hydrogenated silicon and nanocrystalline CVD-diamond films
B2	C. Zuniga, A.Kosarev, A.Torres J. Institute Nacional for Astrophysiscs, Optics and Electronics, Puebla, Puebla, Mexico Low dielectric permitivity carbon films for interconnect isolation for sub-micron devices
B3	Е. А. Васильев, В. И. Иванов-Омский*, Б. С. Помазанский, И. Н. Богуш ЯНИГП ЦНИГРИ АК ╚АЛРОСА╩, г. Мирный, Россия *ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Исследование люминесценции азотсодержащих дефектов решетки алмаза
B4	В.И.Иванов-Омский, Т.К. Звонарева, А.Б.Лодыгин, С.Г.Ястребов Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Распределение по размерам нанокластеров кобальта в матрице аморфного углерода
B5	Э.М. Шпилевский1, А.Д. Замковец2, В.И. Прокошин1, И.И. Васильев1 1 Институт тепло и массообмена им. А.В.Лыкова НАН Беларуси, 2Институт молекулярной и атомной физики НАН Беларуси, г. Минск, Беларусь Резонансное плазменное поглощение в тонкопленочных структурах C60 √ Cu
B6	С.П. Старик, В.Ю. Горохов, А.Г. Гонтарь Институт сверхтвердых материалов им. В.Н. Бакуля, г. Киев, Украина. Эллипсометрические исследования процесса формирования алмазоподобной углеродной пленки на подложках кремния
B7	Э.А. Сморгонская1, А. Рожин2, В.Б. Шуман1 1 Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия 2 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, Киев О структуре кластеров Se в композитах нанопористый углерод √ Se: рамановские данные
B8	Н.Р.Галль, Е.В.Рутьков, А.Я.Тонтегоде Физико-Технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Особенности взаимодействия молекул С60 с поверхностью Та(100) покрытого монослоем TaS2
B9	В.Вал. Соболев, Е.Л. Бусыгина, В.В. Соболев Удмуртский государственный университет, Россия,426034 Ижевск, ул. Университетская 1 Электронная структура фуллеритов С70 и С60.
B10	Н.Д.Васильева, В.А.Воронцов, А.И.Попов, М.Л.Шупегин Московский энергетический институт (Технический университет) Кластерообразование в металлосодержащих алмазоподобных нанокомпозитах системы [Cx(SiO)y]:H
B11	Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, Ю.Л. Зимин Белорусский государственный университет Спектры комбинационного рассеяния света углеродными кластерами в композитах C/SiO2, полученных по золь-гель технологии
B12	С.Г.Ястребов, В.И.Иванов-Омский, К.Морошану* Физико-Технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия * National Institute for Materials Physics, P.O. Box MG-7, R-76900, Magurele, Bucharest, Romania Влияние нанокластеров железа на низкочастотные рамановские спектры аморфного углерода
B13	Н.Р.Галль, Е.В.Рутьков, А.Я.Тонтегоде Физико-Технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург, 194021, Россия Индуцированный распад молекул С60 из второго и третьего монослоев, адсорбированных на (100)W
Секция С: Микрокристаллические и нанокристаллические полупроводники и сплавы
С01	А.А. Ежевский, М.Ю. Лебедев Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Структура и фотолюминесценция слоев аморфно- нанокристаллического кремния, полученных ионной бомбардировкой
С02	Е. С. Демидов, Н. Е. Демидова, В. В. Карзанов, И. С. Белорунова, Д. А. Жестин Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского ЭПР и перенос тока в пористом кремнии, сформированном на сильно легированных мелкими примесями монокристаллах кремния
С03	В.Е. Оглуздин ИОФ РАН (Москва) Интерпретация фотолюминесценции взвешенных в этаноле наночастиц кремния, возбуждаемых излучением аргонового лазера
С04	В.С. Горелик, В.Е. Оглуздин , И.А. Рахматуллаев, П.П. Свербиль, А.В. Червяков Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН Спектры комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции в наночастицах кремния
С05	В.А. Бурдов*, M.F. Cerqueira**, М.И. Василевский** * Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия ** Centro de Fisica, Universidade do Minho, Braga, Portugal Зависимость ширины оптической щели в кремниевых нанокристаллах, внедренных в матрицу аморфного кремния, от их размера
С06	В.И.Соколов, Л.М. Сорокин, Л.В.Григорьев*, В.Е.Тер-Нерсисянц* Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия *НИИФ, Старый Петергоф, 198504, Ульяновская Исследование фото и термостимулированных процессов в пористом кремнии
С07	С.А. Аржанникова, А.В. Вишняков, В.А. Володин, М.Д. Ефремов Институт Физики Полупроводников СО РАН, 630090, пр. академика Лаврентьева 13, Новосибирск Лазерная активация примеси в легированных пленках a-Si:H с нанокристаллами кремния
С08	П.А. Форш, Д.М. Жигунов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, физический факультет, 119992, Москва, Россия Анизотропия электрического транспорта в наноструктурированном кремнии
С09	Ю.А. Менделева1, А.Н. Михайлов1, Д.И. Тетельбаум1, С.А. Трушин2 1 Научно-исследовательский физико-технический университет ННГУ им. Н.И. Лобачевского 2 Научно-исследовательский институт измерительных систем, Нижний Новгород Влияние условий ионного облучения и отжига на фотолюминесцентные свойства ионно-синтезированных аморфно-кристаллических слоев кремния
С10	А.Е. Гамарц, С.П. Зимин, Ю.М. Канагеева, В.А. Мошников Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет Ярославский государственный университет Формирование многослойных структур Si/por-Si/PbSe и анализ их электрофизических характеристик
С11	В.А. Юхимчук1, М.Я. Валах1, В.Н. Джаган1, О.С. Литвин1, И.Н. Кравчук1,З.Ф.Красильник2, В.А. Новиков2, Д.Н. Лобанов2 1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, пр. Науки 41, 03028, Киев, Украина, 2Институт физики микроструктур РАН, 603600, Н.Новгород, Россия. Особенности роста самоорганизованных SiGe наноостровков на Si и SiGe подложках
С12	S.K. Persheyev1, V. Smirnov 2, K.A. O▓Neill 1, S. Reynolds 2, M.J. Rose 1 1 Carnegie Laboratory of Physics, Department of Electrical and Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Dundee, DD1 4HN, Scotland, U.K. 2 EPICentre, School of Computing and Advanced Technologies, University of Abertay Dundee, Dundee DD1 1HG, Scotland, U.K. Atmospheric adsorption effects in HW-CVD nanocrystalline silicon films with different electrode configurations
С13	V. Smirnov1, S. Reynolds1, C. Main1, F. Finger2 and R. Carius2 1 EPICentre, School of Computing and Advanced Technologies, University of Abertay Dundee, Bell Street, Dundee DD1 1HG, U.K. (email: v.smirnov@abertay.ac.uk) 2 Institute for Photovoltaics, Research Centre Juelich, D-52425 Juelich, Germany An investigation of atmospheric adsorption and light soaking effects on the electronic properties of amorphous and microcrystalline silicon thin films
С14	А.М.Сатанинa, b, Fan Hu a, R. M. Cosbya, Y. S. Joea a Center for Computational Nanoscience, Department of Physics and Astronomy, Ball State University, Muncie, IN 47306, USA bИнститут физики микроструктур, РАН, ГСП-105, Нижний Новгород Фотолюминесценция и экситонный транспорт в плотно упакованных массивах квантовых точек
С15	Н.А. Поклонский*, И.В. Потоцкий**, Н.И. Горбачук* * Белорусский государственный университет ** Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины Увеличение парамагнетизма композитов (NH4)2Cr2O7/SiO2 во время регистрации спектров ЭПР
С16	С. Я Андрюшин1, Л.А. Балагуров2, С. Бэйлисс3, А.Ф. Орлов2, Е. А. Петрова2, Д. Г. Яркин2 1 НПО ОРИОН, Плеханова 2, Москва, 111123, Россия 2 ГИРЕДМЕТ, Б. Толмачевский пер. 5, Москва, 109017, Россия 3Университет Де Монтфорт, Лейстер, LE1-9BH, Англия Формирование пористого кремния из поликристаллического кремния, осажденного на диэлектрическую подложку
С17	Л.В.Григорьев*, В.И.Соколов, Л.М. Сорокин ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, 194021, Политехническая, 26 *НИИФ, Старый Петергоф, 198504, Ульяновская 1 Изготовление нанокристаллического SiC
С18	В.И.Соколов, Л.М. Сорокин, Л.В.Григорьев*, В.Е.Тер-Нерсисянц*, В. В. Рычгорский** Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия *НИИФ, Старый Петергоф, 198504, Ульяновская 1 **РГПУ, Санкт-Петербург, наб. Мойки, 48 Исследование фотостимулированных процессов в нанопористом кремнии при воздействии мощного лазерного излучения
С19	С.А. Аржанникова, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, Д.В. Марин, И.О. Парм ИФП СО РАН, 630090, пр. академика Лаврентьева 13, Новосибирск Влияние кремниевых кластеров на свойства пленок оксинитрида кремния, полученных в плазменном реакторе индукционного типа
С20	В.А.Беляков, В.А. Бурдов Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия Излучательная электронно-дырочная рекомбинация в кремниевых квантовых точках, идущая с участием фононов
С21	В.А. Бурдов, Д.С. Солёнов Нижегородский государственный университет, 603950 Нижний Новгород, Россия Влияние слабой диссипации на динамический контроль электронных состояний
С22	Б.М. Костишко, А.В. Золотов Ульяновский Государственный Университет 432970, г. Ульяновск, ул. Л. Толстого 42 Моделирование объемной диффузии атомов в процессе карбонизации пористого кремния
С23	А.А.Попов, А.Е.Бердников, В.Д.Черномордик, Ю.А.Минаков, В.Г.Мальшаков, В.А.Володин*, М.Д.Ефремов* Институт микроэлектроники и информатики РАН, г. Ярославль *Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск Одностадийный процесс формирования кремниевых квантоворазмерных структур в матрице нитрида кремния
С24	Н.Н. Кононов, Г.П. Кузьмин, А.А. Сурков, О.В. Тихоневич, Э.М. Хохлов Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из наноразмерных порошков кремния
С25	В.А. Полухин, А.Е Гаплашев, Е.В. Потемкина, В.Н. Чуканов ИМЕТ УрО РАН, ИПЭ УрО РАН, г. Екатеринбург МД-моделирование роста нано- и аморфных фаз кремния, стабилизированных пятичленными кольцами связи
С26	В.А. Мошников11, О.А. Шилова2, Н.П. Ярославцев3, Ю.З. Бубнов4,Т.И. Василенко4, А.С. Ильин3, И.В. Смирнова2 1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", ул. Проф. Попова, 5, Санкт-Петербург, 197376, Россия 2Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова РАН, ул. Одоевского, д. 24/2, Санкт-Петербург, 199155, Россия 3Воронежский государственный технический университет, Московский проспект, 14, Воронеж, 394026, Россия 4ЗАО ╚Авангард-Микросенсор╩, Кондратьевский пр., 72, Санкт-Петербург, 195271, Россия Внутреннее трение в стекловидных боросиликатных наноразмерных пленках, применяемых в технологии микроэлектроники
С27	Ю. В. Рябчиков, Л. А.Осминкина, А. С. Воронцов, Е. А. Константинова, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра ОФиМЭ Влияние адсорбции активных молекул на рекомбинационные свойства пористого кремния
Секция D: Органические полупроводники
D01	А.В.Зиминов, С.М.Рамш, Т.А.Юрре, Л.И.Рудая, Н.В.Климова, В.В.Шаманин, Ю.А.Николаев*, Е.И.Теруков* Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет) * Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия Металлофталоцианины для оптоэлектроники
D02	Л.Н. Зеленина, Т.П. Чусова, Ю.Г. Стенин, В.В. Баковец Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск Термодинамические свойства фторорганических производных металлов II-VI групп √ перспективных материалов для микроэлектроники
D03	Г.М.Гейдаров, М.А.Курбанов Институт Физики Национальной Академии Наук Азербайджана Влияние структурных и кристаллохимических параметров пьезокерамической фазы на пьезоэлектрические свойства гетерогенной системы полимер-пьезокерамика
D04	Е.Н.Ткачева, А.В.Зиминов, Л.И.Рудая, Н.В.Климова, Т.А.Юрре, В.В.Шаманин, Е.И.Теруков*,ЮА.Николаев* * Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Институт высокомолекулярных соединений РАН Фталоцианины меди с жидкокристаллическими свойствами
D05	А.А. Романов Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ╚ЛЭТИ╩ ╚Центр микротехнологии и диагностики╩ Разработка метода низкотемпературного высокоскоростного нанесения на полимерные подложки прозрачных токопроводящих слоев на основе оксидов индия и олова реактивным магнетронным распылением на постоянном токе
D06	Е.Л.Александрова*, Е.И.Теруков*, М.Е.Компан*, Н.Н.Химич Институт химии силикатов им. И. В. Гребенщикова РАН *Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Фотофизические свойства тонких полупроводниковых пленок нанокомпозитов на основе металло-органических комплексов Сu+ и Ru2+
D07	В.А.Лукошкин, М.М.Дудкина*, А.Э.Бурсиан*, Т.Е. Суханова*, А.В.Теньковцев* Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт высокомолекулярных соединений РАН, 199004, Большой пр. В.О. 31, Санкт-Петербург, Россия Нелинейно-оптические супрамолекулярные соединения на основе циклодекстрина
D08	Э.А. Лебедев, М.Я. Гойхман*, И.В. Подешво*, В.В.Кудрявцев*, Е.И. Теруков Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербург, Политехническая 26, 194021,Россия *Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук. Санкт-Петербург, Большой пр., 31, 199004 Россия Особенности вольтамперной характеристики в слоях разной толщины металл-полимерного комплекса полиамидокислоты с TB+2
D09	Г. И. Носова, Е.Л. Александрова, Н.А. Соловская, К.А. Ромашкова, В.А. Лукьяшина, Е.В. Жукова, В.В. Кудрявцев Институт высокомолекулярных соединений РАН. Фотопроводимость полиимидных слоев на основе ароматических диангидридов и диаминов, содержащих 2-фенил- бензимидазол, -бензоксазол, -бензтиазол и бензоксадиазол
D10	Бодров Ю.В. , Островидова Г.У. Санкт-Петербургский Государственный технологический институт (Технический университет). 197198 Санкт-Петербург, Московский пр.,26 Формирование планарных наноструктур на основе белков и исследование их электрофизических свойств
D11	С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь*, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,195251 С.-Петербург, Россия Интеграция органических и неорганических полупроводников в структурах ZnO/CuPc/Si
7 июля
Секция E Халькогенидные и стеклообразные полупроводники
9:00	А.А. Бабаев Институт физики Дагестанского научного центра РАН, г. Махачкала Особенности фотолюминесценции в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
9:20	В.Вал. Соболев, В.В. Соболев Удмуртский государственный университет, Россия, 426034 Ижевск, ул. Университетская 1 Электронная структура гексагональных и кубических сульфида и селенида кадмия
9:40	Ш.Ш Сарсембинов, О.Ю. Приходько, А.П. Рягузов, С.Я. Максимова, В.Ж. Ушанов Казахский национальный университет им. аль-Фараби, Алматы, Казахстан Атомная структура и электронные свойства аморфных пленок селенида и сульфида мышьяка, полученных разными методами
10:00	А.Ш.Абдинов, Э.Н.Заманова*, М.А.Джафаров, Э.Ф.Насиров Бакинский Государственный Университет, Баку, Азербайджан *Институт Физики НАНА, Баку, Азербайджан Гетеропереходы на основе пленок А2В2С6, осажденных из раствора
10:20	В.С.Минаев, С.П.Тимошенков*, В.В.Калугин*, С.П.Черных** ЗАО НИИ Материаловедения, 124460, Москва, Россия *Московский институт электронной техники 124498, Москва, Россия **Исследовательско-технологическое Агентство ╚Унисаппф╩ 124460, Москва, Россия Релаксация наногетероморфной структуры и свойств расплавов и стекол системы Ge-Se
10:40	К.В. Май, И. В Фекешгази , А.П. Клименко(1), В.М. Мица (2), С.Я. Иван(2) Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины. 41, проспект Науки, Киев, 03028, Украина (1)Киевский национальный университет технологий и дизайна. 2, ул. Немировича-Данченко, Киев, 01011, Украина. (2)Ужгородский национальный университет. 46, ул. Подгорная, Ужгород, 88000, Украина Структурные преобразования и оптические свойства халькогенидных стекол As2S3
11:00- 11:20 кофе
11:20	K. Koughia1, M. Munzar1, D. Tonchev1, K. Maeda4, T. Ikari4, C. Haugen2,3, R. Decorby2,3, J.C. McMullin2,3 and S.O. Kasap1 1Department of Electrical Engineering, University of Saskatchewan, 57 Campus Drive, Saskatoon, SK, S7N 5A9 Canada 2TRLabs, 7th Floor, 9107 √ 116 Street N.W., Edmonton, AB, T6G2V4, Canada 3Department of Electrical and Computer Engineering, University of Alberta, Edmonton, AB, T5K 2P7, Canada 4Department of Electrical and Electronic Engineering, Miyazaki University 1-1 Gakuen Kibanadai, Nishi, Miyazaki, 889-21925, Japan The effect of Er doping on the optical and structural properties of Ge-Ga-Se(S) glasses
11:40	В.Ю. Колосов, Л.М. Веретенников, К.Л. Швамм Уральский государственный экономический университет, Екатеринбург Электронная микроскопия конденсатов на основе халькогенидов: влияние состава и толщины
12:00	В. Мица*, Р. Голомб*, Н. Вереш**, М. Коош**, М. Гомеш*** * Ужгородский Национальный Университет, ул. Волошина 32, Ужгород, 88000, Украина ** Академия Наук Венгрии, Институт Физики и Оптики Твердого Тела, Венгрия *** Университет Минго, Португалия Резонансные раман спектры кристаллического GeS и сложных Ge-содержащих сульфидных стекол
12:20	A.Ш.Абдинов, Г.М.Мамедов, Г.А.Гасанов* Бакинский Государственный Университет *Нахичеванский Государственный Университет Электрические и фотоэлектричесике свойства изотипных гетероструктур In2O3/Cd1-xZnxS/CdS1-ySey
13:40-14:30 обед
Секция F Технические приложения
13:40	A. Sazonov, M. Meitine Electrical and Computer Engineering Department, University of Waterloo, Waterloo, Ontario, Canada SUB-100oC amorphous and microcrystalline silicon based tfts for flexible electronics
14:00	С.А.Аржанникова, А.В.Вишняков, М.Д.Ефремов, Г.Н.Камаев, Н.А.Туманов Институт Физики Полупроводников СО РАН, 630090, пр. академика Лаврентьева 13, Новосибирск Взаимосвязь параметров пленок a-Si:H и характеристик ТПТ на их основе
14:20	А. П. Авачёв, О. Е. Нестеров, И.Г. Уточкин, В.Г. Мишустин, Н.В. Вишняков Рязанская государственная радиотехническая академия Исследование влияния электрофизических свойств пленок a-Si:H на вольтамперные характеристики тонкопленочных полевых транзисторов
14:40	И.М.Котина1, В.А.Евсеев1, А.Г.Ильвес1, Г.В.Пацекина1, Л.М.Тухконен1 О.И.Коньков2, Е.И.Теруков2 1Petersburg Nuclear Physics Inst., Gatchina, Leningrad district, Russia 2Ioffe Physico-Technical Inst., St-Petersburg, Russia Использование гетероконтакта аморфный гидрированный кремний/ кристаллический кремний в детекторах ядерных излучений
15:00	A.V. Il'inskii1, R.A. Aliev2, D.A. Kurdyukov2, E.B. Shadrin2, N.V. Sharenkova2, and V.G. Golubev2 1 BUAP, Puebla, 72000 Pue, Mexico 2 Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, Polytekhnicheskaya 26, 194021 St Petersburg, Russia Tunable three-dimensional photonic crystal based on opal-AgI composite
15:20	С.М.Манаков, Т.И.Таурбаев Казахский национальный университет им. аль-Фараби, г. Алматы, Казахстан Cпектральные характеристики двухбарьерных структур на основе аморфного кремния
15:40	Г. Б. Стефанович, А. Л. Пергамент, А. А. Величко, Н. А. Кулдин, П. П. Борисков Петрозаводский государственный университет Аморфный оксид ванадия √ новый неорганический резист для микро- и нанолитографии
16:00 кофе
16:20 - Стендовые секции
Секция Е: Халькогенидные и стеклообразные полупроводники
E01	С.Р Гаджиева, О.М. Алиев БГУ, Азербайджанская Республика, г. Баку Фотоэлектрические и оптические свойства полупроводниковых стекол системы Ln2S3-GeS2 (Ln-Ge, Pr, Nd, Sm)
E02	С.А. Козюхин, Н.А. Маркова*, А.Р. Файрушин**, Н.П. Кузьмина*, Э.Н. Воронков** Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва *Московский Государственный Университет, Химический Факультет **Московский Энергетический Институт (Технический Университет) Модифицирование аморфных пленок халькогенидов мышьяка комплексными соединениями редкоземельных элементов
E03	Ю.С.Тверьянович, А.А.Маньшина, А.А.Пастор, Т.И.Иванова, А.В.Поволотский НИИ лазерных исследований Санкт-Петербургского государственного университета Резонансные ⌠оптическая нелинейность■ и фотопроводимость в стеклообразных полупроводниках
E04	Н.В. Бодягин, С.П. Вихров, Т.Г. Ларина, С.М. Мурсалов, В.В. Кираковский Рязанская государственная радиотехническая академия Новый подход к определению аморфного состояния
E05	Р.Г. Валеев, А.Н. Деев, Ф.З. Гильмутдинов Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск Локальная атомная структура поверхностных слоев пленок Cu(In,Ga)Se2: изменения при воздействии различных типов частиц и излучений
E06	Е.М. Зобов, М.Е. Зобов, Х.Э. Камалутдинова, М.А. Ризаханов Институт физики Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, 367003, ул. Ярагского, 94 Модуляция кинетических параметров электронных ловушек коллективным полем заряженной поверхности зерен порошка в цинк сульфидных и цинк оксидных люминофорах
E07	А. Л. Пергамент, Г. Б. Стефанович, А. А. Величко Петрозаводский государственный университет Электронное переключение и переход металл-изолятор в соединениях переходных металлов
E08	П. П. Борисков, А. А. Величко, Н. А. Кулдин, Г. Б. Стефанович Петрозаводский государственный университет Влияние сильного электрического поля на переход металл-изолятор в наноструктурах на основе двуокиси ванадия
E09	А. Б. Черемисин, А. Л. Пергамент, А. А.Величко, Д. С. Яковлева, О. Я. Березина, Г. Б. Стефанович Петрозаводский государственный университет Электрические свойства планарных структур на основе V2О5 - геля
E10	А.А.Бабаев, М.И.Даунов, И.К.Камилов, С.Ф.Габибов Институт физики Дагестанского научного центра РАН Россия, 367003, г. Махачкала, ул. Ярагского, 94 Квазибесщелевой полупроводник при высоких давлениях √ модель аморфного полупроводника
E11	И.В.Чепелева*, К.К.Ермакович*, Ю.С.Тверьянович** *Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова. Россия, 119992, Москва. Воробьевы горы **Санкт-Петербургский государственный университет, химический факультет, Россия. 198904, Санкт-Петербург, Старый Петергоф, Университетский пр., 26 Влияние меди на температурное поведение радиационных дефектов в стеклах системы Cu-As-Se
E12	Э.С.Хужакулов Ташкентский областной государственный педагогический институт, 702500, Ангрен, Республика Узбекистан Локальная симметрия и электронная структура атомов решеток Pb1-xSnxSe в области бесщелевого состояния
E13	И.Б.Бахтиярлы, О.Ш.Керимов Институт химических проблем НАН Азербайджана Стеклообразование в тройной системе La2O3 √ Ga2S3 √ Pr2O3
E14	М.И.Василевский1,2, А.М.Сатанин1,3, Y. S. Joe3, C.S.Kim4 1Институт физики микроструктур, РАН, ГСП-105, Нижний Новгород 2 Centro de Fisica, Universidade do Minho,Campus de Gualtar, 4710-057 Braga, Portugal 3 Center for Computational Nanoscience, Department of Physics and Astronomy, Ball State University, Muncie, IN 47306, USA 4 Department of Physics, Chonnam National University, Kwangju 500-757, Korea Локализация поляритонов в неупорядоченных полярных полупроводниках
E15	А.С. Тверьянович, Е.Н. Борисов, О.А. Соколова, Ю.С. Тверьянович Институт лазерных исследований, Санкт-Петербургский гос. университет Фотоиндуцированное изменение свойств пленок системы Ga-Ge-S:Er, полученных лазерным напыление
E16	Казакова Л.П., Цэндин К.Д., Тагирджанов М.А., Памукчиева В*., Скордева Е., Арсова Д.* Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия *ИФТТ БАН 1784 София, Цареградское шоссе 72, Болгария Фотоструктурные превращения в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников систем Se-Аs и Ge-Sb-Те
E17	K. Koughia, B. Fogal, R. E. Johanson, G. Belev, S. O. Kasap Department of Electrical Engineering, University of Saskatchewan, Saskatoon S7N5A9, Canada The influence of doping, alloying and ageing on the density of states in the mobility gap of stabilized a-Se from electron time-of-flight photocurrent analysis
E18	Mara Reinfelde, Janis Teteris Institute of Solid State Physics, University of Latvia, LV-1063, Riga, Latvia Polarisation properties of holographic gratings in amorphous chalcogenide films
E19	С. И. Мехтиева, А. И. Исаев, Э. А. Мамедов Институт Физики Национальной Академии Наук Азербайджана Токи, ограниченные объемным зарядом, в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы (ХСП) Se √ Te
E20	В. Б. Малков1, О.В. Малков2, А. В. Малков2, В.Г. Пушин3, Б. В. Шульгин4 Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН1 ЗАО НПЦ ╚РОСНА╩2 Институт физики металлов УрО РАН3 Уральский государственный технический университет4 Асимметрия реальной структуры микрокристаллов селена, растущих в аморфных пленках, и асимметрия их фотоэлектрических свойств
E21	Д.И. Исмаилов, Э.Ш. Алекперов, Э.М. Керимова, Ф.И. Алиев Институт физики НАН Азербайджана, г. Баку Кинетика кристаллизации аморфных пленок составов Tl4S3 и Tl2S5
E22	M. С. Йову1, И. А. Васильев1, E. П. Коломейко1, E. В. Eмельянова2, В. И. Архипов3, Г. Ж. Aдриаенссенс2 1Центр Оптоэлектроники, ИПФ, АНМ Ул. Aкадемией 1, MД-2028, Кишинэу, Республика Молдова 2Halfgeleiderfysica, University of Leuven, B-3001 Leuven, Belgium 3IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium Релаксация фототока в плёнках a-As2S3 и a-As2S3: Pr
E23	M. С. Иову, Э. П. Коломейко, И. А. Васильев, Д. В. Харя Центр Оптоэлектроники, ул. Академией 1, МD-2028, Кишинёв, Республика Молдова Влияние оптического смещения на переходный фототок в плёнках a-As2S3: Sn
E24	А.М.Андриеш1, Н.Мателешко2, В.Мица2, И.Вереш3, М.Коош3 1Академия наук Молдовы 2Ужгородский национальный университет, ул. Волошина, 32, Ужгород, Украина 3Академия наук Венгрии, Институт физики твердого тела и оптики Наноразмерные фазовые выделения в объемном стекле As2S3, пленках и волокнах на их основе
E25	В.В. Галян1, С. И. Мудрый2, Г. Е. Давыдюк1, О. В. Парасюк1, Ю. Кулык2, И.И. Мазурец1 1Волынский государственный университет имени Леси Украинки 2 Львовский национальный университет им. Ивана Франко Cтруктура стеклообразных сплавов систем GeX2-HgX (X-S,Se)
E26	Э.Р. Мустафаев, А.Ш.Мехтиев, Ш.М.Эфендиев Азербайджанский Технический Университет Край оптического поглощения пленок BiSJ
E27	D. Arsovaa, Y. C. Boulmetisb, C. Raptisb, V. Pamukchievaa, E. Skordevaa aInstitute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, 1784 Sofia, Bulgaria bDepartment of Physics, National Technical University of Athens, GR-15780 Athens, Greece Boson peak in the raman scattering srectra of AsxS1-x glasses
E28	М.И.Даунов1, Т.Р.Арсланов1, А.И.Харкунов2, П.П.Хохлачев1 1 Институт физики ДагНЦ РАН, Махачкала 2 Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка Фазовые переходы в массивных аморфных сплавах ZN49SB51 и AL32GE68 при всестороннем давлении до 7 ГПа.
E29	С.Р.Гаджиева, Н.Р. Ахмедова, И.Б. Бахтийаров Нац. Акад. Наук Азербайджана. Ин-т химических проблем Исследование области стеклообразования в системах LnS-Ga2S3 и Yb2S3 (Ln=Eu, Sm, Yb)
E30	И.В.Боднарь, В.С.Гурин*, А.П.Молочко, Н.П.Соловей Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники *НИИ физико-химических проблем БГУ, Минск, Беларусь Спектральные свойства и структурное состояние наночастиц CuInTe2 в матрице стекла
E32	Э.Н. Воронков, А.Р.Файрушин, С.А. Козюхин*, Н.П. Кузьмина** Московский энергетический институт (ТУ) 111250 Москва, Красноказарменная ул, д.14 *Институт общей и неорганической химии РАН 119991Москва Ленинский пр.,31 **Московский государственный университет, 119899 Москва, Воробьевы горы, Химический Факультет Электрические свойства тонких пленок селенида мышьяка, модифицированных органическими комплексами редкоземельных элементов
E33	В.Вал.Соболев Удмуртский государственный университет, Россия, 426034 Ижевск, ул. Университетская 1 Оптические спектры диоксида германия
E34	В.Вал.Соболев Удмуртский государственный университет, Россия, 426034 Ижевск, ул. Университетская 1 Оптические спектры теллуридов цинка и кадмия
E35	Е.М. Зобов, М.Е. Зобов, А.Х Шарапудинова Институт физики Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, 367003, ул. Ярагского, 94 Оптические свойства стекол (La1-xPrx)2S3 nGa2O3 переменного состава
E36	Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбштейн, С.В. Якимов, Б.Т. Мелех ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, С.-Петербург Особенности условий затвердевания стеклообразного сплава Тe80Si20 в невесомости и электрофизические свойства полученного образца
E37	И.С. Савинов Московский энергетический институт (ТУ) Москва, Красноказарменная ул., д.14 Моделирование дрейфового переноса носителей заряда в аморфных полупроводниках
E38	Б. Т. Мелех, Л. А. Кулакова, В. И. Бахарев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Cинтез и физические свойства стёкол в системе Ge-Se-Te по разрезу Ge20SeXTe80-X.
E39	М.А.Таиров*, М.Таштанова** * Ташкентский Государственный Технический университет ** Ташкентский институт инженеров ирригации и мелиорации и сельского хозяйства Превращение халькоприт <=> сфалерит соединений ZnSnAs2, Cd Sn As2, Zn Ge As2
E40	А.А. Бабаев, С.Б. Султанов, А.М. Асхабов, А.М. Хасбулатов* Институт физики Дагестанского научного центра РАН, г. Махачкала * Дагестанский государственный университет, г. Махачкала Реверсивный эффект возгорания и затухания фотолюминесценции в cтеклообразных полупроводниках GES3
Секция F: Технические приложения
F01	В.Я.Когай, Е.В.Александрович, А.Ч.Хан Институт Прикладной механики УрО РАН, г. Ижевск, Россия Прецизионные датчики на основе тонкопленочных хсп, легированных медью
F02	А.С. Гудовских, J.P. Kleider Laboratoire de Genie Electrique de Paris (UMR 8507, CNRS) Ecole Superieure d'Electricite 11 Rue Joliot-Curie, F-91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France Исследование свойств интерфейса гетеропереходов a-Si:H/c-Si с помощью адмитанс-спектроскопии
F03	С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, В.Г. Мишустин, И.Г. Уточкин, А.П. Авачев Рязанская государственная радиотехническая академия, г. Рязань, Россия Деградация параметров солнечных элементов на неупорядоченных полупроводниках с позиции барьерной теории
F04	А.В. Сизов, А.А. Шерченков, Б.Г.Будагян, А.Б.Грабов Московский институт электронной техники, Москва Аморфизация монокристаллического кремния в солнечных батареях на его основе в условиях жесткого космического излучения
F05	С.П.Тимошенков1, В.И.Графутин2, В.В.Калугин1,Е.П.Светлов-Прокопьев2 1Московский институт электронной техники (Технический университет) 2ФГУП ГНЦ РФ Институт теоретической и экспериментальной физики Исследование свойств структур КНИ методом позитронной аннигиляционной спектроскопии
F06	А.Е. Гамарц Санкт-Петербургский Государственный электротехнический университет ╚ЛЭТИ╩ Экспресс-метод анализа фотоэлектрических характеристик микрокристаллических слоев PbSe
F07	Д.А. Лапшин, С.В. Рожков Рязанская государственная радиотехническая академия Блок автоматизации установки термоактивационной спектроскопии с адаптивной системой терморегулирования
	Р.А. Сударчиков, В.Н. Гордеев, В.А. Филиков Московский энергетический институт (технический университет) Методика обработки снимков поверхности пленок a-Si:H, полученных методами растровой и атомно-силовой микроскопии
F09	И.Г. Уточкин1, А.П. Авачев1, Н.В. Вишняков1, В.Г. Мишустин1, А.А. Попов2 Рязанская государственная радиотехническая академия1, Рязань Институт микроэлектроники и информатики РАН2, Ярославль Исследования неупорядоченных полупроводников методом атомно √ силовой микроскопии
F10	А.И.Максимов1, С.В.Кощеев1, В.А.Мошников1, Л.Ф.Чепик2, Е.П.Трошина2 1Санкт-Петербургский Государственный электротехнический университет ⌠ЛЭТИ■, Российская федерация, 197376 Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, д. 5, 2Институт химии силикатов им. И.В.Гребенщикова РАН, Российская федерация, 199155 Санкт-Петербург, ул. Одоевского, д. 24, корп. 2 Электронно-микроскопические исследования нанокомпозитных газочувствительных слоев, полученных золь-гель методом
F11	В.В. Гудзев, М.В. Зубков, В.Г. Литвинов Рязанская государственная радиотехническая академия Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в барьерных структурах ? √ Si:H
F12	В.М. Лебедев Петербургский институт ядерной физики им. Б.П.Константинова РАН, 188300 г.Гатчина Определение стехиометрии тонких пленок ядерно-физическими методами
F13	Н. С. Грушко, Л. Н. Потанахина Ульяновский государственный университет Моделирование температурной зависимости спектра электролюминесценции структур на основе GaN с квантовой ямой
F14	С. В. Булярский, Н.С. Грушко, Д.В. Казаков Ульяновский государственный университет Влияние термообработки на спектры электролюминесценции cветодиодов на основе GaP
F15	О.Н. Куликов, Н.Н.Куликова, М.Г.Барышев, Г.Ф.Копытов Кубанский государственный университет Изменение удельной проводимости поверхностно-барьерного перехода инжекцией неосновных носителей заряда
F16	Б.А. Наджафов, Н.Н.Мурсакулов*, В.Р.Фигаров* Институт Радиационных Проблем НАН Азербайджана, Баку, AZ-1143, Г.Джавида 31а * Институт физики НАН Азербайджана, Баку, AZ-1143, Г. Джавида 33 Спектральная зависимость фотопроводимости в пленках а-Si0.80Ge0.20: Hx
F17	Н.Т.Гурин, Д.В.Рябов Ульяновский государственный университет Изменение спектров электролюминесценции, электрических и световых характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn при инфракрасной подсветке
F18	С. Кудайкулова, А. Сыздыкова, Р. Искаков, Б. Жубанов, С. Баженов*, И. Разумовская*, А. Курбатов**, О. Приходько**, Т. Ахметов**, V. Voytekunas***, M. Abadie*** Институт химических наук, Уалиханова 106, Алма-Ата, 480100, КАЗАХСТАН *Государственный Педагогический Университет, Москва, РОССИЯ **Казахский Национальный Университет им. аль-Фараби, Алма-Ата, КАЗАХСТАН ***Universite Montpellier 2, 34095 Montpellier cedex 5, ФРАНЦИЯ Новые высокоотражающие полимерные зеркала на основе просеребрянных полиимидных пленок
F19	Б.А.Наджафов, Н.Н.Мурсакулов* Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, ул. Г.Джавида, 31а, AZ-1143, Азербайджан *Институт Физики НАН Азербайджана, ул. Г.Джавида, 33, AZ-1143, Азербайджан Свойства солнечных элементов Pt/a-Si0,80Ge0,20:Hx
F20	I.Kuzmina, J.Teteris Institute of Solid State Physics, University of Latvia, Riga, Latvia, LV-1063 Bragg and asymmetric relief reflection gratings in As-S-Se thin films
F21	А.В. Кухто, Э.Э. Колесник, Д.В. Ритчик, В.В. Галькин*, И.И. Жолнеревич* Институт молекулярной и атомной физики НАН Беларуси, 220072 Минск, Беларусь *Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь Численное моделирование процессов в органических электролюминесцентных структурах с металлическими наночастицами
F22	А.И.Андреев, Н.П.Дацкевич*, С.М.Кокин, М.С.Кравченко, С.В.Мухин, Ю.П.Тимофеев*, П.А.Филимонов Московский государственный университет путей сообщения (МИИТ), *Физический институт Академии наук России Сравнение энергетических характеристик электролюминесцентного устройства в режимах возбуждения синусоидальным напряжением и вращающимся электрическим полем
F23	А.Г. Колосько, Е.И. Теруков Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Усиление оптического сигнала в структуре a-Si:H(Er)/стеклянный волновод
Секция G: Сопутствующие материалы
G01	В.Вал.Соболев Удмуртский государственный университет, Россия, 426034 Ижевск, ул. Университетская 1 Электронная структура и оптические свойства MgO
G02	Н.П.Серегин, С.А.Немов*, П.П.Серегин*, В.П.Волков*, Э.С.Хужакулов** Институт аналитического приборостроения РАН, 198103,Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251, Санкт-Петербург, Россия **Ташкентский областной государственный педагогический институт, 702500, Ангрен, Республика Узбекистан Влияние перехода порядок-беспорядок в электронной подсистеме полупроводника на пространственное распределение электронной плотности кристалла
G03	Г.И. Исаков Институт Физики Национальной Академии Наук Азербайджана, Az-1143, Баку, пр. Г. Джавида, 33 Классические и квантовые эффекты в микрокрокомпозитных эвтектиках полупроводник-металл
G04	И.В.Боднарь, В.Ф.Гременок Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Получение и свойства пленок AgIn5S8
G05	Д.В. Бутурович, Д.В. Вялых, М.В. Кузьмин, М.А. Митцев, С.Л. Молодцов Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Фотоэлектронная спектроскопия границ раздела Eu-Si(100) и Yb-Si(100)
G06	Беналоул П*, Бартоу К.*, Тагиев Б.Г.**, , Абушов С.А.**, Кязимова Ф.А.**, Т.М.Ильяслы***, Тагиев К.О.*** *Университет им. П и М.Кюри, Лаборатория оптика твердого тела. Париж. **Институт физики НАН Азербайджана ***Бакинский Государственный Университет Фотолюминесценция кристаллов BaSiO3 и BaSiO3 Er, Yb
G07	В.В.Криволапчук, Ю.В.Кожанова,* Д.С.Кибальников *, А.В.Иванов *, В.В.Лундин, М.М.Мездрогина, С.Н. Родин, Э.С.Хужакулов * Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский Государственный Политехнический университет Природа примесных центров редкоземельных ионов в GaN (на примере Еu, Sm,Еr, Tm)
G08	А.Х. Абдуев, А.К. Ахмедов, А.Ш. Асваров, Е.М. Зобов, Ш.О. Шахшаев Институт физики Дагестанского научного центра РАН, г. Махачкала Исследование структуры и излучательных свойств слоев ZnO:Al
G09	П.П.Горбик, И.В.Дубровин, М.Н.Филоненко Институт химии поверхности НАН Украины, г. Киев ул. Ген. Наумова 17 Получение пленок оксида цинка электрохимическим методом
G10	E.I. Terukov, V.Kh. Kudoyarova, G.N.Mosina*, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov**, B.A. Andreev, D.I. Krizhkov*** *Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia **Kazan Physicotechnical Institute, Kazan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, 420029 Kasan, Russia ***Institute for Physics of Microstructures, 603950 Nizhny Novgorod, Russia Photoluminescence in the range 1.5mm from the layers of single-crystalline silicon subjected to mechanical processing
G11	Ш.Б.Утамурадова Научно-исследовательский институт прикладной физики Национального университета Узбекистана им.М.Улугбека, Республика Узбекистан, г. Ташкент Исследование развития дефектной структуры монокристаллического кремния с примесями никеля и хрома при различных термообработках
G12	Х.С.Далиев, Ш.Х.Далиев Научно- исследовательский институт прикладной физики Национального университета Узбекистана им. М.Улугбека, Республика Узбекистан, г. Ташкент Спектроскопия дефектов в кремнии, легированном гафнием и никелем
G13	Х.С.Далиев Национальный университет Узбекистана им.М.Улугбека, Республика Узбекистан, г. Ташкент О физических процессах в МДП-структурах на основе кремния, легированного титаном
G14	Т.П. Чусова, Л.Н. Зеленина, Ю.Г. Стенин, З.И. Семенова, А.А. Титов Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск Термодинамика парообразования трихлорида галлия
G15	Ш.О.Эминов, А.А.Раджабли, Т.И.Ибрагимов, Ф.Х.Гусейнов Институт Физики НАН Азербайджана, Баку Оптическое пропускание и фотопроводимость в эпитаксиальных слоях InSb
G16	Н.Е. Коробова Казахский Национальный Университет им. аль-Фараби, Алматы, Казахстан Получение и полупроводниковые свойства тонких пленок BaTiO3
G17	A.V.Ilinskii1, R.A.Aliev2, V.A.Klimov3, E.B.Shadrin3 1Sciences Institute, Autonomous University of Puebla, Mexico 2Amerikhanov Institute of Physics of DSC Russian Academy of Science, Makhachkala 3Ioffe Physical-Technical Institute of Russian Academy of Science, SPb Metal-insulator phase transition in W-doping vanadium dioxide thin films
G18	Э.М.Годжаев, Д.М.Кабулов, К.Д.Гюльмамедов Азербайджанский технический университет, Баку Стационарная фотопроводимость монокристаллов TlIn1-xNdxSe2 (0<x<0,04)
G19	Валеев Р.Г.1, Крылов П.Н.2, Кобзиев В.Ф.2, Романов Э.А.2 1 Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск 2 Удмуртский государственный университет, Ижевск Получение, электрофизические и оптические свойства тонких нанокомпозитных пленок ZnSe
G20	Д.М. Кафарова, Н.Ю. Сафаров, Р.А. Керимова, С.И. Сафарова Азербайджанский технический университет. Азербайджан, Баку Синтез и выращивание монокристаллов тройных соединений типа AIII BIII C2VI
G21	С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь*, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, М.А. Таиров** Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия **ИВИП Ташкентский Государственный Технический университет, Узбекистан Наведенный фотоплеохроизм гетеропереходов ZnO/GaAs
G22	И.И. Парфенова СПГГИ (ТУ) им. Г.В. Плеханова Cтруктурные искажения и примесь азота в GaP и GaAs
G23	Dipak K. Basa Utkal Univ., Bhubaneswar, Orissa, India Plasma treatment studies on silicon nitride films