Аморфные и микрокристаллические полупроводники

Глубокоуважаемые коллеги!

Приглашаем Вас принять участие в работе V Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", которая состоится 19─21 июня 2006 года в Санкт-Петербурге в Научно-образовательном комплексе "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр" РАН.

Организаторы

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
Российский Фонд фундаментальных исследований
Научно-образовательный комплекс
"Санкт-Петербургский физико-технический научно- образовательный центр" РАН
при участии 000 "НТЦ "Физимпэкс" ФТИ Иоффе"

Финансовая поддержка

Российский Фонд фундаментальных исследований
Санкт-Петербургский научный центр РАН

Организация, ответственнная за проведение конференции

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

194021 Санкт-Петербург, Политехническая 26

Секретарь Оргкомитета

Трапезникова Ирина Николаевна

Телефон: (812) 292 7173

Факс: (812) 297 1017

E-mail: trapez@mail.ioffe.ru

Координатор программного комитета, сопредседатель Оргкомитета

Цэндин Константин Дамдинович

Телефон: (812) 292 7982

Факс: (812) 297 1017

E-mail: tsendin@mail.ioffe.ru

Организационный комитет

Председатель: Теруков Евгений Иванович, д.т.н., ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН
Сопредседатель: Цэндин К.Д., д.ф.-м.н., ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН
Секретарь: Трапезникова И.Н., ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН
Координатор оргкомитета: Николаев Ю.А., ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН

Программный комитет

Андриеш А.М. (ИПФ, Кишинев)
Афанасьев В.П. (СПбГЭТУ, Санкт-Петербург)
Бабаев А.А. (ИФ ДНЦ РАН, Махачкала)
Вихров С.П. (РТА, Рязань)
Воронков Э.Н. (МЭИ, Москва)
Голубев В.Г. (ФТИ РАН, Санкт-Петербург)
Гордеев С.К. (ЦНИИМ, Санкт-Петербург)
Закревский В.А. (ФТИ РАН, Санкт-Петербург)
Иванов-Омский В.И. (ФТИ РАН, Санкт-Петербург)
Казанский А.Г. (МГУ, Москва)
Козюхин С.А. (ИОНХ РАН, Москва)
Назаров А.Н. (ИФП НАНУ, Киев)
Попов А.И. (МЭИ, Москва)
Сарсембинов Ш.Ш. (НИИ ЭТФ КазГУ, Алматы)
Смирнов А.Г. (РТИ, Минск)
Соболев В.В. (Удм.ГУ, Ижевск)
Таурбаев Т.И. (КазГУ, Алматы)
Тверьянович Ю.С. (СПГУ, Санкт-Петербург)
Теруков Е.И. (ФТИ РАН, Санкт-Петербург)
Точицкий Э.И. (ИЦ БелАН "Плазмотег", Минск)
Цэндин К.Д. (ФТИ РАН, Санкт-Петербург)
Шаманин В.В. (ИВМС, Санкт-Петербург)
Юрре Т.А. (СПбГТИ (ТУ), Санкт-Петербург)

Научная программа

В программу конференции будут включены Коломийцевская лекция (45 мин.), пленарные лекции (30 мин.), устные доклады (15 мин.), отобранные программным комитетом на основании их оригинальности и значимости, а также стендовые доклады по следующим направлениям:

Аморфный гидрированный кремний и сплавы на его основе;
Микро- и нанокристаллические полупроводники и сплавы;
Аморфный и алмазоподобный углерод, сплавы на его основе;
Стеклообразные полупроводники;
Органические полупроводники;
Методы получения;
Фотоэлектрические свойства;
Легирование и дефекты структуры;
Структурные свойства;
Фотопроводимость и рекомбинация;
Фото- и электролюминесценция;
Кинетические явления;
Технические приложения

Цель конференции - обмен актуальной информацией в области аморфных и микрокристаллических полупроводников, установление контактов и организация совместных работ в данном направлении.
Языки конференции - русский и английский.

Контрольные даты

Предоставление тезисов и регистрационной формы не позднее 29 апреля 2006 года.
Программа-приглашение с сообщением о включении доклада в программу конференции 19 мая 2006 года.

Представление тезисов докладов

Тезисы докладов объемом 2 страницы формата А4 должны быть оформлены в соответствии с прилагаемой инструкцией и высланы в электронном виде в адрес Оргкомитета не позднее 29 апреля 2006 года. Просим одновременно выслать заполненную регистрационную форму.

Требования к оформлению тезисов

Тезисы объемом 2 стр. должны предоставляться в 2-х экземплярах и быть подготовлены для прямого воспроизведения.
Формат листа: А4. Поля - 2.5см.
Шрифт - Times New Roman , межстрочный интервал - одинарный.
Название набирается заглавными буквами, размер шрифта-14пт, начертание жирное, расположение- центрированное.
Авторы: размер шрифта - 12пт, расположение - центрированное. Подчеркнуть фамилию докладчика. Инициалы перед фамилией.
Название организации: размер шрифта - 12пт, начертание курсивное, расположение - центрированное.
Отступ в 1 строку после названия статьи и названия организации.
Текст: размер шрифта - 12пт, начертание обычное, отступ первой строки абзаца- 0.6см, расположение - по ширине.
Отдельно присылается вариант тезисов на английском языке объёмом 1-2 стр., оформленный аналогично.
К тезисам прилагается акт экспертизы установленной формы. При пересылке листы тезисов не сгибать. Тезисы должны быть также направлены по электронной почте секретарю Оргкомитета. Файл тезисов должен называться по фамилии первого автора (например, petrov1.doc, petrov1_eng.doc и т.д.).

Размещение

Для участников конференции забронированы места по списку в гостинице "Орбита" (ст. метро пл.Мужества, проспект Непокоренных 4 (вход со двора), Бронь 23899), "Наука", а также в гостинице Научно-образовательного физико-технического комплекса.

Оргвзнос

Общая сумма оргвзноса для участия в конференции составляет 1000 руб., в нее входят организационные, почтовые расходы, техническое обслуживание, публикация информационных материалов и сборника трудов конференции. Аспирантам и студентам предоставляется 50% скидка.

000 "НТЦ "Физимпэкс" ФТИ Иоффе"
194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул. д.26
ИНН 7802147610 р/сч 40702810613000002298
В Выборгском фил. ОАО "Промышленно-строительный банк"
БИК 044030791 корр/сч 30101810200000000791
ОКПО 05822830 ОКОНХ 95130 КПП 780201001

В переводе указать: оргвзнос ФИО за участие в конференции АМП-5.

Программа конференции

═

НАУЧНАЯ ПРОГРАММА
19 июня
Пленарное заседание
9:45	Коломийцевская лекция. K.D. Tsendin A.F. Ioffe Physico-Technical Institute, St Petersburg 194021, Russia Peculiarities of information recording on chalcogenide glassy semiconductors
10:40	А.Н.Лачинов Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН Электронные свойства органических полупроводников на основе несопряженных полимеров
11:10	Czang-Ho Lee, Andrei Sazonov, and Arokia Nathan Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, Waterloo, Ontario, N2L 3G1, Canada Nanocrystalline silicon thin-film transistors for flexible electronics
11:40-12:00 кофе
12:00	А.Б. Певцов, А.А. Андреев, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, Б.Т. Мелех, В.Г. Голубев ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, г.Санкт-Петербург Фотонные кристаллы на основе халькогенидов германия: получение, структурные, электрические и оптические свойства
12:30	A.Kosarev, A.Torres National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics, Puebla, Mexico Un-cooled micro-bolometers based on plasma deposited films
13:00	В.А. Быков ЗАО Группа "НТ-МДТ" , г. Зеленоград Новые возможности зондовой микроскопии
13:30	А.П. Авачев¹, В.А. Быков², Н.В. Вишняков¹, С.П. Вихров¹, В.Г. Мишустин¹, И.Г. Уточкин¹ ¹Рязанская государственная радиотехническая академия ²ЗАО "Нанотехнология - МДТ", г. Зеленоград Применение атомно√силовой микроскопии для исследования электрофизических свойств микро- и наноразмерных объектов на неупорядоченных полупроводниках
14:00-15:00 обед
Секция A Аморфный гидрированный кремний и сплавы на его основе
15:00	А.А. Шерченков, А.Б. Апальков Московский государственный институт электронной техники. Распределение зарядовых состояний в щели подвижности a-Si:H
15:20	М.С. Бреслер¹, О.Б. Гусев¹, Е.И. Теруков¹, Ю.К. Ундалов¹, А.В. Мудрый², Б.А. Андреев³, З.Ф. Красильник³, А.Н. Яблонский³ ¹ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт- Петербург, Россия ² Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников НАНБ, Минск, Беларусь ³ Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия Фотолюминесценция эрбия в гетерогенной матрице аморфного кремния, полученного магнетронным распылением
15:40	А.Г. Казанский, К.Ю. Хабарова Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва Фотоиндуцированное изменение проводимости в легированном и компенсированном аморфном гидрированном кремнии
16:00	Б.М. Синельников, В.А. Тарала, Л.А. Кашарина, И.С. Митченко Северо-Кавказский государственный технический университет, г. Ставрополь Температурная зависимость электропроводности пленок a-SiC:H
16:20-16:40 кофе
Секция B Органические полупроводники
16:40	К. А. Осипов, В. Н. Павловский, Е. В. Луценко, А. Л. Гурский, Г. П. Яблонский, S. Hartmann², A. Janssen², R. Caspary, H.-H. Johannes², W. Kowalsky², N. Meyer³, M. Gersdorff³, P. van Gemmern⁴, C. Zimmermann⁴, F. Jessen⁴, H. Kalisch⁴, R. H. Jansen⁴, M. Heuken^3,4 ¹ Институт физики Национальной академии наук Беларуси, просп. Независимости 68, 220072 Минск, Беларусь ²Institut fьr Hochfrequenztechnik, Technische Universitдt Braunschweig, SchleinitzstraЯe 22, 38106 Braunschweig, Germany ³AIXTRON AG, D-52072 Aachen, Germany ⁴Institut fьr Theoretische Elektrotechnik, RWTH Aachen, KopernikusstraЯe 16, 52074 Aachen, Germany Влияние интенсивности и продолжительности лазерного облучения на фотолюминесценцию тонких органических пленок a-NPD
17:00	Р.Б. Салихов¹, А.Н. Лачинов², Р.Г. Рахмеев¹, А.А. Бунаков¹ ¹Башкирский государственный педагогический университет ²Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний - полимер- металл
17:20	Э.А. Лебедев, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Политехническая 26, 194021,Россия Инжекция и дрейф носителей заряда в слоях полифенилвинилена (PPV)
17:40	Ю.М.Юмагузин¹, В.М.Корнилов², А.Н.Лачинов² ¹Башкирский государственный университет, г.Уфа ²Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН, г.Уфа Исследование электронных свойств структуры металл-полимер методом полевой эмиссионной спектроскопии
18:00 Welcome party
20 июня
Секция C Аморфный углерод и другие широкозонные полупроводники
9:00	Б.А. Наджафов Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Баку Электрические свойства пленок a-Si_1-xC_x:H_z и изменение их параметров в зависимости от концентрации углерода
9:20	Е.П. Светлов-Прокопьев¹, С.П. Тимошенков², О.М. Бритков², В.И. Графутин¹, С.А. Зотов², В.В. Калугин², Ю.Я. Лапицкий¹, Ал.С. Тимошенков² ¹Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И.Алиханова, Москва ²Московский институт электронной техники (технический университет) Изучение режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси CH₄+H₂ пониженного давления в методе нагретой нити
9:40	М.Д. Ефремов¹, В.А. Володин¹, С.А. Аржанникова¹, Г.Н. Камаев¹, С.А. Кочубей¹, Д.В. Марин¹, А.А. Попов², Ю.А. Минаков² ¹ИФП СО РАН, пр. ак. Лаврентьева 13, Новосибирск ²ИМИ РАН, ул.Университетская 21, Ярославль Вариация оптических свойств пленок SiN_x с кремниевыми кластерами, модифицированных посредством лазерного воздействия.
10:00	В.М. Лебедев, А.А. Васильев, М.Е. Взнуздаев, П.А. Кравцов, Л.М. Коченда, М.С. Микиртычьянц, В.А. Трофимов Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, Гатчина Изготовление, определение состава и толщины самоподдерживающихся тонких углеродных пленок
10:20	В.В. Соболев, и В.Вал. Соболев Удмуртский государственный университет, Ижевск Спектры пропускания характеристических потерь электронов и оптические свойства одиночных и многослойных углеродных нанотрубок
10:40	С.Г. Ястребов, В.И. Иванов-Омский Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петебург О соотношении sp²/sp³ для аморфного углерода и родственных нанокомпозитов
11:00	Р.Н. Грицкевич¹, Э.И. Точицкий¹, Н.А. Поклонский², М. Самбуу², Н.И. Горбачук², Н.М. Лапчук² ¹Научный инженерный центр "Плазмотег Физико-технического института НАН Беларуси, Минск ²Белорусский государственный университет, Минск Диагностика методом ЭПР пленок алмазоподобного углерода
11:20-11:40 кофе
Секция C Халькогенидные и стеклообразные полупроводники
11:40	Ш.Ш Сарсембинов¹, О.Ю. Приходько¹, А.П. Рягузов¹, С.Я. Максимова¹, Р.М. Искаков², В.Ж. Ушанов¹ ¹Казахский национальный университет им. аль-Фараби, Алматы, Казахстан ²Институт химических наук, Алматы, Казахстан Особенности атомной структуры аморфных пленок As₂S₃, полученных разными методами
12:00	D.A. Kurdyukov, S.F. Kaplan, N.F. Kartenko, A.V. Medvedev, and V.G. Golubev Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg Photo- and electroluminescence of new opal- sulfide and opal-silicate phosphor composites
12:20	В.Ю. Колосов, Л.М. Веретенников УрГЭУ, г. Екатеринбург Применение электронов для локальных переключений аморфная фаза- кристалл и исследования особенностей структуры в халькогенидных плёнках
12:40	A.M. Andries, M.S. Iovu, S.A. Buzurniuc, V.I. Verlan, E.P. Colomeic Center of Optoelectronics of the Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova New composites materials based on chalcogenide glasses and polymer
13:00	A.V. Kolobov CANFOR-AIST, Tsukuba Central 4, 1-1-1 Higashi, Ibaraki 305-8562 Japan and LPMC, UMR CNRS 5617, Universitйs Montpellier II, Montpellier 34095, France Chalcogenide glasses for advanced memory applications
13:20	M.S. Iovu, A.M. Andries, N.N. Syrbu, E.V. Lupan, V.I. Ciornea, E.P.Colomeico, Yu.S. Tver'yanovich¹, G.J.Adriaenssens² Center of Optoelectronics, IAP, ASM, Str. Academiei 1, MD-2028 Chisinau, R. Moldova ¹Russian Center of Laser Physics, St. Petersburg State University, St. Petersburg ²Laboratorium voor Halfgeleiderfysica, K.U. Leuven, B-3001 Heverlee-Leuven, Belgium Photoluminescence of Ga_0.017Ge_0.25As_0.083S_0.65 glasses doped with rare earth ions
13:40-14:20 обед
14:20	Э.Н. Воронков, С.А. Козюхин¹, Е. И.Микерина Московский энергетический институт, Москва ¹Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва Электрические характеристики аморфных пленок As₂Se₃, содержащих кислород
14:40	Н.В. Бодягин, С.П. Вихров, Т.Г. Ларина, С.М. Мурсалов Рязанский государственный радиотехнический университет, г. Рязань Методика исследования самоорганизации неупорядоченных материалов с применением теории информации
15:10	А.Г.Никитина, В.В.Зуев Московский инженерно-физический институт (государственный университет) Особенности влияния бистабильных амфотерных центров с отрицательной корреляционной энергией на температурную зависимость концентрации свободных носителей в полупроводнике
15:30	В.С. Минаев¹, И.М. Терашкевич¹, С.П. Тимошенков², С.Н. Новиков², В.В. Калугин², Е.Н. Маркова² ¹ЗАО "НИИ Материаловедения", Москва ²Московский институт электронной техники (Технический университет) Наногетероморфная структура и релаксационные процессы в некристаллических полупроводниках и диэлектриках (халькогенидах, оксидах, галогенидах, углероде и кремнии)
15:50	С.А. Козюхин ¹, Н.Д. Васильева ², Е.А. Бабенко ² ¹Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова РАН, Москва ²Московский энергетический институт (ТУ) Влияние комплексных соединений РЗЭ Ln(Thd)₃ (Ln=Eu, Tb, Er, Yb) на морфологию поверхности аморфных пленок триселенида мышьяка
16:10-16:20 кофе
16:20 - Стендовые секции
21 июня
Секция E Микрокристаллические и нанокритсаллические полупроводники и сплавы
9:00	В.А.Терехов⁵, М.Г.Иванов^1,2 М.Д.Ефремов¹, В.А.Володин¹, Д.В.Марин¹, А.И.Корчагин³, В.В.Черепков³ , А.В.Лаврухин³, С.Н.Фадеев³, Р.А.Салимов³, С.П.Бардаханов⁴, В.М. Кашкаров⁵, К.Н. Панков⁵, Э.П. Домашевская⁵ ¹Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск ²Новосибирский Государственный Университет, Новосибирск ³Институт ядерной физики им. Г.Г.Будкера СО РАН, Новосибирск ⁴Институт теоретической и прикладной механики, Новосибирск ⁵Воронежский Государственный университет, Воронеж Структура и оптические свойства нанопорошков кремния
9:20	Д.Н. Унучек¹, Н.В. Гапоненко, Е.А. Степанова¹, М.В Степихова² , А. Козанецки³, В. Глуханик³ ¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ²Институт физики микроструктур РАН ³Institute of Physics, Polish Academy of Sciences Фотолюминесценция эрбия в ксерогеле оксида железа, сформированного в пористом анодном оксиде алюминия
9:40	С.П. Зимин ,¹ Е.С. Горлачев¹ , Ю.М. Канагеева¹, А.Ю. Савенко², В.В. Лучинин², В.А. Мошников² ¹Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова ²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Структурные и электрические характеристики пористого кремния со сложной морфологией
10:00	В.А. Юхимчук¹, М.Я. Валах¹ , В.М. Джаган¹, О.С. Литвин¹, А.М. Яремко¹, З.Ф. Красильник², А.В. Новиков² ¹Институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины, Киев ²Институт физики микроструктур РАН, Н.Новгород Релаксация напряжений в GeSi наноостровках, закрытых кремниевым слоем
10:20	С.К. Лазарук, Д.А. Сасинович, П.С. Кацуба, А.Г. Смирнов, В.А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Формирование пористого анодного оксида алюминия с регулируемым наклоном пор
10:40	В.Е. Оглуздин Научная организация "Центр лазерной технологии и материаловедения", Москва Методика расчета коэффициента упругости, характеризующего в кремниевых наноструктурах связь оптического электрона с атомами среды
11:00- 11:20 кофе
11:20	А.П. Авачев¹, Н.В. Вишняков¹, С.П. Вихров¹, В.Г. Мишустин¹, К.В. Митрофанов¹, И.Г. Уточкин¹, А.А. Попов² ¹Рязанский государственный радиотехнический университет, г. Рязань ²Институт микроэлектроники и информатики РАН, г. Ярославль Измерение поверхностного и объемного зарядов в микро- и наноразмерных структурах на неупорядоченных полупроводниках
11:40	Р.А. Алиев, В.А. Климов¹, И.О. Попова, С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена ¹Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Оптические и электрические свойства поликристаллических слоев диоксида ванадия вблизи фазового перехода металл-полупроводник
12:00	В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН Создание низкоразмерных электронных структур в многослойных системах на основе кремния методом СТМ
12:40-13:40 обед
Секция F Технические приложения
13:40	Э.Н. Воронков, С.А. Козюхин¹, Е.А. Бабенко Московский энергетический институт, Москва ¹Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН Выпрямление в тонкопленочных структурах на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников
14:00	В.В. Путролайнен ^1,2, А.Б. Черемисин^1,2, А.А. Величко¹ , А.Л. Пергамент¹ ¹Петрозаводский государственный университет ²Condensed Matter Physics, Department of Microelectronics and Information Technology,Royal Institute of Technology, SE-164 40 Stockholm - Kista, Sweden Получение тонких пленок оксида ванадия методом лазерной абляции
14:20	А.А. Дукин, В.Г. Голубев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Увеличение эффективности оптической накачки ионов эрбия в a-SiO_x:H/a-Si:H микрорезонаторе
14:40	С.К. Лазарук, А.В. Долбик, В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Использование процессов горения и взрыва наноструктурированного пористого кремния в микросистемных устройствах
15:00	А.П. Авачев, С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов, В.Г. Мишустин Рязанский государственный радиотехнический университет, г. Рязань, Особенности ВАХ контакта металл√некристаллический полупроводник
15:20	Б.А. Наджафов Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Баку, Aэербайджан Солнечные батареи с барьером Шоттки
15:40	Л.Н. Зеленина, Т.П. Чусова, Ю.Г. Стенин, В.В. Баковец, Т.М. Левашова Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск Фторорганические производные элементов II√VI групп: термодинамика фазовых переходов и получение пленок на их основе
16:00 кофе
13:00 - Стендовые секции
E01	В.П. Афанасьев, Г.П. Крамар Санкт-петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Старение в тонкопленочных структурах на основе нанокристаллических пленок ЦТС
E02	Ф.Ф. Комаров¹, Н.И. Мухуров², А.В. Мудрый³, Л.А. Власукова¹, А.В. Иванюкович³ ¹Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь ²Институт электроники НАН Беларуси, Минск, Беларусь ³Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, Минск Интенсивная голубая люминесценция аморфного нанопористого оксида алюминия
E03	Д.А. Курдюков¹ , Н.Ф. Картенко¹, В.Г. Голубев¹, Т.В. Мурзина², О.А. Акципетров² ¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург ²Московский государственный университет, физический факультет, Москва Синтез железо-иттриевого граната в порах опала с использованием буферного слоя нитрида галлия
E04	Ю.В. Рябчиков, Л.А. Осминкина, А.С. Воронцов, И.А. Белогорохов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра ОФиМЭ Генерация синглетного кислорода в порошках и водных суспензиях пористого кремния
E05	А.И. Попов¹, Н.Д. Васильева¹, Г.Ф. Воробьева, М.Д. Малинкович, Ю.Н. Пархоменко, Н.А. Филипьев, М.Л. Шупегин Московский государственный институт стали и сплавов (МИСиС) ¹Московский Энергетический институт (МЭИ) Анизотропия электропроводности нанокомпозитов с кремний-углеродной матрицей, содержащих нанофазу на основе вольфрама
E06	В.И. Соколов, Л.М. Сорокин, А.Е. Калмыков, Л.В. Григорьев¹ ФТИ им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург ¹НИИ Физики им. В.А.Фока, СПб, Ст. Петергоф Модуляция кинетических параметров электронных ловушек коллективным полем заряженной поверхности зерен порошка в цинк сульфидных и цинк оксидных люминофорах
E07	А.Г. Панфилов, А.В. Родина, М.А. Абдуллаев, И.С. Панкратов, М.Э. Сасин, Р.П Сейсян Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Институт физики ДНЦ РАН, г. Махачкала Подавление сильным магнитным полем квантово-размерных эффектов возбужденных состояний экситона в тонких кристаллах CdSe
E08	С.Ф. Каплан, В.Г. Голубев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Влияние температуры на формирование коллоидных частиц a-SiO₂ при щелочном гидролизе ТЭОС изготовление пленочных трехмерных фотонных кристаллов из сфер аморфного диоксида кремния
E09	С.А. Аржанникова, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, Г.Н.Камаев, Д.В. Марин, В.С. Шевчук, А.А.Попов², Ю.А.Минаков² Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск ¹Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль Электрические свойства планарных структур на основе V₂О₅ - геля
E10	А.А.Бабаев, М.И.Даунов, И.К.Камилов, С.Ф.Габибов Институт физики Дагестанского научного центра РАН Россия, 367003, г. Махачкала, ул. Ярагского, 94 Квазибесщелевой полупроводник при высоких давлениях v модель аморфного полупроводника
E11	Б.М. Костишко, А.В. Золотов Ульяновский государственный университет Моделирование динамики деградации пор в пористом кремнии под действием неоднородного температурного поля
E12	В.A. Беляков, В.A. Бурдов Нижегородский государственный университет, 603950 Нижний Новгород Примесные состояния в кремниевых квантовых точках
E13	Н.В. Гапоненко, Г.К. Маляревич, Д.А. Циркунов, Д.Н. Унучек, М.В. Степихова¹, А.В. Мудрый² Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ¹Институт физики микроструктур РАН ²Институт физики твердого тела и полупроводников, НАН Беларуси Синтез и физико-химические исследования структур ксерогель/пористый анодный оксид алюминия
E14	А.И. Ряснянский^1,2, Р.А. Ганеев², Т. Усманов² ¹НПО "Академприбор", Академгородок, Ташкент, Узбекистан ² Самаркандский Государственный университет им. А. Навои, Самарканд, Узбекистан Оптические и нелинейно-оптические характеристики растворов полупроводниковых наночастиц приготовленных методом лазерной абляции
E15	С.П. Тимошенков, О.М. Бритков, В.И. Графутин¹, С.А. Зотов, В.В. Калугин, Ю.Я. Лапицкий¹, Е.П. Светлов-Прокопьев¹, Ан.С. Тимошенков Московский институт электронной техники (технический университет) ¹Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И.Алиханова Рост и легирование эпитаксиальных слоев кремния, осаждаемых в гидридном и хлоридных процессах, при скоростном нагреве подложек некогерентным излучением в производстве структур КНИ
E16	В.В. Соболев, В.Вал. Соболев Удмуртский государственный университет, Ижевск Фундаментальные спектры нанообразцов дисилицида железа
E17	Л.П. Казакова, М.Г. Мынбаева, К.Д. Мынбаев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Перенос носителей заряда в пористом карбиде кремния
E18	О.В. Гончарова¹, В.Ф. Гременок², В.М. Кравченко³, А.В. Кравченко³, О.В. Ермаков³, В.Б. Залесский³ ¹Институт молекулярной и атомной физики НАН Беларуси ²Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси ³Институт электроники НАН Беларуси Структурные и оптические свойства прозрачных нано-кристаллических пленок In₂S₃
E19	С.Г. Черкова, Д.В. Марин, Г.А. Качурин, M. Deutschmann¹ Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск ¹Laser Zentrum Hannover, 30419 Hannover,Germany Формирование и отжиг дефектов структуры в люминесцирующих нанокристаллах Si
E20	М.Н. Мартышов, Л.В. Шапошников, П.А. Форш Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Электропроводность пористого кремния при различных конфигурациях электрических контактов
E21	Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Фотопреобразование в структурах на основе фосфида бора
E22	И.С. Савинов, Э.Н. Воронков Московский энергетический институт, Москва Расчет динамики процесса кристаллизации в ячейках энергонезависимой памяти с фазопеременной средой
E23	И.Б.Копелев Московский энергетический институт, Москва, Моделирование фазового перехода кристалл- аморфное состояние
17:00 КРУГЛЫЙ СТОЛ И ЗАКРЫТИЕ КОНФЕРЕНЦИИ

Обновлено 14 июня 2006 года