НАУЧНАЯ ПРОГРАММА
|
19 июня
|
Пленарное заседание |
9:45
|
Коломийцевская лекция К.Д. Цэндин
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Особенности записи информации на халькогенидных стеклообразных полупроводниках
|
10:40
|
А.Н.Лачинов
Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН
Электронные свойства органических полупроводников на основе несопряженных полимеров
|
11:10
|
Czang-Ho Lee, Andrei Sazonov, and Arokia Nathan
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo,
Waterloo, Ontario, N2L 3G1, Canada
Nanocrystalline silicon thin-film transistors for flexible electronics
|
11:40-12:00 кофе |
12:00
|
А.Б. Певцов, А.А. Андреев, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, Б.Т. Мелех, В.Г. Голубев
ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, г.Санкт-Петербург
Фотонные кристаллы на основе халькогенидов германия: получение, структурные, электрические и оптические свойства
|
12:30
|
A.Kosarev, A.Torres
National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics, Puebla, Mexico
Un-cooled micro-bolometers based on plasma deposited films
|
13:00
|
В.А. Быков
ЗАО Группа "НТ-МДТ" , г. Зеленоград
Новые возможности зондовой микроскопии
|
13:30
|
А.П. Авачев1, В.А. Быков2, Н.В. Вишняков1, С.П. Вихров1, В.Г. Мишустин1, И.Г. Уточкин1
1Рязанская государственная радиотехническая академия
2ЗАО "Нанотехнология - МДТ", г. Зеленоград
Применение атомно√силовой микроскопии для исследования электрофизических свойств микро- и наноразмерных объектов на неупорядоченных полупроводниках
|
14:00-15:00 обед |
Секция A Аморфный гидрированный кремний и сплавы на его основе
|
15:00
|
А.А. Шерченков, А.Б. Апальков
Московский государственный институт электронной техники.
Распределение зарядовых состояний в щели подвижности a-Si:H
|
15:20
|
М.С. Бреслер1, О.Б. Гусев1, Е.И. Теруков1, Ю.К. Ундалов1, А.В. Мудрый2,
Б.А. Андреев3, З.Ф. Красильник3, А.Н. Яблонский3
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт- Петербург, Россия
2 Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников НАНБ, Минск, Беларусь
3 Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
Фотолюминесценция эрбия в гетерогенной матрице аморфного кремния, полученного магнетронным распылением
|
15:40
|
А.Г. Казанский, К.Ю. Хабарова
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва
Фотоиндуцированное изменение проводимости в легированном и компенсированном аморфном гидрированном кремнии
|
16:00
|
Б.М. Синельников, В.А. Тарала, Л.А. Кашарина, И.С. Митченко
Северо-Кавказский государственный технический университет, г. Ставрополь
Температурная зависимость электропроводности пленок a-SiC:H
|
16:20-16:40 кофе |
Секция B
Органические полупроводники
|
16:40
|
К. А. Осипов, В. Н. Павловский, Е. В. Луценко, А. Л. Гурский, Г. П. Яблонский, S. Hartmann2, A. Janssen2, R. Caspary, H.-H. Johannes2, W. Kowalsky2, N. Meyer3, M. Gersdorff3, P. van Gemmern4, C. Zimmermann4, F. Jessen4, H. Kalisch4, R. H. Jansen4, M. Heuken3,4
1 Институт физики Национальной академии наук Беларуси, просп. Независимости 68, 220072 Минск, Беларусь
2Institut fьr Hochfrequenztechnik, Technische Universitдt Braunschweig, SchleinitzstraЯe 22, 38106 Braunschweig, Germany
3AIXTRON AG, D-52072 Aachen, Germany
4Institut fьr Theoretische Elektrotechnik, RWTH Aachen, KopernikusstraЯe 16, 52074 Aachen, Germany
Влияние интенсивности и продолжительности лазерного облучения на фотолюминесценцию тонких органических пленок a-NPD
|
17:00
|
Р.Б. Салихов1, А.Н. Лачинов2, Р.Г. Рахмеев1, А.А. Бунаков1
1Башкирский государственный педагогический университет
2Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН
О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний - полимер- металл
|
17:20
|
Э.А. Лебедев,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Политехническая 26, 194021,Россия
Инжекция и дрейф носителей заряда в слоях полифенилвинилена (PPV)
|
17:40
|
Ю.М.Юмагузин1, В.М.Корнилов2, А.Н.Лачинов2
1Башкирский государственный университет, г.Уфа
2Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН, г.Уфа
Исследование электронных свойств структуры металл-полимер методом полевой эмиссионной спектроскопии
|
18:00 Welcome party
|
20 июня
|
Секция C
Аморфный углерод и другие широкозонные полупроводники
|
9:00
|
Б.А. Наджафов
Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Баку
Электрические свойства пленок a-Si1-xCx:Hz и изменение их параметров в зависимости от концентрации углерода
|
9:20
|
Е.П. Светлов-Прокопьев1, С.П. Тимошенков2, О.М. Бритков2, В.И. Графутин1, С.А. Зотов2, В.В. Калугин2, Ю.Я. Лапицкий1, Ал.С. Тимошенков2
1Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И.Алиханова, Москва
2Московский институт электронной техники (технический университет)
Изучение режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси CH4+H2 пониженного давления в методе нагретой нити
|
9:40
|
М.Д. Ефремов1, В.А. Володин1, С.А. Аржанникова1, Г.Н. Камаев1, С.А. Кочубей1, Д.В. Марин1, А.А. Попов2, Ю.А. Минаков2
1ИФП СО РАН, пр. ак. Лаврентьева 13, Новосибирск
2ИМИ РАН, ул.Университетская 21, Ярославль
Вариация оптических свойств пленок SiNx с кремниевыми кластерами, модифицированных посредством лазерного воздействия.
|
10:00
|
В.М. Лебедев, А.А. Васильев, М.Е. Взнуздаев, П.А. Кравцов, Л.М. Коченда, М.С. Микиртычьянц, В.А. Трофимов
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН,
Гатчина
Изготовление, определение состава и толщины самоподдерживающихся тонких углеродных пленок
|
10:20
|
В.В. Соболев, и В.Вал. Соболев
Удмуртский государственный университет, Ижевск
Спектры пропускания характеристических потерь электронов и оптические свойства одиночных и многослойных углеродных нанотрубок
|
10:40
|
С.Г. Ястребов, В.И. Иванов-Омский
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петебург
О соотношении sp2/sp3 для аморфного углерода и родственных нанокомпозитов
|
11:00
|
Р.Н. Грицкевич1, Э.И. Точицкий1, Н.А. Поклонский2, М. Самбуу2, Н.И. Горбачук2, Н.М. Лапчук2
1Научный инженерный центр "Плазмотег Физико-технического института НАН Беларуси, Минск
2Белорусский государственный университет, Минск
Диагностика методом ЭПР пленок алмазоподобного углерода
|
11:20-11:40 кофе |
Секция D
Халькогенидные и стеклообразные полупроводники
|
11:40
|
Ш.Ш Сарсембинов1, О.Ю. Приходько1, А.П. Рягузов1, С.Я. Максимова1, Р.М. Искаков2, В.Ж. Ушанов1
1Казахский национальный университет им. аль-Фараби, Алматы, Казахстан
2Институт химических наук, Алматы, Казахстан
Особенности атомной структуры аморфных пленок As2S3, полученных разными методами
|
12:00
|
D.A. Kurdyukov, S.F. Kaplan, N.F. Kartenko, A.V. Medvedev, and V.G. Golubev
Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg
Photo- and electroluminescence of new opal- sulfide and opal-silicate phosphor composites
|
12:20
|
В.Ю. Колосов, Л.М. Веретенников
УрГЭУ, г. Екатеринбург
Применение электронов для локальных переключений аморфная фаза- кристалл и исследования особенностей структуры в халькогенидных плёнках
|
12:40
|
A.M. Andries, M.S. Iovu, S.A. Buzurniuc, V.I. Verlan, E.P. Colomeic
Center of Optoelectronics of the Institute of Applied Physics,
Academy of Sciences of Moldova
New composites materials based on chalcogenide glasses and polymer
|
13:00
|
A.V. Kolobov
CANFOR-AIST, Tsukuba Central 4, 1-1-1 Higashi, Ibaraki 305-8562 Japan and
LPMC, UMR CNRS 5617, Universitйs Montpellier II, Montpellier 34095, France
Chalcogenide glasses for advanced memory applications
|
13:20
|
M.S. Iovu, A.M. Andries, N.N. Syrbu, E.V. Lupan, V.I. Ciornea,
E.P.Colomeico, Yu.S. Tver'yanovich1, G.J.Adriaenssens2
Center of Optoelectronics, IAP, ASM, Str. Academiei 1, MD-2028 Chisinau, R. Moldova
1Russian Center of Laser Physics, St. Petersburg State University, St. Petersburg
2Laboratorium voor Halfgeleiderfysica, K.U. Leuven, B-3001 Heverlee-Leuven, Belgium
Photoluminescence of Ga0.017Ge0.25As0.083S0.65 glasses doped with rare earth ions
|
13:40-14:20 обед |
14:20
|
Э.Н. Воронков, С.А. Козюхин1, Е. И.Микерина
Московский энергетический институт, Москва
1Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
Электрические характеристики аморфных пленок As2Se3, содержащих кислород
|
14:40
|
Н.В. Бодягин, С.П. Вихров, Т.Г. Ларина, С.М. Мурсалов
Рязанский государственный радиотехнический университет, г. Рязань
Методика исследования самоорганизации неупорядоченных материалов с применением теории информации
|
15:10
|
А.Г.Никитина, В.В.Зуев
Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
Особенности влияния бистабильных амфотерных центров с отрицательной корреляционной энергией на температурную зависимость концентрации свободных носителей в полупроводнике
|
15:30
|
В.С. Минаев1, И.М. Терашкевич1,
С.П. Тимошенков2, С.Н. Новиков2, В.В. Калугин2, Е.Н. Маркова2
1ЗАО "НИИ Материаловедения", Москва
2Московский институт электронной техники (Технический университет)
Наногетероморфная структура и релаксационные процессы в некристаллических полупроводниках и диэлектриках (халькогенидах, оксидах, галогенидах, углероде и кремнии)
|
15:50
|
С.А. Козюхин 1, Н.Д. Васильева 2, Е.А. Бабенко 2
1Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова РАН, Москва
2Московский энергетический институт (ТУ)
Влияние комплексных соединений РЗЭ Ln(Thd)3 (Ln=Eu, Tb, Er, Yb) на морфологию поверхности аморфных пленок триселенида мышьяка
|
16:10-16:20 кофе |
16:20 - Стендовые секции
Секция A: Аморфный гидрированный кремний и сплавы на его основе
|
A01
|
А.И. Машин, А.В. Нежданов, В.Г. Шенгуров, А.Г. Разуваев
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Свойства структурно неоднородного аморфного кремния, легированного эрбием
|
A02
|
А.В. Васин, С.П. Колесник, А.А. Кончиц, В.С. Лысенко, А.Н. Назаров,
А.В. Русавский, Yukari Ishikawa1
Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1Japanese Fine Ceramic Center, Nagoya, Japan
Влияние низкотемпературного отжига на люминесцентные свойства обогащенных углеродом пленок а-SiC:H
|
A03
|
А.М. Сатанин1, Д.И. Тетельбаум, Ю.А.Менделева, В.A. Бурдов
1Институт физики микроструктур РАН
Научно-исследовательский Физико-технический институт ННГУ
Квантовая локализация в кремниевых кристаллитах, находящихся в a-Si матрице
|
A04
|
А.Г. Казанский, А.А. Хомич
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва
Электрические и фотоэлектрические свойства тонких пленок аморфного гидрированного кремния
|
A05
|
Е.И Теруков1, Т.Б. Данегулова, Б.М. Кабланбеков, Е.А. Сванбаев, Т.И. Таурбаев
1ФТИ им.А.Ф.Иоффе
Казахский национальный университет им. аль-Фараби, г. Алматы
металл- индуцированные изменения оптических параметров аморфного кремния при отжиге
|
A06
|
С.М. Манаков, Б.М. Кабланбеков, Т.И. Таурбаев
Казахский национальный университет им. аль-Фараби, г. Алматы
Влияние температуры осаждения на фоточувствительность пленок аморфного гидрогенизированного кремния
|
A07
|
Авачев А.П., Вишняков Н.В., А.А. Попов1 , Уточкин И.Г, Юлкин А.В.
Рязанский государственный радиотехнический университет, г. Рязань
1 Институт микроэлектроники и информатики РАН, г. Ярославль, Россия
Зависимость оптической ширины запрещенной зоны и структуры пленок a-Si:H
|
A08
|
А.П. Авачёв, С.П. Вихров, А.А. Попов1, И.Г. Уточкин, А.В. Юлкин
Рязанский Государственный радиотехнический университет, Рязань 1Институт микроэлектроники и информатики РАН, г. Ярославль
Взаимосвязь микроструктуры и спектров оптического поглощения плёнок a-Si:H, полученных методом НЧ ПХО
|
A09
|
В.П.Афанасьев, О.И.Коньков1, Н.А.Селюженок, Е.И.Теруков1
Санкт-Петербургский электротехнический университет "ЛЭТИ"
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021, Санкт-Петербург
Исследование слоистых пленок a-Si:H, полученных методом циклического осаждения и отжига
в плазме квазизамкнутых объемов
|
A10
|
В.П.Афанасьев, О.И.Коньков1, Н.А.Селюженок, Е.И.Теруков1
Санкт-Петербургский электротехнический университет "ЛЭТИ"
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021, Санкт-Петербург
Метод получения наноструктурированных слоистых пленок a-Si:H
для оптоэлектронных применений
|
A11
|
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
Влияние температуры и интенсивности освещения на образование метастабильных состояний в a-Si:H
|
A12
|
А. А. Шерченков, Б.Г. Будагян, Е.Д. Мнацаканян, Е.В. Горшкова
Московский государственный институт электронной техники
(технический университет)
Дифференциальная сканирующая калориметрия тонких пленок a-Si:H
|
A13
|
Н.И. Файнер, Ю.М. Румянцев, Е.А. Максимовский, В.В. Кириенко,
В.Г. Кеслер, Б.М. Аюпов, А.Н. Голубенко, Ф.А. Кузнецов
ИНХ СО РАН, Новосибирск
Перспективные low-k диэлектрики на основе аморфных пленок тройных соединений SiCxNy переменного состава
|
A14
|
А.Б. Шмелькин, К.Д. Цэндин
СПбГПУ, Санкт-Петербург, Россия
Влияние заряда центров на электролюминесценцию эрбия
в светодиодах на основе неупорядоченных полупроводников
|
A15
|
N.H.Nickel, M.Weizman, Е.Е.Терукова1
Hahn-Meitner Institut, Berlin
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Оптические свойства тонких поликристаллических пленок SixGe1-x, полученных методом лазерной кристаллизации
|
A16
|
А.М.Полянский, В.А. Полянский, Е.И. Теруков1
, О.И. Коньков1
ООО "НПК электронные и пучковые технологии",br>
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Получение слоев аморфного кремния, кремния, легированного 1% B и аморфного углерода на поверхности монокристаллического кремния; определение количества и энергии связи водорода в аморфных слоях
|
A17
|
А. П. Авачёв, Н.В. Вишняков, С.П. Вихров, К.В. Митрофанов, И.Г. Уточкин
Рязанский государственный радиотехнический университет
Измерение потенциала и плотности локализованных состояний в пленках неупорядоченных полупроводников
|
Секция B: Органические полупроводники
|
B1
|
А.С.Комолов
Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Петродворец, Санкт-Петербург
полупроводниковые пленки олиго(фенилен-винилена) на поверхности твердого тела
|
B2
|
А.А. Лачинов, Н.В. Воробьева1
Башкирский государственный ниверситет
1Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН
Инжекционное магнетосопротивление в системе полимер-ферромагнетик
|
B3
|
Э.К. Алиджанов, Ю.Д. Лантух, С.Н. Летута, С.Н. Пашкевич, Т.М Чмерева
Оренбургский государственный университет
Экситоны в наноструктурах, сформированных из органического полупроводника - N,N`-DBPTCDI
|
B4
|
Р. М. Искаков, Е. Л. Вечеркина, Б. А. Жубанов, Е. С. Стефанова1,
О. Ю. Приходько1
Институт химических наук, ул. Уалиханова, 106
1 Казахский национальный университет им. аль-Фараби, Алматы, Казахстан
Корреляция структуры металлизированных полиимидных пленок и их электропроводящих свойств
|
B5
|
А.Г. Казанский, А.В. Фенухин
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва
Электрические и фотоэлектрические свойства тонких пленок перилена
|
B6
|
Д.А. Костерин, Г.Л. Пахомов, А.В. Мурель, В.И. Шашкин
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Проводимость структур p-Si/фталоцианин/металл
|
B7
|
А.В. Зиминов, А.А. Алексеева, С.М. Рамш, Т.А. Юрре
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет)
N-гетероциклические производные фталоцианина меди: синтез и спектральные исследования
|
B8
|
А.В. Зиминов, А.А. Алексеева, С.М. Рамш, Т.А. Юрре
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет)
Интегральная светочувствительность металлофталоцианинов в полимерной матрице
|
B9
|
В.Х. Ильясов, А.Н. Лачинов, А.В.Мошелёв, А.Ф. Пономарев1
Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН, г. Уфа
1Бирская государственная социально-педагогическая академия, г. Бирск
Влияние электрического поля на термостимулированное электронное переключение в полимерном полупроводнике
|
B10
|
Т. Р. Ганиев, А. Н. Лачинов, А. Ю. Жеребов
Башкирский Государственный Университет
*Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН
Изучение эффекта электронного переключения в тонких полимерных пленках индуцированного малым одноосным давлением
|
B11
|
Р.Б.Салихов, А.Н.Лачинов1
Башкирский государственный педагогический университет
1Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН
Исследование свойств тонких полимерных пленок полидифениленфталида
|
B12
|
Ю.Г. Аляев, С.А. Комолов, И.С. Бузин
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, г. С.-Петербург
Фотовольтаические явления на интерфейсах PTCDA/InAs и PTCDA/GaAs
|
B13
|
Г.И.Носова, Е.Л. Александрова, Н.А.Соловская, К.А.Ромашкова,
А.В. Якиманский, В.В.Кудрявцев.
Институт высокомолекулярных соединений РАН
Фотопроводимость полиимидов и полихиназолонов, содержащих фрагменты трифениламина
|
B14
|
Э.А. Лебедев, М.Я. Гойхман1, И.В. Подешво1, В.В.Кудрявцев1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
1Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург
Гистерезис температурной зависимости проводимости в слоях металл-полимерного комплекса полиамидокислоты с Tb и полифениленвинилена (PPV) |
B15
|
Е.Ю. Меленевская1, Д.Н. Орлова3, А.Г. Иванов1, Е.И. Теруков2, В.В. Шаманин1
1Институт высокомолекулярных соединений РАН, г. Санкт-Петербург
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
3Петербургский институт ядерной физики РАН, Гатчин
Фотопроводимость полиимидов и полихиназолонов, содержащих фрагменты трифениламина
|
B16
|
И.В.Чалов, Н.М.Геллер, Л.Б.Надеждина, В.В.Шаманин
Институт высокомолекулярных соединений РАН, Санкт-Петербург
Электропроводящие поли(салицилиденазометины), содержащие атомы переходных металлов в основной цепи
|
B17
|
А.Г.Иванов, Н.М.Геллер, Л.Б.Надеждина, В.В.Шаманин
Институт высокомолекулярных соединений РАН
Электропроводящие кремний- и оловосодержащие полиазометины
|
B18
|
В.Л.Берковиц, А.Г.Колосько, Е.И. Теруков, J.-P.Kleider1
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
1Laboratoire de Genie Electrique de Paris/Supelec (CNRS UMR8507), 11 Rue Joliot-Curie,
Plateau de Moulon, 91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France
Исследование пленок фталоцианина палладия методом спектроскопии анизотропного отражения
|
B19
|
А.Ю.Осадчев, В.В.Шаманин, Ю.В.Рудь1, Е.И.Теруков1
Институт высокомолекулярных соединений РАН
1
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
Фотолюминесцентные свойства полигомосопряженных полимеров
|
Секция С: Аморфный углерод и другие широкозонные полупроводники
|
C01
|
В.А. Титов, В.И.Рахлин1, А.А.Титов, З.И.Семенова
Институт неорганической химии им. А.В.Николаева СО РАН, г. Новосибирск
1Иркутский институт химии СО РАН им. А.Е.Фаворского, г. Иркутск
Термодинамическое моделирование поведения новых прекурсоров оксида и нитрида кремния в процессах получения диэлектрических слоев
|
C02
|
С.Г.Ястребов, С.К.Гордеев1, М.Гаррига2, М.И.Алонсо2, В.И.Иванов-Омский
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург
1ФГУП Центральный научно-исследовательский институт материалов 191014 Санкт-Петербург, Россия
2Institut de Ciencia de Materials de Barcelona, CSIC 08193 Bellaterra (Spain)
Эллипсометрия наноалмазного композита
|
C03
|
C.Zuniga, A.Kosarev, A.Torres, J.A.Johnson1, A. Erdemir1, and
O. L. Eryilmaz1
Institute National for Astrophysics, Optics and Electronics, Tonatzintla,
Puebla, 72840, Mexico
1Argonne national Laboratory, Argonne, Illinois 60439-4845, USA
Conductivity measurements on "near-frictionless carbon films"
|
C04
|
Н.Е. Яханова, А.Н. Чувыров, К.А. Лавренова
Башкирский государственный университет, Уфа, Россия
Свойства графита с двумерной наноструктурой
|
C05
|
<О.В. Александров, Н.Н. Афонин1
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
1Воронежский государственный педагогический университет
Влияние переходной ускоренной диффузии на перераспределение имплантированной сурьмы в системе a-SiO2-c-Si
|
C06
|
Р.У. Шаяхметов, Ю.М. Юмагузин
Башкирский государственный университет
Полевая электронная спектроскопия углеродной плёнки на металле
|
C07
|
А.В. Русавский, А.В. Васин, В.С. Лысенко, А.Н. Назаров, С.Н. Дуб1,
N. Andre2, , J.-P. Raskin2
Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
1Институт сверхтвердых материалов НАН Украины, Киев, Украина
2CeRMiN, Universite catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, Belgium
Структурные и механические свойства пленок аморфного карбида кремния для MEMS-устройств.
|
C08
|
А.А. Попов, А.Е. Бердников, В.Д. Черномордик
Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль
Особенности материала "нанокластеры кремния в нитриде кремния", осажденного в низкочастотном разряде
|
C09
|
В.В. Соболев, В.Вал. Соболев
Удмуртский государственный университет, Ижевск
Оптические свойства аморфного нитрида кремния
|
C10
|
В.П. Афанасьев, А.П. Сазанов, А. М. Спивак
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
Контактные системы к тонким пленкам нитрида алюминия
|
C11
|
А.Е. Кравчик, Ю.А. Кукушкина, В.В. Соколов, Г.Ф. Терещенко
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Исследование структуры нанопористого углерода, полученного из карбида бора методом термохимической обработки
|
Секция D: Халькогенидные и стеклообразные полупроводники
|
D01
|
В.В. Галян, Г.Е. Давыдюк, Н.В. Шевчук, А.Г. Кевшин, Ю. Когут
Волынский государственный университет имени Леси Украинки
Рентгеноструктурный анализ стеклообразных сплавов системы
GeS2-AgGaS2-AgGaSe2-GeSe2
|
D02
|
Н.В. Бодягин С.П. Вихров, Т.Г. Ларина, С.М. Мурсалов
Рязанский государственный радиотехнический университет, г. Рязань, Россия
Диагностика структуры поверхностей неупорядоченных полупроводников
|
D03
|
С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов, В.Г. Мишустин
Рязанский государственный радиотехнический университет, г. Рязань, Россия
Коэффициент собирания фотогенерированных носителей заряда в тонкопленочных структурах на основе неупорядоченных полупроводников
|
D04
|
А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Р.И. Алекперов
Институт физики НАН Азербайджана
Влияние примеси редкоземельных атомов самария (Sm) на оптические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Se √ As
|
D05
|
С.П. Зимин1, Е.С. Горлачев1 , М.Н. Герке2, О.Ю. Приходько3, А.П. Рягузов
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
2Владимирский государственный университет
3Казахский национальный университет им. Аль-Фараби
Исследование структурных характеристик аморфных пленок As2Se3 на мезопористом кремнии методами атомно-силовой микроскопии
|
D06
|
Э.С.Хужакулов
Ташкентский областной государственный педагогический институт
Атомы внедрения, возникающие при структурных перестроениях стекол |
D07
|
И.А. Барыгин1,2, А.И. Капустин2, К.Д. Цэндин1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Немонотонная температурная зависимость концентрации носителей в материалах с U-минус-центрами: халькогенидные стеклообразные полупроводники и высокотемпературные сверхпроводники
|
D08
|
Э. Ш. Алекперов, А.Ч. Мамедова, Э. М. Керимова, Д. И. Исмаилов
Институт физики НАНА, Баку
Электронографическое исследование кинетики кристаллизации нанотолщинных аморфных
TlIn1-xSnxS2
|
D09
|
Р.А.Кастро, А.В.Марченко, В.П.Волков, П.П.Серегин
Российский государственный педагогический университет им. А.И.Герцена
Изменение электронной плотности при переходах типа порядок-беспорядок в электронной подсистеме кристалла
|
D10
|
Р.А.Кастро, А.А.Добродуб
Российский государственный педагогический университет им. А.И.Герцена
U- - центры олова в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
|
D11
|
Г.А.Бордовский, Р.А.Кастро
Российский государственный педагогический университет им. А.И.Герцена
U- - центры олова в стеклообразных сплавах халькогенидов свинца и германия
|
D12
|
Е.В. Комаров, М.М. Сычев, Л.В. Григорьев1, С.В. Мякин2,
И.В. Васильева2, В.П.Усачева3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт
1Санкт-Петербургский государственный университет, Ст.Петергоф
2Технологический центр РАДИАНТ, Санкт-Петербург
3Физико-Технический Институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
Влияние содержания меди на изменение электролюминесцентных свойств цинксульфидного люминофора при облучении
|
D13
|
В. Мица1,Р. Голомб2, M. Довгошей1, П. Йогансон1, A. Матик2
1Uzhgorod National University, 54 Voloshin str., Uzhgorod 88000, Ukraine
2Dep. Applied Physics, CMP, Chalmers University of Technology, Goteborg, Sweden
КР спектры и полиморфные превращения в стеклах As-S при разных энергиях возбуждения
|
D14
|
Р. Голомб1, M. Довгошей2, В. Мица2, П. Йогансон1, A. Матик1
1Dep. Applied Physics, CMP, Chalmers University of Technology, Goteborg, Sweden
2Uzhgorod National University, Department of Solid State Physics, 54 Voloshin str., Uzhgorod 88000, Ukraine
Низкочастотные спектры комбинационного рассеивания технологически модифицированных стекол GeS2 измеренных при разных энергиях возбуждения
|
D15
|
В.Х. Кудоярова1, С.А. Козюхин 2, К.Д. Цэндин1, В.М. Лебедев3,
Е.А. Бабенко4
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова РАН, Москва
3Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, Гатчина, Ленинградская обл.
4Московский энергетический институт (Технический Университет)
Исследование состава аморфных пленок As2Se3, модифицированных комплексным соединением Ln(thd)3 (Ln= Er), по данным ядерного микроанализа и ИК-спектроскопии
|
D16
|
В.Я. Когай, Е.В. Александрович, А.Ч. Хан, М.Н. Ладилова
Институт прикладной механики УрО РАН, г. Ижевск
Изучение особенностей роста тонких пленок Ga2Te3 и Se методом эллипсометрии
|
D17
|
Б.Т. Мелех, Л.А. Кулакова, В.Х. Кудоярова, С.А. Грудинкин,
В.И. Бахарев
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Стеклообразование и физические свойства аморфных сплавов системы
Ge-Te-Se
|
D18
|
В. В. Соболев,В. Вал. Соболев, А. В. Красноперов
Удмуртский Государственный Университет, Ижевск
Расчет комплексов оптических функций сплавов системы PbTe-SnTe |
D19
|
Э. Ш. Гаджиев, А. И. Мададзаде, Д. И. Исмаилов, Э. М. Керимова,
Э. Э. Алекперова
Институт физики НАНА, Баку, Азербайджан
Электронографическое исследование кинетики фазовых превращений в аморфных пленках Yb As4 S7
|
D20
|
Н.Н. Абдулзаде, Н.Н. Мурсакулов, Р.Г. Ахмедзаде
Институт физики национальной Академии наук Азербайджана
Кинетические характеристики Ag2S
|
D21
|
Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Т.Г. Мишина, С.А. Абушов
Институт физики национальной Академии наук Азербайджана, Баку
Фотолюминесценция нанокристаллов Ga2S2:Eu
|
D22
|
Т.Г. Мамедов1, Г.М. Шарифов1, Ф.А. Микаилов1,2, E E. Шентюрк2,
L. Тюмбек2
1Институт физики НАН Азербайджана AZ 1143, Баку, пр. Г.Джавида 33
2Институт высоких технологий Гебзе, Гебзе, 41400, Коджаели, Турция
Влияние дефектов на поведение диэлектрической восприимчивости слоистого кристалла TlGaSe2 с несоразмерной фазой
|
D23
|
А.А. Фарзалиев, И.И. Алиев, О.М. Алиев, И.Г. Алиев
Институт химических проблем НАН Азербайджана
Химическое взаимодействие и стеклообразование в системе
As2 Sе3 √Tl3 As2 S3 Se3
|
D24
|
Н.Р. Ахмедова, О.М. Алиев
Институт химических проблем НАН Азербайджана, Баку
Стеклообразование в системах SmS-Ga2 S3 , EuS- Ga2 S3 и YbS- Ga2 S3
|
D25
|
Р.С. Магоммедрагимова, И.И. Алиев, В.М. Рагимова
b>
Институт химических проблем Национальной АН Азербайджана
Фазовое равновесие и стеклообразование в системе As2 Sе3 √In3 As2 S3 Se3
|
D26
|
Э.М. Годжаев, А.А. Ахмедов
Азербайджанский технический университет
Пьезорезистивный эффект в монокристаллах TlIn1-xYbx Se2
|
D27
|
В.В. Соболев, В.Вал. Соболев, В.А. Пагин
Удмуртский государственный университет, Ижевск
Оптические свойства кристалла CuGaS2
|
D28
|
В. В. Учайкин, Р.Т.Сибатов
Case Western Reserve University, Cleveland, USA
Ульяновский государственный университет
Дробно-дифференциальная теория переноса заряда в аморфных полупроводниках
|
D29
|
В.Ю. Колосов, Л.М. Веретенников, К.Л. Швамм
УрГЭУ, г. Екатеринбург
Кристаллизация тонких аморфных плёнок бинарной системы Sb-Te с выделением внутренне искривленных микрокристаллитов Te
|
|
D30
|
Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин.
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Интерпретация экспериментальных данных по оптической записи информации в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
|
D31
|
А.А. Бабаев, С.Б. Султанов, А.М. Асхабов
Институт физики Дагестанского научного центра РАН, Махачкала
Электрические, оптические и магнитные свойства стеклообразного сегнетоэлектрика SbSi, легированного Mn, Fe, Ni
|
21 июня
|
Секция E
Микрокристаллические и нанокристаллические полупроводники
и сплавы
|
9:00
|
В.А.Терехов5,
М.Г.Иванов1,2 М.Д.Ефремов1,
В.А.Володин1, Д.В.Марин1,
А.И.Корчагин3, В.В.Черепков3
, А.В.Лаврухин3, С.Н.Фадеев3,
Р.А.Салимов3, С.П.Бардаханов4,
В.М. Кашкаров5, К.Н. Панков5,
Э.П. Домашевская5
1Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский Государственный Университет, Новосибирск
3Институт ядерной физики им. Г.Г.Будкера СО РАН, Новосибирск
4Институт теоретической и прикладной механики, Новосибирск
5Воронежский Государственный университет, Воронеж
Структура и оптические свойства нанопорошков кремния
|
9:20
|
Д.Н. Унучек1, Н.В. Гапоненко,
Е.А. Степанова1, М.В Степихова2
, А. Козанецки3, В. Глуханик3
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
2Институт физики микроструктур РАН
3Institute of Physics, Polish Academy of Sciences
Фотолюминесценция эрбия в ксерогеле оксида железа, сформированного в пористом анодном оксиде алюминия
|
9:40
|
С.П. Зимин ,1 Е.С. Горлачев1
, Ю.М. Канагеева1, А.Ю. Савенко2,
В.В. Лучинин2, В.А. Мошников2
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
Структурные и электрические характеристики пористого кремния со сложной морфологией
|
10:00
|
В.А. Юхимчук1, М.Я. Валах1
, В.М. Джаган1, О.С. Литвин1,
А.М. Яремко1, З.Ф. Красильник2,
А.В. Новиков2
1Институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины, Киев
2Институт физики микроструктур РАН, Н.Новгород
Релаксация напряжений в GeSi наноостровках, закрытых кремниевым слоем
|
10:20
|
С.К. Лазарук, Д.А. Сасинович, П.С. Кацуба, А.Г. Смирнов, В.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Формирование пористого анодного оксида алюминия с регулируемым наклоном пор
|
10:40
|
В.Е. Оглуздин
Научная организация "Центр лазерной технологии и материаловедения", Москва
Методика расчета коэффициента упругости, характеризующего в кремниевых наноструктурах связь оптического электрона с атомами среды
|
11:00- 11:20 кофе |
11:20
|
А.П. Авачев1, Н.В. Вишняков1
, С.П. Вихров1, В.Г. Мишустин1,
К.В. Митрофанов1, И.Г. Уточкин1,
А.А. Попов2
1Рязанский государственный радиотехнический университет, г. Рязань
2Институт микроэлектроники и информатики РАН, г. Ярославль
Измерение поверхностного и объемного зарядов в микро- и наноразмерных структурах на неупорядоченных полупроводниках
|
11:40
|
Р.А. Алиев, В.А. Климов1, И.О. Попова, С.Д. Ханин,
Е.Б. Шадрин
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН
Оптические и электрические свойства поликристаллических слоев диоксида ванадия вблизи фазового перехода металл-полупроводник
|
12:00
|
В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов
Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН
Создание низкоразмерных электронных структур в многослойных системах на основе кремния методом СТМ
|
12:40-13:40 обед |
Секция F
Технические приложения
|
13:40
|
Э.Н. Воронков, С.А. Козюхин1, Е.А. Бабенко
Московский энергетический институт, Москва
1Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
Выпрямление в тонкопленочных структурах на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников
|
14:00
|
В.В. Путролайнен 1,2,
А.Б. Черемисин1,2, А.А. Величко1
, А.Л. Пергамент1
1Петрозаводский государственный университет
2Condensed Matter Physics, Department of Microelectronics and Information Technology,Royal Institute of Technology, SE-164 40 Stockholm - Kista, Sweden
Получение тонких пленок оксида ванадия методом лазерной абляции
|
14:20
|
А.А. Дукин, В.Г. Голубев
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Увеличение эффективности оптической накачки ионов эрбия в
a-SiOx:H/a-Si:H микрорезонаторе
|
14:40
|
С.К. Лазарук, А.В. Долбик, В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Использование процессов горения и взрыва наноструктурированного пористого кремния в микросистемных устройствах
|
15:00
|
А.П. Авачев, С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов,
В.Г. Мишустин
Рязанский государственный радиотехнический университет, г. Рязань,
Особенности ВАХ контакта металл√некристаллический полупроводник
|
15:20
|
Б.А. Наджафов
Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Баку, Aэербайджан
Солнечные батареи с барьером Шоттки
|
15:40
|
Л.Н. Зеленина, Т.П. Чусова, Ю.Г. Стенин, В.В. Баковец, Т.М. Левашова
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
Фторорганические производные элементов II√VI групп: термодинамика фазовых переходов и получение пленок на их основе
|
16:00 кофе |
13:00 - Стендовые секции
|
Секция E: Микрокристаллические
и нанокристаллические
полупроводники и сплавы
|
E01
|
В.П. Афанасьев, Г.П. Крамар
Санкт-петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
Старение в тонкопленочных структурах на основе нанокристаллических пленок ЦТС
|
E02
|
Ф.Ф. Комаров1, Н.И. Мухуров2,
А.В. Мудрый3, Л.А. Власукова1,
А.В. Иванюкович3
1Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь
2Институт электроники НАН Беларуси, Минск, Беларусь
3Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, Минск
Интенсивная голубая люминесценция аморфного нанопористого оксида алюминия
|
E03
|
Д.А. Курдюков1
, Н.Ф. Картенко1, В.Г. Голубев1,
Т.В. Мурзина2, О.А. Акципетров2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
2Московский государственный университет, физический факультет, Москва
Синтез железо-иттриевого граната в порах опала с использованием буферного слоя нитрида галлия
|
E04
|
Ю.В. Рябчиков, Л.А. Осминкина, А.С. Воронцов, И.А. Белогорохов,
В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров
МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра ОФиМЭ
Генерация синглетного кислорода в порошках и водных суспензиях пористого кремния
|
E05
|
А.И. Попов1, Н.Д. Васильева1,
Г.Ф. Воробьева, М.Д. Малинкович,
Ю.Н. Пархоменко, Н.А. Филипьев, М.Л. Шупегин
Московский государственный институт стали и сплавов (МИСиС)
1Московский Энергетический институт (МЭИ)
Анизотропия электропроводности нанокомпозитов
с кремний-углеродной матрицей, содержащих нанофазу на
основе вольфрама
|
E06
|
В.И. Соколов, Л.М. Сорокин, А.Е. Калмыков,
Л.В. Григорьев1
ФТИ им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург
1НИИ Физики им. В.А.Фока, СПб, Ст. Петергоф
Модуляция кинетических параметров электронных ловушек коллективным полем заряженной поверхности зерен порошка в цинк сульфидных и цинк оксидных люминофорах
|
E07
|
А.Г. Панфилов, А.В. Родина, М.А. Абдуллаев, И.С. Панкратов,
М.Э. Сасин, Р.П Сейсян
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Институт физики ДНЦ РАН, г. Махачкала
Подавление сильным магнитным полем квантово-размерных эффектов возбужденных состояний экситона в тонких кристаллах CdSe
|
E08
|
С.Ф. Каплан, В.Г. Голубев
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Влияние температуры на формирование коллоидных частиц a-SiO2 при щелочном гидролизе ТЭОС изготовление пленочных трехмерных фотонных кристаллов из сфер аморфного диоксида кремния
|
E09
|
С.А. Аржанникова, В.А. Володин,
М.Д. Ефремов, Г.Н.Камаев, Д.В. Марин, В.С. Шевчук,
А.А.Попов2, Ю.А.Минаков2
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
1Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль
Электрические свойства планарных структур на основе V2О5 - геля
|
E10
|
Б.М. Костишко, А.В. Золотов
Ульяновский государственный университет
Моделирование динамики деградации пор в пористом
кремнии под действием неоднородного температурного
поля
|
E11
|
В.A. Беляков, В.A. Бурдов
Нижегородский государственный университет, 603950 Нижний Новгород
Примесные состояния в кремниевых квантовых точках
|
E12
|
Н.В. Гапоненко, Г.К. Маляревич, Д.А. Циркунов,
Д.Н. Унучек,
М.В. Степихова1, А.В. Мудрый2
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
1Институт физики микроструктур РАН
2Институт физики твердого тела и полупроводников, НАН Беларуси
Синтез и физико-химические исследования структур ксерогель/пористый анодный оксид алюминия
|
E13
|
А.И. Ряснянский1,2, Р.А. Ганеев2,
Т. Усманов2
1НПО "Академприбор", Академгородок, Ташкент, Узбекистан
2 Самаркандский Государственный университет им. А. Навои,
Самарканд, Узбекистан
Оптические и нелинейно-оптические характеристики растворов полупроводниковых наночастиц приготовленных методом лазерной абляции |
E14
|
С.П. Тимошенков, О.М. Бритков,
В.И. Графутин1, С.А. Зотов, В.В. Калугин,
Ю.Я. Лапицкий1, Е.П. Светлов-Прокопьев1,
Ан.С. Тимошенков
Московский институт электронной техники (технический университет)
1Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И.Алиханова
Рост и легирование эпитаксиальных слоев кремния, осаждаемых в гидридном и хлоридных процессах, при скоростном нагреве подложек некогерентным излучением в производстве структур КНИ
|
E15
|
В.В. Соболев, В.Вал. Соболев
Удмуртский государственный университет, Ижевск
Фундаментальные спектры нанообразцов дисилицида железа
|
E16
|
Л.П. Казакова, М.Г. Мынбаева, К.Д. Мынбаев
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Перенос носителей заряда в пористом карбиде кремния
|
E17
|
О.В. Гончарова1, В.Ф. Гременок2,
В.М. Кравченко3, А.В. Кравченко3,
О.В. Ермаков3, В.Б. Залесский3
1Институт молекулярной и атомной физики НАН Беларуси
2Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси
3Институт электроники НАН Беларуси
Структурные и оптические свойства прозрачных нано-кристаллических пленок In2S3
|
E18
|
С.Г. Черкова, Д.В. Марин, Г.А. Качурин, M. Deutschmann1
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
1Laser Zentrum Hannover, 30419 Hannover,Germany
Формирование и отжиг дефектов структуры в люминесцирующих нанокристаллах Si
|
E19
|
М.Н. Мартышов, Л.В. Шапошников, П.А. Форш
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Электропроводность пористого кремния при различных конфигурациях электрических контактов
|
E20
|
Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Фотопреобразование в структурах на основе фосфида бора
|
E21
|
И.С. Савинов, Э.Н. Воронков
Московский энергетический институт, Москва
Расчет динамики процесса кристаллизации в ячейках энергонезависимой памяти с фазопеременной средой
|
E22
|
И.Б.Копелев
Московский энергетический институт, Москва,
Моделирование фазового перехода кристалл- аморфное состояние
|
Секция F: Технические приложения
|
F01
|
С.М. Малышкин, В.М. Корнилов1
Башкирский государственный университет
1Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН
Исследование свойств автоэмиссионных катодов с полимерным покрытием
|
F02
|
И.А. Викторов, В.Ф. Гременок, Е.П. Зарецкая, В.А. Иванов, Т.Р. Леонова1
ГНУ "Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников" НАНБ, Минск
1ГНУ "Институт электроники" НАНБ, Минск
Исследование электро-оптических свойств пленок ZnO:Al, полученных магнетронным напылением
|
F03
|
Э.М. Годжаев, Э.А. Аллахяров, Э.М. Мамедов, Х.С. Халилова
Азербайджанский технический университет, Азербайджан, Баку
Акустофотовольтаический эффект в цепочечных кристаллах типа AIIIBIIICVI2
|
F04
|
А.И. Андреев, С.М. Кокин
Московский государственный университет путей сообщения (МИИТ)
Повышение яркости и увеличение напряжения пробоя порошковых электролюминесцентных слоёв введением в них мелкодисперсного диэлектрика
|
F05
|
М.Т. Дадашев1, Т.М. Панахов 2, М.М. Дадашова1
1Азербайджанский технический университет,, Баку
2Азербайджанский архитектурно-строительный университет, Баку
Технология изготовления и некоторые особенности пьезоэлементов на основе тройных соединений типа TlSe
|
F06
|
Н.С. Грушко, Л.Н. Потанахина, С.А. Амброзевич
Ульяновский государственный университет
Спектры и эффективность электролюминесценсии структуры на основе InGaN
|
F07
|
В.В. Малютина-Бронская, В.Б. Залесский, Т.Р. Леонова
Институт электроники НАН Беларуси, г. Минск
Емкостные характеристики структур оксикарбид кремния - кремний
|
|
С.Н. Каллаев, Г.Г. Гаджиев, З.М. Омаров, А.А. Бабаев А.Р. Билалов
Институт физики Дагестанского научного центра РАН, Махачкала
Особенности теплофизических свойств полупроводниковой сегнетопьезокерамики ПКР-7М
|
F09
|
С.К. Лазарук, Д.А. Сасинович, П.С. Кацуба, В.А. Лабунов, А.А. Лешок,
В.Е. Борисенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Электролюминесценция в пористом кремнии, встроенном в матрицу анодного оксида алюминия
|
F10
|
Т.Л. Кулова, А.М. Скундин, Ю.В.Плесков, Е.И. Теруков1, О.И.Коньков1,
И.Н.Трапезникова1
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н.Фрумкина РАН
Москва
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Исследование внедрения лития в аморфный кремний методом спектроскопии электрохимического импеданса
|
F11
|
Ю. Ф. Бирюлин, Д. С. Курдыбайло1, Т. Л. Макарова, В. Л. Негров2,
А. В. Приходько1, И. И. Сайдашев, Е. И. Теруков, А. Г. Ткачев2, Г. П. Алексюк3, В. В. Шаманин3
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
1Санкт-петербургский государственный политехнический университет
2Тамбовский государственный технический университет
3Институт высокомолекулярных соединений РАН, г. Санкт-Петербург
Проводящие композиционные покрытия на основе наноуглеродных волокон в латексной бутадиен-стирольной матрице
|
F12
|
С. С.Османова, Э.А.Аллахяров, Т.П.Мусаев, И.Г.Гамдуллаева
Азербайджанский технический университет, Азербайджан, Баку
Новые электретные материалы типа ПЭНП + Х ВЕС. % TlInSe2 (Ga, In, Tl)
|
F13
|
А. Б. Черемисин1,2, В. В. Путролайнен1,2, A. A. Величко1, A. Л. Пергамент1, Г. Б. Стефанович1, A. M. Grishin2
1Петрозаводский государственный университет
2Condensed Matter Physics, Department of Microelectronics and Information Technology, Royal Institute of Technology, SE-164 40 Stockholm-Kista, Sweden
Модификация физико-химических свойств тонких аморфных пленок оксидов ванадия под действием излучения эксимерного лазера.
|
F14
|
A.Ш. Абдинов, Г.М. Мамедов, С.И. Амирова
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Фоточувствительные гетеропереходы SnO2/Cd0.4Zn0.6S0.8Se0.2
/CdTe, полученные методом электрохимического осаждения
|
F15
|
Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Процессы ударного возбуждения в пленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn
|
F16
|
П.В. Гаенко, А.Г. Забродский, В.Г. Малышкин, Ю.А. Николаев,
Е.И. Теруков , И.Н. Трапезникова
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург, Россия
Влияние частоты ультразвукового диспергирования платинированной сажи при приготовлении каталичических "чернил" на удельную мощность в
твердополиметрном топливном элементе
|
F17
|
Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь1, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, Т.Н. Ушакова
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Гетерофотоэлектроника мелкодисперсных сред
|
Секция G: Сопутствующие материалы
|
G01
|
О.Я. Березина, А.А. Величко, А.Л. Пергамент, Г.Б. Стефанович, С.А Мануйлов, Е.С. Коцуба, И.А. Мельниченок
Петрозаводский государственный университет
Зависимость физических свойств пленок оксидов ванадия, легированных вольфрамом, от концентрации примеси
|
G02
|
А.И. Калугин, В.Н. Костенков, В.В. Соболев, В.Вал. Соболев
Удмуртский государственный университет, Ижевск
Фундаментальные оптические спектры дииодида свинца
|
G03
|
А.И. Калугин, И.В. Востриков, В.В. Соболев
Удмуртский государственный университет, Ижевск
Фундаментальные оптические спектры дииодида свинца
|
G04
|
А.И. Калугин, Е.В. Баранова, В.В. Соболев
Удмуртский государственный университет, Ижевск
Оптические спектры хлорида кадмия
|
G05
|
С.Г. Исхакова, А.И. Калугин, В.В. Соболев
Удмуртский государственный университет, Ижевск
Оптические свойства и электронная структура нитрита натрия
|
G06
|
В.В. Соболев, В.Вал. Соболев, Д.С. Деревяга
Удмуртский государственный университет, Россия, Ижевск
Фундаментальные оптические свойства ортосиликата висмута
|
G07
|
В. В. Соболев, В.Вал. Соболев, Д. М. Ураков
Удмуртский государственный университет, Ижевск
Спектр комплекса оптических функций титаната стронция
|
G08
|
Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, С.А. Абушов, Ф.А. Казымова
Институт Физики Национальной Академии Наук Азербайджана, Баку
Антистоксова люминесценция кристалла YbGa2S4:Er.
|
G09
|
С. Бартоу2, П. Беналоул2, О.Б. Тагиев1, В.А. Кузнецова4, К.О. Тагиев3
1Институт физики НАН Азербайджана, Баку
2Франция, Париж F-75252, Университет им.П.и М.Кюри, CNRS-UMR 7601
3Бакинский государственный университет
4Институт химии силикатов РАН, Россия, Санкт-Петербург
Люминесценция кристаллов BaSiO, активированных ио
нами Er3
|
G10
|
Д.В. Бутурович, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев
Физико- технический институт им А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Осцилляции фриделя в неупорядоченных, метастабильных пленках иттербия, создаваемых на поверхности кремния Si(111)7x7
|
G11
|
В.А. Логачева, А.Н. Лукин, А.М. Ховив
Воронежский государственный университет
Синтез и оптические свойства пленок WO3, полученных отжигом вольфрама, осажденного магнетронным способом
|
G12
|
Д.А. Кудряшов, С.Н. Грушевская, А.В. Введенский
Воронежский государственный университет
Фотоэлектрические свойства анодно сформированного на серебре оксида Ag2O
|
G13
|
Д. С. Яковлева
Петрозаводский государственный университет
Изменение электрических и оптических свойств тонких пленок гидратированного пентаоксида ванадия
в результате электрохромного эффекта.
|
G14
|
М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова1, С.Н.Родин
Физико- технический институт им А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Пространственная неоднородность распределения редкоземельных ионов и кинетика неравновесных носителей
заряда в вюрцитных кристаллах GaN, легированных Еu, Sm, Еr, Tm
|
G15
|
Ш.О. Эминов, А.А. Раджабли, Т.И. Ибрагимов
Институт физики НАН Азербайджана, Баку
Growth features and surface morphology of InSb liquid phase epitaxial layers
|
G16
|
Т.М. Гаджиев, Дж.Х. Магомедова, Р.М. Гаджиева, П.П. Хохлачев, Ш.А. Нурмагомедов1
Институт физики Дагестанский научный центр РАН, Махачкала
1Дагестанский государственный университет, Махачкала
Фото-и катодолюминесценция в кристаллическом CuInSe2.
|
G17
|
Ш.Б. Утамурадова, Х.С. Далиев, О.А. Бозорова, Ш.Х. Далиев
Научно-исследовательский институт прикладной физики
Национального университета Узбекистана имени Мирзо Улугбека
О нейтрализации железа в кремнии атомами гафния
|
G18
|
Ш.Б. Утамурадова, Х.С.Д алиев, Э.К. Каландаров, Ш.Х. Далиев
Научно-исследовательский институт прикладной физики
Национального университета Узбекистана имени Мирзо Улугбека
Трансформация энергетического спектра дефектов в Si при термических обработках
|
G19
|
Н.А. Авдеев, Г.С. Сиговцев
Петрозаводский госуниверситет
Получение, электрофизические и оптические свойства тонких нанокомпозитных пленок ZnSe
|
G20
|
И.Р. Набиуллин, В.М. Корнилов
Башкирский государственный университет, Уфа
Институт физики молекул и кристаллов Уфимский научный центр РАН
Модификация системы Si/SiO2 при исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии
|
G21
|
Т.П. Чусова, Л.Н. Зеленина, Ю.Г. Стенин, З.И. Семенова, А.А. Титов
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
Стандартные энтальпии образования и абсолютные энтропии жидкого и газообразного трихлорида галлия
|
G22
|
П.А. Тихонов, М.В. Калинина, А.П. Пивоварова1, Е.В. Орлова
Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова РАН,
1Санкт √ Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
Электрофизические и сенсорные свойства тонких оксидных пленок на основе ниобатов стронция
|
G23
|
И.В. Боднарь1 , И.Т. Боднарь2, И.В. Викторов2, В.Ф. Гременок2, M.Leon3
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
2Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, Минск
3Universidad Autonoma de Madrid, 28049 Madrid, Spain
Получение и свойства пленок тройного соединения CuIn5Se8
|
G24
|
И.В. Боднарь1 , И.В. Викторов2, В.Ф. Гременок2, В.А. Полубок
1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
2Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, Минск
Влияние отжига на структуру и оптические свойства пленок In2S3
|
|
17:00 - КРУГЛЫЙ СТОЛ И ЗАКРЫТИЕ КОНФЕРЕНЦИИ
|