1.1.1. Изотопно-модулированные гетероструктуры на основе кремния
       для спинтроники твердотельных квантовых компьютеров.
1.1.2. Isotopically engineered silicon-based heterostructures
       for spintronics and quantum computing.
1.2.1. а
1.2.2. 02
1.3.   02-204
1.4.   кремниевые гетероструктуры, изотопно-модулированые 
       структуры, спинтроника, квантовый компьютер,
       ядерный спин, нейтронно-трансмутационное легирование.
1.5.   Проект направлен направлен на решение фундаментальной 
       задачи создания и исследования полупроводниковых 
       гетероструктур на основе изотопов кремния, не имеющих 
       ядерного спина, с контролируемым пространственным и 
       концентрационным распределением доноров 31P, имеющих 
       ядерный спин I=1/2 (nuclear-spin engineered 
       heterostructures). Такие структуры представляют интерес 
       для спинтроники и могут, в частности, явиться основой 
       для реализации кубита в кремниевом квантовом компьютере.
 
       Для создания полупроводниковых гетероструктур на основе 
       кремния с контролируемым распределением ядерных спинов 
       впервые будет использована двухстадийная техника: 
       1) эпитаксиальное выращивание методом химической газовой 
       эпитаксии (ХГЭ) бесспиновой изотопно-модулированной 
       гетероструктуры состоящей из матрицы атомов 28Si со слоями
       из атомов 30Si и 2) нейтронное трансмутационное 
       легирование (НТЛ) этой структуры, формирующее в слое
       матричных атомов 30Si массив доноров 31P, с последующим
       отжигом возникающих при этом радиационных дефектов. 
       Такие гетероструктуры на всех этапах их формирования 
       будут исследованы с помощью комплекса диагностических 
       методов, включающего в себя вторично-ионную 
       масс-спектроскопию, растровую электронную микроскопию, 
       атомно-силовую, электростатическую силовую и 
       сверхвысоковакуумную сканирующую туннельную микроскопию и 
       многокристальную ренгеновскую дифрактометрию. 

       Теоретическое исследование, проводимое параллельно и тесно 
       связанное с экспериментальными исследованими, включает в 
       себя компьютерное моделирование процесса НТЛ и 
       последующего отжига: 1) исследование самого процесса НТЛ 
       изотопно-модулированной гетероструктуры 28Si/30Si/28Si: 
       оценка зависимости концентрации введенных доноров 31P от 
       параметров и дозы нейтронного облучения и моделирование 
       баллистических процессов генерации и атермической 
       релаксации в гетероструктуре радиационных дефектов и 
       2) моделирование диффузионной стадии эволюции 
       распределения атомных компонентов гетероструктуры 
       28Si/30Si:31P/28Si в процессе НТЛ и при последующем 
       отжиге. Такие теоретические ислледования ранее не 
       проводились.
1.6.   10
1.7.   2002-2004
1.8.   200000