@PCCase CheckSum:0000579031
1.1.    Исследование динамических характеристик точечных
        дефектов в низкоразмерных гетероструктурах 
	с помощью радиационных методов.
1.2.1.  а
1.2.2.  02
1.3.    02-204 
1.4.    тонкие пленки, структура, дефекты, полупроводниковые
	твердые растворы, низкоразмерные гетероструктуры, ионное 
	распыление, компьютерное моделирование
1.5.    Предлагаемый проект направлен на комплексное
        экспериментальное и теоретическое изучение 
	фундаментальных	динамических характеристик (энергий 
	активации миграции, поверхностных энергетических барьеров 
	и пороговых энергий смещения) основных и примесных атомов 
	и точечных дефектов в низкоразмерных полупроводниковых 
	структурах на основе многокомпонентных твердых растворов
        Теоретическое исследование, включающее в себя компьютерное
        моделирование процессов массопереноса при ионном облучении 
	таких структур на каскадноой
	(баллистической) и диффузионной стадиях, проводится в 
	тесной связи с экспериментальными исследованиями этих 
	процессов.  Экспериментальные исследования включают 
	управляемую генерацию различных точечных дефектов путем
	ионного облучения структур, проводимое непосредственно 
	во вторично-ионном масс-спектрометре и/или 
	оже-электронном спектрометре, и позволяют определять
        величины потоков распыленных частиц (основных и примесных
	атомов), энергетические распределения и текущий состав 
	приповерхностного слоя на дне кратера ионного травления. 
	Исследования проводятся на специально приготовленных
        низкоразмерных структурах с атомно резкими 
	гетерограницами, сверхтонкими (квантово-размерными) 
	барьерами и слоями и отдельными атомными плоскостями. 
	Такие структуры будут выращены методами 
	молекулярно-пучковой и газовой эпитаксий, и их 
	совершенство будет подтверждаться предварительной 
	тщательной характеризацией оптическими, 
	электронно-микроскопическими и рентгеноструктурными 
	методами. В результате выполнения такого исследования
        будут определены основные энергетические характеристики 
	как матричных атомов, так и точечных дефектов (включая 
	примесные атомы) в низкоразмерных гетероструктурах, 
	развита методика компьютерного моделирования процесса 
	ионного травления и ионной модификации таких структур
	и методика расчета распределения в них по глубине 
	ансамблей точечных дефектов и их временной эволюции.
1.6.    7
1.7.    1997-1998
1.8.    40000
	"Исполнители проекта согласны с условиями конкурса РФФИ
	в том числе с опубликованием (в печатной и элeктронной
	формах) научного отчета и перечня публикаций по проекту"


Руководитель проекта