1.1. Исследование физических процессов при внедрении тяжелых ионов и кластеров в приповерхностную область полупроводниковых гетероструктур 1.2.1. а 1.2.2. 02 1.3. 02-204 1.4. поверхность полупроводников, ансамбли точечных дефектов плотные каскады, компьютерное моделирование, кластерные ионы, ВИМС-профилирование, модификация поверхности, вторичная ионная эмиссия 1.5. Предлагаемый проект направлен на комплексное теоретическое и экспериментальное исследование процессов генерации ансамблей точечных дефектов, протекающих на каскадной и посткаскадной стадиях при бомбардировке поверхности полупроводниковых материалов и гетероструктур тяжелыми ионами и кластерами. Исследование характеристик таких ансамблей, образованных в приповерхностной области мишени ударами тяжелых ионов и кластеров, будет являться продолжением работы, проведенной при выполнении проекта по гранту РФФИ 97-02-18090, в которой рассматривались физические процессы генерации точечных дефектов при высокодозной бомбардировке гетероструктур в режиме линейных каскадов, характеризующемся их пространственным, но не временным наложением. В рамках проекта для исследования процессов генерации точечных дефектов при бомбардировке поверхности тяжелыми и кластерными ионами и последующей эволюции ансамблей образовавшихся дефектов будет разработан пакет компьютерных программ, объединяющий в себе моделирование плотных каскадов методами молекулярной динамики и Монте-Карло и моделирование процессов радиационно- стимулированной диффузии атомов и дефектов. Компьютерное моделирование будет проводиться в неразрывной связии с экспериментальными исследованиями, включающими в себя ВИМС-профилирование специально выращенных тестовых гетероструктур с ультратонкими маркерными слоями при использовании тяжелых ионов и кластеров. Такое сочетание теоретических и экспериментальных методов позволит определить важные характеристики исследуемых атомных процессов, такие как пространственно-временные зависимости импульсных распределений движущихся атомов, пороговые энергии для атомов мишени и примесей, пространственные распределения точечных дефектов, парциальные коэффициенты вторичной эмиссии в режиме плотных каскадов, и другие. Предлагаемый комплексный подход является уникальным и наиболее эффективным для изучения динамических характеристик исследуемых материалов. 1.6. 10 1.7. 1999-2001 1.8. 120 1.9.1.