1.1. 99-02-17990 1.2. Трушин Юрий Владимирович 1.3. Исследование физических процессов при внедрении тяжелых ионов и кластеров в приповерхностную область полупроводниковых гетероструктур 1.4. а 1.5. 2002 1.6. 1 1.7. При выполнении проекта колективом проводилось изучение характеристик и особенностей развития плотных каскадов, инициированных тяжелыми ионами и кластерами, а также их влияния на процессы вторичной эмиссии (распыления) и динамического изменения приповерхностной области различных материалов, включая полупроводниковые гетероструктуры, металлы и феррокерамики. В экспериментальной части работы, c целью разработки технологии формирования тестовых структур, содержащих эквидистантные маркерные дельта-слои Sb в GaAs-матрице, было изучено влияние температур роста и отжига на формирование таких маркеров. В результате была отработана технология низкотемпературной молекулярно- пучковой эпитаксии GaAs, позволяющая сформировать тестовые структуры содержащие маркеры толщиной 1.5 монослоя Sb с размытием слоя маркера не более 10..15 ангстрем. Также были проведены испытания прототипа универсального источника заряженных кластеров в варианте генерации отрицатеьлно-заряженных кластеров Si вплоть до трехатомных. Что еще ??? (Бер) Теоретическая часть работы касалась исследования процессов внедрения ионов и кластеров в приповерхностную область твердого тела и сопутствующих процессов, таких как развитие каскада, эволюция ансамблей точечных дефектов, а также распыления поверхности в режиме плотных каскадов путем численного моделирования с помощью методов молекулярной динамики и Монте-Карло. Были выявлены и сформулированы физические критерии, позволяющие оценить степень нелинейности каскада при заданных условиях облучения. Проведено моделирование внедрения кластеров в широком диапазоне начальных энергий (от 0.5 эВ/атом до 1.5 кэВ/атом) в приповерхностную область различных материалов. Выявлены закономерности нелинейных эффектов при распылении для различных энергий и размеров кластеров, исследовано преимущественное распыление многокомпонентных материалов в нелинейном режиме. Так же были проведены исследования особенностей травления полупроводниковых гетероструктур тяжелыми ионами Cs и молекулярными ионами кислорода. Сравнение расчетов с экспериментальными данными ВИМС- профилирования, полученными на образцах, предварительно охарактеризованных методом просвечивающей электронной микроскопии (TEM), позволило уточнить определенные ранее пороговые энергии смещения примесных атомов Al и In в матрице GaAs. Также проведены исследования эволюции дефектной структуры в карбиде кремния при высокодозной имплантации ионами азота и алюминия и отжиге с учетом внутренних полей напряжений, обусловленных различными радиационными дефектами. Проведены также исследования эволюции дефектов кислородной подсистемы керамик типа PLZT при нейтронном облучении и последующем отжиге, изучалось влияние таких дефектов на изменение поляризации материала. 1.8. ФТИ(полн назв???) "Исполнители проекта согласны с опубликованием (в печатной и электронной формах) научных отчетов и перечня публикаций по проекту"