9.1. 99-02-16796 9.2. Рыбин Петр Валерьевич; 2; Россия 9.3.1 Куликов Дмитрий Вадимович; 1; Россия 9.3.2 Трушин Юрий Владимирович; 1; Россия 9.3.3 Pezoldt J.; 2; ФРГ 9.4. Al+ and N+ implantation in silicon carbide: a role of point defect clusters in defect evolution. 9.5. 2 9.6. Proceedings of SPAS, Preprints and Program of NDTCS-2000 9.7. 5 9.8. 1 9.9. 2000 9.10. 4 9.11. E10-E12 9.12.1. Нестор 9.12.2. Санкт-Петербург 9.13. Развита предложенная ранее физическая модель процессов эволюции структуры карбида кремния при имплантации ионами азота и алюминия и отжиге с учетом влияния коплексов радиационных дефектов и обусловленных ими полей напряжений, проведены расчеты с помощью разработанного программного компьютерного комплекса DYTRIRS-MGEAR, осуществлены сравнения расчетных и экспериментальных результатов. 9.1. 99-02-16796 9.2. Рыбин Петр Валерьевич; 2; Россия 9.3.1 Куликов Дмитрий Вадимович; 1; Россия 9.3.2. Трушин Юрий Владимирович; 1; Россия 9.3.3. Pezoldt J.; 2; ФРГ 9.4. Al+ and N+ implantation in silicon carbide: a role of point defect clusters in defect evolution. 9.5. 2 9.6. Proceedings of SPIE 9.7. 5 9.8. 2 9.9. 2001 9.10. 9.11. 9.12.1. SPIE 9.13.2. Washington, USA 9.13. Разработана физическая модель эволюции дефектной структуры карбида кремния при имплантации ионами азота и алюминия и отжиге. На основе разработанной и развитой модели эволюции дефектной структуры карбида кремния при имплантации ионами азота и алюминия и отжиге, учитывающей поля упругих напряжений сжатия, созданных комплексами межузельных атомов и имплантированных ионов, с помощью программного компьютерного комплекса DYTRIRS-MGEAR рассчитаны распределения дефектов, удовлетворительно согласующиеся с экспериментальными RBS-данными для различных температур облучения. 9.1. 99-02-16796 9.2. Асрян Левон Володяевич; 1; Россия 9.3.1. Сурис Роберт Арнольдович; 1; Россия 9.4. Фотовозбуждение носителей с уровней в квантовых точках в состояния континуума в процессе лазерной генерации 9.5. 1 9.6. Физика и техника полупроводников 9.7. 4 9.8. 1 9.9. 2001 9.10. 35 (3) 9.11. 357-360 9.12.1. "Наука", РАН 9.12.2. Санкт-Петербург 9.13. Дается теоретический анализ фотовозбуждения носителей с уровней в КТ в состояния непрерывного спектра в процессе лазерной генерации. Используется простейший подход, дающий верхнюю оценку коэффициента поглощения и сечения фотовозбуждения. Показано, что поглощение света в процессе фотовозбуждения существенно для работы лазера на КТ только при очень низких полных потерях, например, в случае длинных резонаторов. 9.1. 99-02-16796 9.2. Асрян Левон Володяевич; 1; Россия 9.3.1. Сурис Роберт Арнольдович; 1; Россия 9.4. Longitudinal spatial hole burning in a quantum-dot laser 9.5. 2 9.6. IEEE Journal of Quantum Electronics 9.7. 4 9.8. 1 9.9. 2000 9.10. 36 (10) 9.11. 1151-1160 9.12.1. Institute of Electrical and Electronics Engineers 9.12.2. Piscataway, New Jersey, USA 9.13. Detailed theoretical analysis of longitudinal spatial hole burning in quantum-dot (QD) lasers is given. Unlike conventional semiconductor lasers, escape of thermally excited carriers from QDs, rather than diffusion, is shown to control the smoothing-out of the spatially nonuniform population inversion and multimode generation in QD lasers. The multimode generation threshold is calculated as a function of structure parameters (surface density of QDs, QD size dispersion, and cavity length) and temperature. A decrease in the QD size dispersion is shown to in-crease considerably the relative multimode generation threshold. The maximum tolerable QD size dispersion and the minimum tolerable cavity length, at which lasing is possible to attain, are shown to exist. Concurrent with the increase of threshold current, an increase of the multimode generation threshold is shown to occur with a rise in temperature. Ways to optimize the QD laser, aimed at maximizing the multimode generation threshold, are outlined. 9.1. 99-02-16796 9.2. Асрян Левон Володяевич; 1; Россия 9.3.1. Сурис Роберт Арнольдович; 1; Россия 9.4. Theory of threshold characteristics of quantum dot lasers 9.5. 2 9.6. Proceedings of International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". June 18-23, 2000, St.Petersburg, Russia 9.7. 3 9.8. 1 9.9. 2000 9.10. 9.11. 6-11 9.12.1. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН 9.12.2. Санкт-Петербург 9.13. A theory of the gain and threshold current of a semiconductor quantum dot (QD) laser has been developed which takes account of the line broadening caused by fluctuations in QD size. Expressions for the threshold current versus the surface density of QDs, QD size dispersion and total losses have been obtained in explicit form. Optimization of the structure has been carried out, aimed at minimizing the threshold current density. The characteristic temperature of QD laser has been calculated considering carrier recombination in the optical confinement layer and violation of the charge neutrality in QDs. 9.1. 99-02-16796 9.2. Асрян Левон Володяевич; 1; Россия 9.3.1. Grundmann M.; 2; Germany 9.3.2. Леденцов Николай Николаевич; 2; Россия 9.3.3. Stier O.; 2; Germany 9.3.4. Сурис Роберт Арнольдович; 1; Россия 9.3.5. Bimberg D.; 2; Germany 9.4. Effect of excited-state transitions on the threshold characteristics of a quantum dot laser 9.5. 2 9.6. Proceedings of SPIE's International Symposium PHOTONICS WEST'2000. San Jose, CA, USA, 22-28 January 2000 9.7. 3 9.8. 1 9.9. 2000 9.10. 3944 9.11. 823-834 9.12.1. Society for PhotoInstrumental Engineers 9.12.2. Bellingham, USA 9.13. Theoretical study of threshold characteristics of a quantum dot (QD) laser in the presence of excited-state transitions is given. The effect of microscopic parameters (degeneracy factor and overlap integral for a transition) on the gain is discussed. An analytical equation for the gain spectrum is derived in an explicit form. Transformation of the gain spectrum with the injection current is analyzed. The threshold current density is calculated as a function of the total losses. The conditions for a smooth or step-like change in the lasing wavelength with the losses are formulated. Threshold characteristics of a laser based on self- assembled pyramidal InAs QDs in GaAs matrix are simulated. A small overlap integral for transitions in such QDs (and hence large spontaneous radiative lifetime) is shown to be a main possible reason for a low value of the maximum single-layer modal gain of the respective structure which is deficient to attain lasing at moderately short (several hundreds of micrometers) cavity lengths. 9.1. 99-02-16796 9.2. Сергеев Ринат Александрович; 2; Россия 9.3.1. Сурис Роберт Арнольдович; 1; Россия 9.4. Энергия основного состояния X- и X+ трионов в двумерной квантовой яме при произвольном отношении масс. 9.5. 1 9.6. Физика твердого тела 9.7. 4 9.8. 2 9.9. 2001 9.10. 43 (4) 9.11. 714-718 9.12.1. "Наука", РАН 9.12.2. Санкт-Петербург 9.13. Предлагается простая вариационная функция, позволяющая единым образом хорошо описывать двумерные X+ и X- трионы во всем диапазоне отношений масс электрона и дырки, используя минимальное количество варьируемых параметров. С помощью новой вариационной функции получена зависимость энергии этих трехчастичных комплексов от отношения масс в вышеуказанном диапазоне, которая с хорошей точностью совпала с аналогичными зависимостями других теоретических групп, использовавших гораздо более сложные методы для их получения. Показано, что предложенная вариационная функция позволяет получить правильное значение энергии трионов даже в пределах иона H- и молекулы H2+, что до этого не удавалось сделать единым образом. 9.1. 99-02-16796 9.2. Дмитриев Иван Александрович; 1; Россия 9.3.1. Сурис Роберт Арнольдович; 1; Россия 9.4. Локализация электронов и блоховские осцилляции в сверхрешетках из квантовых точек в постоянном электрическом поле 9.5. 1 9.6. Физика и техника полупроводников 9.7. 4 9.8. 2 9.9. 2001 9.10. 35 (2) 9.11. 219-226 9.12.1. Российская Академия Наук 9.12.2. Санкт-Петербург 9.13. Показано, что спектр электронов в идеальных двумерных и трехмерных сверхрешетках из квантовых точек может быть дискретным или непрерывным в зависимости от ориентации поля относительно кристаллографических осей сверхрешетки. В последнем случае ширина образующейся поперечной минизоны экспоненциально зависит от кристаллографического индекса направления поля. Рассмотрены блоховские осцилляции в таких сверхрешетках. Показано, что рассеяние осциллирующих электронов может быть сильно подавлено подходящим выбором величины и направления поля. 9.1. 99-02-16796 9.2. Полковников Анатолий Сергеевич; 1; Россия 9.3.1. Сурис Роберт Арнольдович; 1; Россия 9.4. Reflection of light and heavy holes from a linear potential barrier 9.5. 2 9.6. Physical Review B 9.7. 4 9.8. 1 9.9. 2000 9.10. 62 (24) 9.11. 16566-16571 9.12.1. The American Physical Society 9.12.2. Melville, NY 9.13. Изучено отражение дырок в прямозонных полупроводниках от линейного потенциального барьера. Показано, что матрица перехода легкая-тяжелая дырка зависит только от произведения квазиимпульса легкой дырки в плоскости ямы и характерной длины, определяемой крутизной барьера и не зависит от соотношения масс легкой и тяжелой дырок. Также показано, что коэффициент перехода стремится к нулю в пределах продольного квазиимпульса стремящегося к нулю и бесконечности, но фазы отраженной дырки различны в этих случаях. Выведено примерное аналитическое выражение для коэффициента перехода легкая-тяжелая дырка. 9.1. 99-02-16796 9.2. Дмитриев Иван Александрович; 1; Россия 9.3.1. Сурис Роберт Арнольдович; 1; Россия 9.4. Localisation of carriers and Bloch oscillations in Quantum Dot Superlattices in dc electric field 9.5. 2 9.6. Procеedings of ICPS 25, Osaka, Japan 9.7. 2 9.8. 2 9.9. 2001 9.10. 9.11. 9.12.1. 9.12.2. 9.13. Analysis of localization of electrons in ideal 2D and 3D Quantum Dot Suprlattices (QDSL) in homogeneous dc electric field and of the Bloch oscillations in such structures is presented. In our consideration we suppose that electric field and tunneling matrix elements between quantum dots are small enough to describe QDSL in single miniband approach 9.1. 99-02-16796 9.2. Ткач Николай Васильевич;2;Украина 9.3.1. Маханец Александр Михайлович;2;украина 9.3.2. Зегря Георгий Георгиевич;1;Россия 9.4. Energy spectrum of electron in quasiplane superlattice of cylindrical quantum dots 9.5. 2 9.6. Semiconductor Science and Technology 9.7. 4 9.8. 1 9.9. 2000 9.10. 15 9.11. 395-398 9.12.1. William Gibbons & Sons, Ltd 9.12.2. Wolvenhampton UK 9.13. В рамках метода присоединенных плоских волн исследован спектр электронов для двумерной сверхрешетки из цилиндрических квантовых точек beta-HgS в матрице beta-GaS. Найдены зависимости ширины минизоны для электронов и их эффективной массы от геометрических размеров квантовых точек и от расстояния между ними. 9.1. 99-02-16796 9.2. Самсонидзе Георгий Гурамович;2;Россия 9.3. Зегря Георгий Геогриевич;1;Россия 9.4. Auger recombination in semiconductor quantum wells in a magnetic field 9.5. 2 9.6. Physical review B 9.7. 4 9.8. 2 9.9. 2001 9.10. 63 9.11. 9.12.1. The American Physical Society 9.12.2. Melville, NY 9.13. Исследованы механизмы оже-рекомбинации носителей в квантовых ямах в присутствии поперечного магнитного поля. Показано, что существуют три различных механизма оже-рекомбинации: (1) беспороговый, связанный с рассеянием носителей на гетерогранице;(2) квазипороговый, связанный с локализацией носителей в квантовой яме; (3) резонансный оже-процесс, связанный с квантованием Ландау в магнитном поле. Все три механизма оже-рекомбинации являются беспороговыми процессами. Коэффициенты оже-рекомбинаци, соответствующие трем процессам оже-рекомбинации, имеют разную зависимость от температуры, магнитного поля и параметров квантовой ямы. В приближении слабого магнитного поля, при конечной ширине квантовой ямы первый и второй процессы оже - рекомбинации остаются беспороговыми; третий процесс оже - рекомбинации перестает быть резонансным и становится пороговым оже-процессом. 9.1 99-02-16796 9.2. Догонкин Евгений Борисович;2;Россия 9.3.1. Головач Виталий Николаевич;2;Украина 9.3.2. Поздняков Александр Владимирович;2;Россия 9.3.3. Зегря Гергий Гергиевич;1;Россия 9.4. Theoretical investigation of Auger recombination in spherical quantum dots 9.5. 2 9.6. Proceedings of International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". June 19-23, 2000, St. Petersburg, Russia 9.7. 2 9.8. 1 9.9. 2000 9.10. 9.11. 399-401 9.12.1. Ioffe Institute 9.12.2. St.Petesburg 9.13. The principal mechanism of Auger recombination (AR) of nonequilibrium carriers in spherical quantum dots (QDs) are investigated theretically. It is shown that exist two Auger recombination mechanisms of (i) quasithreshold and (ii) thresholdless types. These mechanism originate from the existence of barriers but have different nature. The quasithreshold mechanism is caused by confinement of carriers within the region of a quantum dot which makes the quasimomentum conservation law approximate and enhances AR process. With increase of the dot radius this process turns to the threshold one. The thresholdless mechanism relates to the violation of the momentum conservation law at the heteroboundary and disappears with the radius tending to infinity.