1.1. 99-02-17990 1.2. Трушин Юрий Владимирович 1.3. Исследование физических процессов при внедрении тяжелых ионов и кластеров в приповерхностную область полупроводниковых гетероструктур 1.4. а 1.5. 2001 1.6. 2 1.7. В течение 2000 года колективом проводилось выполнение второй части заявленной в проекте программы исследований, а именно изучение характеристик и особенностей развития плотных каскадов, инициированных тяжелыми ионами и кластерами, а также их влияния на процессы вторичной эмиссии (распыления) и динамического изменения приповерхностной области различных материалов, включая полупроводниковые гетероструктуры. В экспериментальной части работы, c целью разработки технологии формирования тестовых структур, содержащих эквидистантные маркерные дельта-слои Sb в GaAs матрице, было изучено влияние температур роста и отжига на формирование таких маркеров. В результате была отработана технология низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии GaAs, позволяющая сформировать тестовые структуры содержащие маркеры толщиной 1.5 монослоя Sb с размытием слоя маркера не более 10..15 ангстрем. Также были проведены испытания прототипа универсального источника заряженных кластеров в варианте генерации отрицатеьлно- заряженных кластеров Si вплоть до трехатомных. Теоретическая часть работы касалась исследования процессов распыления в режиме плотных каскадов путем численного моделирования с помощью методов молекулярной динамики и Монте-Карло. В рамках данного этапа были выявлены и сформулированы физические критерии, позволяющие оценить степень нелинейности каскада при заданных условиях облучения. Так же были проведены исследования особенностей травления полупроводниковых гетероструктур тяжелыми ионами Cs и молекулярными ионами кислорода. Сравнение расчетов с экспериментальными данными ВИМС-профилирования, полученными на образцах, предварительно охарактеризованных методом просвечивающей электронной микроскопии (TEM), позволило уточнить определенные ранее пороговые энергии смещения примесных атомов Al и In в матрице GaAs. На данном этапе также проведены исследования эволюции дефектной структуры в карбиде кремния при высокодозной имплантации ионами азота и алюминия и отжиге с учетом внутренних полей напряжений, обусловленных различными радиационными дефектами. Проводились также исследования эволюции дефектов кислородной подсистемы керамик типа PLZT при нейтронном облучении и последующем отжиге, изучалось влияние таких дефектов на изменение поляризации материала. Кроме того, на данном этапе была проведена разработка методики для моделирования распыления при бомбардировке кластерными ионами с энергией (0.1-1)кэВ/атом. 1.8. Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН "Исполнители проекта согласны с опубликованием (в печатной и электронной формах) научных отчетов и перечня публикаций по проекту"