Форма 501. КРАТКИЙ НАУЧНЫЙ ОТЧЕТ

1.1. 02-02-17610
1.2. Сурис Роберт Арнольдович
1.3. Теоретическое исследование электронных и оптических
     явлений в полупроводниковых наноструктурах и
     элементарных атомных процессов при их формировании.
1.4. а
1.5. 2002
1.6. 2
1.7. Вычислен спектр и волновые функции электронов и дырок в
     разъединенном гетеропереходе InAs/GaSb в наклонном
     магнитном поле. Учет продольной составляющей магнитного
     поля позволил объяснить экспериментально наблюдаемое
     подавление расщепления линии циклотронного резонанса в
     гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле.

     Получена зависимость энергии связи и вариационных
     параметров волновой функции положительно заряженного
     триона в системе из двух квантовых ям с пространственным
     разделением заряда. Получена аналитическая оценка  энергии
     связи системы из экситона и электрона, находящихся в
     соседних квантовых ямах в пределе больших расстояний между
     квантовыми ямами. Объяснен острый пик поглощения света
     вблизи частоты, соответствующей рождению триона в
     квантовой яме с двумерным электронным газом.

     Найдено поперечное время релаксации на оптических фононах
     между рабочими уровнями, определяющее материальный
     коэффициент усиления каскадного лазера на сверхрешетке из
     квантовых точек, выявлены условия создания сильной
     инверсной заселенности в каждой из них.

     Вычислены зависимости времен внутризонной дырочно-дырочной
     и электрон-электронной релаксации от температуры и
     концентрации носителей заряда в квантовых ямах с учетом
     двумерного экранирования. Получены зависимости пороговых
     характеристик лазеров на квантовых ямах от этих процессов.

     Разработана и верифицирована специальная компьютерная
     программа для моделированию размытия легированного
     фосфором дельта слоя, возникающего при нейтронном
     облучении изотопно-модулированной гетероструктуры
     28Si/30Si:31P/28Si.

     Показано, что равновесная структура ступени [11] на
     поверхности кубического кристалла Косселя определяется
     взаимодействием атомов со вторыми ближайшими соседями.
     Если это взаимодействие отталкивающее, ступень разбивается
     на участки, состоящие их направлений [10] и [01], средний
     размер которых экспоненциально растет с уменьшением
     температуры.

1.8. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН


     руководитель  проекта                          Сурис Р.А.