1.1.    96-02-17952
1.2.    Сурис Роберт Арнольдович
1.3.    Теоретическое исследование электронных и оптических
        свойств и процессов роста полупроводниковых
        гетероструктур с квантовыми точками и напряженными
        квантовыми ямами.
1.4.    a
1.5.    1999
1.6.    1
1.7.    В рамках исследования процессов эпитаксиального роста и
        приповерхностной диффузии атомов: 1) методом Монте-Карло
        проанализировано влияние фасетирования поверхностей с различными
        углами разориентации на процесс коалесценции трехмерных
        кластеров - квантовых точек (КТ) и функцию их распределения по
        размерам; определены параметры роста, обеспечивающие
        возникновение поверхности с периодическим рельефом; 2)
        разработана физическая модель перехода гексагональной структуры
        нитрида бора в кубическую, который наблюдается при выращивании
        пленок кубического нитрида бора путем осаждения компонент на
        подложку кремния; 3) разработана физическая модель эволюции
        структуры приповерхностных областей карбида кремния при
        высокодозной имплантации ионами азота и алюминия с целью
        создания четверного твердого раствора; 4) теоретически
        исследован процесс формирования напряженной рельефной структуры
        нанометрового масштаба на поверхности углерода путем облучения
        ионами с энергией сотни МэВ.

        В рамках исследования энергетического спектра и кинетических
        свойств носителей в низкоразмерных структурах: 1) Построена
        теория безызлучательной оже-рекомбинации (ОР) в
        полупроводниковых квантовых ямах (КЯ), в т. ч., с напряженными
        слоями. Исследована температурная зависимость коэффициента ОР в
        КЯ и его зависимость от параметров ямы и напряжения. Найдены
        условия, при которых оже-процесс в КЯ переходит в объемный
        процесс. Исследована ОР в КЯ при участии фононов.  2) Развит
        основанный на многоволновом приближении и модели Кейна метод
        расчета энергетического спектра носителей и свойств экситонов в
        КЯ и КТ (в т. ч., и напряженных).  3) Построена теория нового
        эффекта - экситон-циклотронного резонанса и найдены частотная и
        поляризационная зависимость спектра возбуждения фотолюминесцении
        вблизи этого резонанса.  4) Теоретически исследован механизм
        внутризонного поглощения на свободном электронном газе в КЯ,
        обусловленный электрон- электронным взаимодействием.  5) Найдены
        волновые функций электронов в 3-мерных сверхрешетках (СР) из КТ
        во внешнем электрическом поле при различных его ориентациях
        относительно осей СР.  6) проведен компьютерный вариационный
        расчет энергии основного состояния комплекса экситон+электрон в
        двумерной КЯ в экранирующей среде.  7) Построена детальная
        теория пороговых токов лазеров на КТ.  Найдены их зависимости от
        дисперсии размеров КТ, температуры и параметров структуры.
        Построена теория пороговых токов генерации боковых мод в таких
        лазерах из-за эффекта выжигания <пространственных дыр> инверсии
        и найдены зависимости этих токов от дисперсии размеров КТ и
        температуры.  8) Проведен микроскопический анализ пороговых
        характеристик лазера на многих КЯ на основе InGaN и найдены их
        зависимости от ширины и числа КЯ.

1.8.    Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН

        Исполнители проекта согласны с опубликованием (в печатной и
        электронной формах) научных отчетов и перечня 
        публикаций по  проекту.


                   Руководитель проекта            /Сурис Р.А./