1.1. 99-02-16796 1.2. Сурис Роберт Арнольдович 1.3. Теоретическое исследование электронных и оптических свойств и процессов роста полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками и напряженными квантовыми ямами. 1.4. a 1.5. 2000 1.6. 2 1.7. В рамках развитой нами компьютерной модели эпитаксиального роста кристалла найдены области значений параметров, в которых возникают периодечески фасетированные поверхности. Проведено комплексное исследование дефектообразования и эволюции дефектной структуры в карбиде кремния при имплантации ионами азота и алюминия и отжиге с учетом полей напряжений, обусловленных радиационными дефектами. Развиты методики расчета коэффициентов оже-рекомбинации в гетероструктурах на основе квантовых ям (КЯ). Показано, что в широком диапазоне температур коэффициенты оже-рекомбинации для процессов с участием двух электронов и тяжелой дырки и электрона и двух тяжелых дырок с переходом одной из них в спин-орбитально отщепленную зону имеют слабую температурную зависимость и немонотонно зависит от ширины КЯ. Проведено исследование оже-рекомбинации в полупроводниковых квантовых нитях в широком диапазоне температур. Рассчитан порог многомодовой генерации, обусловленной эффектом выжигания пространственных провалов инверсии населенности в лазере на квантовых точках (КТ). Показано, что в отличие от обычных полупроводниковых лазеров на квантовых ямах и с объемной активной областью, порог многомодовой генерации в лазерах на КТ контролируется термическими выбросами носителей из точек, а не их диффузией, поэтому порог многомодовой генерации должен быть намного ниже, чем в лазерах с объемной активной областью и лазерах на квантовых ямах. Показано, что уменьшение дисперсии размеров КТ приводит к существенному увеличению относительного порога многомодовой генерации. Показано, что порог многомодовой генерации растет с ростом температуры. Показано, что существуют критически допустимые параметры структуры на КТ, за пределами которых невозможна генерация лазерного излучения. Эти параметры -- максимально допустимая дисперсия размеров КТ и минимально допустимые поверхностная концентрация КТ и длина резонатора. При приближении параметров к своим критическим значениям пороговый ток бесконечно возрастает, а относительный порог многомодовой генерации стремится к нулю. Показано, что спектр электронов в идеальных 2D и 3D сверхрешетках (СР) из квантовых точек в постоянном электрическом поле может быть дискретным или непрерывным в зависимости от направления поля. В последнем случае ширина образующейся минизоны экспоненциально зависит от направления поля. Вблизи направлений, соответствующих непрерывному спектру, происходят резкие изменения области локализации электрона. Рассмотрены блоховские осцилляции в таких сверхрешетках при различных начальных распределениях электронов. Показано, что в отличие от одномерных сверхрешеток спектр осцилляций меняется с изменением направления электрического поля. 1.8. Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Исполнители проекта согласны с опубликованием (в печатной и электронной формах) научных отчетов и перечня публикаций по проекту.