1.1. 99-02-16796
1.2. Сурис Роберт Арнольдович
1.3. Теоретическое исследование электронных и оптических
     свойств и процессов роста полупроводниковых
     гетероструктур с квантовыми точками и напряженными
     квантовыми ямами.
1.4. a
1.5. 2000
1.6. 2
1.7. В рамках развитой нами компьютерной модели эпитаксиального
     роста кристалла найдены области значений параметров,
     в которых возникают периодечески фасетированные 
     поверхности.

     Проведено комплексное исследование дефектообразования и
     эволюции дефектной структуры в карбиде кремния при
     имплантации ионами азота и алюминия и отжиге с учетом 
     полей напряжений, обусловленных радиационными дефектами.

     Развиты методики расчета коэффициентов оже-рекомбинации
     в гетероструктурах на основе квантовых ям (КЯ). Показано,
     что в широком диапазоне температур коэффициенты 
     оже-рекомбинации для процессов с участием двух электронов
     и тяжелой дырки и электрона и двух тяжелых дырок с переходом
     одной из них в спин-орбитально отщепленную зону имеют слабую
     температурную зависимость и немонотонно зависит от 
     ширины КЯ.
     Проведено исследование оже-рекомбинации в полупроводниковых
     квантовых нитях в широком диапазоне температур.
 
     Рассчитан порог многомодовой генерации, обусловленной 
     эффектом выжигания пространственных провалов инверсии 
     населенности в лазере на квантовых точках (КТ). Показано,
     что в отличие от обычных полупроводниковых лазеров на 
     квантовых ямах и с объемной активной областью, порог 
     многомодовой генерации в лазерах на КТ контролируется 
     термическими выбросами носителей из точек, а не их 
     диффузией, поэтому порог многомодовой генерации должен
     быть намного ниже, чем в лазерах с объемной активной 
     областью и лазерах на квантовых ямах. Показано, что
     уменьшение дисперсии размеров КТ приводит к 
     существенному увеличению относительного 
     порога многомодовой генерации. Показано, что порог 
     многомодовой генерации растет с ростом температуры.

     Показано, что существуют критически допустимые параметры 
     структуры на КТ, за пределами которых невозможна генерация
     лазерного излучения. Эти параметры -- максимально
     допустимая дисперсия размеров КТ и минимально допустимые 
     поверхностная концентрация КТ и длина резонатора. 
     При приближении параметров к своим критическим значениям
     пороговый ток бесконечно возрастает, а относительный порог 
     многомодовой генерации стремится к нулю.

     Показано, что спектр электронов в идеальных 2D и 3D 
     сверхрешетках (СР) из квантовых точек в постоянном 
     электрическом поле может быть дискретным или непрерывным
     в зависимости от направления поля. В последнем случае
     ширина образующейся минизоны экспоненциально зависит от
     направления поля. Вблизи направлений, соответствующих
     непрерывному спектру, происходят резкие изменения области
     локализации электрона. 

     Рассмотрены блоховские осцилляции в таких сверхрешетках
     при различных начальных распределениях электронов.
     Показано, что в отличие от одномерных сверхрешеток
     спектр осцилляций меняется с изменением направления
     электрического поля.

1.8. Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН

     Исполнители проекта согласны с опубликованием (в печатной и
     электронной формах) научных отчетов и перечня
     публикаций по  проекту.