9.1. 99-02-16796
9.2. Гунько Н.А.
9.3.1. Полковников А.С.
9.3.2. Зегря Г.Г.
9.4. Расчет коэффициентов оже-рекомбинации в гетероструктуре
с квантовыми ямами InGaAsP/InP
9.5.1. 1
9.5.2.
9.6. Физика и Техника Полупроводников
9.7. 4
9.8. 1
9.9. 2000
9.10. 34 (4)
9.11. 462-465
9.12. http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2000/
9.1. 99-02-16796
9.2. Dogonkin E.B.
9.3.1. Polkovnikov A.S.
9.3.2. Zegrya G.G.
9.4. Mechanisms of Auger Recombination in Semiconductor
Quantum Wells
9.5.1. 2
9.5.2.
9.6. Proceedings of International Symposium
"Nanostructures: Physics and Technology". June 14-18,
1999, St. Petersburg, Russia
9.7. 2
9.8. 1
9.9. 1999
9.10.
9.11. 42-45
9.12. http://www.ioffe.rssi.ru/NANO-99/
9.1. 99-02-16796
9.2. Л.В. Асрян
9.3. Р.А. Сурис
9.4. Роль термических выбросов носителей в выжигании
пространственных дыр в лазере на квантовых точках.
9.5.1. 1
9.5.2.
9.6. Физика и Техника Полупроводников
9.7. 4
9.8. 1
9.9. 1999
9.10. 33 (9)
9.11. 1076-1079
9.12. http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/
9.1. 99-02-16796
9.2. L.V. Asryan
9.3. R.A. Suris
9.4. Spatial hole burning in a quantum dot laser
9.5.1. 2
9.5.2.
9.6. Proceedings of SPIE's
9.7. 3
9.8. 1
9.9. 1999
9.10. 3625
9.11. 293-301
9.12. http://bookstore.spie.org/action.lasso?-search&-database=
Bookstore&-layout=Bookstore&-response=
search_list.html&search=3625&-maxrecords=15&-noresults=
search_list.html&-sortfield=Title
9.1. 99-02-16796
9.2. L.V. Asryan
9.3. R.A. Suris
9.4. Critical tolerable parameters of a quantum dot laser
structure
9.5.1. 2
9.5.2.
9.6. Proceedings of IEEE/LEOS Summer Topical Meeting
on Nanostructures and Quantum Dots
9.7. 3
9.8. 1
9.9. 1999
9.10.
9.11. 9-10
9.12. http://www.ieee.org/organizations/society/leos/
LEOSCONF/SUM/nqd.htm
9.1. 99-02-16796
9.2. Л.В. Асрян
9.3. Р.А. Сурис
9.4. Критически допустимые параметры лазера на квантовых
точках
9.5.1. 1
9.5.2.
9.6. Тезисы докладов IV Российской Конференции по Физике
Полупроводников в Новосибирске
9.7. 5
9.8. 1
9.9. 1999
9.10.
9.11. 349
9.12.
9.1. 99-02-16796
9.2. Дмитриев И.А.
9.3. Сурис Р.А.
9.4. Локализация носителей и блоховские осцилляции
в сверхрешетках квантовых точек в постоянном
электрическом поле
9.5.1. 1
9.5.2.
9.6. Тезисы докладов IV Российской Конференции по Физике
Полупроводников
9.7. 5
9.8. 1
9.9. 1999
9.10.
9.11. 223
9.12.
9.1. 99-02-16796
9.2. Rybin P.V.
9.3.1. Kulikov D.V.
9.3.2. Trushin Yu.V.
9.3.3. Pezoldt J.
9.3.4. Yankov R.A.
9.4. Influence of internal stress fields due to point defect
clusters on interstitial diffusion in SiC under
irradiation
9.5.1. 2
9.5.2. Germany
9.6. International Workshop on New Approaches to Hi-Tech
Materials 99 (Nondestructive Testing and Computer
Simulations in Materials Science and Engineering),
Program and Abstracts, June 1999, St.Petersburg, Russia
9.7. 5
9.8. 1
9.9. 1999
9.10.
9.11. E14
9.12.
9.1. 99-02-16796
9.2. Kharlamov V.S.
9.3.1. Ber B.J.
9.3.2. Trushin Yu.V.
9.3.3. Zhurkin E.E.
9.3.4. Fedorov Ph.Yu.
9.3.5. Terent'ev D.A.
9.4. Investigation of the displacement threshold energies of
impurities in multicomponent materials by means of SIMS
profiling and computer simulation
9.5.1. 2
9.5.2.
9.6. International Workshop on New Approaches to Hi-Tech
Materials 99 (Nondestructive Testing and Computer
Simulations in Materials Science and Engineering),
Program and Abstracts, June 1999, St.Petersburg, Russia
9.7. 5
9.8. 1
9.9. 1999
9.10.
9.11. E8-E9
9.12.
9.1. 99-02-16796
9.2. Rybin P.V.
9.3.1. Kulikov D.V.
9.3.2. Trushin Yu.V.
9.3.3. Pezoldt J.
9.3.4. Yankov R.A.
9.4. Influence of internal stress fields due to point defect
clusters on interstitial diffusion in SiC under
irradiation
9.5.1. 2
9.5.2. Germany
9.6. Proceedings of SPIE
9.7. 4
9.8. 2
9.9. 2000
9.10.
9.11.
9.12.