15.1. 00-15-96812 15.2. Теория и моделирование методов управления процессами зарождения и эволюции нанокластеров, дефектов и упорядоченных структур при эпитаксиальном росте многокомпонентных соединений и при воздействии корпускулярных пучков, электромагнитного излучения и упругих напряжений. Предполагается исследовать гетероструктуры на основе соединений A^3B^5, карбида кремния, нитрида галлия, ВТСП и сегнетоэлектриков. Предполагается создать програмно-расчетный комплекс для описания воздейсьвия корпускулярных пучков в процессе модификации и анализа структур Теория и моделирование особенностей электрон-фононного и межэлектронного взаимодействия и процессов релаксации носителей в наноструктурах и анализ роли этих особенностей в электрических и оптических свойствах наноструктур Теория элементарных процессов в твердотельных электронных и оптоэлектронных приборах и моделирование их характеристик. Предполагается определить предельные рабочие характеристики длинноволновых полупроводниковых лазеров на квантовых точках и создать теоретическую базу для их оптимизации. Будут продолжены теоретические исследования особенностей полевых гетеротранзисторов на основе GaN и родственных соединений. Будут исследованы нестабильности приборных ВТСП структур в предельных токовых режимах. 15.3. Построена теория кинетической неустойчивости роста полупроводникового твердого раствора в открытой системе в условиях конкуренции упругой анизотропии и анизотропии поверхностной диффузии и с учетом искривления поверхности кристалла в процессе роста. В лаборатории И.С. Тарасова во ФТИ создан лазерный диод на спонтанно сформированных периодических доменных структурах в InGaAsP и получена лазерная генерация, соответствующая излучательной рекомбинации в узкозонных доменах. Построена теория влияния релаксации поверхности на распад эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Показано, что релаксация наружу приводит к повышению T_c а релаксация внутрь - к уменьшению T_c. Установлено, что дисперсионное уширение отдельной линии фононного повторения в экситонных спектрах квантовых точек меньше расстояния до следующего фононного повторения. Показано, что поляронный эффект не приводит к расщеплению вырожденных состояний дырки в сферической квантовой точке. 15.4. 1. И.П. Ипатова, В.Ф. Мастеров, Ю.И. Уханов. Курс физики. Том 1. Механика. Термодинамика. Санкт-Петербург, издательство СПбГТУ, 2001, 388 стр. 2. M. Meixner, E. Scholl, V.A. Shchukin,, and D. Bimberg. Self-assembled quantum dots - Crossover from kinetically controlled to thermodynamically limited growh. Phys. Rev. Lett. 87, 236101-236104 (2001). 3. N.A. Ledentsov, V.A. Shchukin, D. Bimberg, V.M. Ustinov, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, B.V. Volovik, G.E. Cirlin,, and Zh.I. Alferov. Reversibility of the island shape, volume, and density in Stranski-Krastanow growth. Semicond. Sci. Technol. 16, 502-506 (2001). 4. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, B.V. Volovik, V.M. Ustinov, D. Litvinov, and D. Gerthsen. Entropy-driven effects in self-organized formation of quantum dots. Phys. Stat. Sol. B 224, 503-508 (2001). 5. N.N. Ledentsov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, I.P. Soshnikov, V.A. Shchukin, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.V. Preobrazhenskii, B.P. Semyagin, D. Bimberg, and Zh.I. Alferov. Interface structure and growth mode of quantum-wire and quantum-dot GaAs/AlAs structures on corrugated (311)A surfaces. J. Electron. Mater. 30, 463-470(2001). 6. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, and D. Bimberg. Spontaneous formation of nanostructures on crystal surfaces. Physica E 9, 140-148 (2001). 7. I.P.Ipatova, A.Yu.Maslov, O.V.Proshina. Multi-phonon transitions in II-VI quantum dot Europhys. Lett., V. 53, No 6, pp. 769-775, (2001). 8. I.P. Ipatova, S.G. Konnikov, M.B. Lifchits, A.Yu. Maslov. Effect of the surface relaxation on spinodal decomposition of semiconductor epitaxial films. 9th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 18-22, 2001, pp. 43-46. 9. Starodubtsev, A.N., and Shchukin, V.A. Effect of species-dependent surface atomic mobility on pattern selection during alloy growth. Proceedings of the International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia, June 18-22, 2001. 10. I.P.Ipatova, A.Yu.Maslov, O.V.Proshina. Polaron in quantum nanostructures. Sutface Science, 2001, в печати. Тезисы конференций 1. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov,, and D. Bimberg, Entropy effects in self-organized formation of nanostructures. Proceedings of NATO Advanced Research Workshop "Atomistic Aspects of Epitaxial Growth", June 26-30, 2001, Corfu, Greece. Ed. by M. Kortla, N. Papanicolaou, D. Vvedensky, and L.T. Wille. Kluwer, 2002, in print. 2. I.P. Ipatova, A.Yu. Maslov, O.V. Proshina. Polaron in quantum nanostructures. 20-th European Conference on Surface Science. Abstracts, v. 25J, p. 76, Krakov, Poland, 2001. Editors: M. Szymonski, P. Czuba, F. Krok, Published by European Physical Society. 3. И.П. Ипатова, С.Г. Конников, М.Б. Лифшиц, А.Ю. Маслов. Влияние релаксации поверхности на спинодальный распад в тонких пленках - V Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, т. 1, стр. 123. Нижний Новгород, 2001. 4. В.А. Щукин, Н.Н. Леденцов. Самоорганизованные квантовые точки. - V Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, т. 1, стр. 167. Нижний Новгород, 2001. 5. И.П. Ипатова, А.Ю. Маслов, О.В. Прошина. Поляронный экситон в квантовой точке на основе широкозонного материала. - V Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, т. 2, стр. 343. Нижний Новгород, 2001 г. 6. И.П. Ипатова, А.Ю. Маслов, О.В. Прошина. Влияние поляронного эффекта на экситонный спектр квантовой точки. XXII Съезд по спектроскопии. Тезисы докладов, с. 16. Звенигород, Московская обл., 8--12 октября 2001 г. 7. I.P. Ipatova, S.G. Konnikov, M.B. Lifchits, A.Yu. Maslov. Spinodal Decomposition of the Anysotropic Semiconductor Alloy Overlayer. - 3rd Int. Conf. Physics of Low-Dimensional Structures. Abstract, pp. 31-32. Chernogolovka, 15-20 October 2001. 8. I.P. Ipatova, A.Yu. Maslov, O.V. Proshina. Effect of the Polaron on the exciton spectrum of quantum dot. - 3rd Int. Conf. Physics of Low--Dimensional Structures. Abstract, pp. 94--95. Chernogolovka, 15--20 October 2001. 9. М.Б. Лифшиц. Влияние анизотропии поверхности на распад полупроводниковых твердых растворов в тонких пленках. Третья всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов, изд. СПбГТУ, стр. 27, 2001. 10. I.P. Ipatova, S.G. Konnikov, M.B. Lifchits, A.Yu. Maslov. Effect of surface overlayer anysotropy on Spinodal Decomposition of semiconductor alloy epitaxial films. Russian-German seminar om modern physics, Abstract, St. Petersburg, June 2001. 15.5. Физические процессы в полупроводниковой технологии. Ипатова И.П., доктор физ.-мат. наук. число постоянных участников - 7. ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, корп. А, комн. 419. 10 занятий. 15.6. Международная зимняя школа ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН по физике полупроводников. Зеленогорск, пансионат "Ленинградец", 2 - 5 марта 2001 г. Ипатова И.П. - член програмного комитета. Маслов А.Ю. - член оргкомитета. 3-ая всероссийская студенческая научная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике Санкт - Петербург, Научно-образовательный Центр ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 5-8 декабря 2001 г. Ипатова И.П. - член Оргкомитета. Международный симпозиум "Фото- и электролюминесценция редкоземельных элементов в полупроводниках и диэлектриках" Санкт Петербург, Дом ученых в Лесном, 22-25 октября 2001 г. Ипатова И.П. - член Програмного Комитета 15.7. РФФИ-ННИО, грант 01-02-04012 РФФИ, грант 01-02-17809 РФФИ, грант 01-02-17905 Госпрограмма "Поверхностные атомные структуры", 1-107, грант 3.6.99. Госпрограмма "Твердотельные наноструктуры", грант 97-2014. 15.8. 15.9. 20 15.10. 0,0 15.11. 0,0 15.12. 1,1 15.13. 2,2 15.14.