15.1.1. 00-15-96812 15.1.2. Сурис Роберт Арнольдович, Ипатова Ия Павловна 15.2. Теория и моделирование методов управления процессами зарождения и эволюции нанокластеров, дефектов и их упорядоченных структур при эпитаксиальном росте многокомпонентных соединений и при воздействии корпускулярных пучков, электромагнитного излучения и упругих напряжений. Предполагается исследовать гетероструктуры на основе соединений А3В5, карбида кремния, нитрида галлия, ВТСП и сегнетоэлектриков. Предполагается создать программно-расчетный комплекс для описания воздействия корпускулярных пучков в процессе модификации и анализа структур Теория и моделирование особенностей электрон-фононного и межэлектронного взаимодействий и процессов релаксации носителей в наноструктурах и анализ роли этих особенностей в электрических и оптических свойствах наноструктур Теория элементарных процессов в твердотельных электронных и оптоэлектронных приборах и моделирование их характеристик. Предполагается определить предельные рабочие характеристики длинноволновых полупроводниковых лазеров на квантовых точках и создать теоретическую базу для их оптимизации. Будут продолжены теоретические исследования особенностей полевых гетеротранзисторов на основе GaN и родственных соединений. Будут исследованы нестабильности приборных ВТСП структур в предельных токовых режимах 15.3. * Получены новые результаты по теории лазеров на квантовых точках (КТ): показано, что при заданных параметрах КТ могут быть нейтральны только при одном значении T, при любой другой температуре КТ заряжены; рассчитана в аналитическом виде зависимость пика спектра модального коэффициента усиления лазера на КТ от тока инжекции, являющаяся важной характеристикой полупроводниковых лазеров; рассчитана вольт?амперная характеристика лазера; показано, что оптимальные параметры структуры (поверхностная концентрация КТ и толщина воноводной области), обеспечивающие минимум плотности порогового тока, зависят от температуры; определены нижняя граница семейства кривых для температурной зависимости плотности порогового тока и верхняя граница семейства кривых для температурной зависимости характеристической температуры T0; показано, что существуют определенные значения поверхностной концентрации КТ и длины резонатора, обеспечивающие максимум относительного порога многомодовой генерации, что позволяет оптимизировать структуру с целью подавления эффекта выжигания пространственных провалов и повышения относительного порога многомодовой генерации L.V. Asryan, R.A. Suris, International J. High Speed Electron. Syst. 12, 1, 111-176, 2002; In Selected Topics in Electronics and Systems, 25, 206, 2002 * Построено квантовое кинетическое уравнение, адекватно описывающее затухание блоховских осцилляций в двух- и трехмерных сверхрешеток из квантовых точек. Показано, что в таких сверхрешетках, в отличие от сверхрешеток слоистых, можно сильно подавить все каналы рассеяния носителей на колебаниях решетки надлежащим выбором направления и величины электрического поля. Подавление рассеяния становится возможным за счет найденной экспоненциальной зависимости ширины поперечных минизон (описывающих движение носителей в направлениях, перпендикулярных электрическому полю) от ориентации поля относительно кристаллографических осей сверхрешетки. В рамках развитого подхода удалось адекватно описать интерференция рассеяния носителей в состояниях различных ступеней штарковской лестницы. В частности, показано, что из-за интерференции рассеяние не приводит к затуханию осцилляций, если характерный масштаб рассеивающего потенциала в направлении электрического поля существенно превосходит период сверхрешетки. Подробно исследована временная зависимость скорости затухания БО. Проведенные аналитические и численные расчеты показали, что в достаточно совершенных 2D и 3D СРКТ при правильном выборе величины и направления электрического поля время жизни БО при комнатной температуре может в сотни раз превосходить период БО, что недостижимо в слоистых сверхрешетках. Дмитриев И. А., Сурис Р. А., ФТП 36, 12, 1449-1459, 2002; ФТП 36, 12, 1460-1469, 2002 * Выполнено теоретическое исследование оптических спектров поляронных экситонов в квантовых точках широкозонных материалов в условиях сильной локализации. Поляронный эффект приводит к хорошо разрешаемым интенсивным линиям фононных повторений экситонной линии. Установлено, что дисперсионное уширение отдельной линии фононного повторения в экситонных спектрах квантовых точек меньше расстояния между фононными повторениями. Это обеспечивает возможность наблюдения многофононных спектров в квантовых точках в отличие от случая объемных экситонов, наблюдение фононных повторений которых практически невозможно из-за сильного перекрытия линий. I.P. Ipatova, A.Yu. Maslov, O.V. Proshina, Surface Science, v.507-510, 598-602, 2002; Известия академии наук, серия физическая, 67, 2003 15.4.1. 43,28 15.4.2. РФФИ 01-02-16990 РФФИ 01-02-17262 РФФИ 01-02-17809 РФФИ 01-02-17905 РФФИ 01-02-04010-ННИО РФФИ 01-02-04012-ННИО РФФИ 01-07-90299 РФФИ 02-02-17605 РФФИ 02-02-17610 РФФИ 02-02-06243-мас РФФИ 02-02-06715-мас РФФИ 02-02-06716-мас Мин. обр. РФ. Е00-3.4-93 МНТП 97-1035 МНТП 97-0003 МНТП 97-2014 INTAS 99-0858 INTAS 0175wp Программа президиума РАН ?Низкоразмерные квантовые структуры? (2 проекта) госконтракт Миннауки ?Создание и исследование атомарных структур на основе субмонослойных фаз на поверхности полупроводников и металлов? ? 1-1152 от 10.02.2002 15.5 Государственная премия Российской Федерации в области науки и техники (Л.В. Асрян, Р.А. Сурис, В.А. Щукин) Премия за лучшую работу ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН 2002 года (Р.А.Сурис, И.А.Дмитриев) Премия им. А.Ф. Иоффе Ученого Совета ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (И.П. Ипатова, В.А. Малышкин, В.А. Щукин) Вторая премия на конкурсе молодых ученых ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, 2002 г. (Костко И.А.) 15.6.1. 3 15.6.2. 1 15.6.3. 6 15.6.4. 13 15.6.5. 23 15.7.1. Монитор NEC 1700 15.8.1. http://www.ioffe.rssi.ru/LNEPS/research/theory.html 15.8.2. http://www.ioffe.rssi.ru/SEC/ssp/rus/ 15.9.1. Дмитриев И. А., Сурис Р. А., ?Затухание блоховских осцилляций в сверхрешетках из квантовых точек различной размерности?, ФТП 36, 12, 1449-1459, 2002 Дмитриев И. А., Сурис Р. А., ?Затухание блоховских осцилляций в сверхрешетках из квантовых точек. Общий формализм?, ФТП 36, 12, 1460-1469, 2002 К.А.Булашевич, В.В.Роткин, "Приборы на нанотрубках: микроскопическая модель", Письма в ЖЭТФ 75, 239- 244, 2002 Н.В.Ткач, А.М.Маханец, Г.Г.Зегря . Электроны, дырки и экситоны в сверхрешетке цилиндрических квантовых точек с предельно слабой связью квазичастиц между слоями квантовых точек, ФТП 36, 5, 543, 2002 Г.В.Скрынников, Г.Г.Зегря, Н.А.Пихтин, С.О.Слипченко, В.В.Шамахов, И.С.Тарасов О внутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP-гетеролазеров (lambda=1.55 мкм)., ФТП 37, 2, 2003 А.А. Грешнов, Г.Г. Зегря, Ю.Б. Васильев, С.Д. Сучалкин, Б.Я. Мельцер, С.В. Иванов,П.С. Копьев Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле, Письма в ЖЭТФ 76, 4, 258-262, 2002 И.Н. Арсентьев, М.В. Байдакова, А.В. Бобыль, Л.С. Вавилова, С.Г. Конников, В.П. Улин, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Д.И. Войциховский, Структурные и электрические характеристики эпитаксиальных InP слоев на пористых подложках и параметры Au--Ti барьеров Шоттки к ним, ПЖТФ 23,5,57, 2002 И.П. Ипатова, А.Ю. Маслов, О.В. Прошина. Оптические свойства полярона в квантовых наноструктурах. Известия академии наук, серия физическая, т. 67, 2003 R.A. Suris, Correlation between Trion and Hole in Fermi Distribution in Process of Trion Photo-excitation in Doped QWs, "Optical properties of 2D systems with interacting electrons" Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, held in St.-Petersburg, Russia, 13-16 June 2002 edited; NATO SCIENCE SERIES: II: Mathematics, Physics and Chemistry, Принята к опубликованию в 2003 г S.V. Goupalov, R.A. Suris, P. Lavallard, and D.S. Citrin, "Exciton dephasing and Absorption Lineshape in semiconductor Quantum Dots", IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics 8, 1009 (2002). Asryan LV, Luryi S, Suris RA Intrinsic nonlinearity of the light-current characteristic of semiconductor lasers with a quantum-confined active region, Appl. Phys. Lett. 81, 12, 2154-2156, 2002 L.V. Asryan and R.A. Suris, ?Theory of threshold characteristics of quantum dot lasers: Effect of quantum dot parameter dispersion,? International J. High Speed Electron. Syst., Special Issue on ?Quantum Dot Heterostructures ? Fabrication, Application, Theory? 12, 1, 111-176, 2002. (обзорная статья) L.V. Asryan and R.A. Suris, ?Theory of threshold characteristics of quantum dot lasers: Effect of quantum dot parameter dispersion.?, Selected Topics in Electronics and Systems 25, 206, 2002 (глава V в коллективной монографии) V.P. Evtikhiev, A.M. Boiko, I.V. Krudryanovskii, R.A. Suris, A.N. Titkov, V.E. Tokranov, Semicond. Sci. Technol. 17, 545-550, 2002 Suris R. A., Dmitriev I. A. ?Quantum dot superlattices in a constant electric field: localization and Bloch oscillations?, International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, 2, 583-592, 2002 R.A. Sergeev, R.A. Suris, The Heavy-Hole X+ Trion in Double Quantum Wells, ?Optical properties of 2D systems with interacting electrons? Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, held in St.-Petersburg, Russia, 13-16 June 2002; NATO SCIENCE SERIES: II: Mathematics, Physics and Chemistry, Принята к опубликованию в 2003 G.G.Zegrya, N.A.Gunko, I.A.Kostko, E.B.Dogonkin. Influense of intraband relaxation processes on threshold and power-current characteristics of quantum well lasers. Proceedings of Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St.-Petersburg, 437-440, 2002 A. Bobyl, R. Suris, S. Karmanenko, A. Semenov, A. Melkov, S. Konuhov, A. Olshevski. The ferrite/superconductor layered structure for tunable microwave devices. Physica C: Vol. 372-376 (P1) (2002) p. 508-510 M. Bazilevich, A.V. Bobyl, D.V. Shantsev, E. Altshuler, T.H. Johansen, S.I. Lee. Origin or dendritic flux patterns in MgB2 films. Physica C: Vol. 369, (2002) p. 93-96 A.V. Bobyl, D.V.Shantsev, Y.M. Galperin, T.H.Johansen. High-temperature superconductor strip with transport current: Magnet-optical study of current distribution and its relaxation. Supercond. Sci. and Tehn. 15, (2002), p. 82-89 N. S. Boltovets, A. V.Bobyl, R. A. Suris et.al. 150 GHz microwave Si-IMPATT, GaAs-Gunn and InP Shottky diodes on the base of nanoscale structures. Proceedings of 5th ISTC Seminar ?Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology?, 2002 F. L. Barkov, D. V. Shantsev, T. H. Johansen, P. E. Goa1,W. N. Kang, H. J. Kim, E. M. Choi, S. I. Lee, Submitted to Phys. Rev. B, 2002 S. Braeck, D. V. Shantsev, T. H. Johansen, Y. M. Galperin, Superconducting trapped-field magnets: Temperature and field distributions during pulsed field activation, J. Appl. Phys. 92 (10), 6235-6240 (2002) T.H. Johansen, M. Baziljevich, D.V. Shantsev, P.E. Goa, Y.M. Galperin, W.N. Kang, H.J. Kim, E.M. Choi, M.-S. Kim, S.I. Lee, Dendritic magnetic instability in superconducting MgB2 films, Europhys. Lett. 59(4), 599-605 (2002) A.V. Bobyl, D.V. Shantsev, T.H. Johansen, W.N. Kang, H.J. Kim, E.M. Choi, S.I. Lee, Current-induced dendritic magnetic instability in superconducting MgB2 films, Appl. Phys. Lett. 80, 4588-4590 (2002). Also Virtual Journal of Applications of Superconductivity, v.2, issue 12 Scaling and exact solutions for the flux creep problem in a slab superconductor D. V. Shantsev, Y. M. Galperin, T. H. Johansen, Phys. Rev. B 65, 184512 (2002). Also Virtual Journal of Applications of Superconductivity, v.2, issue 9 Zn doping effect on superconducting gap in YBa2Cu3O7-d : Raman study M. Limonov, D. Shantsev, S. Tajima, and A. Yamanaka Phys. Rev. B. 65, 024515 (2002). Also Virtual Journal of Applications of Superconductivity, v.2, issue 1 Relaxation of transport current distribution in a YBaCuO strip studied by magneto-optical imaging A. V. Bobyl, D. V. Shantsev, Y. M. Galperin, T. H. Johansen, M. Baziljevich, S. F. Karmanenko Supercond. Sci. Technol. 15, 82-89 (2002) Yu.V. Trushin, G.V. Mikhailov, E.E. Zhurkin, V.S. Kharlamov, A.A. Schmidt, F.A. Krusenstern, Computer simulation of the creation of 31P doped layer in 28Si/30Si/28 Si heterostructure by neutron transmutation doping, Sixth International Workshop on New Approaches to High-Tech: Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering, St. Petersburg, Preprints and program, Proceedings of SPAS, v.6, D2, 2002 B.J. Ber, A.P. Kovarsy, A.A. Schmidt, Yu.V. Trushin, E. E. Zhurkin, F.A.Krusenstern, Computer simulation and SIMS profiling of Zn implantation in A3B5 semiconductors, Proc. of SPIE, n. 4627, 177-180, 2002 D. A. Lesnyh, D. V. Kulikov, Yu.V. Trushin, R. Bittner, K. Humer, H.W. Weber, A.R. Sternberg, Computational study of the influence of oxygen vacancies on the polarization in irradiated and annealed PLZT ceramics, Proc. of SPIE, n. 4627, 170-176, 2002 D.V Kulikov, D.A.Lesnyh, Yu.V. Trushin, H.W. Weber, K.Humer, R.Bittner, A.R.Sternberg, Influence of the neutron irradiation on Curie-Weiss temperature of antiferroelectric lead-zirconate thin films, Pis'ma v ZhTF .28, 15, 17-23, 2002 (in Russian) D.A. Lesnyh, D.V. Kulikov, Yu.V. Trushin, R. Bittner, K. Humer, H. Weber, A. Sternberg, Chnages in the temperature dependence of the dielectric constant in irradiated antiferroelectric thin films, Sixth International Workshop on New Approaches to High-Tech: Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering, St. Petersburg, Preprints and program, Proceedings of SPAS, v.6, D7, 2002 K.L. Safonov, D.V. Kulikov Yu.V. Trushin, Joerg Pezoldt, Nucleation of SiC on Si and their relationship to nano-dot formation: II. Theoretical investigation, Proc. of SPIE, 4627, 165-169, 2002 K.L. Safonov, D.V. Kulikov, Yu.V. Trushin, J. Pezoldt, Influence of the growth temperature on SiC nanocluster nucleation on Si(111), Sixth International Workshop on New Approaches to High-Tech: Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering, St. Petersburg, Preprints and program, Proceedings of SPAS, v.6, D4, 2002 Gernot Ecke, Rastislav Kosiba, Vladimir Kharlamov, Yuri Trushin, Jorg Pezoldt, The estimation of sputtering yields for SiC and Si, Nucl. Instr. and Meth. B, 196, 39-50, 2002 I.P. Ipatova, M.B. Lifshits, A.Yu. Maslov. Surface tetragonal strain effect on semiconductor alloy spinodal decomposition. Phys. Low-Dim. Structures, 9/10, 81-95, 2002 I.P. Ipatova. Spinodal decomposition of semiconductor alloys. Greek Society of Science and Technology of the condensed matter, special issue, 2002, (17 pp) I.P. Ipatova, A.Yu. Maslov, O.V. Proshina. Polaron in quantum nanostructures. Surface Science, v.507-510, 598-602, 2002 I. P. Ipatova, O. V. Proshina, G.Benedek. Surface polaritons at nanoporous carbon-silicon interface. Proceedings of 10th International Symposium ?Nanostructures: Physics and Technology?, 2002 V.A. Shchukin, D. Bimberg, T.P. Munt, D.E. Jesson. Metastability of ultra-dense arrays of quantum dots. ? accepted to Phys. Rev. B, 2003 V. A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Epitaxy of nanostructures (monograph), Springer-Verlag, 392 pp, 2003 I.P. Ipatova. Russian Women in Physics, The IUPAP int. conf. On women in physics, Paris, France, 95, 2002 15.9.2. Костко Ирина Андреевна, 1976, 2002, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН Дмитриев Иван Александрович, 1975, 2003, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН Лифшиц Мария Борисовна, 1977, 2003, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН 15.9.3. Асрян Левон Володяевич, 1963, 2002, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН 15.9.4. Сергеев Ринат Александрович, 1977, 2000, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН Догонкин Евгений Борисович, 1978, 2001, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН Булашевич Кирилл Александрович, 1979, 2002, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН Костко Ирина Андреевна, 1976, 2002, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН Рыбин Петр Валерьевич, 1978, 2001, СПб ГПУ Лесных Дмитрий Анатольевич, 1979, 2002, СПб ГПУ Лифшиц Мария Борисовна, 1977, 1999, СПбГПУ 15.9.5. Теоретические основы микроэлектроники, Сурис Р.А., д.ф.-м.н., член-корр. РАН, 23, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 6 Физические процессы в полупроводниковой технологии, И.П. Ипатова, д.ф.-м.н., 7, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 8 Семинар группы теории и компьютерного моделирования радиационных дефектов и процессов в материалах, Трушин Юрий Владимирович, д.ф.-м.н., 10, ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, 7 15.9.6. Сурис Роберт Арнольдович, зав. кафедрой ФТТ, профессор, СПбГПУ, Туннельные Явления (1 студент., 1 аспирант) Соловьев Игорь Ювенальевич, ассистент, СПбГЭТУ, Начала квантовополевой теории твердого тела Зегря Георгий Георгиевич, профессор, СПбГПУ, Курс общей физики; Физика наноструктур; СПбГЭТУ, Физика неупорядоченных полупроводниковых структур; Основы зонной структуры полупроводников (3 студента, 1 аспиранта) Бобыль Александр Васильевич, профессор, СПбГПУ, Введение в современную полупроводниковую технологию; Современная полупроводниковая технология; Физико-химические основы современной полупроводниковой технологии (2 диплома) Трушин Юрий Владимирович, профессор, СПбГПУ, Введение в матераловедение; Материаловедение; Физика твёрдого тела (3 диплома) Ипатова И. П., профессор, СПбГПУ, квантовая теория твердых тел, (1 диплом); Маслов А.Ю., доцент, СПбГПУ, спектроскопия твердых тел 15.9.7. 10th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, С-Петербург, 17-21 июля, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Р.А. Сурис ? председатель программного комитета) Optical properties of 2D systems with interacting electrons, С-Петербург, 13-16 июля, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Р.А. Сурис ? со-директор и член программного комитета) Sixth International Workshop on New Approaches to High-Tech: Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering, St Petersburg, 10-16 June, 2002, SPbSPU (Ю.В. Трушин) Workshop ?Deutschland ? Physikalisch-Technisches Joffe-Institut?,9.12 ? 11.12.2002, St.Petersburg (Ю.В. Трушин) Международная зимняя школа ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Зеленогорск, пансионат ?Ленинградец?, 1-4 марта 2002 (Р.А. Сурис, И.П. Ипатова, А.Ю. Маслов, А.М. Бойко члены оргкомитета) 4 всероссийская студенческая конференция по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике (И.П. Ипатова, Р.А. Сурис ? члены програмного и оргкомитетов) Международный симпозиум ?Алмазоподобные полупроводники?, НОЦ ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 22-23 ноября 2002 (И.П. Ипатова ? председатель оргкомитета) 15.9.8. 10th Nanostructures: Physics and technology, международная, 250, 4, 0 2nd Int. Workshop ?Nucleation and non-linear problems in first-order phase transitions?, международная, 120, 2, 0 26 Int. Conf. Phys. Semicond., международная, 1200, 1, 0 6th International Workshop on New Approaches to High-Tech: Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering, St.-Petersburg, 50, 3, 3 ?Алмазоподобные полупроводники?, международная, 114, 1, 1 ?Новые направления в мезоскопике?, международная, 90, 1, 0 ?Нанофотоника?, российская, 170, 1, 0 ?Эффективность российско-германского научного сотрудничества?, международный, 50, 2, 1 ASC-2002 - Applied Superconductivity Conference, Houston, USA, международный, 1450, 2, 0 Advanced Workshop on Frontiers in Electronics, международный, 80, 2, 0 Electroceramics VIII-2002, Rome, Italy, 500, 1, 0 ?Entanglement in the nanoscale?, международная, 90, 1, 0 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2002, 500, 1, 0 Fifth ISTC Scientific Advisory Committee Seminar ?Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology?, 100, 1, 0 Field-ion microscopy: history, achievments, current state, prospects, Moscow, международный, 60, 1, 1 Int. Conf. on Integrated Ferroelectrics (ISIF XIV 2002), Nara, Japan, 200, 1, 1 Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology, Fifth ISTC Scientific Advisory Committee NATO Advanced Research Workshop "Theory of quantum transport in nanoscale devices", международный, 100, 2, 0 ?Optical properties of 2D systems with interacting electrons?, международная, 50, 2, 0 ?Optical properties of semiconductors?, международная, 70, 1, 1 Seminar, St-Petersburg, 120, 1, 0 Third International Conference "Advanced Optical Materials and Devices" (AOMD-3), Riga, Latvia, 100, 1, 1 Workshop ?Deutschland ? Physikalisch-Technisches Ioffe-Institut?, St.Petersburg, 20, 1, 1 15.9.9