15.1.1. 96-15-96348 15.1.2. Сурис Роберт Арнольдович Ипатова Ия Павловна 15.2. Теория твердотельных микро и наноструктур и оптоэлектронных устройств на их основе 15.3. - Построена теория температурной зависимости пороговых токов полупроводниковых лазеров на квантовых точках. Показано, что: - при низких температурах пороговый ток почти не зависит от температуры, а при высоких - растет экспоненциально, что объясняет экспериментально наблюдаемые зависимости; - имеет место нарушение нейтральности в слое с КТ, существенным образом сказывающееся на величине порогового тока и его температурной зависимости; - эффект выжигания пространственных провалов инверсии в лазере на КТ проявляется существенно сильнее, а порог многомодовой генерации может быть намного ниже, чем в лазерах с объемной активной областью и лазерах на квантовых ямах. (Appl.Phys.Lett. 74, 1215, 1999; IEEE J. Quantum Electron. 34, 841, 1998; Electron.Lett. 33, 1871, 1997; IEEE J.Select.Topics Quant.Electron. 3, 148, 1997.) - Разработана новая концепция формирования наноструктур с модулированным составом твердого раствора в открытых ростовых системах путем кинетического фазового перехода (Phys.Rev.B, 1998; 24 Int.Conf.Phys.Semicond., 1998) - Впервые продемонстрирована эффективность использования магнитооптической методики при исследовании пространственно-временной релаксации магнитного поля ВТСП образца после включения транспортного тока. Показано, что эволюция распределения магнитного потока хорошо описывается в рамках модифицированной модели Бина с зависящим от времени критическим током. Была доказана важность крипа магнитного потока при пропускании тока через пленку. (Phys.Rev.B, 59, 9655, 1999). - Построена теория оптических спектров электронных переходов для электронного и дырочного поляронов Пекара в полупроводниковых наноструктурах на основе широкозонных материалов с высокой степенью ионности (ФТП 33, в. 12, 1999) 15.4.1. 41,109 15.4.2. МНТП 99-1106; РФФИ 96-02-17952, 97-02-18110, 97-02-18090, 98-02-18210, 99-02-16796, 99-02-17990, 96-02-17943, 98-02-18295, 98-02-18304, 98-07-90336, 97-02-18151, 99-02-18170, 96-02-17952, 96-02-17926, 98-02-26120; РФФИ - ННИО 96-02-00168, 99-02-04009 Программа Миннауки РФ "Поверхностные атомные структуры", 95-2.23, 3-6-99; Государственная программа Актуальные направления физики конденсированных сред. Направление: Сверхпроводимость N 96037, Направление: Фуллерены и атомные кластеры N 98059, 98062; Мин. Науки 97-0003; Федеральная программа "Интеграция" K0416; Государственная программа Миннауки "Фуллерены и атомные кластеры" N 94014; Российская программа "Сверхпроводимость" N 94048; Грант в области фундаментального естествознания (С.-Петербург) N 95-0-7-54; ИНТАС 93-3476-ext, 93-2492-ext, 94-1172; 15.5. RANK prize for optoelectrincs Государственная стипендия Президента РФ для выдающихся ученых 1995-1996,1998-2000,1996-1997,1997-2000; Государственные стипендии Президента для молодых ученых России, 1994-1996; Государственные стипендии Президента РФ для аспирантов 1995-1997; Почетная грамота РАН, 1999; Премия ФТИ, 1996, 1997 (2 премии), 1998; Премия Отделения твердотельной электроники ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 1998 (2 премии) Профессорский грант Фонда Сороса, 1997, 1999; Аспирантский грант фонда Сороса, 1997; 1996; Студенческий грант фонда Сороса, 1998 (3 премии); Лучшая работа молодых ученых на 3-nd International WinterSchool on Physics of Semiconductors, 1998 (2 премии); Лучшая работа молодых ученых на 3rd International Workshop on Fullerenes and Atomic Clusters, 1997; Лучшая работа молодых ученых ФТИ РАН, 1997; Лучшая работа конкурса РАЕН для молодых ученых и студентов С-Петербурга, 1997; Лучшая работа молодых ученых на 2-nd International WinterSchool on Physics of Semiconductors, 1997; 15.6.1. 6 15.6.2. 1 15.6.3. 14 15.6.4. 25 15.6.5. 16 15.7.1. 15.8.1. http://www.ioffe.rssi.ru/Dep_TM/ http://wwwphtf.stu.neva.ru/phtf/SOL/SSP.HTM http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/ 15.9.1. Asryan L.V.and Suris R.A. Inhomogeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser. Semicond. Sci. Technol.,Apr. 1996, vol. 11, no. 4, p. 554-567, Asryan L.V. and Suris R.A. Charge neutrality violation in quantum dot lasers". Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors. Berlin, Germany, July 21-26, 1996, vol.2, p. 1369-1372. Asryan L.V. and Suris R.A. Gain and Current Density of Quantum Dot Laser. Proceedings of International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". June 24-28, 1996, St.Petersburg, Russia. p. 354-357. Asryan L.V. and Suris R.A. Characteristic temperature of quantum dot laser. Electron. Lett.,Oct. 1997 vol.33, no.22, p.1871-1872.Asryan L.V. and Suris R.A. Charge neutrality violation in quantum dot lasers. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron.,Apr. 1997 vol. 3, no.2, p. 148- 157, Asryan L.V. and Suris R.A. Effect of carrier recombination in the optical confinement layer on the temperature dependence of threshold current density of a quantum dot laser". Proceedings of International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". June 23-27, 1997, St.Petersburg, Russia. pp. 176-179. Asryan L.V. and Suris R.A. Temperature dependence of the threshold current density of a quantum dot laser. IEEE J. Quantum Electron., May 1998, vol. 34, no. 5, p.841-850, L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, and R.A. Suris, B.B. Elenkrig, S. Smetona, J.G. Simmons, P.-K. Lau and T. Makino. "Heating effect on light-current characteristics of multiple quantum well lasers". Proceedings of IEEE LEOS 11th Annual Meeting, Orlando, FL, December 1-4, 1998. v. 2, p. 108-109. L.V. Asryan and R.A. Suris. "Effect of spatial hole burning and multi-mode generation threshold in quantum dot lasers". Proceedings of International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". June 22-26, 1998, St.Petersburg, Russia. p.390-393. L.V. Asryan and R.A. Suris Temperature sensitivity of threshold current density of a quantum dot laser". Proceedings of SPIE's International Symposium PHOTONICS WEST'98, 26-30 January 1998. San Jose, California USA. v. 3283, p. 816- 827. L.V. Asryan and R.A. Suris. "Spatial hole burning and multimode generation threshold in quantum-dot lasers". Appl.Phys.Lett., v.74, no.9, p.1215-1217, March 1999. Л.В. Асрян, Р.А. Сурис. "Роль термических выбросов носителей в выжигании пространственных дыр в лазере на квантовых точках". ФТП, т.33, вып. 9, с.1076-1079, Сент. 1999. L.V. Asryan and R.A. Suris. "Spatial hole burning in a quantum dot laser". Proceedings of SPIE's International Symposium PHOTONICS WEST'99. San Jose, CA, USA, 23-39 January 1999. v. 3625. Куликов Д.В., Сурис Р.А., Трушин Ю.В., Харламов В.С., Циганков Д.Н. Компьютерное моделирование процессов отжига точечных центров пиннинга магнитного потока в облученном нейтронами YBaCuO. Письма в ЖТФ, 1996, т.22, вып.22, с.38-43. Trushin Yu.V., Ber B.J., Kharlamov V.S., Zhurkin E.E. Computer simulation of the sputtering of polyatomic multilayered materials with consideration of the spatial overlapping of the collision cascades. J. Nucl. Mater., 1996, v.233-237, p.991-995. Бер Б.Я., Журкин Е.Е., Меркулов А.В., Трушин Ю.В., Харламов В.С. Компьютерное моделирование изменения состава сложных и многослойных структур в процессе ионного распыления. ЖТФ, 1996, т.66(3), с.54-66. Trushin Yu.V. Theory of Radiation Processes in Metal Solid Solutions, New York, Nova Science Publishers Inc., 1996, 405 pp. Трушин Б.В. Физические основы радиационного материаловедения. Учебное пособие. СПб ГТУ, 1996, 80 стр. Кирсанов В.В., Орлов А.Н., Паршин А.М., Суворов А.Л., Трушин Ю.В. Физические аспекты радиационной повреждаемости металлов и сплавов. В кн.:"Структура и радиационная повреждаемость конструкционных материалов", изд."Металлургия", 1996, т.1, с.12-74. Куликов Д.В., Суворов А.Л., Сурис Р.А., Трушин Ю.В., Харламов В.С. Физическая модель формирования периодической структуры на поверхности пиролитического графита при высокоэнергетическом ионном облучении. Письма в ЖТФ, 1997, т.23, вып.13, с.27-32. Sauerzopf F.M., Werner M., Weber H.W., Suris R.A., Kulikov D.V., Kharlamov V.S., Trushin Yu.V. Small Defects in YBCO Single Crystals: Tc After Neutron Irradiation and Annealing. Physica C, 1997, v.282-289, p.1333-1334. Янков Р.А., Фельсков М., Крайссиг У.,Куликов Д.В.,Пецольдт Й.,Скорупа В.,Трушин Ю.В.,Харламов В.С., Циганков Д.Н. Высокотемпературная имплантация ионов N+ и Al+ в 6H-SiC при высоких дозах. Письма в ЖТФ, 1997, т.23, N16, с.6-14. Рыбин В.В., Трушин Ю.В. Физическая модель влияния надразмерных примесей на радиационное упрочнение альфа-сплавов железа. Письма в ЖТФ, 1997, т.23, N8, c.77-84. Трушин Ю.В. Физическая модель перехода от гексагональной к кубической структуре нитрида бора в процессе роста при облучении ионами азота и аргона. Письма в ЖТФ, 1997, т.23, в.13, c.66-70. Ber B.J., Kharlamov V.S., Kudrjavtsev Yu.A., Merkulov A.V., Trushin Yu.V., Zhurkin E.E. Computer simulation of ion sputtering of polyatomic multilayered targets. Nucl. Instr. and Meth. B, 1997, 127/128, p.286-290. Kharlamov V.S., Kulikov D.V., Truschin Yu.V., Tsigankov D.N., Yankov R.A., Voelskow M., Skorupa W., Pezoldt J. Computer simulation RBS/C studies of high dose N+ and Al+ co-implantation in 6H-SiC. Proceedings of SPIE, 1998, v.3345, p.257-261. Kulikov D.V., Suris R.A., Trushin Yu.V., Kharlamov V.S., Tsigankov D.N. Physical model of pinning centers annealing processes in neutron irradiated YBaCuO. Proceedings of SPIE, 1998, v.3345, p.241-248. Wang X., Kharlamov V., Kolitsch A., Posselt M., Trushin Y., Moeller W. Study of ion beam assisted deposition of Al/AlN multilayers by comparison of computer simulation and experiment. J. Phys. D: Appl. Phys., 1998, v.31, p.2241-2244. Куликов Д.В., Трушин Ю.В., Янков Р.А., Пецольдт Й., Скорупа В. Теоретическое описание высокотемпературной имплантации карбида кремния ионами N+ И Al+. Письма ЖТФ, 1998, т.24, N1, с.39-43. Трушин Ю.В., Куликов Д.В., Харламов В.С. Высокодозные радиационные процессы в многоатомных и многослойных материалах; теория и компьютерное моделирование. Изв. РАН, сер. физ., 1998, т.62, N7, с.1421-1424. Бер Б.Я., Журкин Е.Е., Кудрявцев Ю.А., Трушин Ю.В., Харламов В.С. Динамическое моделирование радиационного дефектообразования на каскадной стадии в многоатомных слоистых материалах. Неорганические материалы, 1998, т.34, N10, с.1237- 1244. Kharlamov V., Bobeth M., Dietsch R., Gorbunov A., Krawietz R., Mai H., Pompe W., Sewing A., Trushin Yu. Concentration profiles in laser- deposited Ni/C and W/C multilayers, Phys. Stat. Sol.(a),1998, v.166, p.91-106. Куликов Д.В., Трушин Ю.В., Харламов В.С., Иванов-Омский В.И. Распределение медных нанокластеров по размерам в аморфном углероде, Письма в ЖТФ, 1999, т.25, вып.5, c.76-79. Kharlamov V.S., Kulikov D.V., Trushin Yu.V. Computer simulation of transition from h-BN to c-BN during ion beam assisted deposition process. Vacuum, 1999, v.52, p.407-410. Rybin P.V.,Kulikov D.V., Trushin Yu.V., Yankov R.A., Kreissig U., Fukarek W., Muecklich A., Skorupa W., Pezoldt J. Modelling High- Temperature Co-Implantation of Al+ and N+,Implantation of Silicon Carbide: The Effects of Stress on the Implant and Damage Distributions. Nucl. Instr. and Meth. B,1999, v.147, p.279-285. Kulikov D.V., Trushin Yu.V., Kharlamov V.S. Physical model of copper clusters formation in hydrogenated amorphous carbon grown by ion co-sputtering of graphite and copper, Proceedings of SPIE, 1999, v.3687, p.290-291. Kulikov D.V., Pezoldt J., Rybin P.V., Skorupa W., Trushin Yu.V., Yankov R.A. Theoretical and experimental studies of (AlN)1-x(SiC)x layer structures formed by N+ AND Al+ co-implantation in 6H-SiC, Proceedings of SPIE, 1999, v.3687, p.254-257. Thin superconducting disk with B-dependent Jc: Flux and current distributions, D. V. Shantsev, Y. M. Galperin, and T. H. Johansen, accepted to Phys. Rev. B Temperature and magnetic field dependence of conductivity of YBaCuO films in the vicinity of superconducting transition: Effect of Tc-inhomogeneity, D. V. Shantsev, M. E. Gaevski, R. A. Suris, A. V. Bobyl, V. E. Gasumyants, O. L. Shalaev, accepted to Phys. Rev. B Temperature dependence of filament coupling in Bi-2223 tapes: Magneto-optical study, A. V. Bobyl, D. V. Shantsev, T. H. Johansen, M. Baziljevich, and Y. M. Galperin, submitted to Supercond. Sci. Technol. Central peak position in magnetization loops of high-Tc superconductors, D. V. Shantsev, M. R. Koblischka, Y. M. Galperin, T. H. Johansen, P. Nalevka, and M. Jirsa, Phys. Rev. Lett., v.82 (14), p.2947-2950 (1999). Magneto-optical study of magnetic flux penetration into a current-carrying high-temperature superconductor strip, M. E. Gaevski, A. V. Bobyl, D. V. Shantsev, S. F. Karmanenko, Y. M. Galperin, T. H. Johansen, M. Baziljevich, H. Bratsberg, Phys. Rev. B, v. 59 (14), p. 9655-9664 (1999). Magneto-optic study of spatial magnetic-field distribution relaxation in an HTSC film strip after transport current turn-on, M.E. Gaevski, D.V. Shantsev, Y.M. Galperin, A.V. Bobyl, T.H. Johansen, H. Hauglin, Phys. Solid State, v.41(6), p.877-880 (1999) [ФТТ, т.41(6), с.965-968 (1999)]. Spatially-resolved studies of chemical composition, critical temperature, and critical current density of YBaCuO thin film, M.E. Gaevski, A.V. Bobyl, D.V. Shantsev, Y.M. Galperin, V.V. Tret'yakov, T.H. Johansen, R.A. Suris, J. Appl. Phys. v.84 (9), p.5089-5096 (1998). Burning of High-Tc Bridges, M. E. Gaevski, T. H. Johansen, H. Bratsberg, Yu.Galperin, A. V. Bobyl, D. V. Shantsev and S. F. Karmanenko, Appl. Phys. Lett., v.71 (21), p.3147- 3149 (1997). Parametric resonance in superconducting micron-scale waveguides, N.V. Fomin, O.L. Shalaev and D.V. Shantsev, J. Appl. Phys., v. 81(12), p.8091-8096 (1997). Tc-mapping and investigation of water degradation of YBaCuO thin films by Low Temperature Scanning Electron Microscopy, M. E. Gaevski, A. V. Bobyl, S. G. Konnikov, D.V. Shantsev, V. A. Solov'ev, R. A. Suris, Scanning Microscopy, v.10 (3), pp.679-695 (1996). Fractal Structure Near The Percolation Threshold for YBa2Cu3O7 Epitaxial Films, M. Baziljevich, A.V. Bobyl, H.Bratsberg, R.Deltour, M. E. Gaevski, Yu. M. Galperin, V. Gasumyants, T.H. Johansen, I. A. Khrebtov, V. N. Leonov, D. V. Shantsev, R. A. Suris, Journal de Physique IV v. 6, C3-259 - C3-264 (1996). Magneto-depending noise of a single latent weak link in YBa2Cu3O7-x film, A.V. Bobyl, M.E. Gaevski, S.F. Karmanenko, I.A. Khrebtov, V. N. Leonov, D. V. Shantsev, V. A. Solov'ev, R. A. Suris, Physica C, v.266 (1996) p.33-43. Spatial distribution of composition and misfit dislocations on the surface of alloys, N. V. Fomin and D. V. Shantsev, Semicond. Sci.Technol., v. 11, p. 717-721 (1996). Formation of a misfit dislocation at the interface of a substrate and a solid solution film of finite thickness, N. V. Fomin and D.V. Shantsev, Phys. Solid State 38(1), p. 41-47 (1996). Избыточный шум в эпитаксиальных пленках YBaCuO и болометры антенного типа на их основе. А.В. Бобыль, М.Э.Гаевский, А.И.Дедоборец, С.Ф. Карманенко, В.Н.Леонов, А.В.Лунев, А.А.Семенов, Р.А. Сурис, И.А.Хребтов, ФТТ 41, в.11, 1999. с.35-39. Моделирование спектров 1/f-шума в эпитаксиальных пленках YBaCuO, А.А. Берзин, А.В. Бобыль, А.И. Дедоборец, А.И. Морозов, Р.А. Сурис, ФТТ, 41, 1999, с.29-36. Двойники и дефекты-флуктуаторы эпитаксиальных пленок YBaCuO: моделирование процессов отжига и монодоменизации методом Монте-Карло. А.В. Бобыль, А.И. Дедоборец, А.И. Морозов, Р.А. Сурис. Неорганические материалы, т.8, 1999, с. Intrinsic microstrains and normal-phase flicker noise in YBa2Cu3O7 epitaxial films grown on various substrates, A.V. Bobyl, M. E. Gaevski, S.F. Karmanenko, R. N. Kutt, R. A. Suris, I. A. Khrebtov, A. D. Tkachenko, and A. I. Morosov, J.Appl.Phys., v.82, no.3, pp. 1274-1280, Aug. 1997. Mechanisms of cation defect formation in epitaxial YBa2Cu3O7-x films, N.A. Bert, A.V. Lunev, Yu.G. Musikhin, R. A. Suris, V.V. Tret'yakov, A.V. Bobyl, S.F. Karmanenko, A.I. Dedoboretz, Physica C, v. 280, no.3, p.121 (1997) Magnetic field maps of YBaCuO thin films by scanned SQUID microscope for HTSC microelectronics K.E.Andreev, A.V.Bobyl, S.A.Gudoshnikov, S.F.Karmanenko, L.V.Matveets, S.L.Krasnosvobodtsev, O.V.Snigirev, R.A.Suris, I.I.Vengrus. Supercond. Sci. and Tehn. v. 10 1997 p.366-370. Investigation of transient processes in YBaCuO films by low-temperature scanning electron microscopy, V.A. Solov'ev, M.E. Gaevskii, S.G. Konnikov, R. A. Suris, and A. V. Bobyl', Tech. Phys. Lett. v. 23(11), p. 877-880 (1997) [Pisma v Zh.Tekh.Fiz. v.23(22) 1997, p.45-53]. Фликкер шум магнито-зависимой компоненты СВЧ мощности резонатора с эпитаксиальной ВТСП пленкой. А.В.Бобыль, Р.А.Сурис, Н.В. Фомин, Письма в ЖТФ 22(16) 1996, c.18-23. I.P. Ipatova, A.Yu. Maslov, O.V. Proshina, Large Radius Polarons in Nanostructures. Phys. Low.-Dim. Structures 1996, V. 4/5 pp. 1-10. И.П.Ипатова, А.Ю.Маслов, О.В.Прошина.Полярон большого радиуса в наноструктурах на основе полупроводников с непараболическим законом дисперсии. ФТП, 1996, т. 30, в.11, стр. 2081-- 2088. I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Lusina, Yu.N. Makarov, Mathematical Stimulation of Chemical Reaction Rate Constants in CVD Growth of GaAs. Phys. Low.-Dim. Structures 1996, V. 9/10, pp. 55-62. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Strain-induced formation and tuning of ordered nanostructures on crystal surfaces. Surf. Sci., 1996, V. 352-354, pp. 117-122. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, V.G. Malyshkin, I.P. Ipatova, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Thermodynamic theory of spontaneous ordering of semiconductor nanostructures. Proceedings of the International Symposium ``Nanostructures: Physics and Technology'' - St. Petersburg, Russia, June 24-28, 1996, pp. 439-442. A.D. Bykhovski, M.S. Shur. Surface reconstruction of Zinc- Blend GaN. Appl. Phys. Lett., 1996, V. 69, No 16, pp. 2397-2399. A.D. Bykhovski, V.V. Kaminskii, M.S. Shur, Q.C. Chen, M.A. Khan. Pyroelectricity in gallium nitride thin films. Appl. Phys. Lett., 1996, V. 69, No 21, p. 3254-3256. V. Malyshkin, A.R. McGurn. Computer- simulation study of the termal conductivity of amorphous insulating solids. Phys. Rev. B,1996, V. 54, No 5, p. 2980-2983. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin, A.A. Maradudin, R.F. Wallis. Kinetic Instability in the Epitaxial Growth of Semiconductor Alloys. Phys. Low.- Dim. Structures 1997, V. 3/4, pp. 23-37. Д. Бимберг, И.П. Ипатова, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, В.Г. Малышкин, В.А. Щукин. Спонтанно упорядочение полупроводниковых наноструктур. УФН. 1997. Т. 167, В. 5. С. 552-555. V.G. Melehin, A.Yu.Maslov, M.A.Sinitsin. Peculiarities of Disorder- Induced Raman Scattering from Acoustic Frequency Gaps in AlAs/GaAs Superlattices. - Physics of Low-Dimensional Structures, 1997, V. 1/2, pp. 51 - 60. I.P. Ipatova, A.Yu. Maslov, L.V. Udod, G. Benedek, G.Pansarini. The Enhancement Factor in Hyper-Raman Scattering from an Inhomogeneous Semiconductor Structure. Surface Science 1997, V. 377-379, p. 436-439. I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Lusina, A.A. Maradudin. On the Equilibrium Distribution of Boron between the Surface and Bulk of the Silicon crystal. Phys. Low.-Dim. Structures 1997, V.3/4, pp. 81-86. I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Lusina, A.A. Maradudin. The Influence of the Boron Localized Vibrations on the Equilibrium Distribution of Boron between the Surface and Bulk of a Silicon Crystal. Solid State Communication, 1997, V. 84, No 12, pp. 277-280. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, and D. Bimberg. Self-ordering of nanostructures on semiconductor surfaces. Optical Properties of Low-Dimensional Semiconductors. NATO ASI Series. Series E: Applied Physics. Kluwer Academic Publishers. Dordrecht, the Netherlands. 1997, p. 257-302. A.D. Bykhovsli, B.L. Gelmont, M.S. Shur. Elastic strain relaxation and piezoeffect in GaN-AlN, GaN-AlGaN, and GaN-InGaN superlattices. J. of Appl. Phys., 1997, V. 81, No 9, p. 6332-6338. C.J. Sun, M. Zubiar Anwag, Q. Chen, J.W. Yang, M. Asif Khan, M.S. Shur, A.D. Bykhovski, S.L. Weber, M. Smith, J.Y. Lin, H.X. Xiang. Quantum shift of band edge stimulated emission in InGaN-GaN multiple quantum well light emitting diodes. Appl. Phys. Lett., 1997, V. 70, p. 2978. V. Malyshkin, A.R. McGurn, T.A. Leskova, A.A. Maradudin, M. Nieto-Vesperinas. Speckle correlations in the light scattered from a weakly rough one-dimensional random metal surface. Optics Letters, 1997, V. 22, No 13, p. 946-948. R. Gaska, J. Yang, A. Osinsky, A.D. Bykhovski, M.S. Shur. Piezoeffect and gate current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors. Appl. Phys. Lett. 1997, V. 71, No 25, pp. 3676-3678. R. Gaska, J. Yang, A.D. Bykhovski, M.S. Shur, V.V. Kaminski, S.M. Soloviov. Piezoresistive effect in GaN-AlN-GaN structures. Appl. Phys. Lett. 1997, V. 71, No 26, p. 3817-3819. V. Malyshkin, S. Simeonov, A.R. McGurn, A.A. Maradudin. Determination of surface profile statistics from electromagnetic scattering data. Optics Letters, 1997, V. 22, No 1, pp. 58-60. V.A. Shchukin, D. Bimberg, V.G. Malyshkin, and N.N. Ledentsov. Vertical correlations and anticorrelations in multisheet arrays of two- dimensional islands. Phys. Rev. B. 1998. V. 57, No. 19, pp. 12262-12274. I.P.Ipatova,V.G.Malyshkin,V.A.Shukin, A.A.Maradudin, R.F. Wallis. Kinetic Instability of the Semiconductor Alloy Growth. Phys. Rev. B, 1998, V. 57, p. 12968-12993. I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Lusina, K. Hess. Effect of the Localized Vibrations on the Si Surface Concentration of H and D. Journal of Applied Physics 1998, V. 83, No 2, pp. 814-819. D. Bimberg, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, A. Krost. Formation of self- organized quantum dots at semiconductor surfaces. Appl. Surf. Sci., 1998, V. 130-132, pp. 713-718. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов,В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. Гетероструктуры с квантовыми точками: Получение, свойства, лазеры. ФТП. 1998. Т. 32. В. 4. С. 385- 410. I.P.Ipatova, O.P.Chikalova-Luzina, K.Hess. Effect of localized vibrations on the Si surface concentrations of hydrogen or deuterium. Proceedings of the 6th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology, Russia, St.Petersburg, June 22-26, 1998, pp. 315-318. V.A. Shchukin, V.G. Malyshkin, N.N. Ledentsov, and D. Bimberg. Vertical correlations and anti-correlations in multi-layered arrays of 2D quantum islands. Proceedings of the 6th International Symposium ``Nanostructures: Physics and Technology'' - St. Petersburg, Russia, June 22-26, 1998, p. 253-256. V.A. Shchukin, and A.N. Starodubtsev. Equilibrium composition-modulated structures in epitaxial films of semiconductor alloys. Proceedings of the 6th International Symposium ``Nanostructures: Physics and Technology'' -St. Petersburg, Russia, June 22-26, 1998, p. 276-279. World Scientific. Singapore. 1998. G.Benedek, I.P.Ipatova, A.Yu.Maslov, L.V.Udod. Theory of Enhanced Raman Scattering from Inhohmogeneous surfaces: Effects of the carrier Scattering and Spatial Dispersion - Il Nuovo Cimento, 1998, v. 20D, No 7-8, p. 957-966. V.A. Shchukin, and D. Bimberg. Strain-driven self-organization of nanostructures on semiconductor surfaces. Appl. Phys. A. 1998. V. 67. p. 687-700. I.P.Ipatova, A.Yu.Maslov, L.V.Udod, G.Benedek.The Enhancement of Hyper Raman Effect from Semiconductor Surfaces - Phys. stat. sol.(a), 1998, v. 170, pp. 291--300. V.A. Shchukin, and A.N. Starodubtsev. Equilibrium composition-modulated structures in alloy epitaxial films.- Physics of Low-Dimensional Structures. 1998, V. 11/12, pp. 203-224. V. Malyshkin, A.R. McGurn, J.M. Elson, P. Tran. Transverse or off-axis localization of electromagnetic waves in random one and two-dimensional dielectric systems which are periodic on average. Waves in Random Media, 1998, V. 8, No 2, pp. 203-228. R. Gaska, J. Yang, A.D. Bykhovski, M.S. Shur, V.V. Kaminski, S.M. Soloviev. The influence of strain on the two-dimensional gas in AlGaN-GaN heterostructures. Appl. Phys. Lett. 1998, V. 72, No 1, pp. 64-66. A.D. Bykhovski, R. Gaska, M.S. Shur. Piezoelectric doping and elastic strain relaxation in AlGaN-GaN heterostructure field transistor. Appl. Phys. Lett. 1998, V. 73, No 24, pp. 3577-3579. I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Lusina, K. Hess. On the equilibrium between the Si surface and the H2 or D2 gas phase. Phys. Low-Dim. Struct., 1999, V. 1/2, pp. 75-80. И.П. Ипатова, А.Ю. Маслов, О.В. Прошина. Поляронное состояние в квантовой точке для частицы с вырожденным зонным спектром -- ФТП, 1999, т. 33, N 7. I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Luzina, K. Hess. Isotope effect in the equilibrium between the silicon surfase and the gas of Hydrogen and Deiterium. - Phys. Stat. sol.(b), 1999, V. 212, pp. 287-291. Н.А. Берт, Л.С. Вавилова, И.П. Ипатова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова., Н.А. Пихтин, А.А. Ситникова, И.С. Тарасов, В.А. Щукин. Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP структуры с модулированным составом. ФТП. 1999. Т. 33. в. 5, с. 544-548. V.A. Shchukin, and A.N. Starodubtsev. Self- organized growth of composition-modulated alloys. Proceedings of the 7th International Symposium ``Nanostructures: Physics and Technology'' St. Petersburg, Russia, June 13-18, 1999, pp. 497--500. V.A. Shchukin, and D. Bimberg. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces.Rev. Mod. Phys., 1999, V. 71, No. 4, (47 pages). V. Malyshkin, A.R. McGurn, A.A. Maradudin. Features in the speckle correlations of light scattered from volume-disordered dielectric media. Phys. Rev. B, 1999, V. 59, No 9, pp. 6167-6176. V.V. Emtsev, V.V. Emtsev Jr, D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev. A comparative study of donor formation in dysprosium, holmium and erbium implanted silicon. J. of Luminescence, 1999, V. 80, pp. 391-394. V.V. Emtsev, V.V. Emtsev Jr, D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev, J. Michel, L.C. Kimerling. Oxygen and erbium related donor centers in Czochralski grown silicon implanted with erbium. ФТП, 1999, т. 33, в. 12. R. Gaska, M.S. Shur, T.A.Fjeldly, A.D. Bykhovski. Two-channel AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor for high power application. J. Appl. Phys., 1999, V. 85, No 5, pp. 3009-3011. R. Gaska, A.D. Bykhovski, M.S. Shur, V.V. Kaminski, S.M. Soloviov. Piezoresistive effect in AlN/GaN short range superlattices structures. J. Appl. Phys., 1999, V. 85, No 9, pp. 6932- 6934. R. Gaska, M.S. Shur, A.D. Bykhovski, A.O.Orlov, G.L. Snider. Electron mobility in modulates-doped AlGaN-GaN heterostructures. Appl. Phys. Lett. 1999, V. 74, No 2, pp. 287-289. Зегря Г.Г., Андреев А.Д. Теория рекомбинации неравновесных носителей в гетероструктурах типа II, ЖЭТФ, 1996, т. 109, в. 2, c. 615-638 Mikhailova M.P., Zegrya G.G., Moiseev K.D., Yakovlev Yu.P. Interface electroluminesence of confined carriers in type-II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs single heterojunction // Solid State Electronics, 1996, v. 40, no. 1-8, p. 673-677. Zegrya G.G., Andreev A.D. Calculation of threshold characteristics of mid- infrared laser based on type-II heterostructure with quantum wells //Proc. SPIE, 1996, v. 2682, p. 224-233. Андреев А.Д., Зегря Г.Г. Оже- рекомбинация в напряженных квантовых ямах // ФТП, 1997, т. 31, в. 3, с. 358-364 Andreev A.D., Zegrya G.G. Theoretical study of thresholdless Auger recombination in compressively strained InAlAsSb/GaSb quantum wells // Appl. Phys. Lett., 3 February 1997, v. 70, no. 5, p. 601-603. Andreev A.D., Zegrya G.G. Auger recombination in strained quantum-well InAlAsSb/GaSb structures for 3-4 mm lasers // IEE Proc., Optoelectronics, October 1997, v. 144, no. 5, с. 336-342. Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Соловьева О.Ю., Яковлев Ю.П. Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении // ФТП, 1997, т. 31, в. 6, с. 658-661. Andreev A.D., Zegrya G.G. Effect of strain on the elementary recombination processes in type- II heterostructures with quantum wells // Proc. SPIE, 1997, v. 2994, p. 154-161. Zegrya G.G. Theory of InGaN multiquantum well laser diodes // Proc. SPIE, 1997, v. 3001, p. 143-147. Andreev A.D., Zegrya G.G. Theoretical performance of 3-4 mm compressive strained InGaAsSb QW lasers // Proc. SPIE, 1997, v. 3001, p. 364-371. Yakovlev Yu.P., Danilova T.N., Imenkov A.N., Ershov O.G., Sherstev V.V., Zegrya G.G. Suppression of Auger recombination in the diode lasers based on type-II InAsSb/InAsSbP heterostructure // Proc. SPIE, 1997, v. 3001, p. 673-680. Баженов Н.А., Зегря Г.Г., Иванов-Омский В.И., Михайлова М.П., Михайлов М.Ю., Моисеев К.Д., Смирнов В.А., Яковлев Ю.П. Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах // ФТП, 1997, т. 31, в. 10, с. 1216-1219 Evtikhiev V.P., Kudryashov I.V., Tokranov V.E., Prilutsky D.V., Zegrya G.G. Direct observation of non-threshold process of Auger recombination in type-I A3B5 quantum wells // Inst. Phys. Conf., 1997, ser. no. 155, chap. 10, p. 795-798. Andreev A.D., Zegrya G.G. Auger recombination in strained quantum-well InAlAsSb/GaSb structures for 3-4 mm lasers // IEE Proc., Optoelectronics, October 1997, v. 144, no. 5, с. 336-342. Зегря Г.Г., Векслер М.И. Элементарные задачи по квантовой механике (учебное пособие) // Препринт 1686, С.-Петербург, 1997, ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 70 с. Векслер М.И., Зегря Г.Г. Задачи по квантовой механике (учебное пособие) // Препринт 1685, С.-Петербург, 1997, ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 70 с. Gun'ko N.A., Khalfin V.B., Sokolova Z.N., Zegrya G.G. Optical loss in InAs- based long-wavelength lasers // J. Appl. Phys., 1 July 1998, v. 84, no. 1, p. 547-554. Зегря Г.Г., Перлин В.Е. Внутризонное поглощение света в квантовых ямах за счет электрон-электронных столкновений // ФТП, 1998, т. 32, в. 4, с. 466-471 Зегря Г.Г., Полковников А.С. Механизмы оже- рекомбинации в квантовых ямах, ЖЭТФ, 1998, т. 113, в. 4, с. 1491--1521 Зегря Г.Г., Гунько Н.А. Теоретическое исследование пороговых характеристик лазеров на многих квантовых ямах на основе InGaN // ФТП, 1998, т. 32, в. 7, с. 843-848 Polkovnikov A.S., Zegrya G.G. Auger recombination in semiconductor quantum wells // Phys. Rev. B, 15 August 1998, v. 58, no. 7, p. 4039-4056. Воробьев Л.Е., Донецкий Д.В., Фирсов Д.Ф., Бондаренко Е.Б., Зегря Г.Г., Тове Е. Излучение терагерцевого диапазона из квадратных ям в продольном электрическом поле, Письма в ЖЭТФ, 1998, т. 67, в. 7, с. 507-511 Zegrya G.G., Masterov V.F. Mechanism of generation of f-f radiation in semiconductor heterostructures // Appl. Phys. Lett., 7 December 1998, v. 73, no. 23, p.3444-3446. Gorokhov D.A., Suris R.A., Cheianov V.V. Electron-energy-loss spectroscopy of the C_{60} molecule. Physics Lett. A, 1996, v. 223, p. 116-118. Rotkin V.V., Suris R.A. Energy of carbon cluster curved surface. Molecular Materials, 1996, v. 8, no. 1/2, p. 111-116. Rotkin V.V., Suris R.A. C60 electron collective excitation nature. Fullerenes. Recent Advances in the Chemistry and Physics of Fullerenes and Related Materials. Volume III. Editors: R.S.Ruoff and K.M.Kadish. Published by: Electrochemical Society, Pennington, NJ; PV 96-10, 1996, p.940-959. Rotkin V.V. Selforganization of the fullerene complexes on solution. International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, St.Petersburg, Russia, 1997, p. 335-338. Rotkin V.V., Suris R.A. Calculation of the polariton effect in the fullerene monolayer. Fullerenes. Recent Advances in the Chemistry and Physics of Fullerenes and Related Materials. Volume IV. Editors: R.S.Ruoff and K.M. Kadish. Published by: Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1997, PV 97-14, p.943-955. Rotkin V.V. Comparing of the Van-Der-Waals energy of the fullerene in solids and in solutions: dielectric function formalizm. Recent advances in the chemistry and physics of fullerenes and related materials. Volume V. Editors: R.S.Ruoff and K.M.Kadish. Published by: Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1997. PV 97-42, p. 147-154. Роткин В.В., Сурис Р.А. ВУФ плазменный френкелевский экситон: элементарное возбуждение полимеризованного фуллерена. ФТТ, 1998, т.40, в. 5, с. 913-915. Rotkin S.V., Suris R.A. The bond passivation model for carbon nanoparticle growth. International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". St.Petersburg, Russia, 1998, p. 335-338. Rotkin V.V., Suris R.A. Plasmon-Frenkel-exciton in clustered solid. Phys.Lett. A, 1998, v. 245, no. 3/4, p. 292-296. Rotkin S.V. Self-organization of Fullerene Clusters. MRS Symposium Proceedings Volume 529, 1998, p. 169-173. Rotkin S.V., Suris R.A. Energetics of Fullerene Clusters. MRS Symposium Proceedings Volume 529, 1998, p. 175-180. Rotkin S.V. Steps of Nanocluster Formation: Energetical Predictions for Catalytic Mechanism. Proc. Symposium on Recent Advances in Chemistry and Physics of Fullerenes and Related Materials, Vol.VI, Eds. K.M. Kadish, R.S.Ruoff. Pennington, NJ, 1998, PV 98-8. p.68-75. Harlapenko S.F., Rotkin S.V. Frenkel-Exciton in Finite-Group-Lattice. Proc. Symposium on Recent Advances in Chemistry and Physics of Fullerenes and Related Materials, Vol.VI, Eds. K.M.Kadish, R.S.Ruoff. Pennington, NJ, 1998, PV 98-8. p.113-119. Harlapenko S.F., Rotkin S.V. Frenkel excitations of C$_{N}$ (N=12,60) clusters. Carbon, 1999, 37, p. 847-850. Роткин В.В., Харлапенко С.Ф. Об аналитических решениях гамильтониана экситона Френкеля для решетки правильного полиэдрического кластера. Письма в ЖЭТФ, 1998, т.68, в.7, с. 578-582. Роткин В.В., Сурис Р.А. Энергетика углеродных кластеров с пассивированными связями. ФТТ, 1999, т.41, в.5, с. 809-812. Rotkin S.V., Gunko N.A. Polymer-C60 exciton mixing. Optical Materials, 1999, v. 12, p.391-394. Rotkin S.V., Suris R.A., Kharlapenko S.F. The energy of the carbon-flake nanocluster: Pentagon-pentagon distance optimization. International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". 1999, St.Petersburg, Russia, p. 446-449. Rotkin S.V., Suris R.A. The bond passivation model: diagram of the carbon nanoparticle stability. Phys.Lett. A, 1999, v. 247. Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001), разориентированной в направлении [010] Евтихиев В.П., Токранов В.Е. Крыжановский А.К., Бойко А.М., Сурис Р.А., Титков А.Н., Накамура А.*, Ичида М.*,ФТТ,1999, т.41, вып.3 Characteristics of the InAs quantum dots V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, A.K. Kryganovskii, A.M. Boiko, R.A. Suris, N.A. Titkov, M.Ichida, A.Nakamura, Semiconductors 32(1998) p.765 Characteristics of the InAs quantum dots MBE grown on the vicinal GaAs(001) surfaces misoriented to the [010] direction V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, A.K. Kryganovskii, A.M. Boiko, R.A. Suris, N.A. Titkov, journal of Crystal Growth 201/202 (1999) p.1154-1157 15.9.2. Андреев Алексей Дмитриевич, 1971, 1998, ФТИ РАН Куликов Дмитрий Вадимович, 1970,1998 ФТИ РАН Прошина Ольга Владимировна, 1970,1997 ФТИ РАН Роткин Вячеслав Вячеславович, 1968,1997, ФТИ РАН Харламов Владимир Сергеевич, 1971,1998 ФТИ РАН Шанцев Даниил Владимирович, 1972,1997, ФТИ РАН 15.9.3. Щукин Виталий Александрович, 1960, 1999, ФТИ РАН 15.9.4. Андреев Алексей Дмитриевич, 1971, 1995, Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПбГТУ) Бойко Андрей Михайлович, 1975,1999, ФТИ РАН Дмитриев Иван Александрович, 1973,1997, СПбГТУ Емцев Валентин Вадимович, 1975,1998, ФТИ РАН Корсаков Василий Борисович, 1972,1996, СПбГТУ Костко Ирина Андреевна, 1975,1999, ФТИ РАН Куликов Дмитрий Вадимович, 1970,1994, ФТИ РАН Полковников Анатолий Сергеевич, 1975,1999, ФТИ РАН Прошина Ольга Владимировна 1970,1994, ФТИ РАН Роткин Вячеслав Вячеславович, 1968,1994, ФТИ РАН Соловьев Игорь Юриевич, 1975,1999, СПбГТУ Стародубцев Артем Николаевич, 1971,1997, ФТИ РАН Харламов Владимир Сергеевич, 1971,1994, СПбГТУ Шалаев Олег Леонидович, 1975,1999, СПбГТУ Шанцев Даниил Владимирович, 1972,1994, СПбГТУ 15.9.5. Физические процессы в полупроводниковой технологии, Ипатова И.П., дфмн, 8, ФТИ РАН, 29 Физические основы микроэлектроники, Сурис Р.А. чл-корр РАН, дфмн, 20 ,ФТИ РАН, 51 15.9.6. Сурис Р.А.,профессор, зав. кафедрой, физико-технический факультет СПбГТУ Туннельные поверхностные явления в твердых телах, руководство 4 аспирантами и 2 студентами Трушин Ю.В., профессор, физико-технический факультет СПбГТУ, "Физическое материаловедение", руководство 2 аспирантами и 4 студентами Ипатова И.П., гл.н.с., профессор, СПбГТУ, Квантовая теория твердого тела, руководство 2 аспирантами Маслов Александр Юрьевич, снс., ст. преп. СПбГТУ, Спектроскопия твердых тел. Зегря Г.Г., профессор, кафедра общей физики Санкт-Петербургского государственного технического университета, "Курс общей физики" и "Физика наноструктур", руководство 4 аспирантами и 8 студентами. Бобыль А.В., доцент, физико-технический факультет СПбГТУ, "Современные технологии" Роткин Вячеслав Вячеславович, доцент, факультет электронной техники Санкт-Петербургского Государственного Электротехнического Университета, "Основы квантовополевой теории твердого тела", руководство 2 аспирантами, 5 студентами Бойко А.М., ассистент, физико-технический факультет СПбГТУ, упражнения по курсу общей физики. Дмитриев И.А.,ассистент, физико-технический факультет СПбГТУ, упражнения по курсу общей физики. Корсаков В.Б.,ассистент, физико-технический факультет СПбГТУ, упражнения по курсу общей физики. Полковников А.С.,ассистент, физико-технический факультет СПбГТУ, упражнения по курсу общей физики. Соловьев И.Ю.,ассистент, физико-технический факультет СПбГТУ, упражнения по курсу общей физики. 15.9.7. Международный Симпозиум "Nanostructures: Physics and Technology", ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург, пос. Репино 1999, 1998, 1997, 1996, 1995 Международная зимняя школа ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН по физике полупроводников, г.Зеленогорск, март 1997, 1998, 1999 1-ая и 2-я городская студенческая научная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике, С-Петербург, СПбГТУ, ноября 1997, 1998 Международная конференция "Комбинационное рассеяние света" Москва, ФИАН, ноябрь 1998 Международная конференция по физике низких температур, С-Петербург, Научно-образовательный центр при ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, август 1999 1-й и 2-ой Итоговый семинар по физике и астрономии победителей грантов молодым ученым Санкт-Петербурга, ФТИ РАН, 1998, 1999 International workshop on optoelectronics, ФТИ РАН, Санкт-Петербург, 1998 23-d International Symposium on Compound Semiconductors, ФТИ РАН, С-Петербург, 1996 15.9.8. 8th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications - ISPSA'96, Международный, 110, 1, 1 15th IEEE International Semiconductor Laser Conference, Международный, 80, 1, 0 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Международный, 4000, 1, 0 5th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", международный, 100, 3, 0 6th Int. Symp."Nanostructures: Physics and Technology", международный, 400,12, 1 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", международный, 11, 0 International Semiconductor Device Research Symposium - ISDRS'97, Международный, 160, 2, 1 3-я Российская конференции по физике полупроводников, Российский, 300, 8, 2 IEEE LEOS 10th Annual Meeting, San Francisco, CA, 1997. Международный, 800, 1, 0 10th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, Международный, 110, 1, 0 International Conference "Physics at the Turn of the 21st Century", Международный, 400, 9, 1 International School of Physics, Международный, 70, 1, 1 IEEE LEOS 11th Annual Meeting, Международный, 900, 2, 0 SPIE's International Symposium Международный, 1200, 1, 0 11th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, Международный, 120, 1, 0 IEEE/LEOS Summer Topical Meeting on Nanostructures and Quantum Dots, Международный, 150, 1, 0 Advanced Workshop on Frontiers in Electronics (WOFE 99), 1999. Международный, 50, 1, 1 SPIE's International Symposium PHOTONICS WEST'99, Международный, 1200, 1, 0 43rd International Field Emission Symposium, международный, 150, 1, 0 Петербургские чтения по проблемам прочности, , российский, 100, 1, 0 Tenth International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM-96), международный, 300, 1, 0 10-я конференция по физике радиационных явлений и радиационному материаловедению, СНГ, 150, 1, 0 3-й Всероссийский семинар "Физические и физико-химические основы ионной имплантации", российский, 150, 1, 0 The Second International Ural Seminar "Radiation Damage Physics of Metal and Alloys", международный, 150, 3, 1 5th International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductivity and High Temperature Superconductors, международный, 250, 1, 0 International Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials-97; Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering (NDTCS-97), международный, 200, 3, 0 Русско-французский семинар "Влияние радиации на материалы (фундаментальные и прикладные аспекты)", международный, 150, 1, 0 13-th International Conference on Ion-Surface Interaction, международный, 150, 2, 1 Петербургские чтения по проблемам прочности, 1997, российский, 100, 1, 0 8-th International Conference on Fusion Reactor Materials (ICFRM-8), международный, 250, 1, 0 Tenth International School on Vacuum, Electron and Ion Technologies (VEIT 97), международный, 150, 1, 0 International Conference on Silicon Carbide, III-nitrides and Related Materials - 1997 (ICSCIII-N97), международный, 250, 1, 0 International Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials-98; Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering (NDTCS-98), международный, 250, 5, 0 European Materials Research Society Spring Meeting, международный, 1500, 1, 0 2-й Русско-французский семинар "Радиационные эффекты в ядерных материалах", международный, 150, 1, 0 1-я Московская международная школа ИТЭФ, международный, 150, 2, 1 International Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials-99; Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering (NDTCS-99), международный, 250, 3, 0 The Third International Ural Seminar "Radiation Damage Physics of Metal and Alloys", международный, 100, 2, 1 Int.Conf.on Radiation Effects in Insulators (REI-10), международный, 200, 1, 0 12th International Symposium on Superconductivity, международный, 200, 2, 0 The fourth European Conference on Applied Superconductivity - EUCAS'99, международный, 500, 2, 0 Rondablikk Seminar of Norwegian Solid State Physics and Chemistry, международный, 70, 1, 0 XI Trilateral German- Russian-Ukrainian Seminar on HTSC, международный, 1500, 1, 0 X Trilateral German-Russian-Ukrainian Seminar on HTSC, международный, 150, 2, 0 14th Int. Conf. on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, ICNF'97, международный, 150, 2, 0 Int. Conf. on Formation of Semiconductor Interfaces, международная, 200, 1, 0 1997 EMRS Meeting, международная, 1000, 4, 0 The 1st Int. Conf. on Unsolved Problems of Noise, международный, 100, 1, 0 13th European Conference for PhD students, Physique en Herbe, международный, 150, 1, 0 2nd European Workshop on Low Temperature Electronics, международный, 100, 1, 0 VIII Trilateral German-Russian-Ukrainian Seminar on HTSC, международный, 150, 1, 0 "Проблемы теории конденсированного состояния вещества", посвященная 80-летию со дня рождения И.М.Лифшица, международный, 100, 1, 0 1997 MRS-Spring Meeting, международный, 1500, 3, 0 4th International Semiconductor Device Research Symposium международный, 500, 1, 0 Workshop: "Epitaxial Semiconductor Surfaces and Interfaces" международный, 300, 1, 1 International Conference "Optics of Excitons in Condensed Matter" dedicated to the 100th anniversary of Professor E.F.Gross, международный, 300, 2, 0 5th International Meeting on "Optics of Excitons in Confined Systems" международный, 300, 1, 0 "Новые идеи в физике стекла", российский, 100, 1, 1 24rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Международный, 4000, 4, 0 Международная Школа по оптике твердого тела EPIOPTICS-5, международный, 150, 1, 1 8th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors, международный, 200, 1, 0 Workshop on the Role of Hydrogen and Deiterium in Hot Electron Semiconductor Device Degradation, международный, 150, 1, 1 Участие в семинарах Международной школы "Хаос и взаимодействия в мезоскопических системах", международный, 300, 1, 0 62-я Конференция Немецкого физического общества, международный, 1500, 1, 1 1998 MRS-Fall Meeting, международная, 1500, 1, 1 International Semiconductor Conference (CAS'96), международный, 250, 1, 1 II Российская конференция по физике полупроводников, российский, 100, 3, 0 Nanostructures'96: Physics and Technology, International Symposium, международный, 150, 3, 0 Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices, международный, 100, 1, 0 23rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS- 23), международный, 100, 2, 0 Int. Conf. of Defects in Semiconductors, Aveiro, международный, 250, 1, 0 3rd Conference of Yugoslav Materials Research Society YUCOMAT"99", международная, 2, 0 2 Российская конференция по физике полупроводников, российский, 250, 1, 0 The 189th Meeting of The Electrochemichal Society, международный, 1500, 1, 0 The Second International Interdisciplinary Colloquium on the Science and Technology of the Fullerenes, международный, 200, 1, 0 The Second International Symposium on the Theory of Atomic and Molecular Clusters, международный, 120, 1, 0 The Second International Symposium on Capture Gamma-Ray Spectroscopy and Related Topics, международный, 100, 1, 0 1996 MRS-Fall Meeting, международный, 1500, 1, 0 The International Conference on Soft X-Rays in 21-st Century, международный, 100, 1, 0, Семинар стран СНГ "Фуллерены-97", СНГ, 200, 1, 0 4-th Nordic Confference on Surface Science, международный, 120, 1, 0 The 191th Meeting of The Electrochemichal Society, международный, 1500, 1, 0 The 3rd International Workshop on Fullerenes and Atomic Clucters-97, международный, 150, 1, 0 The 2nd Russian-German Workshop on Synchrotron Radiation Research in Atomic, Molecular and Material Science, международный, 75, 1, 0 The 15th International Association for Mathematics and Computers in Simulation World Congress on Scientific Computation, Modelling and Applied Mathematics, международный, 1000, 1, 0 The International Symposium on Metastable, Mechanically Alloyed and Nanocrystalline Materials, международный, 130, 1, 0 3-я Международная Зимняя Школа по физике полупроводников ФТИ им. А.Ф.Иоффе, международный, 140, 1, 0 1998 MRS-Spring Meeting, международный, 1500, 3, 0 The 193rd Meeting of the Electrochemical Society; Fullerenes: chemistry, physics and new directions XI, международный, 1500, 3, 0 International workshop on Computational Approach to Electronic Correlations in Solids, международный, 140, 1, 0 1998 EMRS-Spring Meeting; международный, 1100, 2, 0 The General Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society and Les Journees de la Matiere Condensee de la Societe Francaise de Physique, международный, 1300, 1, 0 International Conference on Superlattice, Microstructures and Microdevices, международный, 600, 1, 0 Международный семинар по оптоэлектронике, международный, 75, 1, 0 1999 MRS-Spring Meeting, международный, 1500, 2, 0 The 195 Meeting of the Electrochemical Society; Fullerenes: chemistry, physics and new directions XII, международный, 1500, 3, 0 1999 EMRS-Spring Meeting, международный, 1200, 2, 0 7th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, международный, 130, 1, 0 The 20th International Conference on Defects in Semiconductors, международный, 200, 1, 0 10-th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Nitrides and Silicon Carbide, международный, 400, 1, 0 International conference "Physics of Clusters: Clusters in Plasma and Gases", международный, 120, 2, 0 The 1999 Joint International Meeting of The Electrochemical Society, международный, 1500, 2, 0 15.9.9.