List of Publications by G. G. Zegrya

    Internet Publications

  1. Zegrya G. G. Interactive Database: New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. St. Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute, RAS, 2002.
  2. Parshin D. A., Zegrya G. G. Course in General Physics: Classical Mechanics, Special Relativity, General Relativity. February 2001. The Latest Update is made on 31.01.2003 by the Department of Research and Technology of Ioffe Physical-Technical Institute, RAS, St. Petersburg. Distant Education in Physics based on the educational program of the Ioffe Institute Center of Research and Education, in Russian.

    3. Books

  1. Zegrya G. G., Perel V. I. Fundamentals of Semiconductor Physics. Textbook recommended by the RF Ministry of Education and Science for physics students, ed. Moscow: Fizmatlit, 2009, 336 p. (in Russian).
  2. Vorobyev L. E., Danilov S. N., Zegrya G. G., Firsov D. A., Shalygin V. A., Yassievich I. N., Beregulin E. V. Photoelectric Phenomena in Semiconductors and Dimensionally Quantified Structures. Manual, ed. L. E. Vorobyev, St. Petersburg: Nauka, 2001, 248 p. (in Russian).
  3. Parshin D. A., Zegrya G. G., Masterov V. F. Oscillations. Manual, ed.: St. Petersburg: St. Petersburg Institute of Nuclear Physics, 1999, 48 p. (in Russian).
  4. Masterov V. F., Parshin D. A., Zegrya G. G. Angular Momentum. Dynamics of Solid State. Manual, ed. St. Petersburg: St. Petersburg Institute of Nuclear Physics: St. Petersburg, 1999, 47 p. (in Russian).
  5. Parshin D. A., Zegrya G. G., Masterov V. F. Kinematics of a Material Point. Manual, ed. St. Petersburg: St. Petersburg Institute of Nuclear Physics, 1998, 43 p. (in Russian).
  6. Zegrya G. G., Masterov V. F., Parshin D. A. Dynamics of a Material Point. Manual, ed.  St. Petersburg: St. Petersburg Institute of Nuclear Physics, 1998, 44 p. (in Russian).
  7. Bodiul P. P., Gizu D. V., Dolma V. A., Migley M. F., Zegrya G. G. Thermoelectromotive of Thread-Like Bismuth Crystals. In: Excitons and Biexcitons in Semiconductors, 1982, Kishinev, Shtiyinza (in Russian).
  8. Zegrya G. G. Mid-Infrared Strained Diode Lasers. In: Antimonide-Related Strained-Layer Heterostructures, ed. M. O. Manasreh, Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, The Netherlands, 1997, p. 273–368.
  9. Lev Emmanuilovich Gurevich. Memoirs by Friends, Colleagues, and Followers. Selected Proc., ed. V. I. Perel and G. G. Zegrya, St. Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute, 1997, 330 p. (in Russian).
  10. Zegrya G. G., Veksler M. I. Quantum Mechanical Problems. Manual, ed. St. Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute, Preprint No. 1685, 1997, 70 p. (in Russian).
  11. Zegrya G. G., Veksler M. I. Elementary Quantum Mechanical Problems. Manual, ed. St. Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute, Preprint No. 1686, 1997, 70 p. (in Russian).
  12. Gelmont B. L., Zegrya G. G. Fundamentals of the Band Theory of Semiconductors (Part I). Preprint of Ioffe Physical-Technical Institute No. 1330, Leningrad, 1989, 61 p., (in Russian).
  13. Gelmont B. L., Zegrya G. G. Fundamentals of the Band Theory of Semiconductors (Part II). Preprint of Ioffe Physical-Technical Institute No. 1331, Leningrad, 1989, 42 p. (in Russian).
  14. Zegrya G. G. Primary Quantum Mechanical Statements. Manual, ed. St. Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia, 1997 (in Russian).
  15. Erofeev N. P., Zegrya G. G., Vcharashnii D. B. Nanostructures: physical nature and applications in medicine. in: “Nanotechnology in Biology and Medicine”, Ed. By Shlyakhto E. V., St. Petersburg, 2009, inRussian.
  16. Bozhokin S. V., Zegrya G. G., Mynbaev K. D., Chikalova-Luzina O. P. Quantum Dots in Biology and Medicine: Tutorial. 2011, Ed. SPbSPU, ISBN 978-5-7422-3174-5, 138 p., in Russian.
  17. Mikhailova M. P., Danilov L. V., Kalinina K. V., Ivanov E. V., Stoyanov N. D., Zegrya G. G., Yakovlev Yu. P., Hospodkova A., Pangrac J., Zikova M., Hulicius E. Superlinear Luminescence and Enhancement of Optical Power in GaSb-based Heterostructures with High Conduction-Band Offsets and Nanostructures with Deep Quantum Wells. In Collected Articles “The Wonder of Nanotechnology: Quantum Optoelectronic Devices and Applications Book”, Chapter 5, p. 105–131. SPIE 2013, Int. Soc. for Optical Eng., ISBN 978-0-819-49596-9.

    Journal Articles

    2019

  1. Levin R. V., Nevedomskyi V. N., Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Pushnyi B. V., Mizerov M. N. On the Possibility of Manufacturing Strained InAs/GaSb Superlattices by the MOCVD Method. Semiconductors, 2019, v. 53, no. 2 p. 260-263.
  2. Pavlov N. V., Zegrya G. G. Intraband Radiation Absorption by Free Holes in GaAs/InGaAs Quantum Wells with Allowance for Nonsphericity of the kP Hamiltonian. Tech. Phys. Lett., v. 45, no. 5, p. 481-484.
  3. Savenkov G. G., Zegrya A. G., Zegrya G. G., Rumyantsev B. V., Sinani A. B., Mikhailov Y. M. The Possibilities of Energy-Saturated Nanoporous Silicon-Based Composites (Review and New Results). Tech. Phys., 2019, v. 64, no. 3 p. 361-367.
  4. Fedorov I. V., Levin R. V., Nevedomsky V. N., Usikova A. A., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Pushnyi B. V., Zegrya G. G. IR diode structures based on II-Type InAs/GaSb superlattices grown by MOCVD. 20TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTOAND NANOELECTRONICS, RYCPS 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1199, 1, ArtNo #012016-2019 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  5. Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Semakova A. A., Zegrya G. G. Carrier Lifetime in Semiconductors with Band-Gap Widths Close to the Spin-Orbit Splitting Energies. Semiconductors, 2019, v. 53, no. 4 p. 428-433.
  6. Chikalova-Luzina O. P., Samosvat D. M., Vyatkin V. M., Zegrya G. G. Nonradiative resonance energy transfer in the quantum dot system. Physica E, 2019, v.114 ArtNo: #113568.
  7. Zegrya G., Ulin V. P., Zegrya A. G., Ulin N. V., Mikhailov Yu. M. Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions. Tech. Phys., 2019, v. 64, no. 10, p. 1492-1500.
  8. Levin R. V., Pushnyi B. V., Fedorov I. V., Usikova A. A., Nevedomskii V. N., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Pavlov N. V., Zegrya G. Examination of the Capabilities of Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy in Fabrication of Thin InAs/GaSb Layers. Tech. Phys., 2019, v. 64, no. 10, p. 1509-1514.
  9. Izhnin I. I., Izhnin A. I., Fitsych O. I., Voitsekhovskii A. V., Gorn D. I., Semakova A. A., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Zegrya G. Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well structures. Appl. Nanosci., 2019, v. 9, no. 5, p. 617-622. (5th International Research and Practice Conference on Nanotechnology and Nanomaterials (NANO), Chernivtsi, Ukraine, Aug 23-26, 2017).

    10. 2018

  10. Pavlov N. V., Zegrya G. G., Zegrya A. G., Bugrov V. E. Intraband Radiation Absorption by Holes in InAsSb/AlSb and InGaAsP/InP Quantum Wells. Semiconductors, 2018, v. 52, no. 2 p. 195-208.
  11. Samosvat D. M., Chikalova-Luzina O. P., Khromov V. S., Zegrya A. G., Zegrya G. G. The Mechanism of Generation of Singlet Oxygen in the Presence of Excited Nanoporous Silicon. Tech. Phys. Lett., 2018 v. 44, no. 6 p. 479-482.
  12. Karpova A. A., Zegrya G. G., Effect of Coulomb interaction with barrier carriers in the waveguide region on multiple quantum well laser inversion threshold, INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1135, 1, ArtNo #012081-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  13. Samosvat D. M., Chikalova-Luzina O. P., Khromov V. S., Zegrya A. G., Zegrya G. G., Singlet oxygen generation mechanism in the presence of excited nanoporous silicon, 5TH INTERNATIONAL SCHOOL AND CONFERENCE ON OPTOELECTRONICS, PHOTONICS, ENGINEERING AND NANOSTRUCTURES, SAINT PETERSBURG OPEN 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1124, no. 3, ArtNo #031025-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  14. Pavlov N. V., Zegrya G. G., Internal radiation losses in semiconductor lasers with stressed InGaAsP/InP quantum wells, INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1135, 1, ArtNo #012083, 2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  15. Fedorov I. V., Levin R. V., Usikova A. A., Bazhenov N. L., Ratushnyi V. I., Pushnyi B. V., Zegrya G. G., Study of Instrumental Heterostructures Based on Strained InAs/GaSb Superlattices Grown by MOCVD Method, INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1135, 1, ArtNo #012031-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  16. Danilov L. V., Mikhailova M. P., Levin R. V., Konovalov G. G., Ivanov E. V., Andreev I. A., Pushnyi B. V., Zegrya G. G., Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in n-GaSb/n-InAs/p-GaSb heterostructure with single deep quantum well, 25TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY” ФТП, т. 52, в. 4, с. 476-476 (Danilov L. V., Mikhailova M. P., Levin R. V., Konovalov G. G., Ivanov E. V., Andreev I. A., Pushnyi B. V., Zegrya G. G., 25TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY” Semiconductors, v. 52, no. 4, p. 493-496).
  17. Karpova A. A., Samosvat D. M., Zegrya A. G., Zegrya G. G., Bugrov V. E., Auger recombination in quantum well laser with participation of electrons in waveguide region, Rev. Adv. Mater. Sci., 2018, v. 57, no. 2 p. 193-198.
  18. Pavlov N. V., Zegrya G. G., Intraband light absorption by holes in InGaAsP/InP quantum wells, INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2017 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1038, 1, ArtNo #012122-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  19. Pavlov N. V., Zegrya G. G., Intraband light absorption by holes in InGaAsP/InP quantum wells, 19TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTO- AND NANOELECTRONICS J. Phys.: Conf. Ser., v. 993, 1, ArtNo #012013-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588

    20. 2017

  20. Chikalova-Luzina O. P., Samosvat D. M., Vyatkin V. M., Zegrya G. G. Resonant electronic excitation energy transfers by exchange mechanism in the quantum dot system, Superlattices Microstruct., 2017 v. 111 p. 166-172
  21. Savenkov G. G., Kardo-Sysoev A. F., Zegrya A. G., Os'kin I. A., Bragin V. A. Initiation of Explosive Conversions in Energy-Saturated Nanoporous Silicon-Based Compounds with Fast Semiconductor Switches and Energy-Releasing Elements. Tech. Phys. Lett., 2017, v. 43, no. 10, p. 896-898.
  22. Zegrya G. G., Savenkov G. G., Morozov V. A., Zegrya A. G., Ulin N. V., Ulin V. P., Lukin A. A., Bragin V. A., Oskin I. A., Mikhailov Y. M. Sensitivity of energy-packed compounds based on superfine and nanoporous silicon to pulsed electrical treatments, Semiconductors, 2017, v. 51, no. 4 p. 477-482.
  23. Afanasiev A. N., Greshnov A. A., Zegrya G. G., Impact ionization rate in direct gap semiconductors, JETP Lett., 2017, v. 105, no. 9 p. 586-590.

    24. 2016

  24. Peleshchak, R. M., Lazurchak, I. I., Kuzyk, O. V., Dan'kiv, O. O., Zegrya, G. G., Role of Acoustoelectric Interaction in the Formation of Nanoscale Periodic Structures of Adsorbed Atoms. Semiconductors, 2016, v. 50, no. 3, p. 314-319.
  25. Mikhailov, Yu. M., Garanin, V. A., Ganin, Yu. V., Goncharov, T. K., Ganina, L. V., Zegrya, G. G. Impact sensitivity of energy systems based on nanoporous silicon and oxidant: influence of the hydrogen content and specific surface. Russ. Chem. B. v 65, 2016, no. 10, p. 2400-2404.
  26. Danilov L. V., Petukhov A. A., Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Ivanov E. V., Yakovlev Y. P. Features of high-temperature electroluminescence in an LED n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb heterostructure with high potential barriers, Semiconductors, 2016, v. 50, no. 6 p. 778-784.
  27. Samosvat D. M., Chikalova-Luzina O. P., Vyatkin V. M., Zegrya G. G., Resonant electronic excitation energy transfers by Dexter mechanism in the quantum dot system, 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE PHYSICA.SPB J. Phys.: Conf. Ser., 2016, v. 769, 1, ArtNo: #012078 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  28. Pavlov N. V., Zegrya G. G. Intersubband light absorption by holes in InAsSb/AlSb quantum well heterostructures, 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE PHYSICA.SPB J. Phys.: Conf. Ser., 2016, v. 769, 1, ArtNo: #012076 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588

    29. 2015

  29. Afanasiev А. N., Greshnov A. A., Zegrya G. G. Generation of pure spin currents via Auger recombination in quantum wells with Rashba splitting. J. Exp. Theor. Phys., 2015, v. 121, no. 4, p. 640–646.
  30. Samosvat D. M., Chicalova-Luzina O. P., Zegrya G. G. Nonradiative Resonance Energy Transfer between Semiconductor Quantum Dots. J. Exp. Theor. Phys., 2015, v. 121, no. 1, p. 76–95.
  31. Bajenov N. L., Mynbaev K. D., Zegrya G. G. Temperature dependence of the carrier lifetime in CdxHg1-xTe narrow-gap solid solutions with consideration for Auger processes. Semiconductors, 2015, v. 49, p. 432–436.
  32. Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Zegrya G. G. Temperature dependence of the carrier lifetime in narrow-gap CdxHg1-xTe solid solutions: Radiative recombination. Semiconductors, 2015, v. 49, no. 9, p. 1170–1175.
  33. Petukhov A., Danilov L., Ivanov E., Kalinina K., Mikhailova M., Zegrya G., Stoyanov N., Yakovlev Yu. High-temperature luminescence in light-emitting heterostructures with a high potential barriers based on GaSb. Photonics, Devices, and Systems Coll. Art., VI, Proc. SPIE, v. 9450, ArtNo #94501Q, SPIE, ISSN 0277-786X, ISBN 978-1-6284-1566-7.
  34. Pavlov N. V., Zegrya G. G. Effect of nonparabolicity of the electron and light-hole energy spectrum on the optical properties of heterostructures with deep AlSb/InAs86Sb0.14/AlSb quantum wells. Semiconductors, 2015, v. 49, no. 5, p. 604–614.

    35. 2014

  35. Pavlov N. V., Zegrya G. G. The Influence of the Nonparabolic Energy Spectrum of Charge Carriers on the Optical Characteristics of AlSb/InAs84Sb0.16/AlSb Heterostructures with Deep Quantum Wells, Tech. Phys. Lett., 2014, v. 40, no. 10, p. 883-886.
  36. Mikhailova M. P., Ivanov E. V., Danilov L. V., Petukhov A. A., Kalinina K. V., Slobozhanyuk S. I., Zegrya G. G., Stoyanov N. D., Yakovlev Yu. P., Hospodkova A., Pangrac J., Oswald J., Zikova M., Hulicius E. Two-band superlinear electroluminescence in GaSb based nanoheterostructures with AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep quantum wells. J. Appl. Phys., 2014, v. 115, no. 22, ArtNo #223102.
  37. Pavlov N, V., Zegrya G. G. Optical properties of heterostructures with deep AlSb/InAs84Sb0.16/AlSb quantum wells, Semiconductors, 2014, v. 48, no. 9, p. 1185–1195.
  38. Chikalova-Luzina O. P., Samosvat D. M., Zegrya G. G. The role of exchange interaction in nonradiative energy transfer between semiconductor quantum dots.Tech. Phys. Lett., 2014, v. 40, no. 4, p. 350–352.

    39. 2013

  39. Stepashkina A. S., Samosvat D. M., Chikalova-Luzina O. P., Zegrya G. G. Nonradiative resonance energy transfer between quantum dots. J. Phys., Conf. Ser., v. 461, no. 1, ArtNo #012001. IOP Publishing, 2013, ISSN 1742-6588. 15th Russian Youth Conference on Physics and Astronomy (Physics A. SPb) 23–24 October 2012, St.-Petersburg, Russia.
  40. Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Danilov L. V., Ivanov E. V., Kalinina K. V., Stoyanov N. D., Salikhov K., Yakovlev Yu., Hulicius E., Hospodkova A., Pangrac J., Zikova M. Enhancement of the optical power stimulated by impact ionization in GaSb-based heterostructures with deep quantum wells. In Collected Articles “Integrated Optics: Physics ans Simulations”. Proc. SPIE, v. 8781, ArtNo #87810K. SPIE 2013-Int. Soc. Optical ISSN 0277-786X. ISBN 978-081949583-9.
  41. Tkach N. V., Boiko I. V., Seti Yu. A., Zegrya G. G. A quantum cascade laser in a transverse magnetic field. A model of the open triple-barrier active region. Tech. Phys.Lett., 2013, v. 39, no. 6, p. 520–524.
  42. Danilov L. V., Zegrya G. G. The role of electron-electron interaction in the process of charge-carrier capture in deep quantum wells. Semiconductors, 2013, v. 47, no. 10, p. 1336–1345.
  43. Zegrya G. G., Tkach N. V., Boiko I. V., Seti Yu. A. Quasi-stationary electron states in a multilayered structure in longitudinal electric and transverse magnetic fields. Phys. Solid State, 2013, v. 55, no. 10, p. 2182–2189.
  44. Danilov L. V., Zegrya G. G. Resonance coulomb trapping of electrons in a deep quantum well. Tech. Phys. Lett., 2013, v. 39, no. 3, p. 255–257.
  45. Samosvat D. M., Evtikhiev V. P., Shkolnik A. S., Zegrya G. G. On the lifetime of charge carriers in quantum dots at low temperatures. Semiconductors, 2013, v. 47, no. 1, p. 22–27.

    46. 2012

  46. Mikhailova M. P., Ivanov E. V., Danilov L. V., Kalinina K. V., Stoyanov N. D., Zegrya G. G., Yakovlev Y. P., Hulicius E., Hospodkova A., Pangrac J., Zikova M. Superlinear electroluminescence due to impact ionization in GaSb-based heterostructures with deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum wells. J. Appl. Phys., 2012, v. 112, no. 2, ArtNo:#023108.
  47. Glibitskiy G. M., Jelali V. V., Semenov M. O., Roshal A. D., Glibitskiy D. M., Volyanskiy O. Y., Zegrya G. G. Interaction of DNA with silver nanoparticles. Ukrainian J. Phys., 2012, v. 57, no. 7, p.695–699.
  48. Tkach M. V., Seti Y. O., Voitsekhivska O. M., Zegrya G. G. Conductivity of three-barrier resonance tunnel structure. Rom. J. Phys., 2012, v. 57, no. 3–4, p. 620–629.
  49. Shilyaev A. V., Bazhenov N. L. Mynbaev K. D., Zegrya G. G, Energy spectrum and optical transitions in nanoheterostructures based on solid solutions of cadmium telluride and mercury. Direct-Television Transmission of SPbSPU, 2012, v. 2, (146), p. 69–73, in Russian.
  50. Bazhenov N. L., Shilyaev A. V., Mynbaev K. D., Zegrya G. G. Optical transitions in CdxHg1-xTe-based quantum wells and their analysis with account for the actual band structure of the material. Semiconductors, 2012, v. 46, no, 6, p. 773–778.
  51. Orlenko F. E., Zegrya G. G., Orlenko E. V. Heisenberg-Dirac-van Vleck Vector Model for a 1D Antiferromagnetic Chain of Localized Spins S=1. Tech. Phys, 2012, v. 57, no. 2, p. 167–173.
  52. Pavlov N. V., Zegrya G. G. Radiative Recombination of Hot Carriers in Narrow-Gap Semiconductors. Semiconductors, 2012, v. 46, no. 1, p. 29–34.

    53. 2011

  53. Orlenko E. V., Orlova T. S., Orlenko F. E., Zegrya G. G. Exchange perturbation theory for multiatomic electron system and its application to spin arrangement in manganite chains. Adv. Phys. Chem, 2011, v.2011, ArtNo: #868610.

    54. 2010

  54. Peleshchak, R. M., Bachynsky, I. Ya., Zegrya G. G. Calculating potential and electron density for strained semiconductor quantum dots. Tech. Phys. Lett., 2010, v. 36, no. 12, p. 1118–1120.
  55. Utesov O. , Zegrya G. G., Greshnov A. A. Generation of pure spin currents during photoionization of quantum wells. JETP Letters, 2010, v. 92, no. 1, p. 33–35.
  56. Orlenko F. E., Chelkak S. I., Orlenko E. V., Zegrya G. G. Effects of the reduction of the dimension of a system upon spin ordering in a degenerate electron gas. JETP, 2010, v. 110, no. 5, p. 805–810.

    57. 2009

  57. Zegrya G. G., Samosvat D. M. The energy spectrum and lifetime of current carriers in open quantum dots in an electrical field. JETP, 2009, v. 135, no. 6 (in Russian).

    58. 2008

  58. Gagis G. S., Vasil'ev V. I., Deryagin A. G., Dudelev V. V., Maslov A. S., Levin R. V., Pushnyi B. V., Smirnov V. M., Sokolovskii G. S., Zegrya G. G., Kuchinskii V. I. Novel materials GaInAsPSb/GaSb and GaInAsPSb/InAs for room-temperature optoelectronic devices for a 3–5 μm wavelength range (GaInAsPSb/GaSb and GaInAsPSb/InAs for 3–5 μm). Semicond. Sci. Technol., December 2008, v. 23, no. 12, art. 125026-1–125026-6.
  59. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Theory of σxx-peaks in the IQHE regime with correlated disorder potential. Physica E, 2008, v. 40, no. 5, p. 1185–1188.
  60. Novikov B. V., Zegrya G. G., Peleshchak R. M., Dan`kiv O. O., Gaisin V. A., Talalaev V. G., Shtrom I. V., Cirlin G. E. Baric properties of InAs quantum dots. Semicond., 2008, v. 42, no. 9, p. 1076–1083.
  61. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Effects of self-consistent electrostatic potential in quantum wells with several quantum confinement levels in high magnetic fields. Semicond., 2008, v. 42, no. 8, p. 980–983.
  62. Orlenko F. E., Zegrya G. G., Orlenko E. V. Enhancement of paramagnetic effects during spin alignment in 2D semiconductors. Semicond., 2008, v. 42, no. 8, p. 978–984.
  63. Savelyev A. V., Karachinsky L. Ya., Novikov I. I., Gordeev N. Yu., Seisyan R. P., Zegrya G. G. Generation of superradiation in quantum dot nanoheterostructures. Semicond., 2008, v. 42, no. 6, p. 714–719.
  64. Danilov L. V., Zegrya G. G. Threshold characteristics of IR laser based on InAsSb/AlSb deep quantum wells. Semicond., 2008, v. 42, no. 5, p. 557–562.
  65. Danilov L. V., Zegrya G. G. Theoretical study of Auger recombination processes in deep quantum wells. Semicond., 2008, v. 42, no. 5, p. 550–556.
  66. Greshnov A. A., Zegrya G. G., Kolesnikova E. N. Peak values of the longitudinal conductivity under integer Hall effect conditions for sharp and smooth chaotic potentials. JETP, 2008, v. 107, no. 3, p. 491–500.
  67. Shkolnik A. S., Savelyev A. V., Karachinsky L. Y., Gordeev N. Y., Seisyan R. P., Zegrya G. G., Pellegrini S., Buller G. S., Evtikhiev V. P. The role of transport processes of nonequilibrium charge-curriers in radiative properties of arrays of InAs/GaAs quantum dots. Semicond., 2008, v. 42, no. 3, p. 291–297.
  68. Greshnov A. A., Kaliteevski M. A., Abram R. A., Brand S., Zegrya G. G. Density of states in 1D disordered photonic crystals: analytical solution. Solid State Comm., 2008, v. 146, no. 3–4, p. 157–160.

    69. 2007

  69. Greshnov A. A., Kaliteevski M. A., Abram R. A., Brand S., Zegrya G. G. Density of states of a one-dimensional disordered photonic crystal. Phys. Solid State, 2007, v. 49, no. 10, p. 1999–2003.
  70. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Integer quantum Hall effect and correlated disorder. J. Tech. Phys., 2007, v. 40, no. 11, p. 1329–1334.
  71. Zegrya G. G., Samosvat D. M. Mechanisms of Auger-recombination in semiconductor quantum dots. JETP, 2007, v. 131, no. 6, p. 951–965.
  72. Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Zegrya G. G. Dielectric permeability of quasi-two-dimensional semiconductor nanostructures. Semicond., 2007, v. 41, no. 2, p. 184–189.
  73. Tkach N. V., Sety Yu. A., Zegrya G. G. Elecronic properties of open semiconductor quantum dots. Tech. Phys. Lett., 2007, v. 33, no. 1, p. 35–39.

    74. 2006

  74. Moiseev K. D., Ivanov E. V., Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Yakovlev Y. P., Hulicius E., Hospodkova A., Pangrac J., Melichar K., Simecek T. Room-temperature electroluminiscence of AlSb/InAsSb single quantum wells grown by metal organic vapor phase epitaxy. Appl. Phys. Lett., 27 March 2006, v. 88, no. 13, art. 132102.
  75. Shkolnik A. S., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G. Relationship between quasi-threshold and thresholdless Auger recombination processes in InAs/GaAs quantum dots. Tech. Phys. Lett., August 2006, v. 32, no. 6, p. 670–673.
  76. Kostko I. A., Gun`ko N. A., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Zegrya G. G. Effect of intraband carrier relaxation on the threshold characteristics of quantum well lasers. Semicond., 2006, v. 40, no. 4, p. 481–485.
  77. Zegrya G. G. A new method for amino acid diagnostics using semiconductor quantum dots. Tech. Phys. Lett., 2006, v. 32. no. 2, p. 174–176.
  78. Greshnov A. A., Kolesnikova E. N., Zegrya G. G. Precision of quantization of the Hall conductivity in a finite-size sample: power law. Semicond., 2006, v. 40, no. 1, p. 89–93.

    79. 2005

  79. Shkolnik A. S., Karachinsky L. Y., Gordeev N. Y., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G. Observation of the biexponential ground-state decay time bahaviour in InAs self-assembled quantum dots grown on misoriented substrates. Appl. Phys. Lett., 23 May 2005, v. 86, no. 21, art. 211112-1–211112-3.
  80. Serov A. Y., Zegrya G. G. Suppression of intrinsic bistability in resonant-tunneling diode by in-plane magnetic field. Appl. Phys. Lett., 17 January 2005, v. 86, no. 3, art. 032108.
  81. Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Ivanov-Omsky V. I., Zegrya G. G., Smirnov V. A., Evtikhiev V. P., Pikhtin N. A., Rastegaeva M. G., Stankevich A. L., Tarasov I. S., Shkolnik A. S. Temperature dependence of the threshold current of QW lasers. Semicond., 2005, v. 39, no. 10, p. 1210–1214.
  82. Zegrya G. G., Solov'ev I. Y. The influence of gain saturation on the output power of quantum-well semiconductor lasers. Semicond., 2005, v. 39, no. 5, p. 603–607.
  83. Novikov I. I., Gordeev N. Y., Maksimov M. V., Shernyakov Y. M., Semenova E. S., Vasil'ev A. P., Zhukov A. E., Ustinov V. M., Zegrya G. G. Temperature dependence of the effective coefficient of Auger recombination in 1.3 μm InAs/GaAs QD-lasers. Semicond., 2005, v. 39, no. 4, p. 481–484.
  84. Greshnov A. A., Zegrya G. G., Kolesnikova E. N. The exactness of quantization of the Hall conductivity in a sample of finite dimensions: power law. JETP Lett., 2005, v. 40, p. 93–97.

    85. 2004

  85. Pokutnyi S. I., Zegrya G. G., Jacak L., Misievicz J., Salejda W. Stark effect in semiconductor quantum dots. J. Appl. Phys., 15 July 2004, v. 96, no. 2, p. 1115–1119.
  86. Zerova V. L., Zegrya G. G., Vorob'ev L. E. Effect of electron-electron and electron-hole collisions on intraband population inversion of electrons in stepped quantum wells. Semicond., 2004, v. 38, no. 9, p. 1053–1060.
  87. Karachinsky L. Y., Novikov I. I., Gordeev N. Y., Zegrya G. G. Mechanism of Dicke superradiance in semiconductor heterostructures. Semicond., 2004, v. 38, no. 7, p. 837–841.
  88. Zerova V. L., Vorob'ev L. E., Zegrya G. G. Electron-electron scattering in stepped quantum wells. Semicond., 2004, v. 38, no. 6, p. 689–695.
  89. Novikov I. I., Gordeev N. Y., Maksimov M. V., Semenova E. S., Vasil'ev A. P., Zhukov A. E., Ustinov V. M., Zegrya G. G. Temperature dependence of the effective coefficient of Auger recombination in 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot lasers. Semicond., 2005, v. 39, no. 4, p. 481–484.
  90. Serov A. Y., Zegrya G. G. Resonant tunneling through a double-barrier quantum well in a transverse magnetic field. JETP, 2004, v. 99, no. 1, p. 147–156.

    91. 2003

  91. Solov'ev I. Y., Zegrya G. G. Non-radiative recombination in quantum dots via Coulomb interaction with carriers in the barrier region. Appl. Phys. Lett., 21 April 2003, v. 82, no. 16, p. 2571–2573.
  92. Vasilyev Y. B., Suchalkin S. D., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Injection cascade lasers with graded gap barriers. J. Appl. Phys., 1 March 2003, v. 93, no. 5, p. 2349–2352.
  93. Greshnov A. A., Kolesnikova E. N., Zegrya G. G. Spectrum of carriers and optical properties of 2d-heterostructures in a tilted magnetic field. Int. J. Nanoscience, 2003, v. 2, no. 6, p. 401–409.
  94. Zegrya G. G., Konstantinov O. V., Matveentsev A. V. Structure of energy quantum levels in a quantum dot shaped as an oblate body of revolution. Semicond., 2003, v. 37, no. 3, p. 317–321.
  95. Skrynnikov G. V., Zegrya G. G., Pikhtin N. A., Slipchenko S. O., Shamakhov V. V., Tarasov I. S. Internal quantum efficiency of stimulated emission of 1.55 μm InGaAsP/InP laser diods. Semicond., 2003, v. 37, no. 2, p. 233–238.

    96. 2002

  96. Zegrya G. G., Konstantinov O. V., Matveentsev A. V. The energy spectrum of charge carriers in a strongly oblate ellipsoidal quantum dot. Tech. Phys. Lett., 2002, v. 28, no. 8, p. 693–695.
  97. Tkach N. V., Makhanets A. M., Zegrya G. G. Electrons, holes, and excitons in a superlattice composed of cylindrical quantum dots with extremely weak couplind between quasiparticles in neighboring layers of quantum dots. Semicond., 2002, v. 36, no. 5, p. 511–518.
  98. Greshnov A. A., Zegrya G. G., Vasilyev Yu. B., Suchalkin S. D., Meltser B. Yu., Ivanov S. V., Kopyev. P. S. Cyclotron resonance in the InAs/GaSb structure in a tilted magnetic field. JETP Lett., 2002, v. 76, no. 4, p. 222–226.
  99. Pokutnyi S. I., Jacak L., Misiewicz J., Salejda W., Zegrya G. G. Stark effect in semiconductor quantum dots. Semicond. Sci. Tech., 9 Juli 2002, v. 17, no. 7, p. 1.

    100. 2001

  100. Samsonidze G. G., Zegrya G. G. Auger recombination in semiconductor quantum wells in a magnetic field. Phys. Rev. B, 15 February 2001, v. 63, no. 7, art. 075317-1–075317-13.
  101. Polkovnikov A., Zegrya G. Electron-electron relaxation effect on Auger recombination in direct-band semiconductors. Phys. Rev. B, 31 July 2001, v. 64, no. 7, art. 073205.
  102. Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Design of semiconductor laser with current-induced cooling. Electron. Lett., October 2001, v. 37, no. 22, p. 1339–1341.
  103. Zegrya G. G., Pikhtin N. A., Skrynnikov G. V., Slipchenko S. O., Tarasov I. C. Threshold characteristics of λ=1.55 μm InGaAsP/InP heterolasers. Semicond., 2001, v.  35, no. 8, p. 962–969.
  104. Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Mynbaev K. D., Smirnov V. A., Yakovlev Yu. P. Numerical analysis of the energy-band diagram of type-II p-GaInAs/p-InAs heterojunction and size-quantization level at the interface. Semicond. Sci. Technol., September 2001, v. 16, no. 9, p. 812–815.
  105. Tkach N. V., Makhanets A. M., Zegrya G. G. Electrons, holes, and excitons in a superlattice of cylyndrical quantum dots with the weakest quasi-particle connection between layers. Phys. Tech. Semicond., 2001, v. 36, no. 5, p. 543–549.
  106. Gun`ko N. A., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. A numerical calculation of Auger recombination coefficients for InGaAsP/InP quantum well heterostructures. Semicond., 2000, v. 34, no. 4, p. 448–452.
  107. Dogonkin E. B., Zegrya G. G. New mechanism of current-induced cooling of quantum systems. JETP Lett., 2001, v. 74, no. 6, p. 312–317.
  108. Vorobjev L. E., Zegrya G. G., Firsov D. A. Mid-infrared range Auger laser based on intersubband transitions of carriers in quantum wells. Izv. Akad. Nauk, February 2001, ser. fiz., v. 65, no. 2, p. 230–232 (in Russian).
  109. Zegrya G. G. Mid-infrared semiconductor lasers: progress and problems. Soros Educ. J., 2001, v. 7, no. 6, p. 70–74 (in Russian).

    110. 2000

  110. Peleshchak R. M., Lukiyanets B. A., Zegrya G. G. Influence of an electric field on the strained state of a heterostructure. Semicond., 2000, v. 34, no. 10, p. 1172–1176.
  111. Asryan L. V., Gun'ko N. A., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G., Suris R. A., Lau P.-K., Makino T. Threshold characteristics of nbsp;InGaAsP/InP multiple quantum well lasers. Semicond. Sci. Technol., 2000, v. 15, no. 12, p. 1131–1140.
  112. Gun'ko N. A., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. A numerical calculation of Auger recombination coefficients for InGaAsP/InP quantum well heterostructures. Semicond., 2000, v. 34, no. 4, p. 448–452.
  113. Dogonkin E. B., Zegrya G. G., Polkovnikov A. S. Microscopic theory of Auger recombination in quantum wires. JETP, 2000, v. 90, no. 2, p. 378–388.
  114. Tkach N. V., Makhanets A. M., Zegrya G. G. Energy spectrum of electron in quasiplane superlattice of cylindrical quantum dots. Semicond. Sci. Technol., April 2000, v. 15, no. 4, p. 395–398.

    115. 1999

  115. Asryan L. V., Gun'ko N. A., Polkovnikov A. S., Suris R. A., Zegrya G. G., Elenkrig B. B., Smetona S., Simmons J. G., Lau P.-K., Makino T. High power and high temperature operation of InGaAsP/InP multiple quantum well lasers. Semicond. Sci. Technol., December 1999, v. 14, no. 12, p. 1069–1075.
  116. Zegrya G. G. Quantization of magnetic induction in a 2D system under conditions of the quantum Hall effect. Semicond., September 1999, v. 33, no. 9, p. 1043–1046.
  117. Sokolova Z. N., Vinokurov D. A., Tarasov I. S., Gun'ko N. A., Zegrya G. G. InGaAs/InP heterostructures with strained quantum wells and quantum dots (λ=1.5–1.9 μm). Semicond., September 1999, v. 33, no. 9, p. 1007–1009.
  118. Kostko I. A., Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Yu., Zegrya G. G. Power rise in broad-waveguide diode laser with inclined facet. Appl. Phys. Lett., 15 February 1999, v. 74, no. 7, p. 905–907.
  119. Kosko I. A., Evtikhiev V. P., Kotel'nikov E. Yu., Zegrya G. G. Increasing the power of broad-waveguide lasers by additional selection of transverse modes. Semicond., June 1999, v. 33, no. 6, p. 693–699.
  120. Golovach V. N., Zegrya G. G., Makhanets A. I., Pronishin I. V., Tkach N. V. Electron and hole spectra in a superlattice of cylindrical quantum wires. Semicond., May 1999, v. 33, no. 5, c. 564–568.
  121. Tkach M. V., Pronyshyn T. V., Makhanets A. M., Zegrya G. G., Golovach V. N. Electron and hole spectra in the superlattice of cylindrical quantum wires. Cond. Matt. Phys., 1999, v. 2, no. 3(19), p. 553–560.
  122. Gunko N. A., Khalfin V. B., Sokolova Z. N., Zegrya G. G. Optical loss in InAs-based long-wavelength lasers. J. Appl. Phys., 1 July 1998, v. 84, no. 1, p. 547–554.
  123. Vorob'ev L. E., Donetskii D. V., Firsov D. A., Bondarenko E. B., Zegrya G. G., Towe E. Terahertz emission from square wells in a longitudinal electric field. JETP Lett., 10 April 1998, v. 67, no. 7, p. 533–538.
  124. Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Danilova T. N., Imenkov A. N., Moiseev K. D., Sherstnev V. V., Yakoblev Y. P. Suppression of Auger recombination in diode lasers utilizing InAsSb/InAsSbP and InAs/GaInAsSb type-II heterojunctions. Semicond., March 1999, v. 33, no. 3, p. 350–354.

    125. 1998

  125. Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Auger recombination in semiconductor quantum wells. Phys. Rev. B, 15 August 1998, v. 58, no. 7, p. 4039–4056.
  126. Zegrya G. G., Masterov V. F. Mechanism of generation of f–f-radiation in semiconductor heterostructures. Appl. Phys. Lett., 7 December 1998, v. 73, no. 23, p. 3444–3446.
  127. Zegrya G. G., Polkovnikov A. S. Mechanisms of Auger recombination in quantum wells. JETP, April 1998, v. 86, no. 4, p. 815–832.
  128. Suchalkin S. D., Vasil'ev Y. B., von Klitzig K., Golovach V. N., Zegrya G. G., Ivanov S. V., Kop'ev P. S., Mel'tser B. Y. On the nature of the oscillations of cyclotron absorption in InAs/GaSb quantum wells. JETP Lett., 25 November 1998, v. 68, no. 10, p. 792–798.
  129. Zegrya G. G., Gun'ko N. A. Theoretical study of the threshold characteristics of InGaN multiquantum well lasers. Semicond., July 1998, v. 32, no. 7, p. 749–753.
  130. Gunko N. A., Khalfin V. B., Sokolova Z. N., Zegrya G. G. Optical loss in InAs-based long-wavelength lasers. J. Appl. Phys., 1 July 1998, v. 84, no. 1, p. 547–554.
  131. Vorob'ev L. E., Donetskii D. V., Firsov D. A., Bondarenko E. B., Zegrya G. G., Towe E. Terahertz emission from square wells in a longitudinal electric field. JETP Lett., 10 April 1998, v. 67, no. 7, p. 533–538.
  132. Zegrya G. G., Perlin V. E. Intraband absorption of light in quantum wells induced by electron-electron collisions. Semicond., April 1998, v. 32, no. 4, p. 417–422.

    133. 1997

  133. Gun'ko N. A., Zegrya G. G., Zotova N. V., Sokolova Z. N., Stus' N. M., Khalfin V. B. Influence of valence band absorption on the threshold characreristics of long-wavelenght InAs lasers. Semicond., 1997, v. 31, no. 11, p. 1204–1211.
  134. Bazhenov N. A., Zegrya G. G., Ivanov-Omskii V. I., Mikhailova M. P., Mikhailov M. Y., Moiseev K. D., Smirnov V. A., Yakovlev Yu. P. Electroluminescence of the unconfined heterostructure p-GaInAsSb/p-InAs at liquid-helium temperatures. Semicond., October 1997, v. 31, no. 10, p. 1046–1048.
  135. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theoretical study of thresholdless Auger recombination in compressively strained InAlAsSb/GaSb quantum wells. Appl. Phys. Lett., 3 February 1997, v. 70, no. 5, p. 601–603.
  136. Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Moiseev K. D., Smirnov V. A., Solovieva O. Yu., Yakovlev Yu. P. Radiative recombination on the interface in a p-GaInAsSb/p-InAs type-II (broken-gap) heterostructure upon pulsed excitation. Semicond., 1997, v. 31, no. 6, p. 560–562.
  137. Yakovlev Yu. P., Moiseev K. D., Mikhailova M. P., Ershov O. G., Zegrya G. G. Long-wave heterostructure emission with a single isolated second-type GaInAsSb/PInAs heterojunction. Tech. Phys. Lett., 1997, v. 21, no. 21, p. 482–484.
  138. Zegrya G. G., Gun'ko N. A., Evtikhiev E. P., Kotel'nikov E. Yu., Kudryavtsev I. P. Investigation of a new no-threshold Auger-recombination mechanism in quantum wells. Inform. RFBR Bull., 2 January 1997, v. 5, p. 472 (in Russian).
  139. Andreev A. D., Zegrya G. G. Auger recombination in strained quantum wells. Semicond., March 1997, v. 31, no. 3, p. 297–303.

    140. 1996

  140. Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Moiseev K. D., Yakovlev Yu. P. Interface electroluminesence of confined carriers in type-II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs single heterojunction. Solid State Electron., 1996, v. 40, no. 1–8, p. 673–677.
  141. Zegrya G. G., Andreev A. D. Theory of recombination of nonequilibrium carriers in type-II heterostructures. JETP, February 1996, v. 82, no. 2, p. 328–338.

    142. 1995

  142. Zegrya G. G. Radiative and nonradiative junctions of charge carriers in semiconductor heterostructures. Doctor Theses, St. Petersburg, 1995.
  143. Zegrya G. G., Andreev A. D. Mechanism of suppression of Auger recombination processes in type-II heterostructures. Appl. Phys. Lett., 30 October 1995, v. 67, no. 18, p. 2681–2683.
  144. Zegrya G. G., Gun'ko N. A., Frolushkina E. V., Imenkov A. N., Yakovlev Yu. P. Characreristic features of the temperature dependence of the threshold current density of GaInAsSb double-heterostructure lasers with a thin active region. Semicond., December 1995, v. 29, no. 12, p. 1157–1161.
  145. Zegrya G. G., Masterov V. F. Mechanism of the intensification of f–f-luminescence in semiconductors. Semicond., October 1995, v. 29, no. 10, p. 989–995.
  146. Danilova T. N., Ershov O. G., Zegrya G. G., Imenkov A. N., Stepanov M. V., Sherstnev V. V., Yakovlev Y. P. Polarization of the emission from double-heterostructure lasers based on InAsSb/InAsSbP. Semicond., September 1995, v. 29, no. 9, p. 834–837.
  147. Andreev A. D., Zegrya G. G. Mechanism of a suppression of Auger recombination in type-II heterostructures. JETP Lett., 10 May 1995, v. 61, no. 9, p. 764–770.
  148. Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Moiseev K. D., Timchenko I. N., Yakovlev Y. P. Observation of electroluminescence of confined carriers at single p-GaInAsSb/p-InAs type-II broken-gap heterojunctions. Semicond., April 1995, v. 29, no. 4, p. 357–361.

    149. 1994

  149. Andreev A. D., Zegrya G. G. Threshold-free mechanism of Auger recombination in semiconductors in quantized magnetic field. JETP, April 1994, v. 105, no. 4, p. 1005–1016.

    150. 1992

  150. Zegrya G. G., Parshin L. A., Shabaev A. R. Long-wavelength shift of the gain edge of semiconductor heterolasers. Sov. Phys. Solid State, April 1992, v. 34, no. 4, p. 648–651.
  151. Suris R. A., Zegrya G. G. Resonant hole tunneling through a single heterobarrier in semiconductor heterostructures. Semicond. Sci. Technol., March 1992, v. 7, no. 3, p. 347–351.
  152. Zegrya G. G., Kharchenko V. A. New mechanism of Auger recombination of nonequilibrium current carriers in semiconductor heterostructures. Sov. Phys. JETP, January 1992, v. 74, no. 1, p. 173–181.
  153. Aidaraliev M. Sh., Zegrya G. G., Zotova N. V., Karandashev S. A., Matveev B. A., Stus' N. M., Talalakin G. N. Nature of the temperature dependence of the threshold current density of long-wavelength InAsSbP/InAs and InAsSbP/InAsSb double-heterostructure lasers. Sov. Phys. Semicond., February 1992, v. 26, no. 2, p. 138–143.

    154. 1991

  154. Gel'mont B. L., Zegrya G. G. Temperature dependence of the threshold current density of an injection heterolaser. Sov. Phys. Semicond., November 1991, v. 25, no. 11, p. 1216–1218.
  155. Alferov Z. I., Efremov Y. N., Golant V. E., Gurevich V. L., Zakharchenya B. J., Zegrya G. G., Ipatova I. P., Perel V. I., Pariiski N. N., Chernin A. D. Gurevich Lev Emmanuilivich (Obituary). Sov. Phys. Usp., June 1991, v. 34, no. 6, p. 545.
  156. Andaspaeva A. A., Baranov A. N., Gel'mont B. L., Dzhurtanov B. E., Zegrya G. G., Imenkov A. N., Yakovlev Yu. P., Yastrebov S. G. Investigation of the temperature dependence of the threshold current density of double-heterostructure GaInAsSb lasers. Sov. Phys. Semicond., March 1991, v. 25, no. 3, p. 240–244.

    157. 1988

  157. Gel'mont B. L., Zegrya G. G. Electromagnetic theory of an injection laser with one heterojunction. Sov. Phys. Semicond., August 1988, v. 22, no. 8, p. 876–878.

    158. 1986

  158. Gel'mont B. L., Elyukhin V. A., Zegrya G. G., Portnoi E. L., Ebanoidze M. K. Threshold characteristics of an injection laser with one lightly doped heterojunction. Sov. Phys. Semicond., November 1986, v. 20, no. 11, p. 1289–1291.

    159. 1984

  159. Gurevich L. E., Zegrya G. G. Thermomagnetic generation of alternative current at a convective instability with feedback. Sov. Phys. Solid State, 1984, v. 26, no. 10, p. 1798.

    160. 1982

  160. Zegrya G. G. Thermomagnetic waves in metals and semiconductors in the presence of magnetic field. Candidate Thesis, Kishinev, 1982.
  161. Gurevich L. E., Zegrya G. G. General theory of self-excitation of thermomagnetic waves. Sov. Phys. Solid State , 1982, v. 24, no. 2, p. 225.

    162. 1981

  162. Gurevich L. E., Zegrya G. G. Spontaneous radio emission of metals located in a magnetic field in the presence of a temperature gradient. Sov. Phys. JETP, 1981, v. 54, no. 4(10), p. 710.
  163. Gurevich L. E., Zegrya G. G. Quasi-Alfven waves, their self-excitation and spontaneous radiation. JETP Lett., 1981, v. 34, no. 10, p. 501.

    164. 1980

  164. Gurevich L. E., Zegrya G. G. The possibility of low-frequency electromagnetic waves in metals. JETP Lett., 1980, v. 32, no. 11, p. 633–637.
  165. Gurevich L. E., Zegrya G. G. Thermoelectromagnetic waves in conductors in a strong magnetic field, Sov. Phys. JETP. 1980, v. 51, no. 1, p. 61.

    166. 1979

  166. Bodiul P. P., Gitsu D. V., Dolma V. A., Miglei M. F., Zegrya G. G. The thermopower in bismuth whiskers. Phys. Stat. Sol. (a), 1979, v. 53, no. 1, p. 87–93.

    Proceedings of Conferences

    2014

  1. Danilov L. V., Zegrya G. G. Optimization of laser heterostructures for midinfrared. Proc. Int. 2014 Conference Laser Optics. LO 2014, ArtNo: #6886287. 2014 IEEE Computer Society, ISBN 978-1-4799-3884-1.

    2. 2008

  2. Savelyev A. V., Karachinsky L. Ya., Shkolnik A. S., Pellegrini S., Gordeev N. Yu., Tartakovskii A. I., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G., Maximov M. V. Bipolar charging in quantum dots array. Proc. AIP Conf., 2007, v. 893, no. 1, p. 987–988.
  3. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Peaks of longitudinal conductivity in integer quantum Hall effect for the long-range and short-range disorder. Proc. 18th Int. Conf. on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology, San Pedro, Brazil, 3–8 August 2008.
  4. Greshnov A., Kaliteevski M., Abram R., Brand S., Zegrya G. Density of states and light localization length in 1D disordered photonic crystals: analytical treatment. Proc. 29th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Rio de Janeiro, Brazil, 27 July–1 August 2008, p. 1.
  5. Zegrya G. G., Mynbaev K. D., Bozhokin S. V. Nanotechnologies for biology and medicine at A. F. Ioffe Physical-Technical Institute. Proc. Symp. "Semiconductor Lasers: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 5–7 November 2008 (in Russian).

    6. 2007

  6. Greshnov A. A., Kaliteevski M. A., Abram R. A., Brandt S., Zegrya G. G. Analytical theory of density of states in disordered one-dimensional photonic crystals. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007, p. 81–82.
  7. Shkolnik M. S., Kupriyanov K. A., Karachinsky L. A., Pellegrini A., Buller G. S., Gordeev N. Yu., Zegrya G. G., Evtikhiev V. P. Finger-print of the Auger recombination process in semiconductor InAs/GaAs quantum dots. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007, p. 205–206.
  8. Gaisin N. A., Talalaev V. G., Novikov B. V., Shugunov V. A., Zakharov N. D., Cirlin G. E., Samsonenko Yu. B., Zegrya G. G. The exciton photoluminescence spectrum of multilayer planarly ordered quantum dot InAs/GaAs at the hydrostatic pressure. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007, p. 212–213.
  9. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Integer quantum Hall effect with correlated disorder. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007, p. 327–328.
  10. Savelyev A. V., Karachinsky L. Ya., Shkolnik A. S., Pellegrini S., Gordeev N. Yu., Tartakovskii A. I., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G., Maximov M. V., Ustinov V. M., Seisyan R. P., Buller G. S., Skolnick M. S. Dipolar charging in quantum dots array. Proc. AIP Conf., 2007, v. 893, no. 1, p. 987–988.

    11. 2006

  11. Samosvat D. M., Zegrya G. G. Auger-recombination mechanism in semiconductor quantum dots. Proc. Int. Winter School on Semicond. Phys. St. Petersburg–Zelenogorsk, Russia, 14–27 February 2006, p. 55 (in Russian).
  12. Zegrya G. G., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D. Interaction of isolated semiconductor quantum dots with charged amino acids. Proc. 14th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 26–30 June 2006, p. 265–266.

    2005

  13. Zegrya G. G., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Pokutnyi S. I. Application of semiconductor quantum dots for a study of biological systems. Poster CAS-2005, Proc. Int. Semicond. Conf. CAS, Sinaia, Romania, August 2005, v. 1, art. 1558713.
  14. Zegrya G. G., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Pokutnyi S. I. Application of semiconductor quantum dots for a study of biological systems. Proc Int. Semicond Conf CAS , 2005, v. 1, art. 1558713.
  15. Pellegrini S., Buller G. S., Karachinsky L. Ya., Shkolnik A. S., Gordeev N. Yu., Zegrya G. G., Evtikhiev V. P., Sellers I. R., Skolnick M. S., Liu H. Y., Hopkinson M. Time-resolved photoluminescence measurements of InAs self-assembled quantum dots. Proc. SPIE-IX "Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials", San Jose, CA, USA, 24 January 2005, v. 5725,  art. 45.
  16. Shkolnik A. S., Karachinsky L. Y., Gordeev N. Y., Kupriyanov K. A., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G., Pellegrini S., Buller G. S. Lifetime of nonequilibrium charge carriers in semiconductor InAs/GaAs quantum dots. Proc. 13th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, 2005, Russia, p. 360–361.
  17. Serov A. Y., Zegrya G. G. Increase of current via quantum well by in-plane magnetic field. Proc. 13th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 2005, p. 358–359.
  18. Pellegrini S., Buller G. S., Karachinsky L. Ya., Shkolnik A. S., Gordeev N. Yu., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G., Sellers I. R., Skolnick M. S., Liu H. J., Hopkinson M. Time-resolved photoluminescence measurements of InAs self-assembled quantum dots (Invited Paper). Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., San Jose, California, USA, 22–27 January 2005, v. 5725, p. 309.

    2004

  19. Zegrya G. G., Bazhenov N. L., Dorofeyev D. V., Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Yu., Mynbaev K. D., Solovyev I. Yu., Shkolnik A. S. Theoretical and experimental study of the effect of carrier relaxation on threshold and power-current characteristics of quantum well lasers. Proc. 27th Int. Semicond. Conf. CAS, Sinaia, Romania, 4–6 October 2004, v. 1.
  20. Bazhenov N. L., Dorofeev D. V., Evtikhiev E. Y., Mynbaev K. D., Solovyev I. Y., Zegrya G. G., Shkolnik A. S. Theoretical and experimental study of the effect of carrier relaxation on threshold and power-current characteristics of quantum well lasers. Proc. 27th Int. Semicond. Conf. CAS-2004, 2004, p. 322–325.
  21. Shkolnik A. S., Karachinsky L. Y., Pellegrini S., Buller G. S., Gordeev N. Y., Novikov B. V., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G. Processes determining the carrier lifetime in InAs/GaAs quantum dot arrays. Proc. 12th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 21–25 June 2004, p. 244–245.
  22. Moiseev K. D., Astakhova A. P., Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Yakovlev Yu. P., Helicius E., Hospodkova A., Pangrac J., Simecek T. Electroluminecent properties of quantum well AlSb/InAsSb heterostructures grown by MOVPE. Proc. 12th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 21–25 June 2004, p. 58–59.
  23. Zegrya G. G. Distance multilevel system of professional training for the field of physics. St. Petersburg, 7–10 June 2004, Proc. All-Russ.  Sci. Conf. "Telematics'2004" (in Russian).

    24. 2003

  24. Solov'ev I. Yu., Zegrya G. G. The new mechanism of nonradiative recombination of electron-hole pairs in quantum dots. Proc. 11th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 23–28 June 2003, p. 381–382.
  25. Zegrya G. G., Bazhenov N. L., Dorofeyev D. V., Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Y., Mynbaev K. D., Solovyev I. Y., Shkolnik A. S. Theoretical and experimental study of the effect of carrier relaxation on threshold and power-current characteristics of quantum well lasers. Proc. Int. Semicond. Conf. CAS, Sinaia, Romania, 4–6 October 2004, art. M2.1.
  26. Karachinsky L. Y., Gordeev N. Y., Novikov I. I., Zegrya G. G. Superradiance as a transition phase from spontaneous to stimulated emission low-dimensional semiconductor heterostructures. Proc. Int. Soc. Opt. Eng. SPIE, 2003, v. 5036, p. 218–223.
  27. Ankudinov A., Titkov A. N., Evtikhiev V. P., et al. Study of high-power laser diodes operation and failure by cross-sectional electrostatic force microscopy. Proc. SPIE, 2003, v. 5023, p. 143–145.
  28. Greshnov A. A., Kolesnikova E. N., Zegrya G. G. Carrier spectrum and optical properties of semiconductor heterostructures in tilted magnetic field. Proc. 11th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 23–28 June 2003, p. 83–85.

    2002

  29. Zegrya G. G., Kostko I. A., Gunko N. A., Dogonkin E. B. Influence of intraband relaxation processes on threshold and power-current characteristics of quantum well lasers. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", 17–21 June 2002, St. Petersburg, Russia, p. 437–440.
  30. Tarasov I. S., Zegrya G. G., Skrynnikov G. V., Pikhtin N. A., Slipchenko S. O. SC DHS InGaAsP/InP lasers (λ=1.5–1.6 μm) with above-threshold integral quantum efficiency ηist about 100%. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 17–21 June 2002, p. 421–424.
  31. Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Current-induced cooling of nanostructures. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 17–21 June 2002, p. 407–409.
  32. Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Yu., Dorofeyev D. V., Zegrya G. G. Non-linear power-current characteristics of quantum well lasers at high injection. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" SPIE, St. Petersburg, Russia, 17 June 2002, v. 5023, p. 365–367.
  33. Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Current-induced cooling of quantum systems. Proc. Int. Soc. Opt. Eng. SPIE, 2002, v. 4651, p. 269–273.
  34. Ankudinov A., Titkov A., Evtikhiev V., Kotelnikov E., Bazhenov N., Zegrya G., Huhtinen H., Laiho R. Study of high power GaAs-based laser diodes operation and failure by cross-sectional electrostatic force microscopy. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", 17–21 June 2002, St. Petersburg, Russia, p. 157–159.

    35. 2001

  35. Towe E., Pal D., Vorobjev L. E., Glukhovskoy A. V., Danilov S. N., Zerova V. L., Panelin V. Y., Firsov D. A., Shalygin V. A., Zegrya G. G., Weber A., Grundmann M. Injection lasers based on intraband carrier transitions. Mater. Sci. Forum "Ultrafast Phenomena in Semiconductors-2001", 2002, v. 384, no. 3, p. 209–212.

    36. 2000

  36. Dogonkin E. B., Golovatch V. N., Polkovnikov A. S., Pozdnyakov A. V., Zegrya G. G. Theoretical investigation of Auger recombination in spherical quantum dots. Proc. 8th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 19–23 June 2000, p. 399–401.
  37. Nezlobin N. A., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Theoretical investigation of intraband absorption of electromagnetic radiation by holes in quantum wells. Proc. 8th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 19–23 June 2000, p. 194–197.
  38. Vorobjev L. E., Firsov D. A., Zegrya G. G., Zerova V. L., Towe E., Cockburn I. W. Novel mid-infrared lasers design based on intraband and interband carrier transitions in quantum wells. Proc. 25th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Osaka, Japan, 17–22 September 2000, p. 132.
  39. Vorobjov L. E., Firsov D. A., Zegrya G. G. Mid-infrared range laser based on intersubband transitions and resonant Auger processes in quantum wells. Mater. Meet. "Nanophotonics", Nizhnyi Novgorod, Russia, 20–23 March 2000. Institute of Microstructure Physivs, RAS, p. 91–94 (in Russian).
  40. Vorobjov L. E., Zegrya G. G., Firsov D. A. Mid-infrared range laser based on intersubband transitions and resonant Auger processes in quantum wells, Proc. 8th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 19–23 June 2000, p. 84–87.

    41. 1999

  41. Polkovnikov A. S., Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Effect of relaxation processes on Auger recombination in semiconductor quantum wells. Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 14–18 June 1999, p. 386–389.
  42. Zegrya G. G., Dogonkin E. B., Polkovnikov A. S. Theoretical investigation of carrier relaxation processes in quantum wells and their effect on radiative and Auger recombination. Proc. Int. Semicond. Conf. CAS'99, Sinaia, Romania, 5–9 October 1999, p. 351–354.
  43. Kostko I. A., Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Y., et al. Fundamental-mode laser power rise by means of facet inclination. Proc. SPIE, 1999, v. 3628, p. 275–281.
  44. Kostko I. A., Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Yu., Zegrya G. G. Fundamental-mode laser power rise by means of facet inclination. Proc. Int. Soc. Opt. Eng. SPIE, 1999, v. 3628, p. 275–281.
  45. Zegrya G. G., Tkach M., Makhanets O., Zharkov V. Electron in quasiplane superlattice of cylindric quantum dots. Proc. 7th Int. Symp.  "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg , Russia , 14–18 June 1999, p. 74–76.
  46. Vorobjev L. E., Danilov S. N., Donetsky D. V., Zerova V. L., Kochegarov Y. V., Firsov D. A., Shalygin V. A., Zegrya G. G., Towe E. Hot electron FIR emission and absorption in GaAs/AlGaAs quantum wells. Mater. Science Forum "Ultrafast Phenomena Semicond.", 1999, v. 297, no. 2, p. 45–48.
  47. Dogonkin E. B., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Mechanisms of Auger recombination in semiconductor quantum wires. Proc 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 14–18 June 1999, p. 42–45.

    48. 1998

  48. Mikhailova M. P., Zhurtanov B. E., Moiseev K. D., Zegrya G. G., Andreychuk O. V., Voronina T. I., Yakovlev Yu. P. Blue shift of electroluminescence in AlGaAsSb/InGaAsSb double heterostructures with asymmetric band offset confinements. Proc. 6th Int Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 22–26 June 1998, p. 406–409.
  49. Bondarenko E. B., Vorobjev L. E., Danilov S. N., Donetsky D. V., Zerova V. L., Kochegarov Yu. V., Firsov D. A., Shalygin V. A., Zegrya G. G., Towe E. FIR emission and absorption due to indirect optical transitions of hot electrons in GaAs/AlGaAs QW. Proc. 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 22–26 June 1998, p. 156–159.
  50. Zegrya G. G. Auger recombination in a quantum well in a quantizing magnetic field. Proc. 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 22–26 June 1998, p. 46–49.

    51. 1997

  51. Vorobjev L. E., Danilov S. N., Donetsky D. V., Kochegarov Yu. V., Titkov I. E., Firsov D. A., Shalygin V. A., Tulupenko V. N., Zegrya G. G., Towe E. Emission and absorption of FIR radiation by hot electrons in simple rectangular and asymmetric tunnel-coupled quantum wells. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 1997, p. 2372.
  52. Vorobjev L. E., Zegrya G. G., Masterov V. F. Mechanism of generation of f–f-radiation in semiconductor heterostructures. Mater. Sci. Forum "Defects Semicond." ICDS-19, 1997, parts 1–3, v. 258, no. 2, p. 1601–1606.
  53. Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Ivanov-Omskii V. I., Mikhailova M. P., Smirnov V. A., Yakovlev Y. P. Radiative recombinaation at the interface of type II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs heterojunctions at low temperature. Int. Phys. Conf., Comp. Semicond.-1996, 1997, ser. 155, p. 1025–1028.
  54. Evtikhiev V. P., Kudryashov I. V., Tokranov V. E., Prilutsky D. V., Zegrya G. G. Direct observation of non-threshold process of Auger recombination in type-I A3B5 quantum wells. Int. Phys. Conf., 1997, ser. 155, chap. 10, p. 795–798.
  55. Andreev A. D., Zegrya G. G. Effect of strain on the Auger recombination processses in type-II heterostructure with quantum wells. Proc. Int. Soc. Opt. Eng. SPIE, 1997, v. 2994, p. 792.
  56. Yakovlev Yu. P., Danilova T. N., Imenkov A. N., Ershov O. G., Sherstev V. V., Zegrya G. G. Suppression of Auger recombination in the diode lasers based on type-II InAsSb/InAsSbP heterostructure. Proc. SPIE, 1997, v. 3001, p. 673–680.
  57. Yakovlev Y. P., Danilova T. N., Ershov O. G., Imenkov A. N., Moiseev K. D., Mikhailova M. P., Sherstnev V. V., Zegrya G. G. Mid-infrared diode lasers based on III–V alloys for the spectral range 3–4 μm. Proc. Int. Phys. Conf., Comp. Semicond.-1996, 1997, ser. 155, p. 551–556.
  58. Zegrya G. G., Golovach V. N., Konstantinovich A., Tkach M. V. Electron and hole spectra in ellipsoidal nanoheterostructure (quantum dot). Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 23–27 June 1997, p. 437–439.
  59. Zegrya G. G., Andreev A. D. Calculation of threshold characteristics of mid-infrared lasers based on type-II heterostructure with quantum wells. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 24–28 June 1996, p. 370–373.
  60. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theoretical performance of 3 to 4μm compressively strained InAlAsSb lasers. Proc. Int. Soc. Opt. Eng. SPIE, 1997, v. 3001, p. 364–376.
  61. Yakovlev Y. P., Danilova T. N., Imenkov A. N., Mikhailova M. P., Moiseev K. D., Ershov O. G., Sherstnev V. V., Zegrya G. G. Suppression of Auger recombination in the diode lasers based on type-II InAsSb/InAsSbP and InAs/GaInAsSb heterostructures. Proc. Int. Soc. Opt. Eng. SPIE, 1997, v. 3001, p. 356–353.
  62. Andreev A. D., Zegrya G. G. Auger recombination in strained quantum-well InAlAsSb/GaSb structures for 3–4 μm lasers. Proc. Optoelectron. IEE, October 1997, v. 144, no. 5, p. 336–342.
  63. Andreev A. D., Gunko N. A., Zegrya G. G., Sokolova Z. N., Khalfin V. B. Optical loss investigation in InAs-based long wavelength lasers. Proc. 1997 Int. Semicond. Device Research Symp., Charlottesville, Virginia, USA,10–13 December 1997, p. 281–284.
  64. Gun'ko N. A., Zegrya G. G., Sokolova Z. N., Khalfin V. B. Influence of intervalence band absorption on chracteristics of long wavelength lasers based on InAs. Proc. Int. Symp. "Semicond. Device Research", Charlottesville, USA, 1997, p. 281–284.
  65. Zegrya G. G., Polkovnikov A. S. Theoretical analysis of Auger recombination mechanisms in semiconductor quantum wells. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 23–27 June 1997, p. 218.
  66. Zegrya G. G. New fundamental approach to creation of mid-infrared lasers operating at high temperature. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 23–27 June 1997, p. 214–217.
  67. Gun'ko N. A., Zegrya G. G., Sokolova Z. N., Khalfin V. B. Influence of intervalence band absorption on characteristics of long wavelength lasers based on InAs. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 23–27 June 1997, p. 187–190.
  68. Andreev A. D., Zegrya G. G. Effect of strain on Auger recombination in type-II quantum wells. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 23–27 June, 1997, p. 172–175.
  69. Andreev A. D., Zegrya G. G. Calculation of threshold characreristics of 3–4 μm compressively strained InAlAsSb MQW lasers. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 23–27 June 1997, p. 168–171.
  70. Zegrya G. G. Theory of InGaN multiquantum well laser diodes. Proc. Int. Soc. Opt. Eng. SPIE, 1997, v. 3001, p. 117–127.
  71. Zegrya G. G., Masterov V. F. Mechanism of generation of f–f-radiation in semiconductor heterostructures. Proc. Int. Conf. of Defects in Semiconductors, Aveiro, Portigal, 1997, p. 83.

    72. 1996

  72. Zegrya G. G. Masterov V. F. Two novel mechanisms of f–f-luminescence resonance excitation in semiconductors. Proc. X Feofilov Symp. on Spectroscopy of Crystals Activated by Rare-Earth and Transitional Ions SPIE, St. Petersburg, Russia, 2–8 July 1995, Proc. SPIE, 1996, v. 2706, p. 235–239.
  73. Zegrya G. G., Andreev A. D. Effect of strain on thresholdless Auger recombination in quantum wells. Proc. Int. Semicond. Conf. CAS'96, Sinaia, Romania, 9–12 October 1996, p. 265–268.
  74. Zegrya G. G., Masterov V. F. Two novel mechanisms of f–f-luminescence resonance excitation in semiconductors. Proc. Int. Soc. Opt. Eng. SPIE, 1996, v. 2706, p. 235.
  75. Zegrya G. G., Andreev A. D. Calculation of the threshold characteristics of the mid-infrared laser base type-II heterostructure with quantum wells. Proc. Int. Soc. Opt. Eng., 1996, v. 2682, p. 224–233.
  76. Yakovlev Yu. P., Moiseev K. D., Mikhailova M. P., Ershov O. G., Zegrya G. G. Advanced tunnel-injection laser based on the type II broken-gap GaInAsSb/InAs heterojunction for the special range 3–3.5 μm. Summ. Conf. on Lasers and Electro-Optics, 2–7 June 1996, p. 170–171.
  77. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theoretical study of non-threshold Auger recombination in compressively strained InAlAsSb/GaSb quantum wells. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 24–28 June 1996, p. 99–102.
  78. Gorbatyuk A. V., Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Moiseev K. D., Stojanov N. D., Andreychuk O. V., Yakovlev Yu. P. Negative differential resistance and radiative recombination in type-II broken-gap p-GaInAsSb/n-InAs single heterojunctions. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 24–28 June 1996, p. 62–65.

    79. 1995

  79. Yakovlev Yu. P., Moiseev K. D., Mikhailova M. P., Ershov O. G., Zegrya G. G. Tunnel-injection laser based on type II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs single heterojunction. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 26–30 June 1995, p. 329–331.
  80. Zegrya G. G., Andreev A. D., Gunko N. A., Frolushkina E. V. Calculation of quantum well laser threshold currents in terms of new channel nonradiative Auger recombination. Proc. Int. Soc. Opt. Eng. SPIE, 1995, v. 2399, p. 307–316.
  81. Zegrya G. G., Andreev A. D. Theory of the excess carrier recombination processes in heterostructures of type II. Proc. Int. Semicond. Conf. CAS'95, Sinaia, Romania, 11–14 October 1995, p. 253–256.
  82. Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Moiseev K. D., Timchenko I. N., Andreev I. A., Yakovlev Yu. P. Elecroluminescence of confined carriers in type-II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs single heterojunction. Proc. Int. Soc. Opt. Eng. SPIE., 1995, v. 2397, p. 166–169.
  83. Zegrya G. G., Andreev A. D. Theory of the excess carrier recombination processes in heterostructures of type II. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 26–30 June 1995, p. 163–166.

    84. 1994

  84. Zegrya G. G., Voisin P., Nelson D. K., Starukhin A. N., Titkov A. N. Non-threshold mechanism of Auger hole excitation in a heteroboundary of type II. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 1994, p. 101–104.
  85. Zegrya G. G., Mikhailov M. Yu. Effect of heteroboundary on the indirect optical transitions in semiconductor quantum structures. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 1994, p. 100.

    86. 1993

  86. Zegrya G. G. A novel mechanism of light absorption on free charge carriers in semiconductor quantum structures. Proc. Int. Semicond. Device Research Symp., Charlottesville, USA, 1993, p. 635–638.
  87. Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Y., Dorofeyev D. V., Zegrya G. G. Non-linear power-current characteristics of quantum well lasers at high injection. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" SPIE, 17–21 June 2002, v. 5023, no. 1, p. 365–367.
  88. Ankudinov A., Titkov A. N., Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Y., Bazhenov N., Zegrya G. G., Huhtinen H., Laiho R. Study of high-power GaAs-based laser diodes operation and failure by cross-sectional electrostatic force microscopy. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" SPIE, St. Petersburg, Russia, 17–21 June 2002, v. 5023, no. 1, p. 143–145.

    Abstracts of Papers

    2007

  1. Shkolnik A. S., Kupriyanov K. A., Karachinsky L. Ya., Pellegrini S., Buller G. S., Gordeev N. Yu., Zegrya G. G., Evtikhiev V. P. Finger-print of the Auger recombination process in semiconductor InAs/GaAs quantum dots. Abstr. 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007.
  2. Gaisin V. A., Talalaev V. G., Novikov B. V., Shugunov V. A., Zakharov N. D., Cirlin G. E., Samsonenko Yu. B., Zegrya G. G., Peleschak R. M., Dankiv O. O., Tonkikh A. A., Egorov V. A., Polyakov N. K., Ustinov V. M. The exciton photoluminescence spectrum of multilayer planarly ordered quantum dot InAs/GaAs at the hydrostatic pressure. Abstr. 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007.
  3. Greshnov A. A., Kaliteevski M. A., Abram R. A., Brand S., Zegrya G. G. Analytical theory of density of states in disordered one-dimensional photonic crystals. Abstr. 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007.
  4. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Integer quantum Hall effect with correlated disorder. Abstr. 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007.

    2005

  5. Serov A. Yu., Zegrya G. G. Increase of the current through a quantum well by the magnetic field lying at the interface plane Abstracts. Collected Papers 7th Russ. Conf. on Semiconductor Physics "Semiconductors-2005", Moscow, Zvenigorod, September 2005.
  6. Zegrya G. G. The use of semiconductor quantum dots to research biological systems. Abstr. Int. School-Conf. "Actual Problems of Semiconductor Physics", 26–30 June 2005, Drogobych, Ukraine (in Russian).

    7. 2003

  7. Karachinsky L. Ya., Novikov I. I., Gordeev N. Yu., Zegrya G. G. Transition from spontaneous radiation to laser generation in semiconductor injection lasers. Abstr. VI Russian Conf. on Semicond. Phys., St. Petersburg, 27–31 October 2003, p. 342–343 (in Russian).

    2002

  8. Pokutnyi S. I., Zegrya G. G. The absorption and scattering of light by nanoparticles: theory. Abstr. the First Ukr. Research Conf. on Semiconductor Physics-1, Ukraine, Odessa, 10–14 September 2002, v. 2, p. 20.

    2000

  9. Vorobjev L. E., Danilov S. N., Zegrya G. G., Zerova V. L., Firsov D. A., Shalygin V. A. New mid-infrared lasers based on intraband and interband transitions of charge carriers in nanostructure quantum wells. Abstr. Russ.-Ukr. Seminar "Nanophysics and Nanoelectronics", Kiev, Ukraine, November 2000 (in Russian).
  10. Vorobjev L. E., Firsov D. A., Zegrya G. G., Zerova V. L., Towe E., Cockburn I. W. Novel mid-infrared lasers design based on intraband and interband carrier transitions in quantum wells. Abstr. 25th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Osaka, Japan, 17–22 September 2000, p. 132.
  11. Vasilyev Yu., Suchalkin S., Zegrya G., Orlenko E. Investigation of mechanisms of electron interaction in double quantum wells in the presence of magnetic field. Abstr. IV Conf. on Semicond. Physics, Moscow, Russia, 2000, p. 191 (in Russian).
  12. Vasilyev Yu., Suchalkin S., Zegrya G., Orlenko E. Investigation of mechanisms of electron interaction in double quantum wells in the presence of magnetic field. Abstr. IV Conf. on Semicond. Physics, Moscow, Russia, 2000, p. 191 (in Russian).
  13. Dogonkin E. B., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Auger-recombination in quantum fibers based on semiconductor heterostructures AIIIBV. Moscow, Russia, 2000, p. 219 (in Russian).
  14. Vorobjev L. E., Firsov D. A., Zegrya G. G., Zerova V. L., Danilov S. N., Shalygin V. A. New semiconductor lasers based on intraband transitions of injected carriers in quantum wells. Abstr. Int. Conf. on Lasers and Electrooptics CLEO-2000, Nice, France, 10–15 September 2000, p. 229.

    1998

  15. Zegrya G. G. Quantum oscillations of thermodynamic quantities for two-dimensional (2D) electrons under conditions of the quantum Hall effect. Summ. Int. Conf. "Physics at the Turn of the 21st Century", St. Petersburg, Russia, 28 September–2 October 1998, p. 104.
  16. Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Auger recombination mechanisms in semiconductor quantum wells. Summ. Int. Conf. "Physics at the Turn of the 21st Century", St. Petersburg, Russia, 28 September–2 October 1998, p. 84.

    1997

  17. Gun'ko N. A., Zegrya G. G., Sokolova Z. N., Khalfin V. B. Influence of intervalence band absorption on threshold chatacteristics of long wavelength lasers based on InAs. Abstr. III Conf. on Semicond. Physics, Moscow, Russia, 1997. p. 253 (in Russian).
  18. Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Theoretical research of mechanisms of Auger recombination in quantum wells. Abstr. III Conf. on Semicond. Physics, Moscow, Russia, 1997, p. 233 (in Russian).

    1996

  19. Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Ivanov-Omsky V. I., Moiseev K. D., Mikhailova M. P., Smirnov V. I., Yakovlev Yu. P. Radiative recombination at the interface of type-II broken-gap p-GaAlAsSb/p-InAs heterojunctions at low temperatures. Abstr. 23rd Int. Symp. on Compound Semicond. ISCS-23, St. Petersburg, Russia, 23–27 September 1996.
  20. Zegrya G. G., Evtikhiev V. P., Kudryashov I. B., Tokranov V. E. Direct observation of non-threshold process of Auger recombination in type-I A3B5 quantum wells. Abstr. 23rd Int. Symp. on Compound Semiconductors ISCS-23, St. Petersburg, Russia, 23–27 September 1996.
  21. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theoretical study of Auger recombination processes in strained quantum-well InAlAsSb/GaSb structures for 3–4 μm lasers. Abstr. Int. Conf. "Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices", Lancaster University, U. K., 17–18 September 1996.
  22. Davydov V. Yu., Goncharuk I. N., Zegrya G. G., Nelson D. K., Nikitina I. P., Semchinova O. K., Yakobson M. Ya. Complex research of biaxially deformed GaN films on SiC substrate. Abstr. II Conf. on Semicond. Physics, Russia, Zelenogorsk, 1996, v. 2, p. 168 (in Russian).
  23. Zegrya G. G., Evtikhiev V. P., Kudryashov I. V., Andreev A. D., Komissarov A. B., Prilutsky D. V., Tokranov V. E. Direct experimental observation of a non-threshold Auger-recombination process in type-I heterostructures A3B5. Abstr. II Conf. on Semicond. Physics, Zelenogorsk, Russia, 1996, v. 2, p. 125 (in Russian).
  24. Moiseev K. D., Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Bazhenov N. L., Smirnov V. A., Solovyeva O. Yu., Yakovlev Yu. P. Radiative recombination of 2D-electrons in a broken-gap single type-II heterostructure p-GaInAsSb/p-InAs. Abstr. II Conf. on Semicond. Physics, Zelenogorsk, Russia, 1996, v. 2, p. 117 (in Russian).
  25. Zegrya G. G., Polkovnikov A. S. Theory of non-radiative recombination in semiconductor quantum dots, Abstr. II Conf. on Semicond. Physics, Zelenogorsk, Russia, 1996, v. 1, p. 95 (in Russian).

    26. 1989

  26. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theory of Auger recombination in type-II heterostructures. Abstr. 16th Pekar Int. Conf. on Semicond. Theory, Donetsk–Odessa, Russia, 1994, p. 27 (in Russian).

    27. 1989

  27. Zegrya G. G., Suris R. A. Resonance hole tunneling in heterostructures. Abstr. XIV All-Union (Pekar) Meeting on Semicond. Theory, Donetsk, 1989, p. 3 (in Russian).

    28. 1987

  28. Gelmont B. L., Zegrya G. G. Electromagnetic theory of an injection laser with one heterojunction. Abstr. XIII All-Union Meeting on Semicond. Theory, Erevan, 1987, p. 93.

    29. 1986

  29. Gelmont B. L., Elyukhin V. A., Zegrya G. G., Portnoi E. L., Ebanoidze M. K. Threshold characteristics of injection laser with one slightly doped heterojunction. Abstr. IV All-Union Conf. "Physical Processes in Semiconductor Heterostructures", Minsk, 1986, part II, p. 238–239 (in Russian).

    1983

  30. Zegrya G. G. Possible mechanism of phase transition into superionic state. Abstr. XI Meeting on Semicond. Theory, Russia, Uzhgorod, 1983, p. 210–211 (in Russian).

    1982

  31. Gurevich L. E., Zegrya G. G. Self-exitation of plane and cylindrical thermoelectromagnetic and thermomagnetic waves in conducting crystals. Abstr. XXII All-Union Meeting on Low-Temperature Physics, Kishinev, 1982, p. II, p. 142–143 (in Russian).

    1980

  32. Gurevich L. E., Zegrya G. G. Spontaneous radioemission of semiconductor in a temperature gradient and strong magnetic field. Abstr. X Meeting on Semicond. Theory, Novosibirsk, 1980, p. I, p. 146 (in Russian).

    1978

  33. Gizu D. V., Migley M. F., Moskalenko S. A., Zegrya G. G. Dimensional phase transition in thread-like semimetals and narrow-gap semiconductors. Abstr. IX Meeting on Theory of Semiconductors, Tbilisi, 1978, p. 123–124 (in Russian).