РЕЗЮМЕ

Георгий Георгиевич Зегря

Профессор, доктор физ.-мат. наук, главный научный сотрудник, заведующий Сектором теоретических основ микроэлектроники ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН

Специалист в области физико-технических проблем энергетики и энергетических материалов.

ОСНОВНОЕ МЕСТО РАБОТЫ

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской Академии наук, Санкт-Петербург, Россия

ВРЕМЯ И МЕСТО РОЖДЕНИЯ:

11 июля 1954 года, село Станивцы, Глыбокский район, Черновицкая область.

ОБЛАСТЬ НАУЧНЫХ ИНТЕРЕСОВ

• Нанопористый кремний
• технология изготовления
• энергонасыщенные композиты на его основе
• концентрированные источники энергии
• солнечная энергетика
• аккумуляторы и суперконденсаторы
• Нанотехнологии в физике, биологии и медицине
• Гетероструктуры и сверхрешетки
• Квантовые ямы, квантовые нити и квантовые точки
• Оже-рекомбинация в объемных полупроводниках и наноструктурах
• Квантовый эффект Холла
• Люминесценция в полупроводниках и наноструктурах
• Лазеры, основанные на гетеропереходах

ОБРАЗОВАНИЕ

НАУЧНАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской Академии наук, Санкт-Петербург, Россия:

ПЕДАГОГИЧЕСКАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия:

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ), Санкт-Петербург, Россия:

Академический физико-технологический университет (АФТУ) Российской Академии наук:

Санкт-Петербургский Национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО), Санкт-Петербург, Россия:

УЧАСТИЕ В УЧЕНЫХ СОВЕТАХ И НАУЧНЫХ СЕМИНАРАХ

ПРЕМИИ И НАГРАДЫ ЗА НАУЧНУЮ И ПЕДАГОГИЧЕСКУЮ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

• Почетный диплом Российской Академии наук (1999 г.)
• Премии Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе за лучшие работы 1992–1999 гг.
• Президентская премия для выдающихся ученых (1997 г.)
• Медаль «300 лет РАН»

ОСНОВНЫЕ ДОСТИЖЕНИЯ

• впервые обоснована целесообразность использования различных типов пористых структур на основе кремния и окислителей для создания энергетических материалов.
• разработан и создан целый класс принципиально новых энергонасыщенных композитов, нашедших широкое применение в различных областях техники.
• разработан и создан реактор для получения высокопористых материалов, которые широко применяются в различных междисциплинарных областях.
• впервые разработана технология получения мелкодисперсного пористого порошка для задач энергетики
• создана современная лаборатория для исследования физико-химических процессов в композитах на основе пористого кремния
• разработан и создан уникальный комплекс аппаратуры для диагностики физико-химических процессов, протекающих в энергетических материалах на основе пористого кремния при взрывчатом превращении; получен рекордно высокий энергетический выход
• разработан и создан автоматизированный комплекс спектральной аппаратуры и проведены исследования вспышки и состава продуктов взрывчатого превращения энергетических материалов
• впервые получен уникальный результат – возбуждение короткого электромагнитного импульса при взрывчатом превращении энергетических материалов
• разработана теоретическая модель механизма возбуждения лазерного и электромагнитного импульсов, возникающих при взрывчатом превращении энергетических материалов на основе пористого кремния
• разработан новый подход к теории Оже-рекомбинации в квантовых ямах.
• предложена модель лазера на редкоземельных элементах
• исследованы новые механизмы безызлучательной рекомбинации в полупроводниковых наногетерострутурах и построены оригинальные микроскопические модели расчетов характеристик приборов.
• исследована природа пороговых характеристик мощных инжекционных лазеров на основе полупроводниковых наногетероструктур и решена проблема температурной стабильности инфракрасных лазеров.

ПУБЛИКАЦИИ

• Опубликовано в научных журналах более 323 работ, посвященных теории электрических, фотоэлектрических и оптических явлений в полупроводниках и полупроводниковых структурах, теории оптоэлектронных приборов, физике полупроводниковых лазеров и наноструктур, наностуктуированного пористого кремния и энергоемких композитов на его основе.
• Оформлены два патента.

ОПУБЛИКОВАННЫЕ В ПЕЧАТИ КНИГИ И УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ

1. Бодюл П. П., Гицу Д. В., Долма В. А., Миглей М. Ф., Зегря Г. Г. Термоэдс нитевидных кристаллов висмута. В кн. "Экситоны и биэкситоны в полупроводниках", 1982, Кишинев, Штиинца.
2. Гельмонт Б. Л., Зегря Г. Г. Основы зонной теории полупроводников (часть I). Препринт ФТИ © 1330, Ленинград, 1989, 61 с.
3. Гельмонт Б. Л., Зегря Г. Г. Основы теории полупроводников (часть II), Препринт ФТИ © 1331, Ленинград, 1989, 42 с.
4. Лев Эммануилович Гуревич. Воспоминания друзей, коллег и учеников. Избранные труды. Под ред. В. И. Переля и Г. Г. Зегри: Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 1997, 336 c.
5. Зегря Г. Г., Векслер М. И. Элементарные задачи по квантовой механике (учебное пособие). Препринт 1686, С.-Петербург, 1997, ФТИ им. Иоффе, 70 с.
6. Векслер М. И., Зегря Г. Г. Задачи по квантовой механике (учебное пособие). Препринт 1685, Санкт-Петербург, 1997, ФТИ им. Иоффе, 70 с.
7. Zegrya G. G. Mid-Infrared Strained Diode Lasers. In: Antimonide-Related Strained-Layer Heterostructures, ed. M. O. Manasreh, Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, The Netherlands, 1997.
8. Зегря Г. Г., Мастеров В. A., Паршин Д. А. Динамика материальной точки (учебное пособие). Санкт-Петербург, ПИЯФ, 1998, 44 с.
9. Паршин Д. А., Зегря Г. Г., Мастеров В. Ф. Кинематика материальной точки (учебное пособие). Санкт-Петербург, ПИЯФ, 1998, 43 с.
10. Мастеров В. Ф., Паршин Д. А., Зегря Г. Г. Момент импульса. Динамика твердого тела (учебное пособие). Санкт-Петербург: ПИЯФ, 1999, 47 с.
11. Паршин Д. А., Зегря Г. Г., Мастеров В. Ф. Колебания (учебное пособие). Санкт-Петербург, ПИЯФ, 1999, 48 с.
12. Воробьев Л. Е., Данилов С. Н., Зегря Г. Г., Фирсов Д. А., Шалыгин В. А., Яссиевич И. Н., Берегулин Е. В. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах. Санкт-Петербург: Наука, 2001, 248 с.
13. Векслер М. И., Зегря Г. Г. Расчет стационарных магнитных полей. ФТИ им. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, 2003, 63 с.
14. Векслер М.И., Зегря Г. Г. Расчет стационарных электрических полей. ФТИ им. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, 2003, 70 с.
15. Зегря Г. Г., Перель В. И. Основы физики полупроводников. Книга рекомендована в качестве учебника для студентов-физиков Министерством науки и образования РФ. Москва: Физматлит, 2009, 336 с.
16. Зегря Г. Г. Механизмы Оже–рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах и их влияние на характеристики лазеров. Санкт-Петербург: Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2017, 216 с.

ПУБЛИКАЦИИ В ИНТЕРНЕТЕ

1. Zegrya G. G. Interactive Database:  New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute, RAS, 2002, ежегодное число обращений составляет более 3 миллионов.
2. Паршин Д. А., Зегря Г. Г. Курс общей физики: классическая механика, специальная теория относительности, основы общей теории относительности. Февраль 2001.  Последнее обновление произведено 31.01.2003 отделом научно-технической информации Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург.
3. Дистантное образование по физике . Система создается на базе образовательной программы Научно-образовательного центра Физико-технического института им. Иоффе РАН.