СПИСОК ТРУДОВ ЗЕГРИ ГЕОРГИЯ ГЕОРГИЕВИЧА

    Статьи

    1979

  1. Bodiul P. P., Gitsu D. V., Dolma V. A., Miglei M. F., Zegrya G. G. The thermopower in bismuth whiskers. Phys. Stat. Sol. (a), 1979, v. 53, no. 1, p. 87–93.
  2. 1980

  3. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Термоэлектромагнитные волны в проводниках при наличии сильного магнитного поля. ЖЭТФ, 1980, т. 78, в. 1, с. 123–131 (Gurevich L. E., Zegrya G. G. Thermoelectromagnetic waves in conductors in a strong magnetic field. Sov. Phys. JETP, 1980, v. 51, no. 1, p. 61, in Russian).
  4. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. О возможности низкочастотных электромагнитных волн в металлах. Письма ЖЭТФ, 1980, т. 32, в. 11, с. 646–650 (Gurevich L. E., Zegrya G. G. The possibility of low-frequency electromagnetic waves in metals. JETP Lett., 1980, v. 32, no. 11, p. 633–637).
  5. 1981

  6. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Квазиальфвеновские волны, их самовозбуждение и спонтанное излучение. Письма ЖЭТФ, 1981, т. 34, в. 10, с. 525–529 (Gurevich L. E., Zegrya G. G. Quasi-Alfven waves, their self-excitation and spontaneous radiation. JETP Lett., 1981, v. 34, no. 10, p. 501).
  7. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Спонтанное радиоизлучение металлов в магнитном поле при наличии градиента температуры. ЖЭТФ, 1981, т. 81, в. 4(10), с. 1337–1346 (Gurevich L. E., Zegrya G. G. Spontaneous emission of radio-waves by metals located in a magnetic field in the presence of a temperature gradient. Sov. Phys. JETP, 1981, v. 54, no. 4(10), p. 710).
  8. 1982

  9. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Общая теория самовозбуждения термомагнитных волн. ФТТ, 1982, т. 24, в. 2, с. 396–401 (Gurevich L. E., Zegrya G. G. General theory of self-exitation of thermomagnetic waves. Sov. Phys. Sol. State, 1982, v. 24, no. 2, p. 225).
  10. Зегря Г. Г. Термомагнитные волны в металлах и полупроводниках, их самовозбуждение и излучение в магнитном поле. Автореф. дисс. на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук, Кишинев, 1982 (Zegrya G. G. Thermomagnetic waves in metals and semiconductors in the presence of a magnetic field, Candidate Thesis, Kishinev, 1982).
  11. 1984

  12. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Термомагнитная генерация переменного тока при  конвективной нестабильности с обратной связью. ФТТ, 1984, т. 26, в. 10, с. 2980–2984 (Gurevich L. E., Zegrya G. G. Thermomagnetic generation of alternative current at a convective instability with feedback. Sov. Phys. Solid State, 1984, v. 26, no. 10, p. 1798).
  13. 1986

  14. Гельмонт Б. Л., Елюхин В. А., Зегря Г. Г., Портной Е. Л., Эбаноидзе М. К. Пороговые характеристики инжекционного лазера с одним слабо легированным гетеропереходом. ФТП, 1986, т. 20, в. 11, с. 2061–2964 (Gel'mont B.  L., Elyukhin V. A., Zegrya G. G., Portnoi E. L., Ebanoidze M. K. Threshold characteristics of an injection laser with one lightly doped heterojunction. Sov. Phys.  Semicond., November 1986, v. 20, no. 11, p. 1289–1291).
  15. 1988

  16. Гельмонт Б. Л., Зегря Г. Г. Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом. ФТП, 1988, т. 22, в. 8, с. 1381–1386 (Gel'mont B. L., Zegrya G. G. Electromagnetic theory of an injection laser with one heterojunction. Sov. Phys. Semicond., August 1988, v. 22, no. 8, p. 876–878).
  17. 1991

  18. Алферов Ж. И., Ефремов Ю. Н., Голант В. Е., Гуревич В. Л., Захарченя Б. Я., Зегря Г. Г., Ипатова И. П., Перель В. И., Парийский Н. Н., Чернин А. Д. Лев Эммануилович Гуревич (некролог). УФН, июнь 1991, т. 161, в. 6, с. 207–209 (Alferov  Zh. I., Efremov  Y. N., Golant V. E., Gurevich V. L., Zakharchenya B. J., Zegrya G. G., Ipatova I. P., Perel V. I., Pariiskii N. N., Chernin  A. D. Gurevich Lev Emmanuilivich (Obituary). Sov. Phys. Usp., June 1991, v. 34, no. 6, p. 545).
  19. Андаспаева А. А., Баранов А. Н., Гельмонт Б. Л., Джуртанов Б. Е., Зегря Г. Г., Именков А. Н., Яковлев Ю. П., Ястребов С. Г. Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС-лазеров на основе GaInAsSb. ФТП, 1991, т. 25, в. 3, с. 394–401 (Andaspaeva A. A., Baranov A. N., Gel'mont B. L., Dzhurtanov B. E., Zegrya G. G., Imenkov A. N., Yakovlev Yu. P., Yastrebov S. G. Investigation of the temperature dependence of the threshold current density of double-heterostructure GaInAsSb lasers. Sov. Phys. Semicond., March 1991, v. 25, no. 3, p. 240–244).
  20. Гельмонт Б. Л., Зегря Г. Г. Температурная зависимость пороговой плотности тока инжекционного гетеролазера. ФТП, 1991, т. 25, в. 11, c. 2019–2023 (Gel'mont B. L., Zegrya G. G. Temperature dependence of the threshold current density of an injection heterolaser. Sov. Phys. Semicond., November 1991, v. 25, no. 11, p. 1216–1218).
  21. 1992

  22. Айдаралиев М. Ш., Зегря Г. Г., Зотова Н. В., Карандашев С. А., Матвеев Б. А., Стусь Н. М., Талалакин Г. Н. Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb. ФТП, 1992, т. 26, в. 2, c. 246–256 (Aidaraliev M. Sh., Zegrya G. G., Zotova N. V., Karandashev S. A., Matveev B. A., Stus' N. M., Talalakin G. N. Nature of the temperature dependence of the threshold current density of long-wavelength InAsSbP/InAs and InAsSbP/InAsSb double-heterostructure lasers. Sov. Phys. Semicond., February 1992, v. 26, no. 2, p. 138–143).
  23. Зегря Г. Г., Харченко В. А. Новый механизм оже-рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниковых гетероструктурах. ЖЭТФ, 1992, т. 101, в.  1, с. 327–343 (Zegrya G. G., Kharchenko V. A. New mechanism of Auger recombination of nonequilibrium current carriers in semiconductor heterostructures. Sov. Phys. JETP, January 1992, v. 74, no. 1, p. 173–181).
  24. Suris R. A., Zegrya G. G. Resonant hole tunneling through a single heterobarrier in semiconductor heterostructures. Semicond. Sci. Technol., March 1992, v. 7, no. 3, p. 347–351.
  25. Зегря Г. Г., Паршин Д. А., Шабаев А. Р. Длинноволновый сдвиг края усиления в полупроводниковых гетеролазерах. ФТТ, 1992, т. 34, в. 4, с. 1224–1230 (Zegrya G. G., Parshin L.  A., Shabaev A. R. Long-wavelength shift of the gain edge of semiconductor heterolasers. Sov. Phys. Solid State, April 1992, v. 34, no. 4, p. 648–651).
  26. 1994

  27. Андреев А. Д., Зегря Г. Г. Беспороговый механизм оже-рекомбинации в полупроводниках в квантующем магнитном поле. ЖЭТФ, 1994, т. 105, в. 4, с. 1005–1016 (Andreev A. D., Zegrya G. G. Threshold-free mechanism of Auger recombination in semiconductors in quantized magnetic field. JETP, 1994, v. 78, no. 4, p. 539–545).
  28. 1995

  29. Михайлова М. П., Зегря Г. Г., Моисеев К. Д., Тимченко М. Н., Яковлев Ю. П. Обнаружение электролюминесценции локализованных носителей в одиночных разъединенных гетеропереходах II типа p-GaInAsSb/p-InAs. ФТП, 1995, т. 29, в. 4, с. 687–696 (Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Moiseev K. D., Timchenko I. N., Yakovlev Yu. P. Observation of electroluminescence of confined carriers at single p-GaInAsSb/p-InAs type-II broken-gap heterojunctions. Semicond., April 1995, v. 29, no. 4, p. 357–361).
  30. Андреев А. Д., Зегря Г. Г. Механизм подавления процессов оже-рекомбинации в гетероструктурах II типа. Письма ЖЭТФ, 1995, т. 61, в. 9, с. 749–754 (Andreev A. D., Zegrya G. G. Mechanism of a suppression of Auger recombination in type-II heterostructures. JETP Lett., 10 May 1995, v. 61, no. 9, p. 764–770).
  31. Данилова Т. Н., Ершов О. Г., Зегря Г. Г., Именков А. Н., Степанов М. В., Шерстнев В. В., Яковлев Ю. П. Поляризация излучения ДГС-лазеров на основе InAsSb/InAsSbP. ФТП, 1995, т. 29, в. 9, с. 1604–1610 (Danilova T. N., Ershov O. G., Zegrya G. G., Imenkov A. N., Stepanov M. V., Sherstnev V. V., Yakovlev Yu. P. Polarization of the emission from double-heterostructure lasers based on InAsSb/InAsSbP. Semicond., September 1995, v. 29, no. 9, p. 834–837).
  32. Зегря Г. Г., Мастеров В. Ф. Механизм увеличения интенсивности f–f-люминесценции в полупроводниках. ФТП, 1995, т. 29, в. 10, с. 1893–1905 (Zegrya G. G., Masterov V. F. Mechanism of the intensification of f–f-luminescence in semiconductors. Semicond., October 1995, v. 29, no. 10, p. 989–995).
  33. Зегря Г. Г., Гунько Н. А., Именков А. Н., Фролушкина Е. В., Яковлев Ю. П. Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС-лазеров на основе GaInAsSb с тонкой активной областью. ФТП, 1995, т. 29, в. 12, c. 2218–2227 (Zegrya G. G., Gun'ko N. A., Frolushkina E. V., Imenkov A. N., Yakovlev Yu. P. Characreristic features of the temperature dependence of the threshold current density of GaInAsSb double-heterostructure lasers with a thin active region. Semicond., December 1995, v. 29, no. 12, p. 1157–1161).
  34. Zegrya G. G., Andreev A. D. Mechanism of suppression of Auger recombination processes in type-II heterostructures, Appl. Phys. Lett., 30 October 1995, v. 67, no. 18, p. 2681–2683.
  35. Зегря Г. Г. Излучательные и безызлучательные переходы носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах. Автореф. дисс. на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук, Санкт-Петербург, 1995 (Zegrya G. G. Radiative and nonradiative junctions of charge carriers in semiconductor heterostructures. Doctor Theses, St. Petersburg, 1995).
  36. 1996

  37. Зегря Г. Г., Андреев А. Д. Теория рекомбинации неравновесных носителей в гетероструктурах типа II. ЖЭТФ, 1996, т. 109, в. 2, c. 615–638 (Zegrya G. G., Andreev A. D. Theory of recombination of nonequilibrium carriers in type-II heterostructures. JETP, February 1996, v. 82, no. 2, p. 328–338).
  38. Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Moiseev K. D., Yakovlev Yu. P. Interface electroluminesence of confined carriers in type-II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs single heterojunction. Solid State Electron,, 1996, v. 40, no. 1–8, p. 673–677.

    1997

  39. Андреев А. Д., Зегря Г. Г. Оже-рекомбинация в напряженных квантовых ямах. ФТП, 1997, т. 31, в. 3, с. 358–364 (Andreev A. D., Zegrya G. G. Auger recombination in strained quantum wells. Semicond., March 1997, v. 31, no. 3, p. 297–303).
  40. Зегря Г. Г., Гунько Н. А., Евтихиев Е. П., Котельников Е. Ю., Кудрявцев И. П. Исследование нового беспорогового механизма оже-рекомбинации в квантовых ямах. Инф. бюлл. РФФИ, 2 января 1997, т. 5, с. 472 (Zegrya G. G., Gun'ko N. A., Evtikhiev E. P., Kotel'nikov E. Yu., Kudryavtsev I. P. Investigation of a new no-threshold Auger-recombination mechanism in quantum wells. Inform. RFBR Bull., 2 January 1997, v. 5, p. 472, in Russian).
  41. Яковлев Ю. П., Моисеев К. Д., Михайлова М. П., Ершов О. Г., Зегря  Г. Г. Излучение длинноволновой гетероструктуры с одним изолированным гетеропереходом II типа GaInAsSb/PInAs. Письма в ЖТФ, 1997, т. 21, в. 21, с. 482–484.
  42. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theoretical study of thresholdless Auger recombination in compressively strained InAlAsSb/GaSb quantum wells. Appl. Phys. Lett., 3 February 1997, v. 70, no. 5, p. 601–603.
  43. Баженов Н. Л., Зегря Г. Г., Михайлова М. П., Моисеев К. Д., Смирнов В. А., Соловьева О. Ю., Яковлев Ю. П. Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении. ФТП, 1997, т. 31, в. 6, с. 658–661 (Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Moiseev K. D., Smirnov V. A., Solovieva O. Yu., Yakovlev Yu. P. Radiative recombination on the interface in a p-GaInAsSb/p-InAs type-II (broken-gap) heterostructure upon pulsed excitation. Semicond., 1997, v. 31, no. 6, p. 560–562).
  44. Баженов Н. А., Зегря Г. Г., Иванов-Омский В. И., Михайлова М. П., Михайлов М. Ю., Моисеев К. Д., Смирнов В. А., Яковлев Ю. П. Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах. ФТП, 1997, т. 31, в. 10, с. 1216–1219 (Bazhenov N. A., Zegrya G. G., Ivanov-Omskii V. I., Mikhailova M. P., Mikhailov M. Y., Moiseev K. D., Smirnov V. A., Yakovlev Yu. P. Electroluminescence of the unkonfined heterostructure p-GaInAsSb/p-InAs at liquid-helium temperatures. Semicond., 1997, v. 31, no. 10, p. 1046–1048).
  45. Гунько Н. А., Зегря Г. Г., Зотова Н. В., Соколова З. Н., Стусь Н. М., Халфин В. Б. Влияние межподзонного поглощения в валентной зоне на пороговые характеристики длинноволновых лазеров на основе InAs. ФТП, 1997, т. 31, в. 11, с. 1396–1403 (Gun'ko N. A., Zegrya G. G., Zotova N. V., Sokolova Z. N., Stus' N. M., Khalfin V. B. Influence of valence band absorption on the threshold characteristics of long-wavelength InAs lasers. Semicond., 1997, v. 31, no. 11, p. 1204–1211).
  46. 1998

  47. Зегря Г. Г., Перлин В. Е. Внутризонное поглощение света в квантовых ямах за счет электрон-электронных столкновений. ФТП, 1998, т. 32, в. 4, с. 466–471 (Zegrya G. G., Perlin V. E. Intraband absorption of light in quantum wells induced by electron-electron collisions. Semicond., April 1998, v. 32, no. 4, p. 417–422).
  48. Воробьев Л. Е., Донецкий Д. В., Фирсов Д. Ф., Бондаренко Е. Б., Зегря Г. Г., Тове Е. Излучение терагерцевого диапазона из квадратных ям в продольном электрическом поле. Письма ЖЭТФ, 1998, т. 67, в. 7, с. 507–511 (Vorob'ev L. E., Donetskii D. V., Firsov D. A., Bondarenko E. B., Zegrya G. G., Towe E. Terahertz emission from square wells in a longitudinal electric field. JETP Lett., 10 April 1998, v. 67, no. 7, p. 533–538).
  49. Gunko N. A., Khalfin  V. B., Sokolova Z. N., Zegrya G. G. Optical loss in InAs-based long-wavelength lasers. J. Appl. Phys., 1 July 1998, v. 84, no. 1, p. 547–554.
  50. Cучалкин С. Д., Васильев Ю. Б., фон Клитциг К., Головач В. Н., Зегря Г. Г., Иванов С. В., Копьев П. С., Мельцер Б. Я. К вопросу о природе осцилляций циклотронного поглощения в квантовых ямах InAs/GaSb. Письма ЖЭТФ, 1998, т. 68, в. 10, с. 753–758 (Suchalkin S. D., Vasil'ev Y. B., von Klitzig K., Golovach V. N., Zegrya G. G., Ivanov S. V., Kop'ev P. S., Mel'tser B. Y. On the nature of the oscillations of cyclotron absorption in InAs/GaSb quantum wells. JETP Lett., 25 November 1998, v. 68, no. 10, p. 792–798).
  51. Зегря Г. Г., Гунько Н. А. Теоретическое исследование пороговых характеристик лазеров на многих квантовых ямах на основе InGaN. ФТП, 1998, т. 32, в. 7, с. 843–848 (Zegrya G. G., Gun'ko N. A. Theoretical study of the threshold characteristics of InGaN multiquantum well lasers. Semicond., July 1998, v. 32, no. 7, p. 749–753).
  52. Зегря Г. Г., Полковников А. С. Механизмы оже-рекомбинации в квантовых ямах. ЖЭТФ, 1998, т. 113, в. 4, с. 1491–1521 (Zegrya G. G., Polkovnikov A. S. Mechanisms of Auger recombination in quantum wells. JETP, April 1998, v. 86, no. 4, p. 815–832).
  53. Zegrya G. G., Masterov V. F. Mechanism of generation of f–f-radiation in semiconductor heterostructures. Appl. Phys. Lett., 7 December 1998, v. 73, no. 23, p. 3444–3446.
  54. Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Auger recombination in semiconductor quantum wells. Phys. Rev. B, 15 August 1998, v. 58, no. 7, p. 4039–4056.
  55. 1999

  56. Зегря Г. Г. Михайлова М. П., Данилова Т. Н., Именков Ю. П. Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и InAs/GaInAsSb. ФТП, 1999, т. 33, в. 3, с. 351–356 (Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Danilova T. N., Imenkov Yu. P. Suppression of Auger recombination in diode lasers utilizing InAsSb/InAsSbP and InAs/GaInAsSb type-II heterojunctions. Semicond., March 1999, v. 33, no. 3, p. 350–354).
  57. Gunko N. A., Khalfin V.   B., Sokolova Z. N., Zegrya  G. G. Optical loss in InAs-based long-wavelength lasers. J. Appl. Phys., 1 July 1998, v. 84, no. 1, p. 547–554.
  58. Tkach M. V., Pronyshyn T. V., Makhanets A. M., Zegrya G. G., Golovach V. N. Electron and hole spectra in the superlattice of cylindrical quantum wires. Cond. Mat. Phys., 1999, v. 2, no. 3(19), p. 553–560.
  59. Головач В. Н., Зегря Г. Г., Маханец А. И., Пронишин И. В., Ткач Н. В. Спектры электронов и дырок в сверхрешетке цилиндрических квантовых проволок. ФТП, 1999, т. 33, в. 5, с. 603–607 (Golovach V. N., Zegrya G. G., Makhanets A. I., Pronishin I. V., Tkach N. V. Electron and hole spectra in a superlattice of cylindrical quantum wires. Semicond., May 1999, v. 33, no. 5, c. 564–568).
  60. Костко И. А., Евтихиев Е. П., Котельников Е. Ю., Зегря Г. Г. Повышение мощности лазеров с широким волноводом посредством дополнительной селекции поперечных мод. ФТП, 1999, т. 33, в. 6, с. 752–758 (Kosko I. A., Evtikhiev V. P., Kotel'nikov E. Yu., Zegrya G. G. Increasing the power of broad-waveguide lasers by additional selection of transverse modes. Semicond., June 1999, v. 33, no. 6, p. 693–699).
  61. Kostko I. A., Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Yu., Zegrya G. G. Power rise in broad-waveguide diode laser with inclined facet. Appl. Phys. Lett., 15 February 1999, v. 74, no. 7, p. 905–907.
  62. Asryan L. V., Gun'ko N. A., Polkovnikov A. S., Suris R. A., Zegrya G. G., Elenkrig B. B., Smetona S., Simmons J. G., Lau P.-K., Makino T. High power and high temperature operation of InGaAsP/InP multiple quantum well lasers. Semicond. Sci. Technol., December 1999, v. 14, no. 12, p. 1069–1075.
  63. Соколова З. Н., Винокуров Д. А., Тарасов И. С., Гунько Н. А., Зегря Г. Г. Гетероструктуры в системе InGaAs/InP с напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками (a =1,5–1,9 мкм). ФТП, 1999, т. 33, в. 9, с. 1105–1107 (Sokolova Z. N., Vinokurov D. A., Tarasov I. S., Gun'ko N. A., Zegrya G. G. InGaAs/InP heterostructures with strained quantum wells and quantum dots (a =1.5–1.9 μm). Semicond., September 1999, v. 33, no. 9, p. 1007–1009).
  64. Зегря Г. Г. Квантование магнитной индукции в 2D-системе в условиях квантового эффекта Холла. ФТП, 1999, т. 33, в. 9, с. 1144–1147 (Zegrya G. G. Quantization of magnetic induction in a 2D system under conditions of quantum Hall effect. Semicond., September 1999, v. 33, no. 9, p. 1043–1046).
  65. 2000

  66. Tkach N. V., Makhanets A. M., Zegrya G. G. Energy spectrum of electron in quasiplane superlattice of cylindrical quantum dots. Semicond. Sci. Technol., April 2000, v. 15, no. 4, p. 395–398.
  67. Догонкин Е. Б., Зегря Г. Г., Полковников А. С. Микроскопическая теория оже-рекомбинации в квантовых нитях. ЖЭТФ, 2000, т. 117, в. 2, с. 429–439 (Dogonkin E. B., Zegrya G. G., Polkovnikov A. S. Microscopic theory of Auger recombination in quantum wires. JETP, 2000, v. 90, no. 2, p. 378–388).
  68. Гунько Н. А., Полковников А. С., Зегря Г. Г. Расчет коэффициентов оже-рекомбинации в гетероструктуре с квантовыми ямами InGaAsP/InP. ФТП, 2000, т. 34, 462–466 (Gun`ko N. A., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. A numerical calculation of Auger recombination coefficients for InGaAsP/InP quantum well heterostructures. Semicond., 2000, v. 34, p. 448–452).
  69. Asryan L. М., Gun'ko N. A., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G., Suris R. A., Lau P.-K., Makino T. Threshold characteristics of InGaAsP/InP multiple quantum well lasers. Semicond. Sci. Technol., 2000, v. 15, no. 12, p. 1131–1140.
  70. Пелещак Р. М., Лукиянец Б. А., Зегря Г. Г. Влияние электрического поля на напряженное состояние гетероструктуры. ФТП, 2000, т. 34, p. 1223–1227 (Peleshchak R. M., Lukiyanets B. A., Zegrya G. G. Influence of an electric field on the strained state of a heterostructure. Semicond., 2000, v. 34, p. 1172–1176).
  71. 2001

  72. Зегря Г. Г. Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона: достижения и проблемы. Сорос. образов. журн., 2001, т. 7, в. 6, с. 70–74 (Zegrya G. G. Semiconductor mid-infrared lasers: achievements and problems. Soros Educ. J., 2001, v. 7, no. 6, p. 67, in Russian).
  73. Воробьев Л. Е., Зегря Г. Г., Фирсов Д. А.  Оже-лазер среднего инфракрасного диапазона на межподзонных переходах носителей заряда в квантовых ямах. Изв. РАН, 2001, сер. физ., т. 65, в. 2, с. 231–233 (Vorobjev L. E., Zegrya G. G., Firsov D. A. Mid-infrared range Auger laser based on intersubband transitions of carriers in quantum wells. Izv. Akad. Nauk, February 2001, ser. fiz., v. 65, no. 2, p. 230–232).
  74. Грешнов А. А., Зегря Г. Г., Васильев Ю. Б., Сучалкин С. Д., Мельцер Б. Я., Иванов С. В., Копьев П. С. Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле. Письма ЖЭТФ, 2002, т. 76, c. 258–262 (Greshnov A. A., Zegrya G. G., Vasil`ev Y. B., Suchalkin S. D., Mel`tser B. Y., Ivanov S. V., Kop`ev P. S. Cyclotron resonance in the InAs/GaSb heterostructure in an inclined magnetic field. JETP Lett., 2002, v. 76, p. 222–226).
  75. Догонкин Е. Б., Зегря Г. Г. Новый механизм охлаждения квантовых систем током. Письма ЖЭТФ, 25 сент. 2001, т. 74, в. 6, с. 346–351 (Dogonkin E. B., Zegrya G. G. New mechanism of current-induced cooling of quantum systems. JETP Lett., 2001, v. 74, no. 6, p. 312–317).
  76. Ткач Н. В., Маханец А. М., Зегря Г. Г. Электроны, дырки и экситоны в сверхрешетке цилиндрических квантовых точек с предельно слабой связью квазичастиц между слоями квантовых точек. ФТП, 2002, т. 36, в. 5, с. 543–549 (Tkach N. V., Makhanets A. M., Zegrya G. G. Electrons, holes, and excitons in a superlattice of cylindrical quantum dots with the weakest quasi-particle connection between layers. Phys. Tech. Semicond., 2001, v. 36, no. 5, p. 543–549).
  77. Гунько Н. А., Полковников А. С., Зегря Г. Г. Расчет коэффициентов оже-рекомбинации в гетероструктуре с квантовыми ямами InGaAsP/InP.ФТП, 2000, т. 34, c. 462–466 (Gun`ko N. A., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. A numerical calculation of Auger recombination coefficients for InGaAsP/InP quantum well heterostructures. Semicond., 2000, v. 34, no. 4, p. 448–452).
  78. Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Mynbaev K. D., Smirnov V. A., Yakovlev Yu. P. Numerical analysis of the energy-band diagram of type-II p-GaInAs/p-InAs heterojunction and size-quantization level at the interface. Semicond. Sci. Technol., September 2001, v. 16, no. 9, p. 812–815.
  79. Зегря Г. Г., Пихтин Н. А., Скрынников Г. В., Слипченко С. О., Тарасов И. С. Исследования пороговых характеристик InGaAsP/InP гетеролазеров (λ=1,55 мкм). ФТП, 2001, т. 35, в. 8, с. 1001–1004 (Zegrya G. G., Pikhtin N. A., Skrynnikov G. V., Slipchenko S. O., Tarasov I. S. Threshold chatacteristics of λ=1.55 μm InGaAsP/InP heterolasers. Semicond., 2001, v. 35, no. 8, p. 962–969).
  80. Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Design of semiconductor laser with  current-induced cooling. Electron. Lett., 2001, v. 37, no. 22, p. 1339–1341.
  81. Samsonidze  G. G., Zegrya G. G. Auger recombination in semiconductor quantum wells in a magnetic field. Phys. Rev. B, 15 February 2001, v. 63, no. 7, art. 075317-1–075317-13.
  82. Polkovnikov A., Zegrya G. Electron-electron relaxation effect on Auger recombination in direct-band semiconductors. Phys. Rev. B, 31 July 2001, v. 64, no. 7, art. 073205.
  83. 2002

  84. Zegrya G. G., Pokutnyi S. I., Jacak L., Misiewicz J., Salejda W. Stark effect in semiconductor quantum dots. Semicond. Sci. Tech., 9 July 2002, v. 17, no. 7, p. 1–6.
  85. Зегря Г. Г., Константинов О. В., Матвеенцев А. В. Энергетический спектр носителей в квантовой точке формы сильно сплюснутого эллипсоида вращения. Письма ЖТФ, 26 августа 2002, т. 28, в. 16, с. 65–70 (Zegrya G. G., Konstantinov O. V., Marveentsev A. V. The energy spectrum of charge carriers in a strongly oblate ellipsoidal quantum dot. Tech. Phys. Lett., 2002, v. 28, no. 8, p. 693–695).
  86. Грешнов А. А., Зегря Г. Г., Васильев Ю. Б., Сучалкин С. Д., Мельцер Б. Я., Иванов С. В., Копьев П. С. Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле. Письма ЖЭТФ, 2002, т. 76, в. 4, с. 258–262 (Greshnov A. A., Zegrya G. G., Vasil'ev Y. B., Suchalkin S. D., Meltser B. Y., Ivanov S.  V., Kop'ev P. S. Cyclotron resonsnce in the InAs/GaSb heterostructure in an inclined magnetic field. JETP Lett., 2002, v. 76, no. 4, p. 222–226).
  87. Ткач Н. Б., Маханец Ф. М., Зегря Г. Г. Электроны, дырки и экситоны в сверхрешетке цилиндрических квантовых точек с предельно слабой связью квазичастиц между слоями квантовых точек. ФТП, 2002, т. 36, в. 5, с. 543–549 (Tkach N. V., Makhanets A. M., Zegrya G. G. Electrons, holes, and excitons in a superlattice composed of cylindrical quantum dots with extremely weak coupling between quasiparticles in neighboring layers of quantum dots. Semicond., 2002, v. 36, no. 5, p. 511–518).
  88. 2003

  89. Скрынников Г. В., Пихтин Н. А., Слипченко С. О., Шамахов В. В., Тарасов И. С., Зегря Г. Г. О внутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP-гетеролазеров (λ=1,55 мкм). ФТП, 2004, т. 37, в. 2, с. 243–248 (Skrynnikov G. V., Zegrya G. G., Pikhtin N. A., Slipchenko S. O., Shamakhov V. B., Tarasov I. S. Internal quantum efficiency of stimulated emission of λ=1.55 μm InGaAsP/InP laser diodes. Semicond., 2003, v. 37, no. 2, p. 233–238).
  90. Зегря Г. Г., Константинов О. В., Матвеенцев А. В. Структура энергетических квантовых уровней в квантовой точке, имеющей форму сплюснутого тела вращения. ФТП, 2003, т. 37, в. 3, с. 334–338 (Zegrya G. G., Konstantinov O. V., Matveentsev A. V. Structure of energy quantum levels in a quantum dot shaped as an oblate body of revolution. Semicond., 2003, v. 37, no. 3, p. 317–321).
  91. Greshnov A. A., Kolesnikova E. N., Zegrya G. G. Spectrum of carriers and optical properties of 2D heterostructures in a tilted magnetic field. Int. J. Nanosci., 11 May 2003, v. 2, no. 6, p. 401–409.
  92. Vasilyev Y. B., Suchalkin S. D., Polkovnikov A. C., Zegrya G. G. Injection cascade lasers with graded gap barriers. J. Appl. Phys., 1 March 2203, v. 93, no. 5, p. 2349–2352.
  93. Solov'ev I. Y., Zegrya G. G. Nonradiative recombination in quantum dots via Coulomb interaction with carriers in the barrier region. Appl. Phys. Lett., 21 April 2003, v. 82, no. 16, p. 2571–2573.
  94. 2004

  95. Серов А. Ю., Зегря Г. Г. Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле. ЖЭТФ, июль 2004, т. 126, в. 1, с. 170–180 (Serov A. Y., Zegrya G. G. Resonant tunneling through a double-barrier quantum well in a transverse magnetic field. JETP, 2004, v. 99, no. 1, p. 147–156).
  96. Новиков И. И., Гордеев Н. Ю., Максимов М. В., Шерняков Ю. М., Семенова Е. С., Васильев А. П., Жуков А. Е., Устинов В. М., Зегря  Г. Г. Температурная зависимость эффективного коэффициента оже-рекомбинации в лазерах InAs/GaAs на квантовых точках с длиной волны излучения 1,3 мкм. ФТП, 2005, т. 39, в. 4, с. 507–511 (Novikov I. I., Gordeev N. Y., Maksimov M. V., Shernyakov Y. M., Semenova E. S., Vasil'ev A. P., Zhukov A. E., Ustinov V. M., Zegrya G. G. Temperature dependence of the effective coefficient of Auger recombination in 1.3 μm InAs/GaAs QD-lasers. Semicond., 2005, v. 39, no. 4, p. 481–484).
  97. Зерова В. Л., Воробьев Л. Е., Зегря Г. Г. Влияние электрон-электронных столкновений на внутризонную инверсную заселенность электронов в ступенчатых квантовых ямах. ФТП, 2004, т. 38, в. 6, с. 716–722 (Zerova V. L., Vorob'ev L. E., Zegrya G. G. Electron–electron scattering in stepped quantum wells. Semicond., 2004, v. 38, no. 6, p. 689–695).
  98. Карачинский Л. Я., Новиков И. И., Гордеев Н. Ю., Зегря Г. Г. Механизм сверхизлучения Дике в полупроводниковых гетероструктурах. ФТП, 2004, т. 38, в. 7, с. 872–876 (Karachinsky L. Y., Novikov I. I., Gordeev N. Y., Zegrya G. G. Mechanism of Dicke superradiance in semiconductor heterostructures. Semicond., 2004, v. 38, no. 7, p. 837–841).
  99. Зерова В. Л., Воробьев Л. Е., Зегря Г. Г. Влияние электронно-электронных и электронно-дырочных столкновений на внутризонную инверсную населенность электронов в ступенчатых квантовых ямах. ФТП, сентябрь 2004, т. 38, в. 9, с. 1090–1096 (Zerova V. L., Vorob'ev L. E, Zegrya G. G. Effect of electron-electron and electron-hole collisions on intraband population inversion of electrons in stepped quantum wells. Semicond., 2004, v. 38, no. 9, p. 1053–1060).
  100. Pokutnyi S. I., Zegrya G. G., Jacak L., Misievicz J., Salejda W. Stark effect in semiconductor quantum dots. J. Appl. Phys., 15 July 2004, v. 96, no. 2, p. 1115–1119.
  101. 2005

  102. Новиков И. И., Гордеев Н. Ю., Максимов М. В., Шерняков Ю. М., Семенова Е. С., Васильев А. П., Жуков А. Е., Устинов В. М., Зегря Г. Г. Температурная зависимость эффективного коэффициента оже-рекомбинации в лазерах InAs/GaAs на квантовых точках с длиной волны излучения 1,3 мкм. ФТП, 2005, т. 39, в. 4, с. 507-511 (Novikov I. I., Gordeev N. Y., Maksimov M. V., Shernyakov Y. M., Semenova E. S., Vasil'ev A. P., Zhukov A. E., Ustinov V. M., Zegrya G. G. Temperature dependence of the effective coefficient of Auger recombination in 1.3 μm InAs/GaAs QD-lasers. Semicond., 2005, v. 39, no. 4, p. 481–484).
  103. Зегря Г. Г., Соловьев И. Ю. Влияние эффекта насыщения усиления на мощность излучения полупроводниковых лазеров на квантовых ямах. ФТП, май 2005, т. 39, в. 5, с. 636–640 (Zegrya G. G., Solov'ev I. Y. The influence of gain saturation on the output power of quantum-well semiconductor lasers. Semicond., 2005, v. 39, no. 5, p. 603–607).
  104. Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Иванов-Омский В. И., Зегря Г. Г., Смирнов В. А., Евтихиев В. П., Пихтин Н. А., Растегаева М. Г., Станкевич А. Л., Тарасов И. С., Школьник А. С. Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах. ФТП, октябрь 2005, т. 39, в. 10, с. 1252–1256 (Bazhenov N. L., Mynbaev K.  D., Ivanov-Omsky V. I., Zegrya G. G., Smirnov V. A., Evtikhiev V. P., Pikhtin N. A., Rastegaeva M. G., Stankevich A. L., Tarasov I. S., Shkolnik A. S. Temperature dependence of the threshold current of QW lasers. Semicond., 2005, v. 39, no. 10, p. 1210–1214).
  105. Shkolnik A. S., Karachinsky L. Y., Gordeev N. Y., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G. Observation of the biexponential ground-state decay time bahaviour in InAs self-assembled quantum dots grown on misoriented substrates. Appl. Phys. Lett., 23 May 2005, v. 86, no. 21, art. 211112-1–211112-3.
  106. Serov A. Y., Zegrya G. G. Suppression of intrinsic bistability in resonant-tunneling diode by in-plane magnetic field. Appl. Phys. Lett., 17 January 2005, v. 86, no. 3, art. 03210-1–03210-3.
  107. 2006

  108. Школьник А. С., Евтихиев В. П., Зегря Г. Г. Соотношение между квазипороговым и беспороговым процессами оже-рекомбинации в квантовых точках InAs/GaAs. Письма ЖТФ, 2006, т. 32, в. 15, c. 51–59 (Shkolnik A. S., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G. Relationship between quasi-threshold and thresholdless Auger recombination processes in InAs/GaAs quantum dots. Tech. Phys. Lett., 2006, v. 32, no. 8, p. 670–673).
  109. Зегря Г. Г. Новый метод диагностики аминокислот с помощью полупроводниковых квантовых точек. Письма ЖТФ, 2006, т. 32, в. 4, с. 75–81 (Zegrya G. G. A new method for amino acid diagnostics using semiconductor quantum dots. Tech. Phys. Lett., February 2006, v. 32, no. 2, p. 174–176).
  110. Грешнов А. А., Колесникова Э. Н., Зегря Г. Г. Точность квантования холловской проводимости в образце конечных размеров: степенной закон. ФТП, 2006, т. 40, в. 1, с. 93–97 (Greshnov A. A., Kolesnikova E. N., Zegrya G. G. Precision of quantization of the Hall conductivity in a finite-size sample: power law. Semicond., January 2006, v. 40, no. 1, p. 89–93).
  111. Костко И. А., Гунько Н. А., Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Зегря Г. Г. Влияние внутризонной электронной релаксации на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах. ФТП, 2006, т. 40, в. 4, с. 488–492 (Kostko I. A., Gun'ko N. A., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Zegrya G. G. Effect of intraband carrier relaxation on the threshold characteristics of quantum well lasers. Semicond., April 2006, v. 40, no. 4, p. 481–485).
  112. Moiseev K. D., Ivanov E. V., Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Yakovlev Y. P., Hulicius E., Hospodkova A., Pangrac J., Melichar K., Simecek T. Room-temperature electroluminiscence of AlSb/InAsSb single quantum wells grown by metal organic vapor phase epitaxy. Appl. Phys. Lett., 27 March 2006, v. 88, no. 13, art. 132102.
  113. 2007

  114. Ткач Н. В., Сети Ю. А., Зегря Г. Г. Электронные свойства открытых полупроводниковых квантовых точек. Письма ЖТФ, 2007, т. 33, в. 1, с. 70–80 (Tkach N. V., Seti Y. A., Zegrya G. G. Electron properties of open semiconductor quantum dots. Tech. Phys. Lett., 2007, v. 33, no. 1, c. 35–39).
  115. Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Зегря Г. Г. Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур. ФТП, 2007, т. 41, в. 2, c. 190–195 (Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Zegrya G. G. Dielectric function of quasi-2D semiconductor nanostructures. Semicond., 2007, v. 41, no. 2, c. 184–189).
  116. Зегря Г. Г., Самосват Д. М. Механизмы оже-рекомбинации в полупроводниковых квантовых точках. ЖЭТФ, 2007, т. 131, в. 6, c. 1090–1106 (Zegrya G. G., Samosvat D. M. Mechanisms of Auger recombination in semiconducting quantum dots. J. Exp. Theor. Phys., 2007, v. 104, no. 6, p. 951–965).
  117. Грешнов А. А., Зегря Г. Г. Целочисленный квантовый эффект Холла в коррелированном хаотическом потенциале. Письма ЖЭТФ, 2007, ФТП, т. 41, в. 11, с. 1347–1352 (Greshnov A. A., Zegrya G. G. Integer quantum hall effect and correlated disorder. Semicond., 2007, v. 41, no. 11, p. 1329–1334).
  118. Грешнов А. А., Калитеевский М. А., Abram R. A., Brand S., Зегря Г. Г. Плотность состояний одномерного разупорядоченного фотонного кристалла. ФТТ, 2007, т. 49, в. 10, с. 1904–1908 (Greshnov A. A., Kaliteevskii M. A., Abram R. A., Brand S., Zegrya G. G. Density of states of a one-dimensional disordered photonic crystal. Phys. Solid State, 2007, v. 49, no. 10, p. 1999–2003).
  119. 2008

  120. Орленко Ф. Е., Зегря Г. Г., Орленко Е. В. Усиление парамагнитных эффектов при спиновом выстраивании в 2D-полупроводниках. ЖТФ, 2008, т. 78, в. 8, с. 22–27 (Orlenko F. E., Zegrya G. G., Orlenko E. V. Enhancement of paramagnetic effects during spin alignment in 2D semiconductors. Tech. Phys., 2008, v. 53, no. 8, p. 978–984).
  121. Greshnov A. A., Kaliteevski M. A., Abram R. A., Brand S., Zegrya G. G. Density of states in 2D disordered photonic crystals: analytical solution. Solid State Commun., 2008, v. 146, no. 3–4, p. 157–160.
  122. Школьник А. С., Савельев А. В., Карачинский Л. Я., Гордеев Н. Ю., Сейсян Р. П., Зегря Г. Г., Пеллегрини С., Буллер Г. С., Евтихиев В. П. Роль процессов переноса неравновесных носителей заряда в излучательных свойствах массивов InAs/GaAs-квантовых точек. ФТП, 2008, т. 42, в. 3, c. 296–302 (Shkolnik A. S., Savelyev A. V., Karachinsky L. Y., Gordeev N. Y., Seisyan R. P., Zegrya G. G., Pellegrini S., Buller G. S., Evtikhiev V. P. The role of transport processes of nonequilibrium charge carriers in radiative properties of arrays of InAs/GaAs quantum dots. Semicond., 2008, v. 42, no. 3, p. 291–297).
  123. Данилов Л. В., Зегря Г. Г. Теоретическое исследование процессов оже-рекомбинации в глубоких квантовых ямах. ФТП, 2008, т. 42, в. 5, c. 566–572 (Danilov L. V., Zegrya G. G. Theoretical study of Auger recombination processes in deep quantum wells. Semicond., 2008, v. 42, no. 5, p. 550–556).
  124. Данилов Л. В., Зегря Г. Г. Пороговые характеристики ИК-лазера на основе глубоких квантовых ям InAsSb/AlSb. ФТП, 2008, т. 42, no. 5, c. 573–578 (Danilov L. V., Zegrya G. G. Threshold characteristics of an IR laser based on deep InAsSb/AlSb quantum wells. Semicond., 2008, v. 42, no. 5, p. 557–562).
  125. Грешнов А. А., Зегря Г. Г., Колесникова Э. Н. Пиковые величины продольной проводимости в режиме целочисленного квантового эффекта Холла для резкого и плавного хаотических потенциалов. ЖЭТФ, 2008, т. 134,  в. 3, с. 577–586 (Greshnov A. A., Zegrya G. G., Kolesnikova E. N. Peak values of the longitudinal conductivity under integer quantum Hall effect conditions for sharp and smooth chaotic potentials. J. Exp. Theor. Phys., 2008, v. 107, no. 3, p. 491–500).
  126. Савельев А. В., Карачинский Л. Я., Новиков И. И., Гордеев Н. Ю., Сейсян Р. П., Зегря Г. Г. Формирование сверхизлучения в наногетероструктурах с квантовыми точками. ФТП, 2008, т. 42, в. 6, c. 730–735 (Savelyev A. V., Karachinsky L. Ya., Novikov I. I., Gordeev N. Y., Seisyan R. P., Zegrya G. G. Generation of superradiation in quantum dot nanoheterostructures. Semicond., 2008, v. 42, no. 6, p. 714–719).
  127. Грешнов А. А., Зегря Г. Г. Эффекты самосогласованного электростатического потенциала в квантовых ямах с несколькими уровнями размерного квантования в сильных магнитных полях. ФТП, 2008, т. 42, no. 8, с. 994–997 (Greshnov A. A., Zegrya G. G. Effects of self-consistent electrostatic potential in quantum wells with several quantum confinement levels in high magnetic fields. Semicond., 2008, v. 42, no. 8, p. 980–983).
  128. Новиков Б. В., Зегря Г. Г., Пелещак Р. М., Данькив О. О., Гайсин В. А., Талалаев В. Г., Штром И. В., Цырлин Г. Э. Барические свойства квантовых точек InAs. ФТП, 2008, т. 42, в. 9, c. 1094–1101 (Novikov B. V., Zegrya G. G., Peleshchak R. M., Dan`kiv O. O., Gaisin V. A., Talalaev V. G., Shtrom I. V., Cirlin G. E. Baric properties of InAs quantum dots. Semicond., 2008, v. 42, no. 9, p. 1076–1083).
  129. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Theory of σxx peaks in the IQHE regime with correlated disorder potential. Physica E, 2008, v. 40, no. 5, p. 1185–1188.
  130. Gagis G. S., Vasil'ev V. I., Deryagin A. G., Dudelev V. V., Maslov A. S., Levin R. V., Pushnyi B. V., Smirnov V. M., Sokolovskii G. S., Zegrya G. G., Kuchinskii V. I. Novel materials GaInAsPSb/GaSb and GaInAsPSb/InAs for room-temperature optoelectronic devices for a 3–5 μm wavelength range (GaInAsPSb/GaSb and GaInAsPSb/InAs for 3–5 μm). Semicond. Sci. Technol., December 2008, v. 23, no. 12, art. 125026-1–125026-6.
  131. 2009

  132. Зегря Г. Г., Самосват Д. М. Энергетический спектр и время жизни носителей заряда в открытых квантовых точках в электрическом поле. ЖЭТФ, 2009, т. 135, в. 6 (Zegrya G. G., Samosvat D. M. The energy spectrum and lifetime of current carriers in open quantum dots in an electrical field. JETP, 2009, v. 135, no. 6).
  133. 2010

  134. Пелещак Р. М., Бачинский И. Я., Зегря Г. Г. Расчет потенциала и электронной плотности для напряженной полупроводниковой квантовой точки. Письма в ЖТФ, 2010, в. 24, с. 1–8 70 (Peleshchak, R. M., Bachynsky, I. Ya., Zegrya G. G. Calculating potential and electron density for strained semiconductor quantum dots. Tech. Phys. Lett., 2010, v. 36, no. 12, p. 1118–1120).
  135. Утесов О. И., Зегря Г. Г., Грешнов А. А. Генерация чисто спиновых токов при фотоионизации квантовых ям. Письма в ЖЭТФ, 2010, т. 92, в. 1, с. 34–36 (Utesov O. , Zegrya G. G., Greshnov A. A. Generation of pure spin currents during photoionization of quantum wells. JETP Letters, 2010, v. 92, no. 1, p. 33–35).
  136. Орленко Ф. Е., Челкак С. И., Орленко Е. В., Зегря Г. Г. Эффекты понижения размерности системы при спиновом упорядочении в вырожденном электронном газе. ЖЭТФ, 2010, т. 137, в. 5, с. 919–925 (Orlenko F. E., Chelkak S. I., Orlenko E. V., Zegrya G. G. Effects of the reduction of the dimension of a system upon spin ordering in a degenerate electron gas. JETP, 2010, v. 110, no. 5, p. 805–810).
  137. 2011

  138. Orlenko E. V., Orlova T. S., Orlenko F. E., Zegrya G. G. Exchange perturbation theory for multiatomic electron system and its application to spin arrangement in manganite chains. Adv. Phys. Chem, 2011, v.2011, ArtNo: #868610.
  139. 2012

  140. Mikhailova M. P., Ivanov E. V., Danilov L. V., Kalinina K. V., Stoyanov N. D., Zegrya G. G., Yakovlev Y. P., Hulicius E., Hospodkova A., Pangrac J., Zikova M. Superlinear electroluminescence due to impact ionization in GaSb-based heterostructures with deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum wells. J. Appl. Phys., 2012, v. 112, no. 2, ArtNo:#023108.
  141. Glibitskiy G. M., Jelali V. V., Semenov M. O., Roshal A. D., Glibitskiy D. M., Volyanskiy O. Y., Zegrya G. G. Interaction of DNA with silver nanoparticles. Ukrainian J. Phys., 2012, v. 57, no. 7, p.695–699.
  142. Tkach M. V., Seti Y. O., Voitsekhivska O. M., Zegrya G. G. Conductivity of three-barrier resonance tunnel structure. Rom. J. Phys., 2012, v. 57, no. 3–4, p. 620–629.
  143. Шиляев А. В., Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Зегря Г. Г. Энергетический спектр и оптические переходы в наногетероструктурах на основе твердых растворов теллурида кадмия и ртути. НТВ СПбГПУ, 2012, т. 2 (146), с. 69–73 (Shilyaev A. V., Bazhenov N. L. Mynbaev K. D., Zegrya G. G, Energy spectrum and optical transitions in nanoheterostructures based on solid solutions of cadmium telluride and mercury. Direct-Television Transmission of SPbSPU, 2012, v. 2, (146), p.69–73, in Russian).
  144. Баженов Н. Л., Шиляев А. В., Мынбаев К, Д., Зегря Г. Г. Оптические переходы в квантовых ямах на основе CdxHg1-xTe и их анализ с учетом особенностей зонной структуры. ФТП, 2012, т. 46, в. 6, с. 792–797 (Bazhenov N. L., Shilyaev A. V., Mynbaev K. D., Zegrya G. G. Optical transitions in CdxHg1-xTe-based quantum wells and their analysis with account for the actual band structure of the material. Semiconductors, 2012, v.46, no, 6, p. 773–778).
  145. Орленко Ф. Е., Зегря Г. Г., Орленко Е. В. Векторная модель Гейзенберга-Дирака-ван-Флека для одномерной антиферромагнитной цепочки локализованных S=1 спинов. ЖТФ, 2012, т. 82, в. 2, с. 10–16 (Orlenko F. E., Zegrya G. G., Orlenko E. V. Heisenberg-Dirac-van Vleck Vector Model for a 1D Antiferromagnetic Chain of Localized Spins S=1. Tech. Phys, 2012, v. 57, no. 2, p. 167–173).
  146. Павлов Н. В., Зегря Г. Г. Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках. ФТП, 2012, т. 46, в. 1, с. 32–37 (Pavlov N. V., Zegrya G. G. Radiative Recombination of Hot Carriers in Narrow-Gap Semiconductors. Semiconductors, 2012, v. 46, no. 1, p. 29–34).
  147. 2013

  148. Stepashkina A. S., Samosvat D. M., Chikalova-Luzina O. P., Zegrya G. G. Nonradiative resonance energy transfer between quantum dots. J. Phys., Conf. Ser., v. 461, no. 1, ArtNo #012001. IOP Publishing, 2013, ISSN 1742-6588. 15th Russian Youth Conference on Physics and Astronomy (Physics A. SPb) 23–24 October 2012, St.-Petersburg, Russia.
  149. Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Danilov L. V., Ivanov E. V., Kalinina K. V., Stoyanov N. D., Salikhov K., Yakovlev Yu., Hulicius E., Hospodkova A., Pangrac J., Zikova M. Enhancement of the optical power stimulated by impact ionization in GaSb-based heterostructures with deep quantum wells. In Collected Articles “Integrated Optics: Physics ans Simulations”. Proc. SPIE, v. 8781, ArtNo #87810K. SPIE 2013-Int. Soc. Optical ISSN 0277-786X. ISBN 978-081949583-9.
  150. Ткач Н. В., Бойко И. В., Сети Ю. А., Зегря Г. Г. Квантовый каскадный лазер в поперечном магнитном поле. Модель открытой трехбарьерной активной зоны. Письма в ЖТФ, 2013, т. 39, в. 11, с. 52–62 (Tkach N. V., Boiko I. V., Seti Yu. A., Zegrya G. G. A quantum cascade laser in a transverse magnetic field. A model of the open triple-barrier active region. Tech. Phys. Lett., 2013, v. 39, no. 6, p. 520–524.
  151. Данилов Л. В., Зегря Г. Г. Роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата носителей заряда в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами. ФТП, 2013, т. 47, в. 10, с. 1347–1355 (Danilov L. V., Zegrya G. G. The role of electron-electron interaction in the process of charge-carrier capture in deep quantum wells. Semiconductors, 2013, v. 47, no. 10, p. 1336–1345).
  152. Зегря Г. Г., Ткач Н. В., Бойко И. В., Сети Ю. А. Квазистационарные состояния электрона в многослойной структуре в продольном электрическом и поперечном магнитном полях. ФТТ, 2013, т. 55, в. 10, с. 2068–2074 (Zegrya G. G., Tkach N. V., Boiko I. V., Seti Yu. A. Quasi-stationary electron states in a multilayered structure in longitudinal electric and transverse magnetic fields. Phys. Solid State, 2013, v. 55, no. 10, p. 2182–2189).
  153. Данилов Л. В., Зегря Г. Г. Резонансный кулоновский захват электронов в глубокую квантовую яму. Письма в ЖТФ, 2013, т. 39, в. 5, с. 54–60 (Danilov L. V., Zegrya G. G. Resonance coulomb trapping of electrons in a deep quantum well. Tech. Phys. Lett., 2013, v. 39, no. 3, p. 255–257).
  154. Самосват Д. М., Евтихиев В. П., Школьник А. С., Зегря Г. Г. Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах. ФТП, 2013, т. 47, в. 1, с. 24–29 (Samosvat D. M., Evtikhiev V. P., Shkolnik A. S., Zegrya G. G. On the lifetime of charge carriers in quantum dots at low temperatures. Semiconductors, 2013, v. 47, no. 1, p. 22–27).
  155. 2014

  156. Павлов Н. В., Зегря Г. Г. Влияние непараболичности энергетического спектра носителей заряда на оптические характеристики гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs84Sb0.16/AlSb. Письмав ЖТФ, 2014, т. 40, в. 20, с. 1–8 (Pavlov N. V., Zegrya G. G. The Influence of the Nonparabolic Energy Spectrum of Charge Carriers on the Optical Characteristics of AlSb/InAs0.84Sb0.16/AlSb Heterostructures with Deep Quantum Wells, Tech. Phys. Lett., 2014, v. 40, no. 10, p. 883-886).
  157. Mikhailova M. P., Ivanov E. V., Danilov L. V., Petukhov A. A., Kalinina K. V., Slobozhanyuk S. I., Zegrya G. G., Stoyanov N. D., Yakovlev Yu. P., Hospodkova A., Pangrac J., Oswald J., Zikova M., Hulicius E. Two-band superlinear electroluminescence in GaSb based nanoheterostructures with AlSb/InAs1-xSbx/AlSb deep quantum wells. J. Appl. Phys., 2014, v. 115, no. 22, ArtNo #223102.
  158. Павлов Н. В., Зегря Г. Г. Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs84Sb0.16/AlSb. ФТП, 2014, т. 48, в. 9, с. 1217–1227 (Pavlov N, V., Zegrya G. G. Optical properties of heterostructures with deep AlSb/InAs0.84Sb0.16/AlSb quantum wells, Semiconductors, 2014, v. 48, no. 9, p. 1185–1195).
  159. Чикалова-Лузина О. П., Самосват Д. М., Зегря Г. Г. Роль обменного взаимодействия в безызлучательном переносе энергии между полупроводниковыми квантовыми точками. Письма в ЖТФ, 2014, т. 40, в. 8, с. 64–49 (Chikalova-Luzina O. P., Samosvat D. M., Zegrya G. G. The role of exchange interaction in nonradiative energy transfer between semiconductor quantum dots.Tech. Phys. Lett., 2014, v. 40, no. 4, p. 350–352).
  160. 2015

  161. Афанасьев А. Н., Грешнов А. А., Зегря Г. Г. Генерация чисто спиновых токов при оже-рекомбинации в квантовых ямах с расщеплением Рашбы. ЖЭТФ, 2015, т. 148, в. 4, с. 734–741 (Afanasiev А. N., Greshnov A. A., Zegrya G. G. Generation of pure spin currents via Auger recombination in quantum wells with Rashba splitting. J. Exp. Theor., 2015, v. 121, no. 4, p. 640–646).
  162. Самосват Д. М., Чикалова-Лузина О. П., Зегря Г. Г. Безызлучательный резонансный перенос энергии между полупроводниковыми квантовыми точками. ЖЭТФ, 2015, т. 148, в. 1, с. 88–110 (Samosvat D. M., Chicalova-Luzina O. P., Zegrya G. G. Nonradiative Resonance Energy Transfer between Semiconductor Quantum Dots. J. Exp. Theor. Phys., 2015, v. 121, no. 1, p. 76–95).
  163. Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Зегря Г. Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов. ФТП, 2015, т. 49, с. 444–448 (Bajenov N. L., Mynbaev K. D., Zegrya G. G. Temperature dependence of the carrier lifetime in CdxHg1-xTe narrow-gap solid solutions with consideration for Auger processes. Semiconductors, 2015, v. 49, p. 432–436).
  164. Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Зегря Г. Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет излучательной рекомбинации. ФТП, 2015, т. 49, в. 9, с. 1206–1211 (Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Zegrya G. G. Temperature dependence of the carrier lifetime in narrow-gap CdxHg1-xTe solid solutions: Radiative recombination. Semiconductors, 2015, v. 49, no. 9, p. 1170–1175).
  165. Petukhov A., Danilov L., Ivanov E., Kalinina K., Mikhailova M., Zegrya G., Stoyanov N., Yakovlev Yu. High-temperature luminescence in light-emitting heterostructures with a high potential barriers based on GaSb. Photonics, Devices, and Systems Coll. Art., VI, Proc. SPIE, v. 9450, ArtNo #94501Q, SPIE, ISSN 0277-786X, ISBN 978-1-6284-1566-7.
  166. Павлов Н. В., Зегря Г. Г. Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs86Sb0.14/AlSb. ФТП, 2015, т. 49, в. 5, с. 617–627 (Pavlov N. V., Zegrya G. G. Effect of nonparabolicity of the electron and light-hole energy spectrum on the optical properties of heterostructures with deep AlSb/InAs0.86Sb0.14/AlSb quantum wells. Semiconductors, 2015, v. 49, no. 5, p. 604–614).
  167. 2016

  168. Пелещак Р. М., Лазурчак И. И., Кузык О. В., Данькив О. О., Зегря Г. Г. Роль акустоэлектронного взаимодействия в формировании нанометровой периодической структуры адатомов. ФТП, 2016, т. 50 в. 3, с. 318. (Peleshchak, R. M., Lazurchak, I. I., Kuzyk, O. V., Dan'kiv, O. O., Zegrya, G. G., Role of Acoustoelectric Interaction in the Formation of Nanoscale Periodic Structures of Adsorbed Atoms. Semiconductors, 2016, v. 50, no. 3, p. 314-319).
  169. Михайлов Ю. М., Гаранин В. А., Ганин Ю. В., Гончаров Т. К., Ганина Л. В., Зегря Г. Г. Чувствительность к удару энергетических систем на основе нанопористого кремния и окислителя: влияние содержания водорода и удельной поверхности. Известия Академии Наук. Серия химическая, 2016, в. 8. (Mikhailov, Yu. M., Garanin, V. A., Ganin, Yu. V., Goncharov, T. K., Ganina, L. V., Zegrya, G. G. Impact sensitivity of energy systems based on nanoporous silicon and oxidant: influence of the hydrogen content and specific surface. Russ. Chem. B. v 65, 2016, no. 10, p. 2400-2404).
  170. Данилов Л. В., Петухов А. А., Михайлова М. П., Зегря Г. Г., Иванов Э. В., Яковлев Ю. П. Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами. ФТП, 2016, т. 50, в. 6, с. 794-800. (Danilov L. V., Petukhov A. A., Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Ivanov E. V., Yakovlev Y. P. Features of high-temperature electroluminescence in an LED n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb heterostructure with high potential barriers, Semiconductors, 2016, v. 50, no. 6 p. 778-784).
  171. Samosvat D. M., Chikalova-Luzina O. P., Vyatkin V. M., Zegrya G. G., Resonant electronic excitation energy transfers by Dexter mechanism in the quantum dot system, 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE PHYSICA.SPB J. Phys.: Conf. Ser., 2016, v. 769, 1, ArtNo: #012078 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  172. Pavlov N. V., Zegrya G. G. Intersubband light absorption by holes in InAsSb/AlSb quantum well heterostructures, 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE PHYSICA.SPB J. Phys.: Conf. Ser., 2016, v. 769, 1, ArtNo: #012076 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  173. 2017

  174. Chikalova-Luzina O. P., Samosvat D. M., Vyatkin V. M., Zegrya G. G. Resonant electronic excitation energy transfers by exchange mechanism in the quantum dot system, Superlattices Microstruct., 2017 v. 111 p. 166-172
  175. Савенков Г. Г., Кардо-Сысоев А. Ф., Зегря А. Г., Оськин И. А., Брагин В. А., Зегря Г. Г. Возбуждение взрывчатых превращений в энергонасыщенных соединениях на основе нанопористого кремния с помощью полупроводниковых быстродействующих ключей и энерговыделяющих элементов, Письма в ЖТФ, 2017, т. 43, в. 19 с 57-63. (Savenkov G. G., Kardo-Sysoev A. F., Zegrya A. G., Os'kin I. A., Bragin V. A. Initiation of Explosive Conversions in Energy-Saturated Nanoporous Silicon-Based Compounds with Fast Semiconductor Switches and Energy-Releasing Elements. Tech. Phys. Lett., 2017, v. 43, no. 10, p. 896-898).
  176. Зегря Г. Г., Савенков Г. Г., Морозов В. А., Зегря А. Г., Улин Н. В., Улин В. П., Лукин А. А., Брагин В. А., Оськин И. А., Михайлов Ю. М., ФТП, 2017, т. 51, в. 4 с. 501-506 (Zegrya G. G., Savenkov G. G., Morozov V. A., Zegrya A. G., Ulin N. V., Ulin V. P., Lukin A. A., Bragin V. A., Oskin I. A., Mikhailov Y. M. Sensitivity of energy-packed compounds based on superfine and nanoporous silicon to pulsed electrical treatments, Semiconductors, 2017, v. 51, no. 4 p. 477-482).
  177. Афанасьев А. Н., Грешнов А. А., Зегря Г. Г., О скорости ударной ионизации в прямозонных полупроводниках, Письма в ЖЭТФ, 2017, т. 105, в. 9 с. 554-558. (Afanasiev A. N., Greshnov A. A., Zegrya G. G., Impact ionization rate in direct gap semiconductors, JETP Lett., 2017, v. 105, no. 9 p. 586-590).
  178. 2018

  179. Павлов Н. В., Зегря Г. Г., Зегря А. Г., Бугров В. Е., Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP, ФТП, 2018, т. 52, в. 2 с. 207-220 (Pavlov N. V., Zegrya G. G., Zegrya A. G., Bugrov V. E. Intraband Radiation Absorption by Holes in InAsSb/AlSb and InGaAsP/InP Quantum Wells. Semiconductors, 2018, v. 52, no. 2 p. 195-208).
  180. Самосват Д. М., Чикалова-Лузина О. П., Хромов В. С., Зегря А. Г., Зегря Г. Г., Механизм генерации синглетного кислорода в присутствии возбужденного нанопористого кремния. Письма в ЖТФ, 2018, т. 44, в. 11 с. 53-62 (Samosvat D. M., Chikalova-Luzina O. P., Khromov V. S., Zegrya A. G., Zegrya G. G. The Mechanism of Generation of Singlet Oxygen in the Presence of Excited Nanoporous Silicon. Tech. Phys. Lett., 2018 v. 44, no. 6 p. 479-482).
  181. Karpova A. A., Zegrya G. G., Effect of Coulomb interaction with barrier carriers in the waveguide region on multiple quantum well laser inversion threshold, INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1135, 1, ArtNo #012081-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  182. Samosvat D. M., Chikalova-Luzina O. P., Khromov V. S., Zegrya A. G., Zegrya G. G., Singlet oxygen generation mechanism in the presence of excited nanoporous silicon, 5TH INTERNATIONAL SCHOOL AND CONFERENCE ON OPTOELECTRONICS, PHOTONICS, ENGINEERING AND NANOSTRUCTURES, SAINT PETERSBURG OPEN 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1124, no. 3, ArtNo #031025-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  183. Pavlov N. V., Zegrya G. G., Internal radiation losses in semiconductor lasers with stressed InGaAsP/InP quantum wells, INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1135, 1, ArtNo #012083, 2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  184. Fedorov I. V., Levin R. V., Usikova A. A., Bazhenov N. L., Ratushnyi V. I., Pushnyi B. V., Zegrya G. G., Study of Instrumental Heterostructures Based on Strained InAs/GaSb Superlattices Grown by MOCVD Method, INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1135, 1, ArtNo #012031-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  185. Danilov L. V., Mikhailova M. P., Levin R. V., Konovalov G. G., Ivanov E. V., Andreev I. A., Pushnyi B. V., Zegrya G. G., Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in n-GaSb/n-InAs/p-GaSb heterostructure with single deep quantum well, 25TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY” ФТП, т. 52, в. 4, с. 476-476 (Danilov L. V., Mikhailova M. P., Levin R. V., Konovalov G. G., Ivanov E. V., Andreev I. A., Pushnyi B. V., Zegrya G. G., 25TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY” Semiconductors, v. 52, no. 4, p. 493-496).
  186. Karpova A. A., Samosvat D. M., Zegrya A. G., Zegrya G. G., Bugrov V. E., Auger recombination in quantum well laser with participation of electrons in waveguide region, Rev. Adv. Mater. Sci., 2018, v. 57, no. 2 p. 193-198.
  187. Pavlov N. V., Zegrya G. G., Intraband light absorption by holes in InGaAsP/InP quantum wells, INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2017 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1038, 1, ArtNo #012122-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  188. Pavlov N. V., Zegrya G. G., Intraband light absorption by holes in InGaAsP/InP quantum wells, 19TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTO- AND NANOELECTRONICS J. Phys.: Conf. Ser., v. 993, 1, ArtNo #012013-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  189. 2019

  190. Левин Р. В., Неведомский В. Н., Баженов Н. Л., Зегря Г. Г., Пушный Б. В., Мизеров М. Н., Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. ФТП, 2019, т. 53, в. 2 с. 273-276 (Levin R. V., Nevedomskyi V. N., Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Pushnyi B. V., Mizerov M. N. On the Possibility of Manufacturing Strained InAs/GaSb Superlattices by the MOCVD Method. Semiconductors, 2019, v. 53, no. 2  260-263).
  191. Павлов Н. В., Зегря Г. Г., Внутризонное поглощение излучения свободными дырками в квантовых ямах GaAs/InGaAs с учетом несферичности kP-гамильтониана. Письма в ЖТФ, 2019, т. 45, в. 10 с. 9-12. (Pavlov N. V., Zegrya G. G. Intraband Radiation Absorption by Free Holes in GaAs/InGaAs Quantum Wells with Allowance for Nonsphericity of the kP Hamiltonian. Tech. Phys. Lett., v. 45, no. 5, p. 481-484).
  192. Савенков Г. Г., Зегря А. Г., Зегря Г. Г., Румянцев Б. В., Синани А. Б., Михайлов Ю. М., Возможности энергонасыщенных композитов на основе нанопористого кремния (обзор и новые результаты). ЖТФ, 2019, т. 89, в. 3 с. 397-403 (Savenkov G. G., Zegrya A. G., Zegrya G. G., Rumyantsev B. V., Sinani A. B., Mikhailov Y. M. The Possibilities of Energy-Saturated Nanoporous Silicon-Based Composites (Review and New Results). Tech. Phys., 2019, v. 64, no. 3 p. 361-367).
  193. Fedorov I. V., Levin R. V., Nevedomsky V. N., Usikova A. A., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Pushnyi B. V., Zegrya G. G. IR diode structures based on II-Type InAs/GaSb superlattices grown by MOCVD. 20TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTOAND NANOELECTRONICS, RYCPS 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1199, 1, ArtNo #012016-2019 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  194. Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Семакова А. А., Зегря Г. Г. Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления. ФТП, 2019, т. 53, в. 4 с. 450-455 (Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Semakova A. A., Zegrya G. G. Carrier Lifetime in Semiconductors with Band-Gap Widths Close to the Spin-Orbit Splitting Energies. Semiconductors, 2019, v. 53, no. 4 p. 428-433).
  195. Chikalova-Luzina O. P., Samosvat D. M., Vyatkin V. M., Zegrya G. G. Nonradiative resonance energy transfer in the quantum dot system. Physica E, 2019, v.114 ArtNo: #113568.
  196. Зегря Г. Г., Улин В. П., Зегря А. Г., Улин Н. В., Михайлов Ю. М. Влияние типа проводимости и уровня легирования кристаллов кремния на размеры каналов пор, формирующихся в них при анодном травлении в растворах плавиковой кислоты. ЖТФ, 2019, т. 89, в. 10, с. 1575-1584. (Zegrya  G., Ulin V. P., Zegrya A. G., Ulin N. V., Mikhailov Yu. M. Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions. Tech. Phys., 2019, v. 64, no. 10, p. 1492-1500).
  197. Левин Р. В., Пушный Б. В., Федоров И. В., Усикова А. А., Неведомский В. Н., Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Павлов Н. В., Зегря Г. Г. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb. ЖТФ, 2019, т. 89, в. 10, с. 1592-1597. (Levin R. V., Pushnyi B. V., Fedorov I. V., Usikova A. A., Nevedomskii V. N., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Pavlov N. V., Zegrya  G. Examination of the Capabilities of Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy in Fabrication of Thin InAs/GaSb Layers. Tech. Phys., 2019, v. 64, no. 10, p. 1509-1514.)
  198. Izhnin I. I., Izhnin A. I., Fitsych O. I., Voitsekhovskii A. V., Gorn D. I., Semakova A. A., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Zegrya G. Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well structures. Appl. Nanosci., 2019, v. 9, no. 5, p. 617-622. (5th International Research and Practice Conference on Nanotechnology and Nanomaterials (NANO), Chernivtsi, Ukraine, Aug 23-26, 2017).

    Труды конференций

    1993

  1. Zegrya G. G. A novel mechanism of light absorption on free charge carriers in semiconductor quantum structures. Int. Semicond. Device Res. Symp., Charlottesville, USA, 1993, p. 635–638.
  2. 1994

  3. Zegrya G. G., Mikhailov M. Yu. Effect of heteroboundary on the indirect optical transitions in semiconductor quantum structures. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 1994, p. 100.
  4. Zegrya G. G., Voisin P., Nelson D. K., Starukhin A. N., Titkov A. N. Non-threshold mechanism of Auger hole excitation in a heteroboundary of type II. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 1994, p. 101–104.
  5. 1995

  6. Zegrya G. G., Andreev A. D. Theory of the excess carrier recombination processes in heterostructures of type II. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 26–30 June 1995, p. 163–166.
  7. Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Moiseev K. D., Timchenko I. N., Andreev I. A., Yakovlev Yu. P. Elecroluminescence of confined carriers in type-II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs single heterojunction. Proc. SPIE, 1995, v. 2397, p. 166–169.
  8. Zegrya G. G., Andreev A. D. Theory of the excess carrier recombination processes in heterostructures of type II. Proc. Int. Semicond. Conf. CAS'95, Sinaia, Romania, 11–14 October 1995, p. 253–256.
  9. Zegrya G. G., Andreev A. D., Gun'ko N. A., Frolushkina E. V. Calculation of QW-laser threshold currents in terms of new channels of non-radiative Auger recombination. Proc. SPIE, 1995, v. 2399, p. 307–316.
  10. Yakovlev Yu. P., Moiseev K. D., Mikhailova M. P., Ershov O. G., Zegrya G. G. Tunnel-injection laser based on type II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs single heterojunction. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 26–30 June 1995, p. 329–331.
  11. Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Moiseev K. D., Yakovlev Yu. P. Interface electroluminesence of confined carriers in type II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs single heterojunction. 7th Int. Conf. on Modulated Semicond. Structures, Madrid, Spain, 10–14 July 1995, Workbook II, p. 1004–1014.
  12. 1996

  13. Gorbatyuk A. V., Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Moiseev K. D., Stojanov N. D., Andreychuk O. V., Yakovlev Yu. P. Negative differential resistance and radiative recombination in type-II broken-gap p-GaInAsSb/n-InAs single heterojunctions. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 24–28 June 1996, p. 62–65.
  14. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theoretical study of non-threshold Auger recombination in compressively strained InAlAsSb/GaSb quantum wells. Proc. Int. Symp."Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 24–28 June 1996, p. 99–102.
  15. Zegrya G. G., Andreev A. D. Calculation of threshold characteristics of mid-infrared laser based on type-II heterostructure with quantum wells. Proc. SPIE, 1996, v. 2682, p. 224–233.
  16. Zegrya G. G. Masterov V. F. Two novel mechanisms of f–f-luminescence resonance exctation in semiconductors. Proc. X Feofilov Symp. on Spectroscopy of Crystals Activated by Rare-Earth and Transitional Ions SPIE, St. Petersburg, Russia, 2–8 July 1995, v. 2706, p. 235–239.
  17. Andreev A. D., Zegrya G. G. Effect of strain on thresholdless Auger recombination in quantum wells. Proc. Int. Semicond. Conf. CAS'96, Sinaia, Romania, 9–12 October 1996, p. 265–268.
  18. Zegrya G. G., Andreev A. D. Calculation of threshold characteristics of mid-infrared lasers based on type-II heterostructure with quantum wells. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 24–28 June 1996, p. 370–373.
  19. 1997

  20. Zegrya G. G., Masterov V. F. Mechanism of generation of f–f-radiation in semiconductor heterostructures. Proc. Int. Conf. of Defects in Semiconductors, Aveiro, Portigal, 1997, p. 83.
  21. Zegrya G. G. Theory of InGaN multiquantum well laser diodes. Proc. SPIE, 1997, v. 3001, p. 117–127.
  22. Andreev A. D., Zegrya G. G. Effect of strain on the elementary recombination processes in type-II heterostructures with quantum wells. Proc. SPIE, 1997, v. 2994, p. 154–161.
  23. Andreev A. D., Zegrya G. G. Calculation of threshold characreristics of 3–4 μm compressively strained InAlAsSb MQW lasers. Proc. Int. Symp. 'Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 23–27 June 1997, p. 168–171.
  24. Andreev A. D., Zegrya G. G. Effect of strain on Auger recombination in type-II quantum wells. Proc. Int. Conf. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 23–27 June 1997, p. 172–175.
  25. Gun'ko N. A., Zegrya G. G., Sokolova Z. N., Khalfin V. B. Influence of intervalence band absorption on characteristics of long wavelength lasers based on InAs. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 23–27 June 1997, p.  187–190.
  26. Zegrya G. G. New fundamental approach to creation of mid-infrared lasers operating at high temperature. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 23–27 June 1997, p. 214–217.
  27. Zegrya G. G., Polkovnikov A. S. Theoretical analysis of Auger recombination mechanisms in semiconductor quantum wells. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 23–27 June 1997, p. 218.
  28. Zegrya G. G., Masterov V. F. Mechanism of generation of f–f-radiation in semiconductor heterostructures, Mat.  Sci. Forum, Trans. Tech. Publications, Switzerland, 1997, v. 258–263, p. 1601–1606.
  29. Gun'ko N. A., Zegrya G. G., Sokolova Z. N., Khalfin V. B. Influence of intervalence band absorption on chracteristics of long wavelength lasers based on InAs. Proc. Int. Semicond. Device Research Symp., Charlottesville, USA, 1997, p. 281–284.
  30. Andreev A. D., Zegrya G. G. Auger recombination in strained quantum-well InAlAsSb/GaSb structures for 3–4 μm lasers. Proc. IEE Optoelectron., October 1997, v. 144, no. 5, p. 336–342.
  31. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theoretical performance of 3–4 μm compressive strained InGaAsSb QW lasers. Proc. SPIE, 1997, v. 3001, p. 364–371.
  32. Zegrya G. G., Golovach V. N., Konstantinovich A., Tkach M. V. Electron and hole spectra in ellipsoidal nanoheterostructure (quantum dot). Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg, Russia, 23–27 June 1997, p. 437–439.
  33. Yakovlev Y. P., Danilova T. N., Ershov J. G., Zegrya G. G. Mid-infrared diode lasers based on III–V alloys for the spectral range 3–4 μm, Int. Phys. Conf., 1997, ser. 155, p. 551–556.
  34. Yakovlev Yu. P., Danilova T. N., Imenkov A. N., Ershov O. G., Sherstev V. V., Zegrya G. G. Suppression of Auger recombination in the diode lasers based on type-II InAsSb/InAsSbP heterostructure. Proc. SPIE, 1997, v. 3001, p. 673–680.
  35. Evtikhiev V. P., Kudryashov I. V., Tokranov V. E., Prilutsky D. V., Zegrya G. G. Direct observation of non-threshold process of Auger recombination in type-I A3B5 quantum wells, Proc. Int. Phys. Conf., 1997, ser. 155, chap. 10, p. 795–798.
  36. Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Ivanov-Omsky V. I., Moiseev K. D., Mikhailiva M. P., Smirnov V. A., Yakovlev Yu. P. Radiative recombination at the interface of type-II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs heterojunctions at low temperature. Proc. Int. Phys. Conf., 1997, ser. 155, chap. 12, p. 1025–1028.
  37. Vorobjev L. E., Danilov S. N., Donetsky D. V., Kochegarov Yu. V., Titkov I. E., Firsov D. A., Shalygin V. A., Tulupenko V. N., Zegrya G. G., Towe E. Emission and absorption of FIR radiation by hot electrons in simple rectangular and asymmetric tunnel-coupled quantum wells. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", 1997, St. Peterburg, Russia, p. 2372.
  38. 1998

  39. Zegrya G. G. Auger recombination in a quantum well in a quantizing magnetic field. Proc. 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 22–26 June 1998, p. 46–49.
  40. Bondarenko E. B., Vorobjev L. E., Danilov S. N., Donetsky D. V., Zerova V. L., Kochegarov Yu. V., Firsov D. A., Shalygin V. A., Zegrya G. G., Towe E. FIR emission and absorption due to indirect optical transitions of hot electrons in GaAs/AlGaAs QW. Proc. 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 22–26 June 1998, p. 156–159.
  41. Mikhailova M. P., Zhurtanov B. E., Moiseev K. D., Zegrya G. G., Andreychuk O. V., Voronina T. I., Yakovlev Yu. P. Blue shift of electroluminescence in AlGaAsSb/InGaAsSb double heterostructures with asymmetric band offset confinements. Proc. 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 22–26 June 1998, p. 406–409.
  42. 1999

  43. Dogonkin E. B., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Mechanisms of Auger recombination in semiconductor quantum wires. Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 14–18 June 1999, p. 42–45.
  44. Vorobjev L. E., Danilov S. N., Donetsky D. V., Zegrya G. G. et al. Hot electron FIR emission and absorption in GaAs/AlGaAs quantum wells. Mat. Sci. Forum, 1999, v. 297–302, p. 45–48.
  45. Zegrya G. G., Tkach M., Makhanets O., Zharkov V. Electron in quasiplane superlattice of cylindric quantum dots. Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 14–18 June 1999, p. 74–76.
  46. Kostko I. A., Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Yu., Zegrya G. G. Fundamental-mode laser power rise by means of facet inclination. Proc. SPIE, 1999, v. 3628, p. 275–281.
  47. Zegrya G. G., Dogonkin E. B., Polkovnikov A. S. Theoretical investigation of carrier relaxation processes in quantum wells and their effect on radiative and Auger recombination. Proc. Int. Semicond. Conf. CAS'99, Sinaia, Romania, 5–9 October 1999, p. 351–354.
  48. Polkovnikov A. S., Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Effect of relaxation processes on Auger recombination in semiconductor quantum wells. Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 14–18 June 1999, p. 386–389.
  49. 2000

  50. Vorobjov L. E., Zegrya G. G., Firsov D. A. Mid-infrared range laser based on intersubband transitions and resonant Auger processes in quantum wells. Proc. 8th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 19–23 June 2000, p. 84–87.
  51. Воробьев Л. Е., Фирсов Д. А., Зегря Г. Г. Оже-лазер среднего ИК-диапазона на межподзонных переходах носителей заряда в квантовых ямах. Матер. совещ. "Нанофотоника", Нижний Новгород, 20–23 марта 2000, с. 91–94.
  52. Vorobjev L. E., Firsov D. A., Zegrya G. G., Zerova V. L., Towe E., Cockburn I. W. Novel mid-infrared lasers design based on intraband and interband carrier transitions in quantum wells. Proc. 25th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Osaka, Japan, 17–22 September 2000, p. 132.
  53. Nezlobin N. A., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Theoretical investigation of intraband absorption of electromagnetic radiation by holes in quantum wells. Proc. 8th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 19–23 June 2000, p. 194–197.
  54. Dogonkin E. B., Golovatch V. N., Polkovnikov A. S., Pozdnyakov A. V., Zegrya G. G. Theoretical investigation of Auger recombination in spherical quantum dots. Proc. 8th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 19–23 June 2000, p. 399–401.
  55. Vorobjev L. E., Firsov D. A., Zegrya G. G., Zerova V. L., Towe E., Cockburn I. W. Novel mid-infrared lasers design based on intrabandand interband carriers transitions in quantum wells. Proc. 25th Int. Conf. on Physics of Semicond., Osaka, Japan, 17–22 September 2000.
  56. 2002

  57. Ankundinov A., Titkov A. N., Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Y., Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Huntinen H., Laiho R. Study of high-power GaAs based laser diodes operation and failure by cross sectional electrostatic force microscopy. Proc. SPIE  Int. Soc. Opt. Eng., 2002, v. 5023, p. 143.
  58. Towe E., Pal D., Vorobjev L. E., Glukhovskoy A. V., Danilov S. N., Zerova V. L., Panelin V. Y., Firsov D. A., Shalygin V. A., Zegrya G. G., Weber A., Grundmann M. Injection lasers based on intraband carrier transitions. Mater. Sci. Forum "Ultrafast Phenomena in Semiconductors-2001", 2002, v. 384, no. 3, p. 209–212.
  59. Gun'ko N. A., Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Influence of intraband relaxation processes on threshold and power-current characteristics of semiconductor lasers. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 2002, v. 4651, p. 264.
  60. Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Current-induced cooling of quantum systems. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 2002, v. 4651, p. 269.
  61. Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Current-induced cooling of nanostructures. Proc. SPIE Int. Soc.  Opt. Eng., 2002, v. 5023, p. 306.
  62. Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Y., Dorofeev D. V., Zegrya G. G. Non-linear power-current characteristics of quantum well lasers at high injection. Proc. SPIE Int. Soc.  Opt. Eng., 2002, v. 5023, p. 365.
  63. Tarasov I. S., Skrynnikov G. V., Pikhtin N. A., Slipchenko S. O., Zegrya G. G. SC DHS InGaAsP/InP lasers (λ=1.5–1.6 μm) with above-threshold internal quantum efficiency ηist about 100%. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 2002, v. 5023, p. 379.
  64. Zegrya G. G., Kostko I. A., Gunko N. A., Dogonkin E. B. Influence of intraband relaxation processes on threshold and power-current characteristics of quantum well lasers. Proc. 10th Int.  Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 17–21 June 2002, v. 5023, no. 1, p. 395–397.
  65. Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Y., Dorofeyev D. V., Zegrya G. G. Non-linear power-current characteristics of quantum well lasers at high injection. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" SPIE, St. Petersburg, Russia, 17–21 June 2002, v. 5023, no. 1, p. 365–367.
  66. Zegrya G. G., Kostko I. A., Gunko N. A., Dogonkin E. B. Influence of intraband relaxation processes on threshold and power-current characteristics of quantum well lasers. Proc. 10th Int.  Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" SPIE, St. Petersburg, Russia, 17–21 June 2002, v. 5023, no. 1, p. 395–397.
  67. Tarasov I. S., Zegrya G. G., Skrynnikov G. V., Pikhtin N. A., Slipchenko S. O. SC DHS InGaAsP/InP lasers (λ=1.5–1.6 μm) with above-threshold internal quantum efficiency ηist about 100%. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" SPIE, St. Petersburg, Russia, 17–21 June 2002, v. 5023, no. 1, p. 379–382.
  68. Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Y., Dorofeyev D. V., Zegrya G. G. Non-linear power-current characteristics of quantum well lasers at high injection. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" SPIE, St. Petersburg, Russia, 17–21 June 2002, v. 5023, no. 1, p. 365–367.
  69. 2003

  70. Karachinsky L. Y., Gordeev N. Y., Novikov I. I., Zegrya G. G. Superradiance as a transition phase from spontaneous to stimulated emission low-dimensional semiconductor heterostructures. Proc. Int. Soc. Opt. Eng. SPIE, 2003, v. 5036, p. 218–223.
  71. Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Yu., Dorofeyev D. V., Zegrya G. G. Non-linear power-current characteristics of quantum well lasers at high injection. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", 17–21 June 2002, St. Petersburg, Russia,, v. 5023, p. 365–367.
  72. Ankudinov A. , Titkov A., Evtikhiev V., Kotelnikov E., Bazhenov N., Zegrya G., Huhtinen H., Laiho R. Study of high power GaAs-based laser diodes operation and failure by cross-sectional electrostatic force microscopy. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" SPIE, St. Petersburg, Russia, 17–21 June 2003, v. 5023, p. 143–145.
  73. 2004

  74. Shkolnik A. S., Karachinsky L. Y., Pellegrini S., Buller G. S., Gordeev N. Y., Novikov B. V., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G. Processes determining the carrier lifetime in InAs/GaAs quantum dot arrays. Proc. 12th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 21–25 June 2004, p. 244–245.
  75. Bazhenov N. L., Dorofeev D. V., Evtikhiev E. Y., Mynbaev K. D., Solovyev I. Y., Zegrya G. G., Shkolnik A. S. Theoretical and experimental study of the effect of carrier relaxation on threshold and power-current characteristics of quantum well lasers. Proc. 27th Int. Semicond. Conf. CAS, 2004, p. 322–325.
  76. Zegrya G. G., Bazhenov N. L., Dorofeyev D. V., Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Y., Mynbaev K. D., Solovyev I. Yu., Shkolnik A. S. Theoretical and experimental study of the effect of carrier relaxation on threshold and power-current characteristics of quantum well lasers. In: Proc. Int. Semicond.  Conf. CAS, 4–6 October 2004, v. 1, art. M2.1.
  77. Зегря Г. Г. Дистантная многоуровневая система подготовки специалистов в области физики. Санкт-Петербург, 7–10 июня 2004, Труды XI Всеросс. научно-метод. конф. "Телематика'2004".
  78. 2005

  79. Pellegrini S., Buller G. S., Karachinsky L. Y., Shkolnik A. S., Gordeev N. Y., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G., Sellers I. P., Skolnick M. S., Liu H. J., Hopkinson M. Time-resolved photoluminescence measurements of InAs self-assembled quantum dots (Invited Paper). Proc. Int. Soc. Opt. Ing. SPIE, 22–27 January 2005, San Jose, California, USA, v. 5725, p. 309.
  80. Serov A. Y., Zegrya G. G. Increase of current via quantum well by in-plane magnetic field. Proc. 13th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", 2005, St. Petersburg, Russia, p. 358–359.
  81. Shkolnik A. S., Karachinsky L. Y., Gordeev N. Y., Kupriyanov K. A., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G., Pellegrini S., Buller G. S. Lifetime of non-equilibrium charge carriers in semiconductor InAs/GaAs quantum dots. Proc. 13th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", 2005, St. Petersburg, Russia, p. 360–361.
  82. Pellegrini S., Buller G. S., Karachinsky L, Ya., Shkolnik A. S., Gordeev N. Yu., Zegrya G. G., Evtikhiev V. P., Sellers I. R., Skolnick M. S., Liu H. Y., Hopkinson M. Time-resolved photoluminescence measurements of InAs self-assembled quantum dots. IX Proc. SPIE "Ultrafast Phenomena in Semicond. and Nanostruct. Materials", San Jose, CA, USA, 24 January 2005, v. 5725, 387 p.
  83. Zegrya G. G., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Pokutnyi S. I. Application of semiconductor quantum dots for a study of biological systems. Proc. Int. Semicond. Conf. CAS, 2005, v. 1, art. 1558713.
  84. 2006

  85. Самосват Д. М., Зегря Г. Г. Механизм оже-рекомбинации в полупроводниковых квантовых точках. Труды Межд. зимней школы по физ. полупров., 14–27 февраля 2006 г., Санкт-Петербург–Зеленогорск, Россия, с. 55.
  86. Zegrya G. G., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D. Interaction of isolated semiconductor quantum dots with charged amino acids. Proc. 14th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 26–30 June 2006, p. 265–266.
  87. 2007

  88. Greshnov A. A., Kaliteevski M. A., Abram R. A.,  Brandt S.,  Zegrya G. G. Analytical theory of density of states in disordered one-dimensional photonic crystals. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007, p. 81–82.
  89. Shkolnik M. S., Kupriyanov K. A., Karachinsky L. A., Pellegrini A., Buller G. S., Gordeev N. Yu., Zegrya G. G., Evtikhiev V. P. Finger-print of the Auger recombination process in semiconductor InAs/GaAs quantum dots. Proc. Int. Symp."Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007, p. 205–206.
  90. Gaisin N. A., Talalaev V. G., Novikov B. V., Shugunov V. A., Zakharov N. D., Cirlin G. E., Samsonenko Yu. B., Zegrya G. G. The exciton photoluminescence spectrum of multilayer planarly ordered quantum dot InAs/GaAs at the hydrostatic pressure. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007, p. 212–213.
  91. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Integer quantum Hall effect with correlated disorder. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007, p. 327–328.
  92. Savelyev A. V., Karachinsky L. Ya., Shkolnik A. S., Pellegrini S., Gordeev N. Yu., Tartakovskii A. I., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G., Maximov M. V., Ustinov V. M., Seisyan R. P., Buller G.  S., Skolnick M. S. Dipolar charging in quantum dots array. Proc. AIP Conf., 2007, v. 893, no. 1, p. 987–988.
  93. 2008

  94. Savelyev A. V., Karachinsky L. Ya., Shkolnik A. S., Pellegrini  S., Gordeev N. Yu., Tartakovskii A. I., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G., Maximov M. V. Bipolar charging in quantum dots array. Proc. AIP Conf., 2007, v. 893, no. 1, p. 987–988.
  95. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Peaks of longitudinal conductivity in integer quantum Hall effect for the long-range and short-range disorder. Proc. 18th Int. Conf. on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology, San Pedro, Brazil, 3–8 August 2008.
  96. Greshnov A., Kaliteevski M., Abram R., Brand S., Zegrya G. Density of states and light localization length in 1D disordered photonic crystals: analytical treatment. Proc. 29th Int. Conf. on Phys. of Semicond., Rio de Janeiro, Brazil, 27 July–1 August 2008, p. 1.
  97. Зегря Г. Г. Минбаев К. Д., Божокин С. В. Нанотехнологии для биологии и медицины в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе. Труды Симп. "Полупроводн. лазеры: физика и техника", Санкт-Петербург, Россия, 5–7 ноября 2008 (Zegrya G. G., Mynbaev K. D., Bozhokin S. V. Nanotechnologies for biology and medicine at A. F. Ioffe Physical-Technical Institute. Proc. Symp. "Semiconductor Lasers: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 5–7 November 2008 (in Russian)).
  98. 2014

  99. Danilov L. V., Zegrya G. G. Optimization of laser heterostructures for midinfrared. Proc. Int. 2014 Conference Laser Optics. LO 2014, ArtNo: #6886287. 2014 IEEE Computer Society, ISBN 978-1-4799-3884-1.

    Тезисы докладов

    1978

  1. Гицу Д. В., Миглей М. Ф., Москаленко С. А., Зегря Г. Г. Размерный фазовый переход в нитевидных полуметаллах и узкозонных полупроводниках. Тезисы IX Совещ. по теории полупроводн., Тбилиси, 1978, с. 123–124 (Gizu D. V., Migley M. F., Moskalenko S. A., Zegrya G. G. Dimensional phase transition in thread-like semimetals and narrow-gap semiconductors. Abstr. IX Meet. on Theory of Semicond., Tbilisi, 1978, p. 123–124, in Russian).
  2. 1980

  3. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Спонтанное радиоизлучение полупроводника при наличии в нем градиента температуры и сильного магнитного поля. Тезисы X Совещ. по теории полупроводников, Новосибирск, 1980, ч. I, с. 146 (Gurevich L. E., Zegrya G. G. Spontaneous radioemission of semiconductor in a temperature gradient and strong magnetic field. Abstr. X Meet. on Semicond., Theory, Novosibirsk, 1980, p. I, p. 146, in Russian).
  4. 1982

  5. Гуревич Л. Э.,  Зегря Г. Г. Самовозбуждение плоских и цилиндрических термоэлектромагнитных и термомагнитных волн в проводящих кристаллах. Тезисы XXII Всес. совещ. по физике низких температур, Кишинев, 1982, Тезисы докл., ч. 2, с. 142–143 (Gurevich L. E., Zegrya G. G. Self-exitation of plane and cylindrical thermoelectromagnetic and thermomagnetic waves in conducting crystals. Abstr. XXII All-Union Meet. on Low-Temperature Phys., Kishinev, 1982, p. II, p. 142–143, in Russian).
  6. 1983

  7. Зегря Г.  Г. О возможном механизме фазового перехода в суперионное состояние, Тезисы XI Совещ. по теории полупровод., Ужгород, 1983, с. 210–211 (Zegrya G. G. Possible mechanism of phase transition into superionic state. Abstr. XI Meet.  on Semicond. Theory, Uzhgorod, Russia, 1983, p. 210–211, in Russian).
  8. 1986

  9. Гельмонт Б. Л., Елюхин В. А., Зегря Г. Г., Портной Е. Л., Эбаноидзе М. К. Пороговые характеристики инжекционного лазера с одним слабо легированным гетеропереходом. Тезисы IV Всес.конф. "Физические процессы в полупровод. гетероструктурах ", Минск, 1986, ч. II, c. 238–239 (Gelmont B.  L., Elyukhin V.  A., Zegrya G.  G., Portnoi E.  L., Ebanoidze M.  K. Threshold characteristics of injection laser with one slightly doped heterojunction. Abstr. IV All-Union Conf. "Physical Processes in Semicond. Heterostructures", Minsk, 1986, p. II, p. 238–239, in Russian).
  10. 1987

  11. Гельмонт Б. Л., Зегря Г. Г. Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом. Тезисы XIII Всес. совещ. по теории полупровод., Ереван, 1987, с. 93 (Gelmont B. L., Zegrya G. G. Electromagnetic theory of an injection laser with one heterojunction. Abstr. XIII All-Union Meet. on Semicond. Theory, Erevan, 1987, p. 93).
  12. 1994

  13. Андреев А. Д., Зегря Г. Г. Теория оже-рекомбинации в гетероструктурах II типа, Тезисы XVI Межд. конф. по теории полупровод., Донецк–Одесса, 1994, с. 27 (Andreev A.  D., Zegrya G.  G. Theory of Auger recombination in type-II heterostructures. Abstr. 16th Pekar Int. Conf. on Semicond. Theory, Donetsk–Odessa, 1994, p. 27, in Russian).
  14. 1989

  15. Зегря Г.  Г.,Сурис Р. А. Резонансное туннелирование дырок в гетероструктурах. Тезисы XIV Всес. (Пекаровского) совещ. по теории полупровод., Донецк, 1989, с. 3 (Zegrya G. G., Suris R. A. Resonance hole tunneling in heterostructures. Abstr. XIV All-Union (Pekar) Meet. on Semicond.  Theory, Donetsk, 1989, p. 3, in Russian).
  16. 1996

  17. Зегря Г. Г., Полковников А. С. Теория безызлучательной рекомбинации в полупроводниковых квантовых точках. Тезисы II Росс. конф. по физике полупровод., Зеленогорск, 1996, т. 1, с. 95 (Zegrya G. G., Polkovnikov A. S. Theory of non-radiative recombination in semiconductor quantum dots. Abstr. II Conf. on Semicond. Phys., Russia, Zelenogorsk, 1996, v. 1, p. 95, in Russian).
  18. Моисеев К. Д., Михайлова М. П., Зегря Г. Г., Баженов Н. Л., Смирнов В. А., Соловьева О. Ю., Яковлев Ю. П. Излучательная рекомбинация 2D-электронов в разъединенной одиночной гетероструктуре II типа p-GaInAsSb/p-InAs.  Тезисы I I Росс. конф. по физике полупровод., Зеленогорск, 1996, т. 2, с. 117 (Moiseev K. D., Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Bazhenov N. L., Smirnov V. A., Solovyeva O. Yu., Yakovlev Yu. P. Radiative recombination of 2D-electrons in a broken-gap single type-II heterostructure p-GaInAsSb/p-InAs. Abstr. II Conf. on Semicond. Phys., Russia, Zelenogorsk, 1996, v. 2, p. 117, in Russian).
  19. Зегря Г. Г., Евтихиев В. П., Кудряшов И. В., Андреев А. Д., Комиссаров А. Б., Прилутский Д. В., Токранов В. Е. Прямое эксперименальное наблюдение беспорогового процесса оже-рекомбинации в гетероструктурах A3B5 I типа. Тезисы II Росс. конф. по физике полупровод., Зеленогорск, 1996, т. 2, с. 125 (Zegrya G. G., Evtikhiev V. P., Kudryashov I. V., Andreev A. D., Komissarov A. B., Prilutsky D. V., Tokranov V. E. Direct experimental observation of a non-threshold Auger-recombination process in type-I heterostructures A3B5. Abstr. II Conf. on Semicond. Physics, Russia, Zelenogorsk, 1996, v. 2, p. 125, in Russian).
  20. Давыдов В. Ю., Гончарук И. Н., Зегря Г. Г., Нельсон Д. К., Никитина И. П., Семчинова О. К., Якобсон М. Я. Комплексные исследования двуосно-деформированных пленок GaN на подложке SiC. Тезисы II Росс. конф. по физике полупровод., Зеленогорск, 1996, Тезисы докладов, т. 2, с. 168 (Davydov V. Yu., Goncharuk I. N., Zegrya G. G., Nelson D. K., Nikitina I. P., Semchinova O. K., Yakobson M. Ya. Complex research of biaxially deformed films GaN on SiC substrate. Abstr. II Conf. on Semicond. Physics, Russia, Zelenogorsk, 1996, v. 2, p. 168, in Russian).
  21. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theoretical study of Auger recombination processes in strained quantum-well InAlAsSb/GaSb structures for 3–4 μm lasers. Abstr. Int. Conf. "Mid-Infrared Optoelectron, Materials and Devices", Lancaster University, U. K., 17–18 September 1996.
  22. Zegrya G. G., Evtikhiev V. P., Kudryashov I. B., Tokranov V. E. Direct observation of non-threshold process of Auger recombination in type-I A3B5 quantum wells. Abstr. 23rd Int. Symp. on Compound Semicond. ISCS-23, St. Petersburg, 23–27 September 1996.
  23. Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Ivanov-Omsky V. I., Moiseev K. D., Mikhailova M. P., Smirnov V. I., Yakovlev Yu. P. Radiative recombination at the interface of type-II broken-gap p-GaAlAsSb/p-InAs heterojunctions at low temperatures. Abstr. 23rd Int. Symp. on Compound  Semicond. ISCS-23, St. Petersburg, 23–27 September 1996.
  24. 1997

  25. Полковников А. С., Зегря Г. Г. Теоретическое исследование механизмов оже-рекомбинации в квантовых ямах. Тезисы III Росс. конф. по физике полупровод., Москва, 1997, c. 233 (Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Theoretical research of mechanisms of Auger recombination in quantum wells. Abstr. III Conf. on Semicond. Phys., Moscow, Russia, 1997, p. 233, in Russian).
  26. Гунько Н. А., Зегря Г. Г., Соколова З. Н., Халфин В. Б. Влияние межподзонного поглощения в валентной зоне на пороговые характеристики длинноволновых лазеров на основе InAs. Тезисы III Росс. конф. по физике полупровод., 1997, Москва, Россия, с. 253 (Gun'ko N. A., Zegrya G. G., Sokolova Z. N., Khalfin V. B. Influence of intervalence band absorption on threshold chatacteristics of long wavelength lasers based on InAs. Abstr. III Conf. on Semicond. Phys., Moscow, Russia, 1997, p. 253, in Russian).
  27. 1998

  28. Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Auger recombination mechanisms in semiconductor quantum wells. Summ. Int. Conf. "Physics at the Turn of the 21st Century", 28 September–2 October 1998, St. Petersburg, Russia, p. 84.
  29. Zegrya G. G. Quantum oscillations of thermodynamic quantities for two-dimensional (2D) electrons under conditions of the quantum Hall effect. Summ. Int. Conf. "Physics at the Turn of the 21st Century", 28 September–2 October 1998, St. Petersburg, Russia, p. 104.
  30. Тarasov I. S., Vinokurov D. A., Sokolova Z. N., Zegrya G. G. 1.5–2.0 μm InAs/InGaAs/InP strained quantum well and quantum dot laser diodes with lower rate of Auger processes. Summ. Int. Conf. "Physics at the Turn of the 21st Century", 28 September–2 October 1998, St. Petersburg, Russia, p. 102.
  31. Zegrya G. G. Quantum oscillations of thermodynamic quantities for two-dimensional (2D) electrons under conditions of the quantum Hall effect. Summ. Int. Conf. "Physics at the Turn of the 21st Century", 28 September–2 October 1998, St. Petersburg, Russia, p. 104.
  32. 2000

  33. Полковников А. С., Зегря Г. Г. Влияние электронных процессов релаксации на процесс оже-рекомбинации в прямозонных полупроводниках. Тезисы IV Росс. конф. по физике полупров., Россия, Москва, Россия, 2000, c. 48 (Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Influence of electronic relaxation processes on the Auger-recombination in direct-gap semiconductors. Abstr. IV Conf. on Semicond. Physics, Moscow, Russia, 2000, p. 48, in Russian).
  34. Vorobjev L. E., Firsov D. A., Zegrya G. G., Zerova V. L., Towe E., Cockburn I. W. Novel mid-infrared lasers design based on intraband and interband carrier transitions in quantum wells. Abstr. 25th Int. Conf. on Physics of Semicond., Osaka, Japan, 17–22 September 2000, p. 132.
  35. Васильев Ю., Сучалкин С., Зегря Г., Орленко Е. Исследование механизмов взаимодействия электронов в двойных квантовых ямах в магнитном поле. Тезисы IV  Росс. конф. по физике полупров., Москва, Россия, 2000, c. 191 (Vasilyev Yu., Suchalkin S., Zegrya G., Orlenko E. Investigation of mechanisms of electron interaction in double quantum wells in the presence of magnetic field. Abstr. IV Conf. on Semicond. Physics, Moscow, Russia, 2000, p. 191, in Russian).
  36. Васильев Ю., Сучалкин С., Зегря Г., Орленко Е. Исследование механизмов взаимодействия электронов в двойных квантовых ямах в магнитном поле. Тезисы IV  Росс. конф. по физике полупроводников, Москва, Россия, 2000, c. 191 (Vasilyev Yu., Suchalkin S., Zegrya G., Orlenko E. Investigation of mechanisms of electron interaction in double quantum wells in the presence of magnetic field. Abstr. IV Conf. on Semicond. Physics, Moscow, Russia, 2000, p. 191, in Russian).
  37. Vorobjev L. E., Firsov D. A., Zegrya G. G., Zerova V. L., Danilov S. N., Shalygin V. A. New semiconductor lasers based on intraband transitions of injected carriers in quantum wells. Abstr. Int. Conf. on Lasers and Electrooptics CLEO-2000, Nice, France, 10–15 September 2000, p. 229.
  38. Воробьев  Л. Е., Данилов  С. Н., Зегря  Г. Г., Зерова В. Л., Фирсов Д. А., Шалыгин В. А. Новые лазеры среднего ИК диапазона, основанные на внутризонных и межзонных переходах носителей заряда в квантовых ямах наногетероструктур. Росс.-укр. сем. "Нанофизика и наноэлектроника", Киев, ноябрь 2000.
  39. 2002

  40. Pokutnyi S. I., Zegrya G. G. The absorption and scattering of light by nanoparticles: theory. Тезисы I Укр. научной конф. по физике полупров.  УНИФН-1, Украина, Одесса, 10–14 сентября 2002, т. 2, с. 20.
  41. 2005

  42. Серов А. Ю., Зегря Г. Г. Увеличение тока через квантовую яму магнитным полем, лежащим в плоскости интерфейса. Тезисы 7-й Росс. конф. по физике полупров. "Полупроводники-2005", Москва, Звенигород, сентябрь 2005.
  43. Зегря Г. Г. Использование полупроводниковых квантовых точек для исследования биологических систем. Тезисы Межд. школы-конф. "Актуальные проблемы физики полупроводников", 26–30 июня 2005, Дрогобыч, Украина.
  44. 2007

  45. Shkolnik A. S., Kupriyanov K. A., Karachinsky L. Ya., Pellegrini S., Buller G. S., Gordeev N. Yu., Zegrya G. G., Evtikhiev V. P. Finger-print of the Auger recombination process in semiconductor InAs/GaAs quantum dots. Abstr. 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, 25–29 June 2007.
  46. Gaisin V. A., Talalaev V .G., Novikov B. V., Shugunov V. A., Zakharov N. D., Cirlin G. E., Samsonenko Yu. B., Zegrya G. G., Peleschak R. M., Dankiv O. O., Tonkikh A. A., Egorov V. A., Polyakov N. K., Ustinov V. M. The exciton photoluminescence spectrum of multilayer planarly ordered quantum dot InAs/GaAs at the hydrostatic pressure. Abstr. 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, 25–29 June 2007.
  47. Greshnov A. A., Kaliteevski M. A., Abram R. A., Brand S., Zegrya G. G. Analytical theory of density of states in disordered one-dimensional photonic crystals. Abstr. 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, 25–29 June 2007.
  48. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Integer quantum Hall effect with correlated disorder. Abstr. 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, 25–29 June 2007.

Монографии

  1. Zegrya G. G. Mid-Infrared Strained Diode Lasers. In: Antimonide-Related Strained-Layer Heterostructures, ed.  M. O. Manasreh, Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, The Netherlands, 1997, p. 273–368.

Книги

  1. Бодюл П. П., Гицу Д. В., Долма В. А., Миглей М. Ф., Зегря Г. Г. Термоэдс нитевидных кристаллов висмута. В кн. "Экситоны и биэкситоны в полупроводниках", 1982, Кишинев, Штиинца (Bodiul P. P., Gizu D. V., Dolma V. A., Migley M. F., Zegrya G. G. Thermoelectromotive of Thread-Like Bismuth Crystals. In: Excitons and Biexcitons in Semiconductors, 1982, Kishinev, Shtiyinza, in Russian).
  2. Гельмонт Б. Л., Зегря Г. Г. Основы зонной теории полупроводников (часть I). Препринт ФТИ © 1330, Ленинград, 1989, 61 с. (Gelmont B. L., Zegrya G. G. Fundamentals of Band Theory of Semiconductors (part I), Preprint of Ioffe Physical-Technical Institute No. 1330, Leningrad, 1989, 61 p., in Russian).
  3. Гельмонт Б.  Л., Зегря Г. Г. Основы теории полупроводников (часть II), Препринт ФТИ No. 1331, Ленинград, 1989, 42 с. (Gelmont B. L., Zegrya G. G. Fundamentals of Band Theory of Semiconductors (Part II), Preprint of Ioffe Physical-Technical Institute No. 1331, Leningrad, 1989, 42 p., in Russian).
  4. Лев Эммануилович Гуревич. Воспоминания друзей, коллег и учеников. Избранные труды. Под. ред. В. И. Переля и Г. Г. Зегри: Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 1997, 336 c. (Lev Emmanuilovich Gurevich. Memoirs of Friends, Colleagues, and Followers. Ed. V. I. Perel and G. G. Zegrya. St. Petersburg: Ioffe PTI of RAS, 1997, 336 p., in Russian).
  5. Зегря Г. Г., Перель В. И. Основы физики полупроводников. Книга рекомендована в качестве учебника для студентов-физиков Министерством науки и образования РФ. Москва: Физматлит, 2009, 336 с. (Zegrya G. G., Perel V. I. Fundamentals of Semiconductor Physics. Textbook recommended by the RF Ministry of Education and Science for the physics students. Moscow: Fizmatlit, 2009, 336 p., in Russian).
  6. ЕрофеевН. П., Зегря Г. Г., Вчерашний Д. Б. Наноструктуры: физическая сущность и варианты применения в медицине. Колл. моногр. под ред. чл.-корр. РАМН Е. В. Шляхто “Нанотехнологии в биологии и медицине”, 2009.
  7. Mikhailova M. P., Danilov L. V., Kalinina K. V., Ivanov E. V., Stoyanov N. D., Zegrya G. G., Yakovlev Yu. P., Hospodkova A., Pangrac J., Zikova M., Hulicius E. Superlinear Luminescence and Enhancement of Optical Power in GaSb-based Heterostructures with High Conduction-Band Offsets and Nanostructures with Deep Quantum Wells. In Collected Articles “The Wonder of Nanotechnology: Quantum Optoelectronic Devices and Applications Book”, Chapter 5, p. 105–131. SPIE 2013, Int. Soc. for Optical Eng., ISBN 978-0-819-49596-9.

Учебные пособия

  1. Зегря Г. Г., Векслер М. И. Элементарные задачи по квантовой механике (учебное пособие). Препринт 1686, Санкт-Петербург, 1997, ФТИ им. Иоффе, 70 с. (Zegrya G. G., Veksler M. I. Elementary Quantum Mechanical Problems, Manual, Preprint No. 1686, St. Petersburg, 1997, Ioffe Physical-Technical Institute, 70 p., in Russian).
  2. Векслер М. И., Зегря Г. Г. Задачи по квантовой механике (учебное пособие). Препринт 1685, Санкт-Петербург, 1997, ФТИ им. Иоффе, 70  с. (Zegrya G. G., Veksler M. I. Quantum Mechanical Problems. Manual. Preprint No. 1685, St. Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute, 1997, 70 p., in Russian).
  3. Зегря Г.  Г., Мастеров В. A., Паршин Д.  А. Динамика материальной точки (учебное пособие). Санкт-Петербург, ПИЯФ, 1998, 44 с. (Zegrya G. G., Masterov V. F., Parshin D. A. Dynamics of a Material Point. Manual, St. Petersburg: St. Petersburg Institute of Nuclear Physics, 1998, 44 p., in Russian).
  4. Паршин Д. А., Зегря Г. Г., Мастеров В. Ф. Кинематика материальной точки (учебное пособие). Санкт-Петербург, ПИЯФ, 1998, 43 с. (Parshin D. A., Zegrya G. G., Masterov V. F. Kinematics of a Material Point. Manual, St. Petersburg: St. Petersburg Institute of Nuclear Physics, 1998, 43 p., in Russian).
  5. Мастеров В. Ф., Паршин Д. А., Зегря Г. Г. Момент импульса. Динамика твердого тела (учебное пособие). Санкт-Петербург: ПИЯФ, 1999, 47 с. (Masterov V. F., Parshin D. A., Zegrya G. G. Angular Momentum. Dynamics of  Solid State. Manual,. St. Petersburg: St. Petersburg Institute of Nuclear Physics, 1999, 47 p., in Russian).
  6. Паршин Д. А., Зегря Г. Г., Мастеров В. Ф. Колебания (учебное пособие). Санкт-Петербург, ПИЯФ, 1999, 48 с. (Parshin D. A., Zegrya G. G., Masterov V. F. Oscillations. Manual, St. Petersburg: St. Petersburg Institute of Nuclear Physics, 1999, 48 p., in Russian).
  7. Воробьев Л. Е., Данилов С. Н., Зегря Г. Г., Фирсов Д. А., Шалыгин В. А., Яссиевич И. Н., Берегулин Е. В. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах.. Санкт-Петербург: Наука, 2001, 248 с. (Vorobjev L. E., Danilov S. N., Zegrya G. G., Firsov D. A., Shalygin V. A., Yassievich I. N., Beregulin E. V. Phtoelectric Phenomena in Semiconductors and Dimensionally Quantified Structures. St. Petersburg: Nauka, 2001, 248 p., in Russian).
  8. Векслер М. И., Зегря Г. Г. Расчет стационарных магнитных полей. ФТИ им. Иоффе РАН, СПб, 2003, 63 с. (Veksler M. I., Zegrya G. G. Calculation of Stationary Magnetic Fields. Ioffe PTI RAS, SPb, 2003, 63 p., in Russian).
  9. Векслер М.И., Зегря Г. Г. Расчет стационарных электрических полей. ФТИ им. Иоффе РАН, СПб, 2003, 70 с. (Veksler M. I., Zegrya G. G. Calculation of Stationary Electrical Fields. Ioffe PTI RAS, SPb, 2003, 70 p., in Russian).
  10. БожокинС. В., Зегря Г. Г., Мынбаев К. Д., Чикалова-Лузина О. П. Квантовые точки в биологии и медицине: учебное пособие. Изд. СПбГПУ, 2011, ISBN: 978-5-7422-3174-5, 138 с.

Публикации в интернете

  1. Zegrya G. G. Interactive Database: New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. St. Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute, RAS, 2002.
  2. Паршин Д. А., Зегря Г. Г. Курс общей физики: классическая механика, специальная теория относительности, основы общей теории относительности. Февраль 2001. Последнее обновление произведено 31.01.2003 отделом научно-технической информации Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург.
  3. Дистантное образование по физике. Система создается на базе образовательной программы Научно-образовательного центра Физико-технического института им. Иоффе РАН.