СПИСОК ТРУДОВ ЗЕГРИ ГЕОРГИЯ ГЕОРГИЕВИЧА

  1. Bodiul P. P., Gitsu D. V., Dolma V. A., Miglei M. F., Zegrya G. G. The thermopower in bismuth whiskers. Phys. Stat. Sol. (a), 1979, v. 53, no. 1, p. 87–93.
  2. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Термоэлектромагнитные волны в проводниках при наличии сильного магнитного поля. ЖЭТФ, 1980, т. 78, в. 1, с. 123–131.
  3. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. О возможности низкочастотных электромагнитных волн в металлах. ПисьмаЖЭТФ, 1980, т. 32, в. 11, с. 646–650.
  4. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Спонтанное радиоизлучение полупроводника при наличии в нем градиента температуры и сильного магнитного поля. ТезисыX Совещ. по теории полупроводников, Новосибирск, 1980, ч. I, с.
  5. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Квазиальфвеновские волны, их самовозбуждение и спонтанное излучение. ПисьмаЖЭТФ, 1981, т. 34, в. 10, с. 525–529.
  6. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Спонтанное радиоизлучение металлов в магнитном поле при наличии градиента температуры. ЖЭТФ, 1981, т.81, в. 4(10), с. 1337–1346.
  7. БодюлП. П., Гицу Д. В., Долма В. А., Миглей М. Ф., Зегря Г. Г. Термоэдс нитевидных кристаллов висмута. В кн. "Экситоны и биэкситоны в полупроводниках", 1982, Кишинев, «Штиинца».
  8. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Самовозбуждение плоских и цилиндрических термоэлектромагнитных и термомагнитных волн в проводящих кристаллах. Тезисы XXII Всес. совещ. по физике низких температур, Кишинев, 1982, Тезисы докл., ч. 2, с. 142–143.
  9. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Общая теория самовозбуждения термомагнитных волн. ФТТ, 1982, т. 24, в. 2, с. 396–401.
  10. Зегря Г. Г. Термомагнитные волны в металлах и полупроводниках, их самовозбуждение и излучение в магнитном поле. Автореф.дисс. на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук, Кишинев, 1982.
  11. Зегря Г. Г. О возможном механизме фазового перехода в суперионное состояние, Тезисы XI Совещ. по теории полупровод., Ужгород, 1983, с. 210–211.
  12. Гуревич Л. Э., Зегря Г. Г. Термомагнитная генерация переменного тока при конвективной неустойчивости с обратной связью. ФТТ, 1984, т.26, в. 10, с. 2980–2984.
  13. Гельмонт Б. Л., Елюхин В. А., Зегря Г. Г., Портной Е. Л., Эбаноидзе М. К. Пороговые характеристики инжекционного лазера с одним слабо легированным гетеропереходом. Тезисы IV Всес.конф. "Физические процессы в полупровод. гетероструктурах ", Минск, 1986, ч. II, c. 238–239.
  14. Гельмонт Б. Л., Елюхин В. А., Зегря Г. Г., Портной Е. Л., Эбаноидзе М. К. Пороговые характеристики инжекционного лазера с одним слабо легированным гетеропереходом. ФТП, 1986, т. 20, в. 11, с. 2061–2964.
  15. Гельмонт Б. Л., Зегря Г. Г. Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом. ТезисыXIII Всес. совещ. по теории полупровод., Ереван, 1987, с. 93.
  16. Гельмонт Б. Л., Зегря Г. Г. Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом. ФТП, 1988, т. 22, в. 8, с. 1381–1386.
  17. Гельмонт Б. Л., Зегря Г. Г. Основы зонной теории полупроводников (часть I), Препринт ФТИ № 1330, Ленинград, 1989, 61 с.
  18. ГельмонтБ. Л., Зегря Г. Г. Основы теории полупроводников (часть II). Препринт ФТИ № 1331, Ленинград, 1989, 42 с.
  19. Зегря Г. Г., Сурис Р. А. Резонансное туннелирование дырок в гетероструктурах. Тезисы XIV Всес. (Пекаровского) совещ. по теории полупровод., Донецк, 1989, с. 3.
  20. Алферов Ж. И., Ефремов Ю. Н., Голант В. Е., Гуревич В. Л., Захарченя Б. Я., Зегря Г. Г., Ипатова И. П., Перель В. И., Парийский Н. Н., Чернин А. Д. Лев Эммануилович Гуревич. УФН, июнь1991, т. 161, в. 6, с. 207–209.
  21. Андаспаева А. А., Баранов А. Н., Гельмонт Б. Л., Джуртанов Б. Е., Зегря Г. Г., Именков А. Н., Яковлев Ю. П., Ястребов С. Г. Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС-лазеров на основе GaInAsSb. ФТП, 1991, т.25, в. 3, с. 394–401.
  22. Гельмонт Б. Л., Зегря Г. Г. Температурная зависимость пороговой плотности тока инжекционного гетеролазера. ФТП, 1991, т.25, в. 11, c. 2019–2023.
  23. Айдаралиев М. Ш., Зегря Г. Г., Зотова Н. В., Карандашев С. А., Матвеев Б. А., Стусь Н. М., Талалакин Г. Н. Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb. ФТП, 1992, т.26, в. 2, c. 246–256.
  24. Зегря Г. Г., Харченко В. А. Новый механизм оже-рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниковых гетероструктурах. ЖЭТФ, 1992, т. 101, в. 1, с. 327–343.
  25. Suris R. A., Zegrya G. G. Resonant hole tunneling through a single heterobarrier in semiconductor heterostructures. Semicond. STechnol., March 1992, v. 7, no. 3, p. 347–351.
  26. Зегря Г. Г., Паршин Д. А., Шабаев А. Р. Длинноволновый сдвиг края усиления в полупроводниковых гетеролазерах. ФТТ, 1992, т. 34, в. 4, с. 1224–1230.
  27. Zegrya G. G. A novel mechanism of light absorption on free charge carriers in semiconductor quantum structures. Int. Semicond. Device Res. Symp., Charlottesville, USA, 1993, p. 635-
  28. Андреев А. Д., Зегря Г. Г. Теория оже-рекомбинации в гетероструктурах II типа, Тезисы XVI Межд. конф. по теории полупровод., Донецк–Одесса, 1994, с. 27.
  29. Zegrya G. G., Mikhailov M. Yu. Effect of heteroboundary on the indirect optical transitions in semiconductor quantum structures. Proc. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 1994, p. 100.
  30. Zegrya G. G., Voisin P., Nelson D. K., Starukhin A. N., Titkov A. N. Non-threshold mechanism of Auger hole excitation in a heteroboundary of type II. Proc. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 1994, p. 101-104.
  31. Андреев А. Д. Зегря Г. Г. Влияние магнитного поля на процесс оже-рекомбинации в полупроводниках. ЖЭТФ, 1994, т. 105, в. 4, с. 1005.
  32. Андреев А. Д., Зегря Г. Г. Беспороговый механизм оже-рекомбинации в полупроводниках в квантующем магнитном поле. ЖЭТФ, 1994, т. 105, в. 4, с. 1005–1016.
  33. Zegrya G. G., Andreev A. D. Theory of the excess carrier recombination processes in heterostructures of type II. Proc. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 26-30 June, 1995, p. 163-166.
  34. Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Moiseev K. D., Timchenko I. N., Andreev I. A., Yakovlev Yu. P. Elecroluminescence of confined carriers in type-II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs single heterojunction. Proc. SPIE, 1995, v. 2397, p. 166-
  35. Zegrya G. G., Andreev A. D. Theory of the excess carrier recombination processes in heterostructures of type II. Proc. Int. Semicond. Conf. (CAS’95), Sinaia, Romania, 11-14 October, 1995, p. 253-
  36. Zegrya G. G., Andreev A. D., Gun'ko N. A., Frolushkina E. V. Calculation of QW-laser threshold currents in terms of new channels of non-radiative Auger recombination. SPIE, 1995, v. 2399, p. 307-316.
  37. Yakovlev Yu. P., Moiseev K. D., Mikhailova M. P., Ershov O. G., Zegrya G. G. Tunnel-injection laser based on type II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs single heterojunction. Proc. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 26-30 June, 1995, p. 329-331.
  38. Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Moiseev K. D., Yakovlev Yu. P. Interface electroluminesence of confined carriers in type II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs single heterojunction. 7th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures, Madrid, Spain, 10-14 July, 1995, Workbook II, p. 1004-
  39. Михайлова М. П., Зегря Г. Г., Моисеев К. Д., Тимченко М. Н., Яковлев Ю. П. Обнаружение электролюминесценции локализованных носителей в одиночных разъединенных гетеропереходах II типа p-GaInAsSb/p-InAs. ФТП, 1995, т.29, в. 4, с. 687–696.
  40. Андреев А. Д., Зегря Г. Г. Механизм подавления процессов оже-рекомбинации в гетероструктурах II типа. ПисьмаЖЭТФ, 1995, т. 61, в. 9, с. 749–754.
  41. Данилова Т. Н., Ершов О. Г., Зегря Г. Г., Именков А. Н., Степанов М. В., Шерстнев В. В., Яковлев Ю. П. Поляризация излучения ДГС-лазеров на основе InAsSb/InAsSbP. ФТП, 1995, т. 29, в. 9, с. 1604–1610.
  42. Зегря Г. Г., Мастеров В. Ф. Механизм увеличения интенсивности f–f-люминесценции в полупроводниках. ФТП, 1995, т.29, в. 10, с. 1893–1905.
  43. Зегря Г. Г., Гунько Н. А., Именков А. Н., Фролушкина Е. В., Яковлев Ю. П. Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС-лазеров на основе GaInAsSb с тонкой активной областью. ФТП, 1995, т. 29, в. 12, c. 2218–2227.
  44. Zegrya G. G., Andreev A. D. Mechanism of suppression of Auger recombination processes in type-II heterostructures, Appl. Phys. Lett., 30 October 1995, v. 67, no. 18, p. 2681–2683.
  45. Zegrya G. G. Masterov V. F. Two novel mechanisms of f-f-luminescence resonance exctation in semiconductors. X Feofilov Symp. on Spectroscopy of Crystals Activated by Rare-Earth and Transitional Ions. St. Petersburg, Russia, 2-8 July, 1995.
  46. Зегря Г. Г. Излучательные и безызлучательные переходы носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах. Автореф. дисс. на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук, Санкт-Петербург, 1995.
  47. Gorbatyuk A. V., Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Moiseev K. D., Stojanov N. D., Andreychuk O. V., Yakovlev Yu. P. Negative differential resistance and radiative recombination in type-II broken-gap p-GaInAsSb/n-InAs single heterojunctions. Proc. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, 24-28 June 1996, p. 62-
  48. Зегря Г. Г., Полковников А. С. Теория безызлучательной рекомбинации в полупроводниковых квантовых точках. Тезисы II Росс. конф. по физике полупровод., Зеленогорск, 1996, т. 1, с. 95.
  49. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theoretical study of non-threshold Auger recombination in compressively strained InAlAsSb/GaSb quantum wells. Proc. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 24-28 June 1996, p. 99-102.
  50. Zegrya G. G., Andreev A. D. Calculation of threshold characteristics of mid-infrared laser based on type-II heterostructure with quantum wells. Proc. SPIE, 1996, v. 2682, p. 224-
  51. Andreev A. D., Zegrya G. G. Effect of strain on thresholdless Auger recombination in quantum wells. Proc. Int. Semicond. Conf. (CAS’96), Sinaia, Romania, 9-12 October, 1996, p. 265-
  52. Zegrya G. G., Andreev A. D. Calculation of threshold characteristics of mid-infrared lasers based on type-II heterostructure with quantum wells. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, St. Petersburg, Russia, 24-28 June 1996, p. 370-373.
  53. Моисеев К. Д., Михайлова М. П., Зегря Г. Г., Баженов Н. Л., Смирнов В. А., Соловьева О. Ю., Яковлев Ю. П. Излучательная рекомбинация 2D-электронов в разъединенной одиночной гетероструктуре II типа p-GaInAsSb/p-InAs. Тезисы I I Росс. конф. по физике полупровод., Зеленогорск, 1996, т. 2, с. 117.
  54. Зегря Г. Г., Евтихиев В. П., Кудряшов И. В., Андреев А. Д., Комиссаров А. Б., Прилутский Д. В., Токранов В. Е. Прямое эксперименальное наблюдение беспорогового процесса оже-рекомбинации в гетероструктурах A3B5 I типа. ТезисыII Росс. конф. по физике полупровод., Зеленогорск, 1996, т. 2, с. 
  55. Давыдов В. Ю., Гончарук И. Н., Зегря Г. Г., Нельсон Д. К., Никитина И. П., Семчинова О. К., Якобсон М. Я. Комплексные исследования двуосно-деформированных пленок GaN на подложке SiC. Тезисы II Росс. конф. по физике полупровод., Зеленогорск, 1996, Тезисы докладов, т. 2, с. 168.
  56. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theoretical study of Auger recombination processes in strained quantum-well InAlAsSb/GaSb structures for 3–4 μm lasers. Abstr. Int. Conf. "Mid-Infrared Optoelectron, Materials and Devices", Lancaster University, U. K., 17–18 September 1996.
  57. Zegrya G. G., Evtikhiev V. P., Kudryashov I. B., Tokranov V. E. Direct observation of non-threshold process of Auger recombination in Type-I A 3 B 5 quantum wells. Abstr. 23rd Int. Symp. on Compound Semicond. ISCS-23, St. Petersburg, 23–27 September 1996.
  58. Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Ivanov-Omsky V. I., Moiseev K. D., Mikhailova M. P., Smirnov V. I., Yakovlev Yu. P. Radiative recombination at the interface of type-II broken-gap p-GaAlAsSb/p-InAs heterojunctions at low temperatures. Abstr. 23rd Int. Symp. on Compound Semicond. ISCS-23, St. Petersburg, 23–27 September 1996.
  59. Зегря Г. Г., Андреев А. Д. Теория рекомбинации неравновесных носителей в гетероструктурах типа II. ЖЭТФ, 1996, т.109, в. 2, c. 615–638.
  60. Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Moiseev K. D., Yakovlev Yu. P. Interface electroluminesence of confined carriers in type-II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs single heterojunction. Solid State Electron, 1996, v. 40, no. 1–8, p. 673–677.
  61. Зегря Г.Г., Гунько Н.А.Теоретическое исследование пороговых характеристик лазеров на многих квантовых ямах на основе InGaN. ФТП, 1997, в. 7, с. 843.
  62. Zegrya G. G., Masterov V. F. Mechanism of generation of f-f radiation in semiconductor heterostructures. Proc. Int. Conf. of Defects in Semiconductors, Aveiro, Portigal, 1997, p. 83.
  63. Полковников А. С., Зегря Г. Г. Теоретическое исследование механизмов оже-рекомбинации в квантовых ямах. ТезисыIII Росс. конф. по физике полупровод., Москва, 1997, c. 233.
  64. Гунько Н. А., Зегря Г. Г., Соколова З. Н., Халфин В. Б. Влияние межподзонного поглощения в валентной зоне на пороговые характеристики длинноволновых лазеров на основе InAs. ТезисыIII Росс. конф. по физике полупровод., 1997, Москва, Россия, с. 
  65. Zegrya G. G. Theory of InGaN multiquantum well laser diodes. Proc. SPIE, 1997, v. 3001, p. 143-
  66. Andreev A. D., Zegrya G. G. Effect of strain on the elementary recombination processes in type-II heterostructures with quantum wells. SPIE, 1997, v. 2994, p. 154-161.
  67. Andreev A. D., Zegrya G. G. Calculation of threshold characreristics of 3-4 mm compressively strained InAlAsSb MQW lasers. Proc. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 23-27 June 1997, p. 168-171.
  68. Andreev A. D., Zegrya G. G. Effect of strain on Auger recombination in type-II quantum wells. Proc. Int. Conf. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 23-27 June, 1997, p. 172-175.
  69. Gun'ko N. A., Zegrya G. G., Sokolova Z. N., Khalfin V. B. Influence of intervalence band absorption on characteristics of long wavelength lasers based on InAs. Proc. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, -Petersburg, Russia, 23-27 June 1997, p. 187-190.
  70. Zegrya G. G. New fundamental approach to creation of mid-nfrared lasers operating at high temperature. Proc. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 23-27 June 1997, p. 214-217.
  71. Zegrya G. G., Polkovnikov A. S. Theoretical analysis of Auger recombination mechanisms in semiconductor quantum wells. Proc. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 23-27 June 1997, p. 218.
  72. Zegrya G. G., Masterov V. F. Mechanism of generation of f-f radiation in semiconductor heterostructures. Materials Science Forum, 1997, v. 258-263, p. 1601-1606, Trans. Tech. Publications, Switzerland.
  73. Gun'ko N. A., Zegrya G. G., Sokolova Z. N., Khalfin V. B. Influence of intervalence band absorption on chracteristics of long wavelength lasers based on InAs. Int. Semicond. Proc. Device Research Symp., Charlottesville, USA, 1997, 281-284.
  74. Andreev A. D., Zegrya G. G. Auger recombination in strained quantum-well InAlAsSb/GaSb structures for 3-4 mm lasers. Proc. IEE Optoelectronics, October 1997, v. 144, n. 5, с. 336-
  75. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theoretical performance of 3-4 mm compressive strained InGaAsSb QW lasers. Proc. SPIE, 1997, v. 3001, p. 364-
  76. Zegrya G. G., Golovach V. N., Konstantinovich A., Tkach M. V. Electron and hole spectra in ellipsoidal nanoheterostructure (quantum dot). Proc. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 23-27 June 1997, p. 437-439.
  77. Yakovlev Y. P., Danilova T. N., Ershov J. G., Zegrya G. G. Mid-infrared diode lasers based on III-V alloys for the spectral range 3-4 m Inst. Phys. Conf., 1997, ser. 155, p. 551-556.
  78. Yakovlev Yu. P., Danilova T. N., Imenkov A. N., Ershov O. G., Sherstev V. V., Zegrya G. G. Suppression of Auger recombination in the diode lasers based on type-II InAsSb/InAsSbP heterostructure. Proc. SPIE, 1997, v. 3001, p. 673-
  79. Evtikhiev V. P., Kudryashov I. V., Tokranov V. E., Prilutsky D. V., Zegrya G. G. Direct observation of non-threshold process of Auger recombination in type-I A3B5 quantum wells. Inst. Phys. Conf., 1997, ser. 155, chap. 10, p. 795-
  80. Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Ivanov-Omsky V. I., Moiseev K. D., Mikhailiva M. P., Smirnov V. A., Yakovlev Yu. P. Radiative recombination at the interface of type-II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs heterojunctions at low temperature. Proc. Inst. Phys. Conf., 1997, ser. 155, chap. 12, p. 1025-
  81. Vorobjev L. E., Danilov S. N., Donetsky D. V., Kochegarov Yu. V., Titkov I. E., Firsov D. A., Shalygin V. A., Tulupenko V. N., Zegrya G. G., Towe E. Emission and absorption of FIR radiation by hot electrons in simple rectangular and asymmetric tunnel-coupled quantum wells. Proc. Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 1997, St. Petersburg, Russia, p. 2372.
  82. Андреев А. Д., Зегря Г. Г. Оже-рекомбинация в напряженных квантовых ямах. ФТП, 1997, т.31, в. 3, с. 358–364.
  83. Зегря Г. Г., Гунько Н. А., Евтихиев Е. П., Котельников Е. Ю., Кудрявцев И. П. Исследование нового беспорогового механизма оже-рекомбинации в квантовых ямах. Инф.бюлл. РФФИ, 2 января 1997, т. 5, с. 
  84. Яковлев Ю. П., Моисеев К. Д., Михайлова М. П., Ершов О. Г., Зегря Г. Г. Излучение длинноволновой гетероструктуры с одним изолированным гетеропереходом II типа GaInAsSb/PInAs. Письма в ЖТФ, 1997, т. 21, в. 21, с. 482–484.
  85. Andreev A. D., Zegrya G. G. Theoretical study of thresholdless Auger recombination in compressively strained InAlAsSb/GaSb quantum wells. Phys. Lett., 3 February 1997, v. 70, no. 5, p. 601–603.
  86. Баженов Н. Л., Зегря Г. Г., Михайлова М. П., Моисеев К. Д., Смирнов В. А., Соловьева О. Ю., Яковлев Ю. П. Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении. ФТП, 1997, т.31, в. 6, с. 658–661.
  87. Баженов Н. А., Зегря Г. Г., Иванов-Омский В. И., Михайлова М. П., Михайлов М. Ю., Моисеев К. Д., Смирнов В. А., Яковлев Ю. П. Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах. ФТП, 1997, т.31, в. 10, с. 1216–1219.
  88. Гунько Н. А., Зегря Г. Г., Зотова Н. В., Соколова З. Н., Стусь Н. М., Халфин В. Б. Влияние межподзонного поглощения в валентной зоне на пороговые характеристики длинноволновых лазеров на основе InAs. ФТП, 1997, т. 31, в. 11, с. 1396–1403.
  89. Зегря Г. Г., Векслер М. И. Элементарные задачи по квантовой механике (учебное пособие). Препринт1686, Санкт-Петербург, 1997, ФТИ им. Иоффе, 70 с.
  90. Векслер М. И., Зегря Г. Г. Задачи по квантовой механике (учебное пособие). Препринт 1685, Санкт-Петербург, 1997, ФТИ им. Иоффе, 70 с.
  91. Избранные труды. Лев Эммануилович Гуревич. Воспоминания друзей, коллег и учеников. Под ред. В. И. Переля и Г. Г. Зегри. Санкт-Петербург, 1997, ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 352 с.
  92. Zegrya G. G. Mid-Infrared Strained Diode Lasers, in: Antimonide-Related Strained-Layer Heterostructures. Ed. by M. Manasreh, Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, Netherlands, 1997, p. 273-368.
  93. Zegrya G. G. Auger recombination in a quantum well in a quantizing magnetic field. Proc. 6th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 22-26 June 1998, p. 46-49.
  94. Zegrya G. G. Quantum oscillations of thermodynamic quantities for two-dimensional (2D) electrons under conditions of the quantum Hall effect. Summ. Int. Conf. "Physics at the Turn of the 21st Century", 28 September–2 October 1998, St. Petersburg, Russia, p. 104.
  95. Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Auger recombination mechanisms in semiconductor quantum wells. Summ. Int. Conf. "Physics at the Turn of the 21st Century", 28 September–2 October 1998, St. Petersburg, Russia, p. 84.
  96. Тarasov I. S., Vinokurov D. A., Sokolova Z. N., Zegrya G. G. 1.5–2.0 μm InAs/InGaAs/InP strained quantum well and quantum dot laser diodes with lower rate of Auger processes. Summ. Int. Conf. "Physics at the Turn of the 21st Century", 28 September–2 October 1998, St. Petersburg, Russia, p. 102.
  97. Bondarenko E. B., Vorobjev L. E., Danilov S. N., Donetsky D. V., Zerova V. L., Kochegarov Yu. V., Firsov D. A., Shalygin V. A., Zegrya G. G., Towe E. FIR emission and absorption due to indirect optical transitions of hot electrons in GaAs/AlGaAs QW. Proc. 6th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 22-26 June 1998, p. 156-159.
  98. Mikhailova M. P., Zhurtanov B. E., Moiseev K. D., Zegrya G. G., Andreychuk O. V., Voronina T. I., Yakovlev Yu. P. Blue shift of electroluminescence in AlGaAsSb/InGaAsSb double heterostructures with asymmetric band offset confinements. Proc. 6th Int Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 22-26 June 1998, p. 406-409.
  99. Зегря Г. Г., Перлин В. Е. Внутризонное поглощение света в квантовых ямах за счет электрон-электронных столкновений. ФТП, 1998, т.32, в. 4, с. 466–471.
  100. Воробьев Л. Е., Донецкий Д. В., Фирсов Д. Ф., Бондаренко Е. Б., Зегря Г. Г., Тове Е. Излучение терагерцевого диапазона из квадратных ям в продольном электрическом поле. Письма ЖЭТФ, 1998, т. 67, в. 7, с. 507–511.
  101. Gunko N. A., Khalfin V. B., Sokolova Z. N., Zegrya G. G. Optical loss in InAs-based long-wavelength lasers. J. Appl. Phys., 1 July 1998, v. 84, no. 1, p. 547–554.
  102. Cучалкин С. Д., Васильев Ю. Б., фон Клитциг К., Головач В. Н., Зегря Г. Г., Иванов С. В., Копьев П. С., Мельцер Б. Я. К вопросу о природе осцилляций циклотронного поглощения в квантовых ямах InAs/GaSb. ПисьмаЖЭТФ, 1998, т. 68, в. 10, с. 753–758.
  103. Зегря Г. Г., Гунько Н. А. Теоретическое исследование пороговых характеристик лазеров на многих квантовых ямах на основе InGaN. ФТП, 1998, т.32, в. 7, с. 843–848.
  104. Зегря Г. Г., Полковников А. С. Механизмы оже-рекомбинации в квантовых ямах. ЖЭТФ, 1998, т. 113, в. 4, с. 1491–1521.
  105. Zegrya G. G., Masterov V. F. Mechanism of generation of f–f-radiation in semiconductor heterostructures. Appl. Phys. Lett., 7 December 1998, v. 73, no. 23, p. 3444–3446.
  106. Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Auger recombination in semiconductor quantum wells. Phys. Rev. B, 15 August 1998, v. 58, no. 7, p. 4039–4056.
  107. Зегря Г. Г., Мастеров В. A., Паршин Д. А. Динамика материальной точки (учебное пособие). Санкт-Петербург, ПИЯФ, 1998, 44 с.
  108. Паршин Д. А., Зегря Г. Г., Мастеров В. Ф. Кинематика материальной точки (учебное пособие). Санкт-Петербург, ПИЯФ, 1998, 43 с.
  109. Зегря Г. Г. Михайлова М. П., Данилова Т. Н., Именков Ю. П. Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и InAs/GaInAsSb. ФТП, 1999, т. 33, в. 3, с. 351–356.
  110. Vorobjev L. E., Danilov S. N., Donetsky D. V., Zegrya G. G. et al. Hot electron FIR emission and absorption in GaAs/AlGaAs quantum wells. Mater. Sci. Forum, 1999, v. 297-302, p. 45-
  111. Zegrya G. G., Tkach M., Makhanets O., Zharkov V. Electron in quasiplane superlattice of cylindric quantum dots. Proc. 7th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 14-18 June 1999, p. 74-76.
  112. Kostko I. A., Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Yu., Zegrya G. G. Fundamental-mode laser power rise iby means of facet inclination. Proc. SPIE, 1999, v. 3628, p. 275-
  113. Zegrya G. G., Dogonkin E. B., Polkovnikov A. S. Theoretical investigation of carrier relaxation processes in quantum wells and their effect on radiative and Auger recombination. Proc. Int. Semicond. Conf. (CAS’99), Sinaia, Romania, 5-9 October, 1999, p. 351-
  114. Зегря Г. Г., Михайлова М. П., Данилова Т. Н., Именков А. Н., Моисеев К. Д., Шерстнев В. В., Яковлев Ю. П. Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и InAs/GaInAsSb. ФТП, 1999, в. 3, с. 351.
  115. Dogonkin E. B., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Mechanisms of Auger recombination in semiconductor quantum wires. Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 14–18 June 1999, p. 42–45.
  116. Polkovnikov A. S., Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Effect of relaxation processes on Auger recombination in semiconductor quantum wells. Proc. 7th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 14-18 June 1999, p. 386-389.
  117. Tkach M. V., Pronyshyn T. V., Makhanets A. M., Zegrya G. G., Golovach V. N. Electron and hole spectra in the superlattice of cylindrical quantum wires. Mat. Phys., 1999, v. 2, no. 3(19), p. 553–560.
  118. Головач В. Н., Зегря Г. Г., Маханец А. И., Пронишин И. В., Ткач Н. В. Спектры электронов и дырок в сверхрешетке цилиндрических квантовых проволок. ФТП, 1999, т.33, в. 5, с. 603–607.
  119. Костко И. А., Евтихиев Е. П., Котельников Е. Ю., Зегря Г. Г. Повышение мощности лазеров с широким волноводом посредством дополнительной селекции поперечных мод. ФТП, 1999, т. 33, в. 6, с. 752–758.
  120. Kostko I. A., Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Yu., Zegrya G. G. Power rise in broad-waveguide diode laser with inclined facet. Appl. Phys. Lett., 15 February 1999, v. 74, no. 7, p. 905–907.
  121. Asryan L. V., Gun'ko N. A., Polkovnikov A. S., Suris R. A., Zegrya G. G., Elenkrig B. B., Smetona S., Simmons J. G., Lau P.-K., Makino T. High power and high temperature operation of InGaAsP/InP multiple quantum well lasers. Sci. Technol., December 1999, v. 14, no. 12, p. 1069–1075.
  122. Соколова З. Н., Винокуров Д. А., Тарасов И. С., Гунько Н. А., Зегря Г. Г. Гетероструктуры в системе InGaAs/InP с напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками ( a =1,5–1,9 мкм). ФТП, 1999, т.33, в. 9, с. 1105–1107.
  123. Зегря Г. Г. Квантование магнитной индукции в 2D-системе в условиях квантового эффекта Холла. ФТП, 1999, т. 33, в. 9, с. 1144–1147.
  124. Мастеров В. Ф., Паршин Д. А., Зегря Г. Г. Момент импульса. Динамика твердого тела (учебное пособие). Санкт-Петербург: ПИЯФ, 1999, 47 с.
  125. Паршин Д. А., Зегря Г. Г., Мастеров В. Ф. Колебания (учебное пособие). Санкт-Петербург, ПИЯФ, 1999, 48 с.
  126. Vorobjov L. E., Zegrya G. G., Firsov D. A. Mid-infrared range laser based on ibtersubband transitions and resonant Auger processes in quantum wells. Proc. 8th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 19-23 June 2000, p. 84-87.
  127. Полковников А. С., Зегря Г. Г. Влияние электронных процессов релаксации на процесс оже-рекомбинации в прямозонных полупроводниках. ТезисыIV Росс. конф. по физике полупров., Россия, Москва, Россия, 2000, c.
  128. Воробьев Л. Е., Фирсов Д. А., Зегря Г. Г. Оже-лазер среднего ИК-диапазона на межподзонных переходах носителей заряда в квантовых ямах. Нанофотоника. Материалы совещания (Нижний Новгород, 20-23 марта 2000 г.). Институт физики микроструктур РАН, 2000, с. 91-
  129. Васильев Ю., Сучалкин С., Зегря Г., Орленко Е. Исследование механизмов взаимодействия электронов в двойных квантовых ямах в магнитном поле. ТезисыIV Росс. конф. по физике полупров., Москва, Россия, 2000, c.
  130. Vorobjev L. E., Firsov D. A., Zegrya G. G., Zerova V. L., Towe E., Cockburn I. W. Novel mid-infrared lasers design based on intraband and interband carrier transitions in quantum wells. Proc. 25th Int. Conf. on Physics of Semicond. Osaka, Japan, September 17-22 2000, p. 132.
  131. Nezlobin N. A., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G. Theoretical investigation of intraband absorption of electromagnetic radiation by holes in quantum wells. Proc. 8th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, 19–23 June 2000, p. 194–197.
  132. Dogonkin E. B., Golovatch V. N., Polkovnikov A. S., Pozdnyakov A. V., Zegrya G. G. Theoretical investigation of Auger recombination in spherical quantum dots. Proc. 8th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 19-23 June 2000, p. 399-401.
  133. Vorobjev L. E., Firsov D. A., Zegrya G. G., Zerova V. L., Danilov S. N., Shalygin V. A. New semiconductor lasers based on intraband transitions of injected carriers in quantum wells. Abstr. Int. Conf. on Lasers and Electrooptics CLEO-2000, Nice, France, 10–15 September 2000, p. 229.
  134. Tkach N. V., Makhanets A. M., Zegrya G. G. Energy spectrum of electron in quasiplane superlattice of cylindrical quantum dots. Semicond. Sci. Technol., April 2000, v. 15, no. 4, p. 395–398.
  135. Догонкин Е. Б., Зегря Г. Г., Полковников А. С. Микроскопическая теория оже-рекомбинации в квантовых нитях. ЖЭТФ, 2000, т.117, в. 2, с. 429–439.
  136. Гунько Н. А., Полковников А. С., Зегря Г. Г. Расчет коэффициентов оже-рекомбинации в гетероструктуре с квантовыми ямами InGaAsP/InP. ФТП, 2000, т. 34, 462–466.
  137. Asryan L. М., Gun'ko N. A., Polkovnikov A. S., Zegrya G. G., Suris R. A., Lau P.-K., Makino T. Threshold characteristics of InGaAsP/InP multiple quantum well lasers. Sci. Technol., 2000, v. 15, no. 12, p. 1131–1140.
  138. Воробьев Л. Е., Данилов С. Н., Зегря Г. Г., Зерова В. Л., Фирсов Д. А., Шалыгин В. А. Новые лазеры среднего ИК диапазона, основанные на внутризонных и межзонных переходах носителей заряда в квантовых ямах наногетероструктур. Росс. -укр. сем. "Нанофизика и наноэлектроника", Киев, ноябрь 2000.
  139. Пелещак Р. М., Лукиянец Б. А., Зегря Г. Г. Влияние электрического поля на напряженное состояние гетероструктуры. ФТП, 2000, т.34, p. 1223–1227.
  140. Воробьев Л. Е., Данилов С. Н., Зегря Г. Г., Фирсов Д. А., Шалыгин В. А., Яссиевич И. Н., Берегулин Е. В. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах. Санкт-Петербург: Наука, 2001, 248 с.
  141. Зегря Г. Г. Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона: достижения и проблемы. Сорос.образов. журн., 2001, т. 7, в. 6, с. 70–74.
  142. Воробьев Л. Е., Зегря Г. Г., Фирсов Д. А. Оже-лазер среднего инфракрасного диапазона на межподзонных переходах носителей заряда в квантовых ямах. Изв.РАН, 2001, сер. физ., т. 65, в. 2, с. 231–233.
  143. Догонкин Е. Б., Зегря Г. Г. Новый механизм охлаждения квантовых систем током. Письма ЖЭТФ, 25 сент. 2001, т.74, в. 6, с. 346–351.
  144. Bazhenov N. L., Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Mynbaev K. D., Smirnov V. A., Yakovlev Yu. P. Numerical analysis of the energy-band diagram of type-II p-GaInAs/p-InAs heterojunction and size-quantization level at the interface. Semicond. Sci. Technol., September 2001, v. 16, no. 9, p. 812–815.
  145. Зегря Г. Г., Пихтин Н. А., Скрынников Г. В., Слипченко С. О., Тарасов И. С. Исследования пороговых характеристик InGaAsP/InP гетеролазеров ( λ =1,55 мкм). ФТП, 2001, т. 35, в. 8, с. 1001–1004.
  146. Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Design of semiconductor laser with current-induced cooling. Electron. Lett., 2001, v. 37, no. 22, p. 1339–1341.
  147. Samsonidze G. G., Zegrya G. G. Auger recombination in semiconductor quantum wells in a magnetic field. Phys. Rev. B, 15 February 2001, v. 63, no. 7, art. 075317-1–075317-13.
  148. Polkovnikov A., Zegrya G. Electron-electron relaxation effect on Auger recombination in direct-band semiconductors. Rev. B, 31 July 2001, v. 64, no. 7, art. 073205.
  149. Kostko I. A., Gun’ko N. A., Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Influence of intraband relaxation processes on threshold and power-current characteristics of quantum well lasers. Proc. SPIE Int. Soc., Opt. Eng., 2002, v.5023, p. 395.
  150. Towe E., Pal D., Vorobjev L. E., Glukhovskoy A. V., Danilov S. N., Zerova V. L., Panelin V. Y., Firsov D. A., Shalygin V. A., Zegrya G. G., Weber A., Grundmann M. Injection lasers based on intraband carrier transitions. Mater. Sci. Forum "Ultrafast Phenomena in Semiconductors-2001", 2002, v. 384, no. 3, p. 209–212.
  151. Zegrya G. G. Interactive Database: New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. St. Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute, RAS, 2002. http://www.matprop.ru/
  152. Pokutnyi S. I., Zegrya G. G. The absorption and scattering of light by nanoparticles: theory. Тезисы I Укр. научной конф. по физике полупров. УНИФН-1, Украина, Одесса, 10–14 сентября 2002, т. 2, с. 20.
  153. Gun'ko N. A., Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Influence of intraband relaxation processes on threshold and power-current characteristics of semiconductor lasers. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 2002, v. 4651, p. 264.
  154. Грешнов А. А., Зегря Г. Г., Васильев Ю. Б., Сучалкин С. Д., Мельцер Б. Я., Иванов С. В., Копьев П. С. Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле. ПисьмаЖЭТФ, 2002, т. 76, c. 258–262.
  155. Tarasov I. S., Skrynnikov G. V., Pikhtin N. A., Slipchenko S. O., Zegrya G. G. SC DHS InGaAsP/InP lasers ( ) with above-threshold internal quantum efficiency about 100%. Proc. SPIE Int. Soc., Opt. Eng., 2002, v. 5023, p. 379.
  156. Dogonkin E. B., Zegrya G. G. Current-induced cooling of quantum systems. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 2002, v. 4651, p. 269.
  157. Zegrya G. G., Pokutnyi S. I., Jacak L., Misiewicz J., Salejda W. Stark effect in semiconductor quantum dots. Semicond. Sci. Tech., 9 July 2002, v. 17, no. 7, p. 1–6.
  158. Evtikhiev V. P., Kotelnikov E. Yu., Dorofeyev D. V., Zegrya G. G. Non-linear power-current characteristics of quantum well lasers at high injection. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", 17–21 June 2002, St. Petersburg, Russia, v. 5023, p. 365–367.
  159. Ткач Н. В., Маханец А. М., Зегря Г. Г. Электроны, дырки и экситоны в сверхрешетке цилиндрических квантовых точек с предельно слабой связью квазичастиц между слоями квантовых точек. ФТП, 2002, т.36, в. 5, с. 543–549.
  160. Зегря Г. Г., Константинов О. В., Матвеенцев А. В. Энергетический спектр носителей в квантовой точке формы сильно сплюснутого эллипсоида вращения. ПисьмаЖТФ, 26 августа 2002, т. 28, в. 16, с. 65–70.
  161. Karachinsky L. Y., Gordeev N. Y., Novikov I. I., Zegrya G. G. Superradiance as a transition phase from spontaneous to stimulated emission low-dimensional semiconductor heterostructures. Proc. Int. Soc. Opt. Eng. SPIE, 2003, v. 5036, p. 218–223.
  162. Ankudinov A., Titkov A., Evtikhiev V., Kotelnikov E., Bazhenov N., Zegrya G., Huhtinen H., Laiho R. Study of high power GaAs-based laser diodes operation and failure by cross-sectional electrostatic force microscopy. Proc. 10th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" SPIE, St. Petersburg, Russia, 17–21 June 2003, v. 5023, p. 143–145.
  163. Скрынников Г. В., Пихтин Н. А., Слипченко С. О., Шамахов В. В., Тарасов И. С., Зегря Г. Г. О внутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP-гетеролазеров (λ=1,55 мкм). ФТП, 2004, т.37, в. 2, с. 243–248.
  164. Зегря Г. Г., Константинов О. В., Матвеенцев А. В. Структура энергетических квантовых уровней в квантовой точке, имеющей форму сплюснутого тела вращения. ФТП, 2003, т. 37, в. 3, с. 334–338.
  165. Greshnov A. A., Kolesnikova E. N., Zegrya G. G. Spectrum of carriers and optical properties of 2D heterostructures in a tilted magnetic field. Int. J. Nanosci., 11 May 2003, v. 2, no. 6, p. 401–409.
  166. Vasilyev Y. B., Suchalkin S. D., Polkovnikov A. C., Zegrya G. G. Injection cascade lasers with graded gap barriers. Appl. Phys., 1 March 2003, v. 93, no. 5, p. 2349–2352.
  167. Solov'ev I. Y., Zegrya G. G. Nonradiative recombination in quantum dots via Coulomb interaction with carriers in the barrier region. Phys. Lett., 21 April 2003, v. 82, no. 16, p. 2571–2573.
  168. Векслер М. И., Зегря Г. Г. Расчет стационарных магнитных полей. ФТИ им.Иоффе РАН, СПб, 2003, 63 с.
  169. Векслер М.И., Зегря Г. Г. Расчет стационарных электрических полей. ФТИ им. ИоффеРАН, СПб, 2003, 70 с.
  170. Shkolnik A. S., Karachinsky L. Y., Pellegrini S., Buller G. S., Gordeev N. Y., Novikov B. V., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G. Processes determining the carrier lifetime in InAs/GaAs quantum dot arrays. Proc. 12th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Tchnology”, 21−25 June 2004, SPb, Russia, Paper QWR/QD.050, p. 244−245.
  171. Bazhenov N. L., Dorofeev D. V., Evtikhiev E. Y., Mynbaev K. D., Solovyev I. Y., Zegrya G. G., Shkolnik A. S. Theoretical and experimental study of the effect of carrier relaxation on threshold and power-current characteristics of quantum well lasers. Proc. 27th Int. Semicond. Conf. (CAS 2004), 2004, p. 322−325.
  172. Зегря Г. Г. Дистантная многоуровневая система подготовки специалистов в области физики. Санкт-Петербург, 7–10 июня 2004, Труды XI Всеросс. научно-метод. конф. "Телематика'2004".
  173. Серов А. Ю., Зегря Г. Г. Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле. ЖЭТФ, июль2004, т. 126, в. 1, с. 170–180.
  174. Зерова В. Л., Воробьев Л. Е., Зегря Г. Г. Электрон-электронное рассеяние в ступенчатых квантовых ямах. ФТП, 2004, т.38, в. 6, с. 716–722.
  175. Карачинский Л. Я., Новиков И. И., Гордеев Н. Ю., Зегря Г. Г. Механизм сверхизлучения Дике в полупроводниковых гетероструктурах. ФТП, 2004, т. 38, в. 7, с. 872–876.
  176. Зерова В. Л., Воробьев Л. Е., Зегря Г. Г. Влияние электронно-электронных и электронно-дырочных столкновений на внутризонную инверсную населенность электронов в ступенчатых квантовых ямах. ФТП, сентябрь 2004, т. 38, в. 9, с. 1090–1096.
  177. Pokutnyi S. I., Zegrya G. G., Jacak L., Misievicz J., Salejda W. Stark effect in semiconductor quantum dots. J. Appl. Phys., 15 July 2004, v. 96, no. 2, p. 1115–1119.
  178. Зегря Г. Г., Соловьев И. Ю. Влияние эффекта насыщения усиления на мощность излучения полупроводниковых лазеров на квантовых ямах. ФТП, май2005, т. 39, в. 5, с. 636–640.
  179. Pellegrini S., Buller G. S., Karachinsky L. Y., Shkolnik A. S., Gordeev N, Y., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G., Sellers I. P., Skolnick M. S., Liu H. J., Hopkinson M. Time-resolved photoluminescence measurements of InAs self-assembled quantum dots (Invited Paper). Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Ing., 22−27 January 2005, San Jose, California, USA, v. 5725, p. 309.
  180. Серов А. Ю., Зегря Г. Г. Увеличение тока через квантовую яму магнитным полем, лежащим в плоскости интерфейса. Тезисы 7-й Росс. конф. по физике полупров. "Полупроводники-2005", Москва, Звенигород, сентябрь 2005.
  181. Zegrya G. G., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Pokutnyi S. I. Application of semiconductor quantum dots for a study of biological systems. Int. Semicond. Conf. CAS, 2005, v. 1, art. 1558713.
  182. Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Иванов-Омский В. И., Зегря Г. Г., Смирнов В. А., Евтихиев В. П., Пихтин Н. А., Растегаева М. Г., Станкевич А. Л., Тарасов И. С., Школьник А. С. Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах. ФТП, октябрь 2005, т. 39, в. 10, с. 1252–1256.
  183. Serov A. Y., Zegrya G. G. Increase of current via quantum well by in-plane magnetic field. Proc. 13th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 2005, St. Petersburg, Russia, p. 358−359.
  184. Новиков И. И., Гордеев Н. Ю., Максимов М. В., Шерняков Ю. М., Семенова Е. С., Васильев А. П., Жуков А. Е., Устинов В. М., Зегря Г. Г. Температурная зависимость эффективного коэффициента оже-рекомбинации в лазерах InAs/GaAs на квантовых точках с длиной волны излучения 1,3 мкм. ФТП, 2005, т.39, в. 4, с. 507–511.
  185. Зегря Г. Г. Использование полупроводниковых квантовых точек для исследования биологических систем. Тезисы Межд. школы-конф. "Актуальные проблемы физики полупроводников", 26–30 июня 2005, Дрогобыч, Украина.
  186. Shkolnik A. S., Karachinsky L. Y., Gordeev N. Y., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G. Observation of the biexponential ground-state decay time bahaviour in InAs self-assembled quantum dots grown on misoriented substrates. Appl. Phys. Lett., 23 May 2005, v. 86, no. 21, art. 211112-1–211112-3.
  187. Shkolnik A. S., Karachinsky L. Y., Gordeev N. Y., Kupriyanov K. A., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G., Pellegrini S., Bulle G. S. Lifetime of nonequilibrium charge carriers in semiconductor InAs/GaAs quantum dots. Proc. 13th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 2005, St. Petersburg, Russia, p. 360−361.
  188. Serov A. Y., Zegrya G. G. Suppression of intrinsic bistability in resonant-tunneling diode by in-plane magnetic field. Appl. Phys. Lett., 17 January 2005, v. 86, no. 3, art. 03210-1–03210-3.
  189. Самосват Д. М., Зегря Г. Г. Механизм оже-рекомбинации в полупроводниковых квантовых точках. Труды Межд. зимней школы по физике полупров., 14−27 февраля 2006 г., Санкт-Петербург-Зеленогорск, Россия. с. 55.
  190. Zegrya G. G., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D. Interaction of isolated semiconductor quantum dots with charged amino acids. Proc. 14th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Petersburg, Russia, 26–30 June 2006, p. 265–266.
  191. Школьник А. С., Евтихиев В. П., Зегря Г. Г. Соотношение между квазипороговым и беспороговым процессами оже-рекомбинации в квантовых точках InAs/GaAs. ПисьмаЖТФ, 2006, т. 32, в. 15, c. 51–59.
  192. Зегря Г. Г. Новый метод диагностики аминокислот с помощью полупроводниковых квантовых точек. Письма ЖТФ, 2006, т. 32, в. 4, с. 75–81.
  193. Грешнов А. А., Колесникова Э. Н., Зегря Г. Г. Точность квантования холловской проводимости в образце конечных размеров: степенной закон. ФТП, 2006, т. 40, в. 1, с. 93–97.
  194. Костко И. А., Гунько Н. А., Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Зегря Г. Г. Влияние внутризонной электронной релаксации на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах. ФТП, 2006, т. 40, в. 4, с. 488–492.
  195. Moiseev K. D., Ivanov E. V., Zegrya G. G., Mikhailova M. P., Yakovlev Y. P., Hulicius E., Hospodkova A., Pangrac J., Melichar K., Simecek T. Room-temperature electroluminiscence of AlSb/InAsSb single quantum wells grown by metal organic vapor phase epitaxy. Appl. Phys. Lett., 27 March 2006, v. 88, no. 13, art. 132102.
  196. Greshnov A. A., Kaliteevski M. A., Abram R. A., Brand S., Zegrya G. G. Analytical theory of density of states in disordered one-dimensional photonic crystals. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007, p. 81–82.
  197. Shkolnik M. S., Kupriyanov K. A., Karachinsky L. A., Pellegrini A., Buller G. S., Gordeev N. Yu., Zegrya G. G., Evtikhiev V. P. Finger-print of the Auger recombination process in semiconductor InAs/GaAs quantum dots. Proc. Int. Symp."Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007, p. 205–206.
  198. Gaisin N. A., Talalaev V. G., Novikov B. V., Shugunov V. A., Zakharov N. D., Cirlin G. E., Samsonenko Yu. B., Zegrya G. G. The exciton photoluminescence spectrum of multilayer planarly ordered quantum dot InAs/GaAs at the hydrostatic pressure. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007, p. 212–213.
  199. Грешнов А. А., Зегря Г. Г. Теория пиковых значений xx в целочисленном квантовом эффекте Холла с коррелированным беспорядком. VIII Росс. конф. по физике полупров., Екатеринбург, Россия, 30 сент.–5 окт. 2007, с. 225.
  200. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Integer quantum Hall effect with correlated disorder. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, 25–29 June 2007, p. 327–328.
  201. Savelyev A. V., Karachinsky L. Ya., Shkolnik A. S., Pellegrini S., Gordeev N. Yu., Tartakovskii A. I., Evtikhiev V. P., Zegrya G. G., Maximov M. V. Bipolar charging in quantum dots array. AIP Conf., 2007, v. 893, no. 1, p. 987–988.
  202. Ткач Н. В., Сети Ю. А., Зегря Г. Г. Электронные свойства открытых полупроводниковых квантовых точек. ПисьмаЖТФ, 2007, т. 33, в. 1, с. 70–80.
  203. Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Зегря Г. Г. Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур. ФТП, 2007, т. 41, в. 2, c. 190–195.
  204. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Integer quantum Hall effect with correlated disorder. Abstr. 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, 25–29 June 2007.
  205. Зегря Г. Г., Самосват Д. М. Механизмы оже-рекомбинации в полупроводниковых квантовых точках. ЖЭТФ, 2007, т.131, в. 6, c. 1090–1106.
  206. Грешнов А. А., Зегря Г. Г. Целочисленный квантовый эффект Холла в коррелированном хаотическом потенциале. Письма ЖЭТФ, 2007, ФТП, т. 41, в. 11, с. 1347–1352.
  207. Грешнов А. А., Калитеевский М. А., Abram R. A., Brand S., Зегря Г. Г. Плотность состояний одномерного разупорядоченного фотонного кристалла. ФТТ, 2007, т. 49, в. 10, с. 1904–1908.
  208. Greshnov A., Kaliteevski M., Abram R., Brand S., Zegrya G. Density of states and light localization length in 1D disordered photonic crystals: analytical treatment. Proc. 29th Int. Conf. on Phys. of Semicond., Rio de Janeiro, Brazil, 27 July–1 August 2008, p. 1.
  209. Greshnov A. A., Zegrya G. Peaks of longitudinal conductivity in integer quantum Hall effect for the long-range and short-range disorder. Proc. 18 th Int. Conf. on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology, San Pedro, Brazil, 3–8 August 2008.
  210. Зегря Г. Г., Минбаев К. Д., Божокин С. В. Нанотехнологии для биологии и медицины в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе. Труды симп. «Полупроводн. лазеры: физика и техника», Санкт-Петербург, Россия, 5–7 ноября 2008.
  211. Данилов Л. В., Зегря Г. Г. Использование гетероструктур с глубокими квантовыми ямами при создании ИК-лазера среднего диапазона. Симп. "Полупроводниковые лазеры: физика и технология", Санкт-Петербург, 6 ноября 2008 г.
  212. Данилов Л. В., Зегря Г. Г. Подавление оже-рекомбинации в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами. Межд. семинар по опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 27 октября 2008г.
  213. Орленко Ф. Е., Зегря Г. Г., Орленко Е. В. Усиление парамагнитных эффектов при спиновом выстраивании в 2D-полупроводниках. ЖТФ, 2008, т. 78, в. 8, с. 22–27.
  214. Greshnov A. A., Kaliteevski M. A., Abram R. A., Brand S., Zegrya G. G. Density of states in 2D disordered photonic crystals: analytical solution. Solid State Commun., 2008, v. 146, no. 3–4, p. 157–160.
  215. Школьник А. С., Савельев А. В., Карачинский Л. Я., Гордеев Н. Ю., Сейсян Р. П., Зегря Г. Г., Пеллегрини С., Буллер Г. С., Евтихиев В. П. Роль процессов переноса неравновесных носителей заряда в излучательных свойствах массивов InAs/GaAs-квантовых точек. ФТП, 2008, т.42, в.3, c. 296–302.
  216. Данилов Л. В., Зегря Г. Г. Теоретическое исследование процессов оже-рекомбинации в глубоких квантовых ямах. ФТП, 2008, т.42, в. 5, c. 566–572.
  217. Данилов Л. В., Зегря Г. Г. Пороговые характеристики ИК-лазера на основе глубоких квантовых ям InAsSb/AlSb. ФТП, 2008, т. 42, no. 5, c. 573–578.
  218. Грешнов А. А., Зегря Г. Г., Колесникова Э. Н. Пиковые величины продольной проводимости в режиме целочисленного квантового эффекта Холла для резкого и плавного хаотических потенциалов. ЖЭТФ, 2008, т. 134, в. 3, с. 577–586.
  219. Савельев А. В., Карачинский Л. Я., Новиков И. И., Гордеев Н. Ю., Сейсян Р. П., Зегря Г. Г. Формирование сверхизлучения в наногетероструктурах с квантовыми точками. ФТП, 2008, т. 42, в. 6, c. 730–735.
  220. Грешнов А. А., Зегря Г. Г. Эффекты самосогласованного электростатического потенциала в квантовых ямах с несколькими уровнями размерного квантования в сильных магнитных полях. ФТП, 2008, т. 42, no. 8, с. 994–997.
  221. Новиков Б. В., Зегря Г. Г., Пелещак Р. М., Данькив О. О., Гайсин В. А., Талалаев В. Г., Штром И. В., Цырлин Г. Э. Барические свойства квантовых точек InAs. ФТП, 2008, т. 42, в. 9, c. 1094–1101.
  222. Greshnov A. A., Zegrya G. G. Theory of σ xx peaks in the IQHE regime with correlated disorder potential. Physica E, 2008, v. 40, 5, p. 1185–1188.
  223. Gagis G. S., Vasil'ev V. I., Deryagin A. G., Dudelev V. V., Maslov A. S., Levin R. V., Pushnyi B. V., Smirnov V. M., Sokolovskii G. S., Zegrya G. G., Kuchinskii V. I. Novel materials GaInAsPSb/GaSb and GaInAsPSb/InAs for room-temperature optoelectronic devices for a 3–5 μm wavelength range. Semicond.Sci. Technol., December 2008, v. 23, no. 12, art. 125026-1–125026-6.
  224. Ерофеев Н. П., Зегря Г. Г., Вчерашний Д. Б. Наноструктуры: физическая сущность и варианты применения в медицине. Колл. моногр. под ред. чл.-корр. РАМН Е. В. Шляхто “Нанотехнологии в биологии и медицине”, 2009.
  225. Самосват Д. М., Евтихиев В. П., Зегря Г. Г. Деструктивная интерференция Оже-рекомбинации в квантовых точках при низких температурах. Конф. (школа-семинар) по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и Северо-Запада», 2009, с. 29.
  226. Зегря Г. Г., Самосват Д. М. Энергетический спектр и время жизни носителей заряда в открытых квантовых точках в электрическом поле. ЖЭТФ, 2009, т. 135, в. 6.
  227. Зегря Г. Г., Перель В. И. Основы физики полупроводников (336 стр.). 2009 Физматлит, Москва. ISBN, 978-5-9221-1005-1.
  228. Данилов Л. В., Зегря Г. Г. Применение гетероструктур с глубокими квантовыми ямами при создании ИК-лазера среднего диапазона. VII Всеросс. межвузовская конф. молодых ученых, Санкт-Петербург, 21 апреля 2010 г.
  229. ПавловН. В., Зегря Г. Г. Вынужденная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках. Конф. по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и северо-запада. Санкт-Петербург, 27–28 октября 2010 года. Стендовый доклад.
  230. Пелещак Р.М., Бачинский И.Я., Зегря Г.Г. Расчет потенциала и электронной плотности для напряженной полупроводниковой квантовой точки. Письма в ЖТФ, 2010, в. 24, с. 1–8.
  231. Утесов О. И., Зегря Г. Г., Грешнов А. А. Генерация чисто спиновых токов при фотоионизации квантовых ям. Письма ЖЭТФ, 2010, т. 92, в. 1, с. 34–36.
  232. Орленко Ф. Е., Челкак С. И., Орленко Е. В., Зегря Г. Г. Эффекты понижения размерности системы при спиновом упорядочении в вырожденном электронном газе. ЖЭТФ, 2010, т. 137, в. 5, с. 919–925.
  233. Божокин С. В., Зегря Г. Г., Мынбаев К. Д., Чикалова-Лузина О. П. Квантовые точки в биологии и медицине: учебное пособие (138 стр.) 2011 Изд. СПбГПУ ISBN: 978-5-7422-3174-5.
  234. Orlenko E. V., Orlova T. S., Orlenko F. E., Zegrya G. G. Exchange perturbation theory for multiatomic electron system and its application to spin arrangement in manganite chains. Adv. Phys. Chem, 2011, v. 2011, ArtNo: #868610.
  235. ПавловН. В., Зегря Г. Г. Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках. Конф. «Фундаментальные и прикладные исследования, разработка и применение высоких технологий в промышленности». 27–29 апреля 2011, Санкт-Петербург, Россия.
  236. ПавловН. В., Зегря Г. Г. Излучательная рекомбинация горячих носителей в глубоких квантовых ямах на основе антимонида индия. Конф. по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и cеверо-запада, Санкт-Петербург, 26–27 октября 2011. Стендовый доклад.
  237. Данилов Л. В., Зегря Г. Г. Безызлучательная рекомбинация в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами. V Укр. конф. по физике полупров (УНКФП-5), Ужгород, 12 октября 2011.
  238. Mikhailova M. P., Ivanov E. V., Danilov L. V., Kalinina K. V., Stoyanov N. D., Zegrya G. G., Yakovlev Y. P., Hulicius E., Hospodkova A., Pangrac J., Zikova M. Superlinear electroluminescence due to impact ionization in GaSb-based heterostructures with deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum wells. J. Appl. Phys., 2012, v. 112, no. 2, ArtNo: #023108.
  239. Glibitskiy G. M., Jelali V. V., Semenov M. O., Roshal A. D., Glibitskiy D. M., Volyanskiy O. Y., Zegrya G. G. Interaction of DNA with silver nanoparticles. Ukrainian J. Phys., 2012, v.57, no. 7, p. 695–699.
  240. Tkach M. V., Seti Y. O., Voitsekhivska O. M., Zegrya G. G. Conductivity of three-barrier resonance tunnel structure. Rom. J. Phys., 2012, v.57, no. 3–4, p. 620–629.
  241. Шиляев А. В., Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Зегря Г. Г. Энергетический спектр и оптические переходы в наногетероструктурах на основе твердых растворов теллурида кадмия и ртути. НТВ СПбГПУ, 2012, т.2 (146), с. 69–73.
  242. Баженов Н. Л., Шиляев А. В., Мынбаев К, Д., Зегря Г. Г. Оптические переходы в квантовых ямах на основе CdxHg1-xTe и их анализ с учетом особенностей зонной структуры. ФТП, 2012, т.46, в. 6, с. 792–797.
  243. Орленко Ф. Е., Зегря Г. Г., Орленко Е. В. Векторная модель Гейзенберга-Дирака-ван-Флека для одномерной антиферромагнитной цепочки локализованных S=1 спинов. ЖТФ, 2012, т. 82, в. 2, с. 10–16.
  244. Павлов Н. В., Зегря Г. Г. Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках. ФТП, 2012, т. 46, в. 1, с. 32–37.
  245. Mikhailova M. P., Danilov L. V., Kalinina K. V., Ivanov E. V., Stoyanov N. D., Zegrya G. G., Yakovlev Yu. P., Hospodkova A., Pangrac J., Zikova M., Hulicius E. Superlinear Luminescence and Enhancement of Optical Power in GaSb-based Heterostructures with High Conduction-Band Offsets and Nanostructures with Deep Quantum Wells. In Collected Articles “The Wonder of Nanotechnology: Quantum Optoelectronic Devices and Applications Book”, Chapter 5, p. 105–131 (893 p.). SPIE 2013, Int. Soc. for Optical , ISBN 978-0-819-49596-9.
  246. Stepashkina A. S., Samosvat D. M., Chikalova-Luzina O. P., Zegrya G. G. Nonradiative resonance energy transfer between quantum dots. J. Phys., Conf. Ser., v. 461, no. 1, ArtNo #012001. IOP Publishing, 2013, ISSN 1742-6588. 15th Russian Youth Conference on Physics and Astronomy (Physics A. SPb) 23–24 October 2012, St.- Petersburg, Russia.
  247. Mikhailova M. P., Zegrya G. G., Danilov L. V., Ivanov E. V., Kalinina K. V., Stoyanov N. D., Salikhov K., Yakovlev Yu., Hulicius E., Hospodkova A., Pangrac J., Zikova M. Enhancement of the optical power stimulated by impact ionization in GaSb-based heterostructures with deep quantum wells. In: Integrated Optics: Physics and Simulations Proc. SPIE, v. 8781, ArtNo #87810K, SPIE 2013, Int. Soc. Opt, Engineering. In Collected Articles “Integrated Optics: Physics ans Simulations”. Proc. SPIE, v. 8781, ArtNo #87810K. SPIE 2013-Int. Soc. Optical ISSN 0277-786X. ISBN 978-081949583-9.
  248. Ткач Н. В., Бойко И. В., Сети Ю. А., Зегря Г. Г. Квантовый каскадный лазер в поперечном магнитном поле. Модель открытой трехбарьерной активной зоны. Письма ЖТФ, 2013, т. 39, в. 11, с. 52–62.
  249. Данилов Л. В., Зегря Г. Г. Роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата носителей заряда в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами. ФТП, 2013, т. 47, в. 10, с. 1347–1355.
  250. Зегря Г. Г., Ткач Н. В., Бойко И. В., Сети Ю. А. Квазистационарные состояния электрона в многослойной структуре в продольном электрическом и поперечном магнитном полях. ФТТ, 2013, т. 55, в. 10, с. 2068–2074.
  251. Данилов Л. В., Зегря Г. Г. Резонансный кулоновский захват электронов в глубокую квантовую яму. Письма ЖТФ, 2013, т. 39, в. 5, с. 54–60.
  252. Самосват Д. М., Евтихиев В. П., Школьник А. С., Зегря Г. Г. Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах. ФТП, 2013, т. 47, в. 1, с. 24–29.
  253. Павлов Н. В., Зегря Г. Г. Влияние непараболичности энергетического спектра носителей заряда на оптические характеристики гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs 84 Sb 0.16 /AlSb. Письма ЖТФ, 2014, т. 40, в. 20, с. 1–8.
  254. Danilov L. V., Zegrya G. G. Optimization of laser heterostructures for midinfrared. Proc. Int. 2014 Conference Laser Optics. LO 2014, ArtNo: #6886287. 2014 IEEE Computer Society, ISBN 978-1-4799-3884-1.
  255. Mikhailova M. P., Ivanov E. V., Danilov L. V., Petukhov A. A., Kalinina K. V., Slobozhanyuk S. I., Zegrya G. G., Stoyanov N. D., Yakovlev Yu. P., Hospodkova A., Pangrac J., Oswald J., Zikova M., Hulicius E. Two-band superlinear electroluminescence in GaSb based nanoheterostructures with AlSb/InAs 1-x Sb x /AlSb deep quantum wells. J. Appl. Phys., 2014, v.115, no. 22, ArtNo #223102.
  256. Павлов Н. В., Зегря Г. Г. Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs 84 Sb 0.16 /AlSb. ФТП, 2014, т. 48, в. 9, с. 1217–1227.
  257. Чикалова-Лузина О. П., Самосват Д. М., Зегря Г. Г. Роль обменного взаимодействия в безызлучательном переносе энергии между полупроводниковыми квантовыми точками. Письма ЖТФ, 2014, т.40, в. 8, с. 64–49.
  258. Афанасьев А. Н., Грешнов А. А., Зегря Г. Г. Генерация чисто спиновых токов при оже-рекомбинации в квантовых ямах с расщеплением Рашбы. ЖЭТФ, 2015, т.148, в. 4, с. 734–741.
  259. Самосват Д. М., Чикалова-Лузина О. П., Зегря Г. Г. Безызлучательный резонансный перенос энергии между полупроводниковыми квантовыми точками. ЖЭТФ, 2015, т. 148, в. 1, с. 88–110.
  260. Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Зегря Г. Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd x Hg 1-x Te: учет оже-процессов. ФТП, 2015, т.49, с. 444–448.
  261. Баженов Н. Л., Мынбаев К. Д., Зегря Г. Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd x Hg 1-x Te: учет излучательной рекомбинации. ФТП, 2015, т. 49, в. 9, с. 1206–1211.
  262. Petukhov A., Danilov L., Ivanov E., Kalinina K., Mikhailova M., Zegrya G., Stoyanov N., Yakovlev Yu. High-temperature luminescence in light-emitting heterostructures with a high potential barriers based on GaSb. Photonics, Devices, and Systems Coll. Art., VI, Proc. SPIE 2015, v. 9450, ArtNo #94501Q, SPIE, ISSN 0277-786X, ISBN 978-1-6284-1566-7.
  263. Павлов Н. В., Зегря Г. Г. Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs 86 Sb 0.14 /AlSb. ФТП, 2015, т. 49, в. 5, с. 617–627.
  264. Михайлов Ю. М., Гаранин В.А., Ганин Ю. В., Гончаров Т. К., Ганина Л. В., Зегря Г. Г. Чувствительность к удару энергетических систем на основе нанопористого кремния и окислителя: влияние содержания водорода и удельной поверхности. Известия Академии Наук. Серия химическая, 2016, т.10 с.: 2400-2404.
  265. Данилов Л.В., Петухов А. А., Михайлова М.П., Зегря Г.Г., Иванов Э.В., Яковлев Ю.П. Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами. ФТП, 2016, т.50, 6, с. 794-800.
  266. Samosvat D.M., Chikalova-Luzina O.P., Vyatkin V.M., Zegrya G.G., Resonant electronic excitation energy transfers by Dexter mechanism in the quantum dot system, 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE PHYSICA.SPB J. Phys.: Conf. Ser., v.769, 1, p.: #012078 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588, 2016
  267. Пелещак Р.М., Лазурчак И.И., Кузык О.В., Данькив О.О., Зегря Г.Г. Роль акустоэлектронного взаимодействия в формировании нанометровой периодической структуры адатомов, ФТП, 2016, т.50, 3 с. 318-323.
  268. Pavlov N.V., Zegrya G.G. Intersubband light absorption by holes in InAsSb/AlSb quantum well heterostructures, 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE PHYSICA.SPB J. Phys.: Conf. Ser., v.769, 1, с.: #012076-2016 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588.
  269. Зегря Г. Г. Механизмы оже-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах и их вияние на характеристики лазеров (216 стр.). 2017, Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт - Петербург. ISBN: 978-5-7629-2179-
  270. Данилов Л.В., Михайлова М.П., Андреев И.А., Зегря Г.Г., Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами, ФТП, 2017, т.51, 9 с.: 1196-1201.
  271. Pavlov N.V., Zegrya G.G., INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2016 J. Phys.: Conf. Ser., v.929, 1, с.: #012089-2017 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  272. Chikalova-Luzina O.P., Samosvat D.M., Vyatkin V.M., Zegrya G.G. Resonant electronic excitation energy transfers by exchange mechanism in the quantum dot system, Superlattices Microstruct., 2017 v.111 с. 166-172
  273. Савенков Г.Г., Кардо-Сысоев А.Ф., Зегря А.Г., Оськин И.А., Брагин В.А., Зегря Г.Г. Возбуждение взрывчатых превращений в энергонасыщенных соединениях на основе нанопористого кремния с помощью полупроводниковых быстродействующих ключей и энерговыделяющих элементов, Письма ЖТФ, 2017, т.43, 19 с. 57-63.
  274. Зегря Г.Г., Савенков Г.Г., Морозов В.А., Зегря А.Г., Улин Н.В., Улин В.П., Лукин А.А., Брагин В.А., Оськин И.А., Михайлов Ю.М., ФТП, 2017, т.51, 4 с.: 501-506.
  275. Афанасьев А.Н., Грешнов А.А., Зегря Г.Г. О скорости ударной ионизации в прямозонных полупроводниках, Письма ЖЭТФ, 2017, т.105, 9 с.: 554-558.
  276. Павлов Н.В., Зегря Г.Г., Зегря А.Г., Бугров В.Е., Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP, ФТП, 2018, т.52, с. 207-220.
  277. Самосват Д.М., Чикалова-Лузина О.П., Хромов В.С., Зегря А.Г., Зегря Г.Г., Механизм генерации синглетного кислорода в присутствии возбужденного нанопористого кремния, Письма ЖТФ, 2018, т.44, 11 с 53-62.
  278. Karpova A.A., Zegrya G.G., Effect of Coulomb interaction with barrier carriers in the waveguide region on multiple quantum well laser inversion threshold, INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v.1135, 1, с.: #012081-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588.
  279. Samosvat D.M., Chikalova-Luzina O.P., Khromov V.S., Zegrya A.G., Zegrya G.G., Singlet oxygen generation mechanism in the presence of excited nanoporous silicon, 5TH INTERNATIONAL SCHOOL AND CONFERENCE ON OPTOELECTRONICS, PHOTONICS, ENGINEERING AND NANOSTRUCTURES, SAINT PETERSBURG OPEN 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v.1124, 3, с.: #031025-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588.
  280. Pavlov N.V., Zegrya G.G., Internal radiation losses in semiconductor lasers with stressed InGaAsP/InP quantum wells, INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2018 J. Phys.: Conf.Ser., v.1135,1, с.: #012083-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588.
  281. Fedorov I.V., Levin R.V., Usikova A.A., Bazhenov N.L., Ratushnyi V.I., Pushnyi B.V., Zegrya G.G., Study of Instrumental Heterostructures Based on Strained InAs/GaSb Superlattices Grown by MOCVD Method, INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v.1135, 1, с.: #012031-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  282. Danilov L.V., Mikhailova M.P., Levin R.V., Konovalov G.G., Ivanov E.V., Andreev I.A., Pushnyi B.V., Zegrya G.G., Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in n-GaSb/n-InAs/p-GaSb heterostructure with single deep quantum well, 25TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY” ФТП, 2018, т.52, 4, с 476-476.
  283. Karpova A.A., Samosvat D.M., Zegrya A.G., Zegrya G.G., Bugrov V.E., Auger recombination in quantum well laser with participation of electrons in waveguide region, Rev. Adv. Mater. Sci., 2018, v.57, 2 с.193-198.
  284. Pavlov N.V., Zegrya G.G., Intraband light absorption by holes in InGaAsP/InP quantum wells, INTERNATIONAL CONFERENCE PhysicA.SPb 2017 J. Phys.: Conf. Ser., v.1038, 1, страницы: #012122-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588.
  285. Pavlov N.V., Zegrya G.G., Intraband light absorption by holes in InGaAsP/InP quantum wells, 19TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTO- AND NANOELECTRONICS J. Phys.: Conf. Ser., v.993, 1, с. #012013-2018 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588.
  286. Izhnin I. I., Izhnin A. I., Fitsych O. I., Voitsekhovskii A. V., Gorn D. I., Semakova A. A., Bazhenov N. L., Mynbaev K. D., Zegrya G. Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well structures. Appl. Nanosci., 2019, v. 9, no. 5, p. 617-622. (5th International Research and Practice Conference on Nanotechnology and Nanomaterials (NANO), Chernivtsi, Ukraine, Aug 23-26, 2017.
  287. Левин Р.В., Неведомский В.Н., Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Пушный Б.В., Мизеров М.Н., Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, ФТП, 2019, т.53, 2 с.: 273-276.
  288. Зегря Г.Г, Векслер М.И, Смирнова И.Г, Устинова И.А. Расчет стационарных электрических и магнитных полей: учебно-методическое пособие, 2019 98 стр., Изд. СПбГУ ИТМО.
  289. Зегря, Г.Г. Векслер, М.И., Смирнова, И.Г., Устинова, И.А. Задачи по квантовой механике: учебно-методическое пособие, 2019 116 стр., Изд. СПбГУ ИТМО.
  290. Павлов Н.В., Зегря Г.Г., Внутризонное поглощение излучения свободными дырками в квантовых ямах GaAs/InGaAs с учетом несферичности kP-гамильтониана, Письма ЖТФ, 2019, т.45, 10 с.9-12.
  291. Савенков Г.Г., Зегря А.Г., Зегря Г.Г., Румянцев Б.В., Синани А.Б., Михайлов Ю.М., Возможности энергонасыщенных композитов на основе нанопористого кремния (обзор и новые результаты), 2019, ЖТФ, т.89, 3 с. 397-403.
  292. Fedorov I.V., Levin R.V., Nevedomsky V.N., Usikova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Pushnyi B.V., Zegrya G.G., IR diode structures based on II-Type InAs/GaSb superlattices grown by MOCVD, 20TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTOAND NANOELECTRONICS, RYCPS 2018 J. Phys.: Conf. Ser., v.1199, 1, с.: #012016-2019 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588.
  293. Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Семакова А.А., Зегря Г.Г., Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления, ФТП, 2019, т.53, 4 с.450-455.
  294. Chikalova-Luzina O.P., Samosvat D.M., Vyatkin V.M., Zegrya G.G., Nonradiative resonance energy transfer in the quantum dot system, Physica E, 2019, v.114 ArtNo: #113568.
  295. Левин Р.В., Пушный Б.В., Федоров И.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Павлов Н.В., Зегря Г.Г. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb. 2019, ЖТФ, т.89, 10 с.1592-1697.
  296. Зегря Г.Г., Улин В.П., Зегря А.Г., Улин Н.В., Фрейман В.М., Михайлов Ю.М. Влияние типа проводимости и уровня легирования кристаллов кремния на размеры каналов пор, формирующихся в них при анодном травлении в растворах плавиковой кислоты, 2019, ЖТФ, т.89, 10 с.: 1575-1584.
  297. Зегря А.Г., Соколов В.В., Зегря Г.Г., Ганин Ю.В., Михайлов Ю.М. Влияние уровня легирования исходных монокристаллов кремния на параметры структуры пористого кремния, полученного методом электрохимического травления, 2019, Письма ЖТФ, т.45, 21 с. 3-6.
  298. Савенков Г.Г., Морозов В.А., Украинцева Т.В., Кац В.М., Зегря Г.Г., Илюшин М.А. Влияние добавок шунгита на электрический пробой перхлората аммония. 2019, Письма ЖТФ, т.45, 19 с. 44-46.
  299. Самосват Д.М.; Чикалова-Лузина О.П.; Зегря Г.Г. Механизм генерации синглетного кислорода на поверхности возбужденного нанопористого кремния. 2019, ФТП, т.53, 11 с.: 1485-1496.
  300. Karpova A.A.; Samosvat D.M.; Zegrya G.G.: 4TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON METAMATERIALS AND NANOPHOTONICS, METANANO 2019 J. Phys.: Conf. Ser., v.1461, 1, p.: #01206.
  301. Зегря Г. Г., Савенков Г.Г., Зегря А.Г., Брагин В.А., Оськин И.А., Побережная У.М. Лазерное инициирование энергонасыщенных композитов на основе нанопористого кремния, 2020, ЖТФ, т.90, 10 с.1708-1714.
  302. Агеев М.В., Ведерников Ю.Н., Зегря Г.Г., Побережная У.М., Попов В.К., Савенков Г.Г. Чувствительность к механическим воздействиям бинарных смесей на основе нанопористого кремния. 2020, Письма ЖТФ, т.46, 5 с.: 48-51.
  303. Зегря Г.Г., Самосват Д.М., Вуль А.Я. Энергетический спектр электронов глубоких примесных центров в широкозонных полупроводниках мезоскопических размеров. 2020, Письма ЖЭТФ, т.112, 12 с.: 807-812.
  304. Zegrya G. G., Shashkov E. V., Karpova A. A., Vorobiev N. S., Freiman V. M., Zegrya A. G., Solomonov Yu. S. Localization and amplification of light in the explosion of porous-silicon-based composite // XXXVI International Conference on Interaction of Intense Energy Fluxes with Matter (ELBRUS 2021): Book of abstracts. Elbrus, Kabardino-Balkaria, Russia, March 1-6, 2021, p. 55.
  305. Рогачевский И.В.; Самосват Д.М.; Калинина А.Д.; Зегря Г.Г.; Крылов Б.В.; Подзорова С.А.; Плахова В.Б. Возможный механизм лиганд-рецепторного связывания синтетического трипептида Ac-RRR-NH2 с мембраной ноцицептивного нейрона. 2021, Интегративная физиология, т.2, 4 с.: 412-419.
  1. Зегря Г. Г., Савенков Г. Г., Карпова А. А., Улин В. П., Зегря А. Г., Фрейман В. М., Шашков Е. В., Воробьев Н. С., Михайлов Ю. М. Пористый кремний: физико-химические свойства энергонасыщенных композитов // XII Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»: сборник трудов. Санкт-Петербург, Россия, 05 - 07 июля 2021 г. С. 11-12.
  2. Агеев М.В, Ведерников Ю.Н, Зегря Г.Г, Мазур А.С, Побережная У.М, Попов В. К., Савенков Г.Г. Свойства двух и трехкомпонентных взрывчатых композиций на основе пористого кремния. 2021, Хим. физ., т.40, 3 с.41-47.
  3. Зегря Г.Г., Шашков Е.В., Карпова А.А., Воробьев Н. С., Фрейман В.М., Зегря А.Г., Соломонов Ю.С. Лазерный эффект при взрыве пористого кремния. 2021, Письма ЖЭТФ, т.114, 4 с.: 263-268.
  4. Морозов В.А., Зегря А.Г., Зегря Г.Г., Савенков Г.Г. Пьезоэлектрические свойства пористого кремния. 2021, Письма ЖЭТФ, т.114, 10 с.: 680-684.
  5. Савенков Г.Г., Козачук А.И., Побережная У.М., Фрейман В.М., Зегря Г.Г. Скорость горения порошкообразного пористого кремния в условиях ограниченного пространства, 2022, Письма ЖТФ, т.48, 4 с.7-10.
  6. Баженов Н.Л.; Мынбаев К.Д.; Семакова А.А.; Зегря Г.Г. Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений АIIIBV. 2022, ФТП, т.56, 5 с.: 477-483.
  7. Rogachevskii I.V.; Plakhova V.B.; Penniyaynen V.A.; Kalinina A.D.; Podzorova S.A.; Samosvat D.M.; Zegrya G.G.; Krylov B.V. Arginine-Containing Tripeptides as Analgesic Substances: The Possible Mechanism of Ligand-Receptor Binding to the Slow Sodium Channel. 2022, Int. J. Mol. Sci., v.23, 11 ArtNo: #5993.
  8. . Побережная У.М.; Фрейман В.М.; Илюшин М.А.; Зегря Г.Г.; Фадеев Д.В.; Оськин И.А.; Морозов В.А.; Григорьев А.Ю.; Савенков Г.Г. Оптическое и электронно-пучковое инициирование пленок пористого кремния с различным содержанием окислителя и графена. 2022, ЖТФ, т.92, 11 с.: 1699-1704.
  9. Plakhova V.B.; Samosvat D.M.; Zegrya G.G.; Penniyaynen V.A.; Kalinina A.D.; Ke M.; Podzorova S.A.; Krylov B.V.; Rogachevskii I.V. Role of the Guanidinium Groups in Ligand-Receptor Binding of Arginine-Containing Short Peptides to the Slow Sodium Channel: Quantitative Approach to Drug Design of Peptide Analgesics. 2022, Int. J. Mol. Sci., v.23, 18 ArtNo: #10640.
  10. Shames A.I., Zegrya G.G., Samosvat D.M., Osipov V.Y., Vul A.Y. Size effect in electron paramagnetic resonance spectra of impurity centers in diamond particles. 2023, Physica E, v.146 ArtNo: #115523.
  11. Зегря Г.Г., Улин В.П., Зегря А.Г., Фрейман В.М., Улин Н.В., Фадеев Д.В., Савенков Г.Г. Предельная толщина стенок пор, формирующихся в процессах анодного травления сильнолегированных полупроводников. 2023, ЖТФ, т.93, 2 с.: 281-285.
  12. Rogachevskii I.V., Samosvat D.M., Penniyaynen V.A., Plakhova V.B., Podzorova S.A., Ma K., Zegrya G.G., Krylov B.V. Role of the Rhamnosyl Residue of Ouabain in the Activation of the Na K-ATPase Signaling Function. 2023, Life, v.13, 7 ArtNo: #1500.
  13. Kalinina A.D., Rogachevskii I.V., Samosvat D.M., Zegrya G.G., Butkevich I.P., Mikhailenko V.A., Plakhova V.B., Penniyaynen V.A., Podzorova S.A. Krylov B.V. Analgesic Effect of the Lysine-Containing Short Peptide Is Due to Modulation of the NaV1.8 Channel Activation Gating System. 2023, Life, v.13, 9 ArtNo: #1800.
  14. Афанасьев А.Н., Грешнов А.А., Зегря Г.Г. Конкуренция между изотропным и сильно анизотропным вкладами в темп ударной ионизации в прямозонных полупроводниках. 2024, ФТП, т.58, 11 с.: 620-628.
  15. Plakhova V.B., Kalinina A.D., Boichenko N.A., Samosvat D.M., Zegrya G.G., Butkevich I.P., Mikhailenko V.A., Penniyaynen V.A., Podzorova S.A., Yagudina R.I., Krylov B.V., Rogachevskii I.V. Short Lysine-Containing Tripeptide as Analgesic Substance: The Possible Mechanism of Ligand–Receptor Binding to the Slow Sodium Channel. 2024, Life, v.14, 10 ArtNo: #1337.
  16. Савенков Г.Г., Морозов В.А., Илюшин М.А., Побережная У.М., Фрейман В.М., Зегря А.Г., Брагин В.А., Фадеев Д.В., Зегря Г.Г. Особенности инициирования сильноточным электронным пучком энергокомпозитов на основе пористого кремния с добавками борида и графена. 2024, ЖТФ, т.94, 1 с.: 119-124.
  17. Samosvat D., Karpova A., Zegrya G. Internal piezoelectric field and Auger recombination in InGaN/GaN quantum wells: impact on device performance. 2025, Appl. Phys. A-Mater. Sci. Process., v.131 ArtNo: #99.

Публикации в интернете:

  1. Zegrya G.G., Siklitskii V.S., Zegrya A.G., Frolushkina E.V., Losev S.N. Interactive Database: «New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties». St. Petersburg: Ioffe Physical-Technical Institute, RAS, 2002.
  2. Паршин Д.А., Зегря Г. Г. Курс общей физики: классическая механика, специальная теория относительности, основы общей теории относительности. 2003.