ФТИ им. А.Ф.Иоффе лаб. Оптоэлектронных явлений в гетероструктурах English version

Сотрудники Статьи История Разработки


СУБНАНОСЕКУНДНЫЕ ФОТОННО-ИНЖЕКЦИОННЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ КОММУТАТОРЫ
(НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ GaAs-AlGaAs) и ИМПУЛЬСНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ

Введение
Фотопроводящие полупроводниковые коммутаторы (PCSS) на основе полуизолирующих материалов широко используются для импульсных систем большой мощности, таких как широкополосные импульсные радиолокаторы, мощные импульсные лазеры, системы микроволнового и миллиметрового диапазона большой мощности. Среди известных PCSS приборов арсенид галлиевые PCSS привлекают значительный интерес благодаря их высокой чувствительности к оптическому воздействию. В отличие от кремния, основного материала для силовой электроники, гетеропереходы GaAs/AlGaAs позволяют преобразовывать оптический сигнал в электрический внутри приборной структуры. Эти принципы открывают новые возможности для конструирования силовых приборов.

Описание прибора
Конструктивно приборная структура Фотонно-Инжекционных Импульсных Коммутаторов (ФИИК) состоит из двух основных частей: высоковольтных плавных p-n переходов GaAs, являющихся базовыми областями коммутатора, и GaAs-AlGaAs светодиодов для оптического запуска прибора (рис. 1). Структуры ФИИК изготавливаются методом ЖФЭ (жидко-фазной эпитаксии). Как видно из Табл. 1, по своим динамическим и выходным характеристикам ФИИК с внутренней оптической связью между p-n переходами выделяются среди трёхэлектродных полупроводниковых переключателей.

Рис. 1. Фотонно-Инжекционный Импульсный Коммутатор (ФИИК)

str.gif - 10995 Bytes

Особенности генераторов на базе ФИИК (см. Таблицу 2 и Рисунок 2)
- Субнаносекундные времена нарастания и спада;
- Высокая радиационная стойкость и температурная стабильность параметров переключения;
- Пикосекундная стабильность момента переключения относительно импульса управления (jitter);
- Большая мощность на выходе при малых потерях энергии;
- Наносекундные времена задержки переключения относительно импульса управления (на порядок меньше, чем у генераторов на основе кремниевых приборов);
- Кроме того, важное практическое преимущество ФИИК - у него есть электрод управления (в отличие от большинства мощных быстродействующих коммутаторов). Это значительно упрощает его использование в схемах - не требуется применения внешнего лазера или специальной схемотехники для запуска прибора.

Сравнительные характеристики
Современные опубликованные данные ведущих фирм-производителей генераторных модулей сгруппированы в три таблицы по областям их применения. В Табл. 3 сравниваются характеристики высокоскоростных импульсных генераторов. Заметим, что GaAs ФИИК могут генерировать импульсы в широком диапазоне длительностей, включая и ультракороткие, вплоть до 0.5 нс. Это может быть использовано в широкополосных импульсных радиолокационных системах.
В Табл. 4 и 5 представлены параметры генераторов, используемых для запуска импульсных лазерных диодов. Такие генераторы, соединённые с импульсными лазерными системами большой мощности, используются для измерения времени пролёта сигнала от физических объектов, для измерения расстояния, скорости и ускорения объектов. Особенности конструкции и работы ФИИК позволяют реализовывать высокую разрешающую способность при модуляции ультракоротких оптических импульсов (Табл. 4) и желаемую оптическую мощность посредством увеличения амплитуды тока (Табл. 5).

Из таблиц видно, что генераторы на базе GaAs ФИИК имеют заметные преимущества:
- генераторы на базе GaAs ФИИК могут коммутировать как импульсы высокого напряжения, так и импульсы тока большой амплитуды;
- генераторы на базе GaAs ФИИК могут производить импульсы с субнаносекундными временами нарастания и спада;
- генераторы на базе GaAs ФИИК имеют лучшие частотные характеристики (частоты повторения импульсов) по сравнению с другими импульсными генераторами большой мощности.

Табл. 1. Фотонно-Инжекционные Импульсные Коммутаторы.
Параметр / группа ФИИК # 1 # 2 # 3
Допустимые напряжения в закрытом состоянии U, В 400 600 800
Импульсный ток в открытом состоянии I, А 50 75 15
Время нарастания импульса (по уровню (0.1÷0.9)I), нс 0.25 (при 7 A)
1.5 (при 50 А)
0.3 (при 15 A)
2.5 (при 75 A)
0.2÷0.5
Стабильность момента переключения Δt, пс 100 < 50 ~ 50
Максимальная частота повторения импульсов PRF, кГц 5
(при 50 A)
20
(при 15 A)
100
(при ≤ 5 A)
Максимальная длительность импульса тока T, нс 0.5÷100
Минимальная задержка, нс < 10
Рабочие температуры, ºC до 200

Замечания: При необходимости коммутировать бoльшие токи обычно приходится снижать длительности и частоты повторения импульсов. Также при коммутации токов максимальной амплитуды, как правило, увеличивается время нарастания тока, а также может ухудшиться стабильность момента переключения относительно импульса управления. Поэтому в реальных условиях работы (в генераторных схемах) приходится учитывать совокупность рабочих характеристик ФИИК (см. ниже).

Табл. 2. Генераторы на основе ФИИК.
Модель генератора Время нарастания, t, нс Длительность импульса, T, нс PRF, кГц Амплитуда импульса U, В
GFT-1 0.3 0.5 - 20 50 250
GFT-2 0.35 1.5 - 15 50 400
GFT-3 <1 5 - 20 5 1000
GFT-4 1.5 5 - 15 1.5 2000
Модель генератора Время нарастания, t, нс Длительность импульса, T, нс PRF, кГц Амплитуда импульса I, А
GFT-5 0.3 0.5 - 50 0 - 50 7
GFT-6 0.3 3 - 50 0 - 20 15
GFT-7 1.5 3 - 50 10 30
GFT-8 2.5 5 - 10 5 75

Рис. 2. Характерные осциллограммы напряжения модуляторов на выходе
pulse1.gif - 4466 Bytes pulse2.gif - 3943 Bytes
pulse3.gif - 3873 Bytes pulse4.gif - 4246 Bytes


The page designed by Alexander Kuznetsov and Fyodor Soldatenkov