Доклады и докладчики

Н.С. Аверкиев, ФТИ им. Иоффе РАН
Переключение локализованных двумерных состояний акустическим солитоном
Е.Б. Александров, ФТИ им. Иоффе РАН, ГОИ им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург
Воспоминания
П.И. Арсеев, ФИАН им. П.Н. Лебедева, Москва
Ток в полупроводниковых туннельных структурах в нестационарных условиях
В.В. Бельков, ФТИ им. Иоффе РАН
Спиновые фототоки в полупроводниковых гетероструктурах
И.Л. Броневой, Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова, Москва
Субтерагерцовые взаимосвязанные автомодуляция фундаментального поглощения света, возникающая при участии электрон-фононного взаимодействия, и автомодуляция собственного стимулированного излучения в GaAs
Д.А. Варшалович, ФТИ им. Иоффе РАН
Л.Е. Голуб, ФТИ им. Иоффе РАН
Квазиклассическая теория фотогальванического эффекта
И.В. Горный, ФТИ им. Иоффе РАН
Topologically protected metallic state of 2D Dirac fermions: graphene and gapless semiconductors
В.Л. Гуревич, ФТИ им. Иоффе РАН
Ю.Н. Демков, Санкт-Петербургский государственный университет
Воспоминания
А.П. Дмитриев, ФТИ им. Иоффе РАН
Dynamics of the localized spins interacting with two-dimensional electron gas: coexistence of mixed and pure modes
В.Д. Дымников, ФТИ им. Иоффе РАН
Возбужденные состояния электронов в полупроводниках типа GaAs вблизи Г-точки
М.И. Дьяконов, Университет Монпелье, Франция
Об основном состоянии одномерного электронного газа
В.В. Емцев, ФТИ им. Иоффе РАН
Г.Г. Зегря, ФТИ им. Иоффе РАН
К.В. Кавокин, ФТИ им. Иоффе РАН
Спиновая релаксация локализованных электронов в полупроводниках n-типа
М.С. Каган, Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова, Москва
Стимулированное излучение терагерцового диапазона из напряженных p-Ge и структур SiGe/Si
А.А. Каплянский, ФТИ им. Иоффе РАН
В.Ю. Качоровский, ФТИ им. Иоффе РАН
Тонкая структура резонансов Ааронова-Бома в квантовом кольце с латтинжеровской жидкостью
К.А. Кикоин, Университет Бен-Гурион, Беер-Шева, Израиль
Interplay between the Kondo tunneling and the Rushba precession
О.В. Константинов, ФТИ им. Иоффе РАН
В.И. Козуб, ФТИ им. Иоффе РАН
Квантовый импеданс баллистических наномостиков
С.Е. Кумеков Казахский национальный тех. ун-т им. К.И. Сатпаева, Алма-Ата, Казахстан
Классическое спин-зависимое рассеяние электрона
В.Д. Кулаковский, Институт Физики твердого тела, Черноголовка
Поляритон-поляритонное рассеяние и конденсация квазидвумерных экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах
Ю.Г. Кусраев, ФТИ им. Иоффе РАН
М.Е. Левинштейн, ФТИ им. Иоффе РАН
Воспоминания
А.Д. Мирлин, Университет Карслсруе, Германия
Д.Г. Поляков, Forschungszentrum Karlsruhe, Institut für Nanotechnologie, Германия
Кинетическая теория неупорядоченной латтинжеровской жидкости
М.Е. Портной, University of Exeter
Momentum alignment of photoexcited carriers in graphene
Н.Н. Сибельдин, ФИАН им. П.Н. Лебедева, Москва
Электронно-дырочная жидкость в SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si
Р.А. Сурис, ФТИ им. Иоффе РАН
Каскадные лазеры на квантовых точках
С.А. Тарасенко, ФТИ им. Иоффе РАН
Фотогальванические эффекты в квантовых ямах
В.Б. Тимофеев, Институт физики твердого тела, Черноголовка
Phase diagram of the Bose-Einstein condensation of dipolar excitons within lateral trap in GaAs/AlGaAs Schottky photo-diode heterostructures
А.В. Чаплик,
Институт физики полупроводников, Новосибирск
Spin-dependent localization of electrons in low-dimensional systems
Б.И. Шкловский, Университет Миннесоты
Statistical physics of ion channels. No life without entropy!
А.Л. Эфрос, Университет Юты
Negative density of states: Screening, Einstein relation, and negative diffusion
И.Н. Яссиевич, ФТИ им. Иоффе РАН
Излучательные и безызлучательные переходы в кремниевых нанокристаллах
(c) 2009, Ioffe Institute