Electronic archive
New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties

Введение

Электронный архив: «Новые полупроводниковые материалы: Характеристики и свойства» содержит большой объем информации об основных полупроводниковых материалах и гетероструктурах на их основе. Представлены как экспериментальные данные, так и модельные расчеты.

1. Свойства полупроводников

Архив содержит физические cвойства и параметры для следующих полупроводников:

Si - Silicon Ge - Germanium
GaP - Gallium Phosphide GaAs - Gallium Arsenide
InAs - Indium Arsenide C - Diamond
GaSb - Gallium Antimonide InSb - Indium Antimonide
InP - Indium Phosphide GaAs1-xSbx - Gallium Arsenide Antimonide
AlxGa1-xAs - Aluminium Gallium Arsenide GaxIn1-xP - Gallium Indium Phosphide
GaxIn1-xAs - Gallium Indium Arsenide GaxIn1-xSb - Gallium Indium Antimonide
InAs1-xSbx - Indium Arsenide Antimonide GaxIn1-xAsyP1-y - Gallium Indium Arsenide Phosphide
GaxIn1-xAsySb1-y - Gallium Indium Arsenide Antimonide GaN - Gallium Nitride
AlN - Aluminium Nitride InN - Indium Nitride


Для данных полупроводниковых материалов Вы можете найти в нашем Архиве следующие данные:


Основные параметры:

Тип кристаллической структуры, группу симметрии, Температуру Дебая, Плотность, Диэлектрическую постоянную (статическую и высокочастотную), Эффективные массы электронов и дырок, Коэффициент электронного сродства, Постоянную решетки, и др.

Зонная структура и носители заряда:

Вид зонной структуры, Энергетические растояния между зонами и подзонами, Плотности состояний в валентной зоне и зоне проводимости, массы электронов и дырок в зонах и подзонах, а так же глубину залегания основных доноров и акцепторов.

Оптические свойства:

Спектры коэффициентов отражения, преломления и поглощения, энергии оптических фононов и зависимость этих параметров от температуры и величины легирования.

Электрические свойства:

Подвижность электронов и дырок, коэффициенты диффузии и тепловых скоростей, Коэффициенты Холла, Транспортные свойства в сильных электрических полях, Параметры ударной ионизации, Коэффициенты рекомбинации и значения ОЖЕ коэффициентов.

Механические свойства:

Константы упругости и твердости, Скорости акустических волн и фононные частоты.

Температурные свойства:

Температура плавления, Температурная проводимость и диффузия, Коэффициент теплового расширения.

Ссылки:

Ссылки на оригинальные статьи и сборники.

2. Архив Оптических констант

Представлены значения оптических констант n и k для множества материалов (металлы, полупроводники, диэлектрики, жидкости, стекла).

3. Модель расчета Оже коэффициента для гетероструктуры In1-x1Gax1Asy1P1-y1/In1-x2Gax2Asy2P1-y2

Представленна теоретическая модель расчета излучательных и безизлучательных Оже переходов для гетероструктуры In1-x1Gax1Asy1P1-y1/In1-x2Gax2Asy2P1-y2. Организован on-line расчет Оже-коэффициентов в зависимости от состава, температуры и толщины слоев.

4. Модель расчета энергетических уровней электронов и дырок

Организован on-line расчет положения энергетических уровней в зависимости от состава, и толщины слоев.



webmaster Алексей Толмачев
© Copyright 1998-2001 ФТИ им А.Ф.Иоффе РАН