Лаборатория физики термоэлементов
01.01.2002Фундаментальные аспекты термоэлектрического преобразования энергии

                                     Содержание

 

     1. Фундаментальные аспекты термоэлектрического преобразования энергии

         и физики термоэлектриков. Новые материалы

 

                                                                                                                          стр.

1.        Наноструктурный высокоэффективный термоэлектрический

микроохладитель /обзор/.............................................................................7

Гольцман Б.М.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

2.        Термоэлектрические свойства полупроводниковых

квантовы хпроволок...................................................................................12

Ведерников М.В., Урюпин О.Н., Гольцман Б.М., Иванов Ю.В.,

Кумзеров Ю.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

3.        Повышение эффективности термоэлектрического охлаждения

при температурах ниже 200 К...................................................................18

Иванова Л.Д.1, Гранаткина Ю.В.1, Сидоренко Н.А.2

1Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова

РАН, Москва, Россия, 2СКТБ "НОРД", Москва, Россия

4.        Эффект охлаждения при термоавтоэлектронной эмиссии....................24

Пшенай-Северин Д.А.1, Равич Ю.И.2, Куница О.А.2

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, 2Санкт-Петербургский государственный

политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия

5.        О выборе термоэлектрического материала для применений

при температурах ниже 300 К...................................................................30

Прокофьева Л.В.1, Гуриева Е.А.1, Константинов П.П.1,

Равич Ю.И.2, Федоров М.И.

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 

Санкт-Петербург, 2Санкт-Петербургский государственный

политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия

6.        Термоэлектрическое охлаждение в России:

состояние и тенденции..............................................................................36

Булат Л.П.

Санкт-Петербургский государственный университет

низкотемпературных и пищевых технологий,

Санкт-Петербург, Россия.

7.        Термоэлектрические явления в условиях, далеких

от термодинамического равновесия.........................................................42

Грабов В.М.

Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

8.        Влияние селективного рассеяния носителей на

термоэлектрические свойства материалов..............................................48

Ерофеев Р.С.

НПП “Квант”, Москва, Россия

9.        О физических моделях в термоэлектричестве........................................54

Иорданишвили Е.К.

Институт международных образовательных программ

Санкт-Петербургского государственного политехнического

университета, Санкт-Петербург, Россия

10.     Влияние германия на кинетические свойства высшего

силицида марганца ....................................................................................60

Федоров М.И.1, Самунин А.Ю.1, Аояма И.2, Еремин И.С.1,

Зайцев В.Л.1, Соломкин Ф.Ю.1, Щеглов М.П.1

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия, 2 Исследовательский центр

Коматсу ЛТД, Хирацука, Япония

11.     Электронное отражение и зонная структура высшего

силицида марганца.....................................................................................66

Ордин С.В., Шелых А.И.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

12.     Термоэлектрические свойства слоистого соединения GeBi4Te7,

легированного медью................................................................................72

Шелимова Л.Е.1, Карпинский О.Г.1, Константинов

П.П.2, Кретова М.А.1, Авилов Е.С.1, Земсков В.С.1

Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова

РАН, Москва, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе

РАН, Санкт-Петербург, Россия

13.     Термоэлектрические свойства сульфидов самария................................78

Голубков А.В.1, Казанин М.М.1, Каминский В.В.1,

Соколов В.В.2, Соловьев С.М.1, Васильев Л.Н.1

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Институт неорганической химии

СО РАН, Новосибирск, Россия

14.     Сверхпроводящие свойства твердых растворов на основе

PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов

в подрешетке халькогена...........................................................................84

Черняев А.В.1, Парфеньев Р.В. 1, Шамшур Д.В. 1, Немов С.А. 2

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия, 2Санкт-Петербургский

Государственный политехнический университет,

Санкт-Петербург, Россия

15.     Низкотемпературные электрофизические свойства сплавов

PbzSn1-zTe:In................................................................................................90

Парфеньев Р.В.1, Шамшур Д.В.1, Шакура Д.В.1, Немов С.А.2.

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, 2Санкт-Петербургский государственный

политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия

16.                Энергетический спектр и сверхпроводимость тонких слоев

сплавов (Pb0.35Sn0.06)Ge0.05Te.....................................................................95

Немов С.А.1, Осипов П.А.2, Шамшур Д.В.3, Парфеньев Р.В.3

1Санкт-Петербургский государственный политехнический

университет, Санкт-Петербург, 2Санкт- Петербургская

Государственная Педиатрическая Медицинская Академия,

Санкт-Петербург, 3Физико- технический институт

им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

17.     Рекомбинация в легированных акцепторной примесью

кристаллах висмута, обусловленная возбуждением

плазмонов....................................................................................................98

Степанов Н.П.

Забайкальский государственный педагогический институт

им. Н.Г. Чернышевского, Чита, Россия

18.     Особенности фононного увлечения в полупроводниковых

сплавах Bi-Sb с сильно анизотропным электронным

спектром....................................................................................................104

Редько Н.А.1, Каган В.Д.1, Родионов Н.А.2, Польшин В.И.2

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, 2Благовещенский государственный

университет, Благовещенск, Россия

19.     Явления переноса в кристаллах висмут-сурьма

в промежуточных магнитных полях......................................................110

Грабов В.М.1, Куликов В.А.2, Парахин А.С.1, Бочегов В.И.2,

Дензанова Т.В.2

1Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт- Петербург, 2Курганский

государственный университет, Курган, Россия

20.     Особенности магнитополевых зависимостей коэффициентов

переноса в кристаллах Bi0.90Sb0.10...........................................................114

Парахин А.С.1, Куликов В.А.2, Бочегов В.И.2,

Дензанова Т.В.2, Сангаджиева Г.А.1

1Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, 2Курганский

госуниверситет, Курган, Россия

21.     Рассеяние носителей заряда в кристаллах висмута,

легированного примесями олова и теллура..........................................118

Комаров В.А., Парахин А.С., Сидоров А.В.

Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

22.                Магнитооптическое исследование сплавов висмут-сурьма................123

Кондаков О.В., Токарев В.В., Гладких О.Б.

Елецкий государственный университет им. И.А. Бунина,

Елец, Россия.

23.     Температурное поле термоэлектрических охлаждающих

систем в двумерном нестационарном случае........................................129

Дударев Ю.И., Максимов М.З., Сабо Е.П., Хагба Г.С.,

Дударева С.Ю.

Сухумский физико-технический институт АНА,

Сухум, Абхазия

24.     Использование двуканальной модели проводимости

для описания кинетических коэффициентов кристаллов типа

Ge(1-x)Te и Cu(2-x)Se в области высоких температур.........................133

Коржуев М.А., Лаптев А.В., Дегтярев В.Ф.

Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова

РАН, Москва, Россия

25.     О природе химической связи между слоями в сплавах

типа Bi2Te3................................................................................................139

Коржуев М.А.

Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова

РАН, Москва, Россия

 

2.       Термоэлектрическое материаловедение

 

26.     Исследование структуры монокристаллов твердых растворов

на основе теллурида висмута..................................................................145

Гасенкова И.В.1, Свечникова Т.Е.2

1Институт электроники НАНБ, Минск, Республика

Беларусь, 2Институт металлургии и материаловедения

им. А.А. Байкова РАН, Москва, Россия

27.     Влияние олова на термоэлектрические свойства твердого

раствора Bi2Te2.85Se0.15 ............................................................................151

Свечникова Т.Е.1, Константинов П.П.2, Житинская М.К.3,

Немов С.А.3, Плачек Д.4, Мюллер Е.4

1Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова

РАН, Москва, 2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе,

Санкт-Петербург, 3Санкт-Петербургский государственный

политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия,

4Немецкий Аэрокосмический центр, Институт исследования

материалов, Кёльн, ФРГ

28.     Примесь олова в твердых растворах p Bi1,95Sb0,05Te3  и

nBi2Te2,85Se0,15.......................................................................................157

Житинская М.К.1, Немов С.А.1, Никулина М.Ю.1,

Свечникова Т.Е.2

3Санкт-Петербургский государственный политехнический

университет, Санкт-Петербург, 2Институт

металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН,

Москва, Россия

29.     Технологические особенности легирования халькогенидных

материалов................................................................................................163

Гречко Н.И., Залдастанишвили М.И., Криворучко С.П.,

Сабо Е. П., Судак Н. М., Титаренко Ю.Д., Чиликиди А.А.,

Швангирадзе Р.Р.

Сухумский физико-технический институт АНА, Сухум,

Абхазия

30.     Микронеоднородность монокристаллов сплавов Bi-Sn-Te.................168

Палажченко в.И.

Амурский комплексный научно-исследовательский институт

ДВО РАН, Благовещенск, Россия.

31.     Фазовые изменения в висмуте при электроискровом

легировании..............................................................................................174

Палажченко В.И., Левицкий Ю.Т.

Амурский комплексный научно-исследовательский институт

ДВО РАН, Благовещенск, Россия.

32.     Особенности термоэлектрических свойств системы Bi-Te-In-Se

в области, обогащенной Bi2Te3 ..............................................................180

Алескеров Ф.К, Кахраманов К.Шб., Кахраманов С.Ш.

НПО»Selen» института физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

33.     Термоэлектрические свойства сплавов на основе теллуридов

висмута и сурьмы, содержащих примеси редкоземельных

элементов..................................................................................................185

Бархалов Б.Ш., Алиев Р.Ю., Багиева Г.З., Мустафаев Н.Б.

Абдинова Г.Д.

Институт Фотоэлектроника НАН Азербайджана, Баку,

Азербайджан

34.     Магнитотермоэлектрический материал на основе

экструдированных образцов Bi85Sb15.....................................................189

Абдинова Г.Д., Тагиев М.М.

Институт Фотоэлектроника НАН Азербайджана, Баку,

Азербайджан

35.     Термоэлектрические свойства монокристаллов твердых

растворов систем Pb1-xMnxTe..................................................................193

Агаев З.Ф., Аллахвердиев Э.А., Муртузов Г.М., Багиева Г.З.,

Абдинов Д.Ш.

Институт Фотоэлектроника НАН Азербайджана, Баку,

Азербайджан

36.     Термоэлектрические свойства экструдированных

образцов PbTe...........................................................................................198

Агаев З.Ф., Тагиев М.М., Аллахвердиев Э.А., Муртузов Г.М.

Институт Фотоэлектроника НАН Азербайджана, Баку,

Азербайджан

37.     Электрическое сопротивление коммутационных контактов

термоэлементов на основе экструдированных образцов PbTe............202

Алиева Т.Д., Ахундова Н.М., Абдинов Д.Ш.

Институт Фотоэлектроники НАН Азербайджана, Баку,

Азербайджан

38.     Структура чистого и сложнолегированного MnSi1.75,

полученного в режиме быстрой кристаллизации.................................206

Картенко Н.Ф., Колосова А.С., Соломкин Ф.Ю., Ефимов А.Н.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

39.     Структура и микроструктура α- и β-FeSi2.............................................211

Картенко Н.Ф., Щеглов М.П., Соломкин Ф.Ю., Ефимов А.Н.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

40.     Особенность теплопроводности сильнолегированных

сплавов кремний-германий.....................................................................215

Дударев Ю.И., Криворучко С.П., Максимов М.З.,

Марколия А. И., Сабо Е. П., Судак Н.М., Чиликиди А.А.,

Швангирадзе Р.Р.

Сухумский физико-технический институт АНА, Сухум,

Абхазия

41.     Теплопроводность и термоэлектрические свойства

сульфида свойства сульфида празеодима..............................................221

Лугуев С.М.1, Лугуева Н.В.1, Соколов В.В.2

1Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, 2Институт неорганической химии Сибирского

отделения РАН, Новосибирск, Россия

42.     Термоэдс в р- и n-типа монокристаллах CuInSe2..................................226

Гаджиев Т.М., Хохлачев П.П., Бабаев А.А., Камилов И.К.,

Гаджиева Р.М.

Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, Россия

 

3.       Тонкопленочные термоэлектрики

 

43.     От тонких пленок (Bi,Sb)2(Te,Se)3 к многослойным

гетероструктурам на их основе: особенности роста и

эффекты на межфазных границах........................................................231

Бойков Ю.А., Данилов В.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

44.     Механизмы рассеяния носителей заряда в

пленках висмута.......................................................................................237

Комаров В.А.

Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

45.     Амфотерное поведение висмута в эпитаксиальных

пленкахPbSe:Bi.........................................................................................243

Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Немов С.А.

Санкт-Петербургский государственный политехнический

университет, Санкт-Петербург, Россия

46.     Разработка анизотропных термоэлектрических приемников

на базе монокристаллов высшего силицида маргаца (ВСМ)

и на базе гетероструктур: ВСМ-SiO2.....................................................249

Ордин С.В.1, Зюзин А.Ю.1, Камилов Т.С.2, Кобилов Д.К.,

Клечковская В.В.3

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт Петербург, 2Ташкентский государственный

авиационный институт, Узбекистан, 3Институт

кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, Россия

47.     Роль оксида кремния в процессе формирования пленок

высшего силицида марганца...................................................................255

Камилов Т.С.1, Кобилов Д.К.1, Узоков А.А., Клечковская В.В.2,

Занавескина И.С.2, Муратова В.И.2, Ордин С.В.3

1Ташкентский государственный авиационный

институт, Узбекистан, 2Институт кристаллографии

им. А.В. Шубникова РАН, Москва,3Физико- технический

институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт Петербург, Россия

48.     Влияние условий напыления на теплопроводность пленок

CuInSe2, измеренную методом тепловых импульсов...........................260

Камилов И.К., Исмаилов Ш.М., Магомедов М.-Р.А.,

Магомедова Дж. Х., Атаев А.К.

Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, Россия

 

4.       Методики измерений

 

49.     Методы исследования временной динамики

термоэлектрических охладителей в Z–метрии.....................................264

Ершова Л. Б.1, Драбкин И.А.2, Володин В.В.1,

Кондратьев Д.А.1

1Институт Физики и Высоких Технологий, Москва,

2Институт Химических Проблем Микроэлектроники,

Москва, Россия

50.     Использование анизотропных термоэлектрических

материалов для дистанционной термометрии......................................270

Бочегов В.И., Дензанова Т.В.

Курганский государственный университет, Курган,

Россия

51.     Прецизионный регулятор температуры для установки

вертикального зонного выравнивания...................................................275

Лузгин К.С., Кутасов В.А., Лукьянова Л.Н.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

 

5.       Термоэлектрические преобразователи энергии

 

52.     Работа ветви термогенератора. Учет температурных

зависимостей термоэлектрических параметров....................................281

Драбкин. И.А.1, Дашевский З.М.2

1Институт химических проблем микроэлектроники,

Москва, Россия, 2Университет Бен Гуриона, Беершева,

Израиль

53.     Переходные процессы в охлаждающих термоэлектрических

модулях и устройствах............................................................................287

Драбкин И.А.

Институт химических проблем микроэлектроники, Москва,

Россия

54.                Способ расчета термоэлектрических охлаждающих

устройств..................................................................................................293

Драбкин И.А.1, Дашевский З.М.2, Освенский В.Б.1

1Институт химических проблем микроэлектроники,

Москва, Россия, 2 Университет Бен Гуриона, Беершева,

Израиль

55.     Определение термоэлектрических параметров материалов

для расчета преобразователей................................................................299

Дударев Ю.И., Криворучко С.П., Максимов М.З.,

Марколия А.И., Сабо Е.П., Судак Н.М., Хагба Г.С.,

Чиликиди А.А.

Сухумский физико-технический институт АНА, Сухум,

Абхазия

56.     К вопросу деградации высокотемпературных параметров

материалов для расчета преобразователей............................................305

Марколия А. И., Судак Н. М., Сабо Е. П., Векуа Т.С.,

Гречко Н.И., Дударев Ю.И., Криворучко С.П.,

Максимов М.З., Чиликиди А.А., Шамба В.Е.,

Швангирадзе Р.Р.

Сухумский физико-технический институт АНА, Сухум,

Абхазия.

57.     Расчет параметров термоэлектрических модулей

с учетом температурной зависимости свойств.....................................311

Тахистов Ф.Ю.

58.     Температурные поля в пространственно неоднородной

охлаждающей термобатарее...................................................................317

Никитин А.А.

Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий, Санкт-Петербург,

Россия

59.     Комплексный метод исследования термоэлектрических

охладителей..............................................................................................323

Парахин А.С.1, Налётов В.Л.2, Панарин А.Ф.1, Бочегов В.И.2,

Дензанова Т.В.2

Российский государственный педагогический

университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург,

2Курганский государственный университет, Курган, Россия

60.     Численное моделирование термоэлемента............................................327

Марков О. И., Мызникова О. А.

Орловский государственный университет, Орел, Россия

61.     Об эффективности работы неоднородного термоэлемента

в режиме компенсации тепла Джоуля распределенным

эффектом Пельтье....................................................................................333

Коржуев М.А., Иванова Л.Д., Гранаткина Ю.В.

Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова

РАН, Москва, Россия

62.     Математическая модель термоэлектрического устройства

для температурного воздействия на передний отрезок

глазного яблока человека с опорным тепловым

демпфером................................................................................................339

Исмаилов Т.А., Аминова И.Ю., Евдулов О.В.

Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, Республика Дагестан, Россия

63.     Исследование термоэдс и коэффициента полезного

действия термоэлемента с боковым теплообменом.............................345

Охрем В.Г.1, Охрем Е.А.2, Ащеулов А.А.2

1Черновицкий национальный университет им. Юрия

Федьковича, Черновцы, 2Институт термоэлектричества,

Черновцы, Украина

64.     К вопросу технологической обработки ветвей

термоэлемента..........................................................................................351

Гречко Н.И., Залдастанишвили М.И., Криворучко С.П.,

Сабо Е. П., Судак Н. М., Титаренко Ю.Д.,

Чиликиди А.А., Швангирадзе Р.Р.

Сухумский физико-технический институт АНА, Сухум,

Абхазия

65.     Термоэлектрические батареи на основе сплавов Bi2Te3

с рабочей температурой до 300 0С.........................................................357

Пустовалов А.А., Гусев В.В., Небера Л.П., Панкин М.И.,

Рыбкин Н.Н.

ЗАО НПП «БИАПОС», Москва, Россия

66.     Каскадные термоэлектрические охладители для

объектов полупроводниковой оптоэлектроники..................................363

Безверхов Д. Б.

Компания «Термион», Одесская государственная академия

холода, Одесса, Украина

67.     Приточные неизотермические струи, создаваемые

персональным термоэлектрическим кондиционером..........................369

Бузин В.Е., Булат Л.П.

Санкт-Петербургский государственный университет

низкотемпературных и пищевых технологий,

Санкт-Петербург, Россия.

68.                Термоэлектрические охладители электронных плат............................375

Исмаилов Т.А., Евдулов О.В.

Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, Республика Дагестан, Россия

69.     Устройство температурной стабилизации для ЭВМ

при ее включении и выключении...........................................................379

Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Нежведилов Т.Д.

Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, Республика Дагестан, Россия

70.     Термоэлектрический нуль-термостат....................................................382

Исмаилов Т.А., Аминов Г.И.

Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, Республика Дагестан, Россия

71.     Термоэлектрическое устройство для локального

температурного воздействия в здравоохранении.................................386

Исмаилов Т.А., Зарат А.У., Хазамова М.А., Аминов Г.И.

Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, Республика Дагестан, Россия

72.     Моделирование и расчет термоэлектрического охладителя

воздушного потока для систем охлаждения

радиоэлектронных систем.......................................................................390

Исмаилов Т.А., Юсуфов Ш.А.

Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, Республика Дагестан, Россия

73.     Термоэлектрический источник питания для

отопительных котлов...............................................................................396

Новиков А.И.

Государственный Ракетный Центр “КБ им. акад.

В.П. Макеева”, Миасс, Россия

74.     Анизотропные оптикотермоэлементы................................................402 Ащеулов А.А.1, Гуцул И.В.2,Снарский А.А.3.

1Институт термоэлектричества НАН Украины,

Черновцы, 2Черновицкий национальный университет

им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина, 3Национальный

университет “Киевская политехника”, Киев, Украина

75.                Каталитические термоэлектрические энергоустановки

(КАТЕУ) на базе КАТЭГ-90: разработка,

унификация, применение........................................................................406

Пустовалов А.А., Панкин М.И., Гусев В.В.

ЗАО НПП «БИАПОС», Москва, Россия

76.     Оптимизация конструкции термоэлектрических генераторов

большой мощности..................................................................................411

Баукин В.Е.1, Вялов А. П.2, , Гершберг И. А.1, Муранов Г. К.,

Соколов О. Г.1, Тахистов Ф.Ю.2

1ИПФ “КРИОТЕРМ”, 2Фонд “ФРИТЭ”, Санкт-Петербург,

Россия

77.     Применение низкотемпературных висмут-теллуровых

термоэлектрических батарей радиально- кольцевой

геометрии в автономных источниках тока, тока и тепла

большой мощности..................................................................................417

Ярыгин В.И., Мелета Е. А.

ГНЦ РФ Физико-энергетический институт имени

А.И. Лейпунского, Обнинск, Россия

78.     Исследования энергетических характеристик

термоэлектрических модулей на основе халькогенидов

свинца и германия....................................................................................418

Тереков А.Я.

НПП “Квант”, Москва, Россия

79.     Способ получения сильного магнитного поля

с помощью термоэлементов....................................................................424

Амирханов Х.М., Гаджиев Г.Г.

Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, Республика Дагестан, Россия

80.     Термоэлектрические модули на основе сплавов теллурида

висмута: по материалам патентной документации России

за период с 2000г......................................................................................427

Малкович Б.Е.-Ш.

Фонд “ФРИТЭ”, Санкт-Петербург, Россия

 

Анотации на английском языке..............................................................433

 

Содержание.............................................................................................483

 

Contents.....................................................................................................496

 

Авторский указатель................................................................................508

 

Author Index..............................................................................................512