Лаборатория физики термоэлементов
01.01.1998Фундаментальные аспекты термоэлектрического преобразования энергии

СОДЕРЖАНИЕ

 

       I. Фундаментальные аспекты термоэлектрического преобразования энергии

         и физики термоэлектриков. Новые материалы

 

                                                                                                                                   стр.

 

1.          Низкоразмерные структуры с квантовыми ямами –

перспективные термоэлектрики (обзор) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Иванов Ю.В., Ведерников М.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

2.          Влияние подвижности на термоэлектрическую эффективность

 многослойных структур с квантовыми ямами . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Равич Ю.И., Пшенай-Северин Д.А.

Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Санкт-Петербург, Россия

3.          Особенности электрон-фононного взаимодействия и

термоэлектрические свойства сверхрешеток . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Иванов Ю.В., Ведерников М.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

4.          Методика измерения термоэлектрических свойств

квантовых нитей  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Гольцман Б.М., Ведерников М.В., Кумзеров Ю.А.,

Урюпин О.Н., Иванов Ю.В., Соломкин Ф.Ю.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

5.          Влияние несоответствия температурных коэффициентов

расширения пленки и подложки на термоэлектрические

свойства пленок висмута . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

Комаров В. А.

Российский государственный педагогический университет

им. А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

 

II Материалы на основе A2VB3VI

 

6.      Электрофизические свойства монокристаллов

Bi2Te2.85Se0.15, легированных различными элементами

I‑VI групп периодической системы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Свечникова Т.Е.1, Константинов П.П.2, Алексеева Г.Т.2

 


1Институт металлургии и материаловедения РАН, Москва,

2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 

Санкт-Петербург, Россия

7.          Термоэлектрические свойства монокристаллов твердого

раствора системы Bi2Te3-Sb2Te3 в области температур

100-700 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .34

Иванова Л.Д., Гранаткина Ю.В.

Институт металлургии и материаловедения РАН, Москва,

Россия

8.          Исследование материалов на основе Bi2Te3 методом

рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии . . . . . . . . . . . . . . . . .41

Гасенкова И.В.1, Житинская М.К.2, Немов С.А.2,

Свечникова Т.Е.3, Тявловская Е.А.1

1Институт электроники НАН Беларуси, Минск,

2Санкт-Петербургский государственный технический

университет, 3Институт металлургии и материаловедения

РАН, Москва, Россия

9.          Эффективная масса плотности состояний и

термоэлектрическая эффективность твердых растворов

n-(Bi,Sb)2 (Te,Se,S)3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

Кутасов В. А., Лукьянова Л. Н., Константинов П. П.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

10.       Применение ультразвуковой микроскопии для

анализа текстуры в крупнокристаллических

слитках термоэлектрических материалов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

Бублик В.Т.1, Освенский В.Б.2, Каратаев В.В.2,

Пышный М.Ф.3, Сагалова Т.Б.1, Фролов А.М.3

1Московский институт стали и сплавов, 2Институт

химических проблем материаловедения, 3Институт

биохимфизики РАН, Москва, Россия

 

III Материалы на основе Bi-Sb

 

11.       Поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена в кристаллах

висмута и сплавах висмут-сурьма . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

Бондаренко М.Г.1, Грабов В.М.1, Урюпин О.Н.2

1Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, 2Физико-технический институт

им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

12.       Термоэлектрические свойства поликристаллов Bi и сплавов

 


Bi-Sb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

Грабов В.М.1, Урюпин О.Н.2, Яковлева Т.А.1

1Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, 2Физико-технический институт

им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

13.       Анизотропия термоэлектрических параметров сплавов

висмут-сурьма в поперечном магнитном поле . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

Панарин А.Ф.

Российский государственный педагогический университет

им. А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

14.       Электрические свойства коммутационных контактов

термоэлементов на основе твердого раствора Bi0.85Sb0.15 . . . . . . . . . . .74

Самедов Ф.С., Тагиев М.М., Абдинов Д.Ш.

Институт фотоэлектроники АНА, Баку, Азербайджан

15.       Магнитотермоэлектрические свойства экструдированных

образцов твердого раствора Bi85Sb15 на основе порошков

различной дисперсности . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

Джафаров Э.Г., Тагиев М.М., Абдинов Д.Ш.

Институт фотоэлектроники АНА, Баку, Азербайджан

 

IV Материалы на основе AIVBVI

 

16.       Магнитная восприимчивость твердых растворов

Sn1-zGezTe:In с квазилокальными состояниями индия . . . . . . . . . . . . .81

Парфеньев Р.В.1, , Сафончик М.О.1,

Шамшур Д.В.1, Качоровский Д.2, Немов С.А.3

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

2Институт низких температур и структурных исследований

ПАН, Вроцлав, Польша,

3Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Санкт-Петербург, Россия,

17.       Сверхпроводящее и диэлектрическое состояния в твердых

растворах PbTe - SnTe с примесью In . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89

Константинов П.П.1, Парфеньев Р.В.1, Сафончик М.О.1,

Шамшур Д.В.1, Шахов М.А.1, Немов С.А.2, Попов Д.И.3

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

2Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Санкт-Петербург, Россия, 3Кларксон

университет, Потсдам, Нью-Йорк, США

18.       Влияние уровня легирования In на сверхпроводящие

свойства твердых растворов SnTe1-ySey . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .93

 


Парфеньев Р.В.1, Смирнов И.Ю.1, Черняев А.В.1,

Шамшур Д.В.1 Немов С.А.2, Прошин В.И.2

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

2Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Санкт-Петербург, Россия

19.       Дефектообразование в кристаллах и тонких слоях PbSe

с примесью Bi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .97

Осипов П.А., Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Немов С.А.

Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Санкт-Петербург, Россия

20.       Сверхпроводящие характеристики In и SnTe в порах опала . . . . . . .102

Богомолов В.Н., Курдюков Д.А., Черняев А.В.,

Парфеньев Р.В., Шамшур Д.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

21.       Tермодинамический анализ взаимодействия

термоэлектрических материалов с контактными сплавами . . . . . . . .109

Бархалов Б.Ш.

Институт фотоэлектроники АНА, Баку, Азербайджан

 

V Материалы на основе Ge-Si

 

22.       Особенности и последствия негомогенности

высокотемпературного термоэлектрического сплава

кремний – германий . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .113

Швангирадзе Р.Р., Криворучко С.П., Шамба Н.А.

Сухумский физико-технический институт АНА,

Сухум, Абхазия

23.       Физико-механические свойства сложнолегированных

твердых растворов Si-Ge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .117

Кекуа М.Г., Дарсавелидзе Г.Ш., Бигвава Н.К., Пагава М.О.,

 Габричидзе Л.Л.

Институт металлургии им. Ф.Н.Тавадзе ГАН, Тбилиси, Грузия

24.      Омический контакт к твердым растворам системы

Si1-x - Gex . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .121

Хуцишвили Э.В., Кекуа М.Г., Циклаури Ц.Г.,

Бердзенишвили К.С., Габричидзе Л.Л., Джишкариани Г.И.

Институт металлургии им. Ф.Н. Тавадзе ГАН, Тбилиси, Грузия

 

VI Прочие термоэлектрические материалы

 

 


25.       Особенности зонной структуры и анизотропия термоэдс

пирографитов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123

Ордин С.В.1, Румянцев В.И.2, Тупицына Е.В.2,

Осмаков А.С.2, Авдеев О.В.2, Федоров М.И.1

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

2ООО “Вириал”, Санкт-Петербург, Россия

26.       Особенности кинетических коэффициентов в b-FeSi2

при низких температурах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131

Федоров М.И., Попов В.В., Еремин И.С., Зайцев В.К.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

27.       Теплофизические свойства сульфидов РЗЭ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137

Гаджиев Г.Г., Исмаилов Ш.М., Хамидов М.М.,

Абдуллаев Х.Х., Магомедов М-Р.М.

Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, Россия

28.       Исследование влияния дисперсности на

теплопроводность сульфида лантана . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .141

Лугуев С.М., Лугуева Н.В., Соколов В.В., Дронова Г.Н.

Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, Россия

29.       Получение и свойства твердых растворов на основе

станнида магния . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .145

Калязин А.Е.1, Кузнецов В.Л.2

1Кардифф университет, Кардифф, Англия,

2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

30.       Термоэлектрические свойства твердых растворов

на основе CeFe4Sb12 со структурой скуттерудита . . . . . . . . . . . . . . . .148

Кузнецов В.Л.1, Кузнецова Л.А.2

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

2Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Санкт-Петербург, Россия

31.       Получение и исследование термоэлектрических свойств

пленок и тонкопленочных структур CuInSe2/CdS . . . . . . . . . . . . . . . 151

Магомедов М.-Р. А., Исмаилов Ш.М., Магомедова Дж. Х.,

Хохлачев П.П.

Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, Россия

 

VII Термоэлектрические охладители

 


32.       Автоматизированный комплекс по исследованию

термоэлектрических охладителей . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156

Парахин А. С., Налетов В.Л.

Курганский государственный университет, Курган, Россия

33.       Выбор термоэлектрического материала для

холодильных термоэлектрических батарей . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .161

Драбкин И.А.

Институт химических проблем микроэлектроники, Москва,

Россия

34.       Составная ветвь термоэлемента, состоящая из частей с

реальными температурными зависимостями

термоэлектрических параметров . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166

Драбкин И.А.

Институт химических проблем микроэлектроники,

Москва, Россия

35.       Влияние приконтактных явлений на термоэлектрические

свойства ветви . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169

Драбкин И.А.

Институт химических проблем микроэлектроники, Москва,

Россия

36.       Расчет снижения температуры ступенчатыми (СТЭО)

и каскадными (КТЭО) термоэлектрическими охладителями . . . . . . 172

Иванов Г.А., Иванов К.Г.

Российский государственный педагогический университет

им. А.И.Герцена, Санкт-Петербург, Россия

37.       Экспериментальная оценка эксплуатационных

характеристик термоэлектрического холодильника при

наличии теплоотвода с боковой поверхности ветвей . . . . . . . . . . . . .176

Ведененев В.П., Залдастанишвили М.И., Криворучко С.П.,

Снапян А.Х.

Сухумский физико-технический институт АНА, Сухум,

Абхазия

38.       Экологически чистые термоэлектрические климатические

системы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .181

Гуляев А.А., Холопкин А.Н.

ЗАО “Электроника НН”, Нижний Новгород, Россия

39.       Термоэлектрическая установка для создания

микроклимата в пассажирском вагоне . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .185

Серебряный Г.Л.

ИЧП “Комфорт”, Москва, Россия.

40.       Термоэлектрический климатизатор для легкового автомобиля . . . . 188

 


Серебряный Г.Л.

ИЧП “Комфорт”, Москва, Россия.

41.       Практическое применение термоэлектрических модулей . . . . . . . . .190

Стругов А.М.

Миасский машиностроительный завод, Миасс, Россия

42.       Компрессионно-термоэлектрический криостат на уровень

температур до –600С . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192

Сулин А.Б.

НИИ промышленной и морской медицины, Санкт-Петербург,

Россия

43.       Термоэлектрическое устройство для краткосрочной

консервации роговичного трансплантанта . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195

Бреус И.Ю., Исмаилов Т.А., Гаджиева С.М.

Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, Россия

44.       Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для

локального воздействия на различные органы человека . . . . . . . . . .199

Аминов Г.И., Хамидов А.И., Гаджиев Х.М.

Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, Россия

45.       Использование интегральных полупроводниковых

термоэлектрических модулей для интенсификации

теплообмена подложек микросхем . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .201

Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Евдулов О.В.

Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, Россия

46.       Искусственно-анизотропные термоэлементы, состоящие

из полупроводниковых и сверхпроводящих слоев . . . . . . . . . . . . . . .203

Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И.

Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Санкт-Петербург, Россия

47.       Термоэлектрические охлаждающие устройства.

Интеллектуальная оболочка для базы данных . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208

Сулин А.Б., Котельников К.В.

НИИ промышленной и морской медицины, Санкт-Петербург,

Россия

48.       Cпектр применений термоэлектрических охлаждающих

устройств на основе сплавов теллурида висмута: данные

патентной документации СССР и России . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .212

Малкович Б.Е.-Ш.

Инженерно-производственная фирма “Криотерм”,

 


Санкт-Петербург, Россия

 

VIII Термогенераторы

 

49.       Термодинамический потенциал термоэлектричества .. . . . . . . . . . . .216

Иорданишвили Е.К.

Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Санкт-Петербург, Россия

50.       Проблемы создания модулей термоэлектрического

преобразователя для космических ядерных

энергетических установок . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .223

Марколия А.И., Судак Н.М., Сабо Е.П., Криворучко С.П.,

Чиликиди А.А., Швангирадзе Р.Р., Шамба В.Е.

Сухумский физико-технический институт АНА,. Сухум,

Абхазия

51.       Термоэлектрический модуль для преобразования

низкопотенциального тепла . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227

Казарян В.А., Криворучко С.П., Бабикян С.О., Гречко Н.И.,

Залдастанишвили М.И., Судак Н.М., Сабо Е.П.

Сухумский Физико-технический институт АНА, Сухум,

Абхазия

52.       Сегментированные ветви для интервала температур

300-750 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 231

Веденеев В.П., Залдастанишвили М.И., Криворучко С.П.,

Ковырзин А.В., Сабо Е.П., Судак Н.М., Чиликиди А.А.

Сухумский Физико-технический институт АНА, Сухум,

Абхазия

53.       Технология формирования коммутационных переходов

в термоэлектрических преобразователях из сплавов

кремния и германия . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .236

Барбакадзе К.Г, Векуа Т.С, Криворучко Н.М., Сабо Е.П.,

Суровцева А.К., Швангирадзе Р.Р.

Сухумский Физико-технический институт АНА, Сухум,

Абхазия

54.       Концентратор солнечной энергии для термоэлектрического

генератора . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .241

Вонг Ю. С. 1, Янг У. С. 1, Булат Л.П. 2

1Корейский институт энергетических исследований, Таежен,

Корея, 2Санкт-Петербургская государственная академия

холода, Санкт-Петербург, Россия

55.       Фототермоэлектрический преобразователь солнечного

 


излучения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 246

Юсуфов Ш.А., Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М.

Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, Россия

56.       Термоэлектрический интерференционный

датчик монохроматического инфракрасного излучения . . . . . . . . . . 250

Гаджиев Х.М., Зянкина О.Ю.

Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, Россия

57.       Керамика SiC-AIN - перспективный материал для

высокотемпературных термопреобразователей . . . . . . . . . . . . . . . . . 252

Магомедов М-Р.М., Гаджиев Г.Г., Исмаилов Ш.М.,

Омаров З.М.

Дагестанская медицинская академия. Институт физики

Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия

 

Аннотации на английском языке                                                           257

Содержание                                                                                              307

 

Contents                                                                                                     316

 

Авторский указатель                                                                               325

 

Author index                                                                                              328