Лаборатория физики термоэлементов
12.01.2004Фундаментальные аспекты

                                      Содержание

                                      Contents

 

     1. Фундаментальные аспекты термоэлектрического преобразования энергии

         и физики термоэлектриков.

 

         Fundamental aspects of thermoelectric energy conversions and physics of thermoelectrics.

 

                                                                                                                стр.

 

1.        Зайцев В.К., Федоров М.И., Гуриева Е.А., Еремин И.С.,

Константинов П.П., Самунин А.Ю., Ведерников М.В.

Термоэлектрические материалы на основе силицида

магния с ZT>1…………………………………………………………33

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

 

Zaitsev V.K., Fedorov M.I.,Gurieva E.A., Eremin I.S.

Konstantinov P.P., Samunin A.Yu., Vedernikov M.V.

Thermoelectric Materials Based on Silicide

of Magnesium with ZT>1

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, RAS,

St.-Petersburg, Russia

 

2.        Анатычук Л.И

Элементная база термоэлектричества……………………………….39

Институт термоэлектричества, Черновцы, Украина

 

Anatychuk L.I.

Element Basis of Thermoelectricity

Institute of Thermoelectricity, Chernovtsy, Ukraine

 

3.        Константинов П. П.1, Прокофьева Л.В.1, Пшенай-Северин Д. А.1,

Равич Ю.И.2, Компаниец В.В.3, Чистяков В.А.3

Кинетические коэффициенты Bi2Te3-xSex (x=0.3)

в двухзонной модели электронного спектра………………………..45

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

2Санкт-Петербургский государственный политехнический

 университет, 3 3OАО ИПФ “Криотерм”,

Санкт-Петербург, Россия

 

Konstantinov P.P.1, Prokofieva L.V.1, Pshenay-Severin D.A.,

Ravich Yu.I. 2, Kompaniets V.V.3, Chistyakov V.A.3

Kinetic Coefficients of Bi2Te3-xSex (x=0.3) in

the Two-Band Model of Electron Spectrum

1A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, RAS,

2St.Petersburg State Polytechnical University.

3 EPF "Kryotherm", St. Petersburg, Russia

 

4.        Иванова Л.Д., Гранаткина Ю.В., Петрова Л.И., Коржуев М.А.

Градиентные монокристаллы твердого раствора Bi0,5Sb1,5Te3..........51

Институт металлургии и материаловедения им. А.А.Байкова

РАН, Москва, Россия

 

Ivanova L.D.1, Granatkina Yu.V., Petrova L.I., Kopzhuev M.A.

Gradient Single Crystal of Bi0,5Sb1,5Te3 Solid Solution

A.A.Baikov Institute of Metallurgy and Materials Science,

RAS, Moscow

 

5.        Cвечникова Т.Е., Земсков В.С.

Градиентные монокристаллы твердых растворов

Bi2Te2.85Se0.15, полученные методом Чохральского…………………57

Институт металлургии и материаловедения им. А.А.Байкова

РАН, Москва, Россия

 

Svechnikova T.E., Zemskov V.S.

Gradient Single Crystal of Bi2Te2.85Se0.15 Solid Solution

Grown by the Czockralski Technique

A.A. Baikov Institute of Metallurgy and Materials Science,

RAS, Moscow, Russia

 

6.        Кутасов В.А., Лукьянова Л.Н.

Термоэлектрические свойства твердых растворов

n-Bi2Te3-x-ySexSy в интервале (300-450) К……………………………63

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

 

Kutasov V.A., Lukyanova L.N.

Thermoelectric Properties of n-Bi2Te3-x-ySexSy

Solid Solutions in the interval (300-450) К

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, RAS,

St.-Petersburg, Russia

 

7.        Лукьянова Л.Н., Кутасов В.А., Константинов П.П.

Термоэлектрики n- (Bi, Sb)2 (Te, Se, S)3, эффективные

для области температур 80К<Т<350К……………………………….68

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

 

Lukyanova L.N., Kutasov V.A., Konstantinov P.P.

Thermoelectrics n- (Bi, Sb)2 (Te, Se, S)3 Effective

for the Temperatures Ranges 80К<Т<350К

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, RAS,

St.-Petersburg, Russia

 

8.        Лукьянова Л.Н., Кутасов В.А., Попов В.В.

Параметры поверхности постоянной энергии

в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey………………………………74

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

 

Lukyanova L.N., Kutasov V.A., Popov V.V.

The Parameters of Constant-Energy Surface

in p-Bi2-xSbxTe3-ySey Solid Solutions

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, RAS,

St.-Petersburg, Russia

 

9.        Лукьянова Л.Н., Кутасов В.А., Константинов П.П.

Многокомпонентные твердые растворы p-типа

на основе халькогенидов Bi и Sb для температур <220 К………….80

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

 

Lukyanova L.N., Kutasov V.A., Konstantinov P.P.

Multicomponent Solid Solutions of p-Type Based on

Chalkogenides of Bi and Sb for Temperatures <220 K

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, RAS,

St.-Petersburg, Russia

 

10.     Константинов П. П.1, Прокофьева Л.В.1, Равич Ю.И.2,

Федоров М.И.1, Компаниец В.В.3, Чистяков В.А.3

Примесь Se в теллуридах висмута и свинца………………………86

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

2Санкт-Петербургский государственный политехнический

университет, 3ОАО“Криотерм”, Санкт-Петербург, Россия

 

Konstantinov P.P.1, Prokofieva L.V.1, Ravich Yu.I. 2,

Fedorov M.I., Kompaniets V.V.3, Chistyakov V.A.3

Selenium Impurity in Bismuth and Lead Tellurides

1Ioffe Physical-Technical Institute, RAS,

2St. Petersburg State Polytechnical University,

St. Petersburg, 3EPF "Kryotherm", St. Petersburg, Russia

 

11.     Ерофеев Р.С.

Влияние анизотропии электрофизических свойств

вещества на его термоэлектрическую эффективность……………92

ФГУП НПП «Квант», Москва, Россия

 

Erofeev R.S.

Influence of Anisotropy of Electrophysical Properties

on Thermoelectric Efficiency

FSUE SPE “Kvant”, Moscow, Russia

 

12.     Парфеньев Р.В.1, Шамшур Д.В.1, Шакура Д.В.1, Немов С.А.2

Низкотемпературные аномалии электрофизических свойств

сплавов PbSnTe:In с большим содержанием индия………………98

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

2Санкт-Петербургский государственный политехнический

университет, Санкт-Петербург, Россия

 

Parfeniev R.V.1, Schamshur D.V.1, Shakura D.V.1, Nemov S.A.2

Low – Temperature Anomalies of the Electrophysical

Properties of PbSnTe:In Alloys Heavily Doped with In

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, RAS,

2St.-Petersburg State Polytechnical University,

St.-Petersburg, Russia

 

13.     Л.Е.Шелимова1, Карпинский О.Г.1, Константинов П.П.2,

Авилов Е.С.1, Кретова М.А.1, Земсков В.С.1

Кристаллическая структура и термоэлектрические

свойства слоистых соединений в квазибинарной

системе PbTe-Bi2Te3…………………………………………………104

1Институт металлургии и материаловедения

им. А.А.Байкова РАН, Москва, 2Физико-технический институт

им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

 

Shelimova L.E.1, Karpinsky O.G.1, Konstantinov P.P.2,

Avilov E.S.1, Kretova M.A.1, Zemskov V.S.1

Crystal Structure and Thermoelectric Properties of Layered

Compounds in Quasi-Binary System PbTe-Bi2Te3

1A.A. Baikov Institute of Metallurgy and Material Science

of RAS, Moscow, 2 A.F. Ioffe Physical-Technical Institute,

RAS, St Petersburg, Russia

 

14.     Грабов В.М., Комаров В.А., Климантов М.М.

Экспериментальное наблюдение нового термоэлектро-

кинетического эффекта в электропроводящей среде……………..110

Российский государственный педагогический

университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

 

Grabov V.M., Komarov V.A., Klimantov M.M.

Experimental Observation of New Thermoelectric Effect

in Conducting Medium

Herzen Russian State Pedagogical University,

St Petersburg, Russia

 

15.     Грабов В.М.1, Куликов В.А.2, Парахин А.С.2,

Сангаджиева Г.А.1, Сидоров А.В.2

Явления переноса в кристаллах типа висмута

в произвольном магнитном поле…………………………………...114

1Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, 2Курганский

Государственный университет, Курган, Россия

 

1Grabov V.M., 2Kulikov V.A., 2Parahin A.S.,

1Sangadjieva G.A., 1Sidorov A.V.

Transport Phenomena in Bismuth Type Crystals

in Arbitrary Magnetic Field

1Herzen Russian State Pedagogical University, St.-Petersburg,

2Kurgan State University, Kurgan, Russia

 

16.     Степанов Н.П.1, Грабов В.М.2

Электрон-плазмонное взаимодействие и аномалии

в поведении физических свойств кристаллов

легированных полупроводников……………………………….......120

1Забайкальский государственный педагогический

университет, Чита, 2Российский государственный

педагогический университет им. А.ИГерцена,

Санкт-Петербург, Россия

 

Stepanov N.P.1, Grabov V.M.2

Electron-Plasmon Interaction and Anomalies in Physical

Properties Behaviour of Doped Semiconductor Crystals

1Transbaikalian State Pedagogical University, Chita, Russia

2Herzen Russian State Pedagogical University,

St.-Petersburg, Russia

 

17.     Куликов В.А.1, Парахин А.С.1, Сангаджиева Г.А.2,

Сидоров А.В.2

Исследование явлений переноса в кристаллах

висмута на основе закона дисперсии Мак-Клюра

и квадратичного закона дисперсии…………………………………125

1Курганский Государственный университет, Курган,

2Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

 

Kulikov V.A.1, Parakhin A.S.1, Cangajieva G.A.2, Sidorov A.V.2

Transport Phenomena Research in Bismuth Crystals on Basis

of Mac-Clure Dispersion Law and Parabolic Dispersion Law

2Herzen Russian State Pedagogical University, St Petersburg, Russia

 

18.     Редько Н.А., Каган В.Д., Родионов Н.А.

Теплопроводность висмута, легированного теллуром,

при низких температурах…………………………………………...131

Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

 

Redko N. A., Kagan V.D., Rodionov N.A.

Thermal Conductivity of Bismuth Doped with

Tellurium at Low Temperatures

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, RAS,

St.-Petersburg, Russia

 

19.     Кондаков О. В.1, Токарев В. В.1, Грабов. В. М.2, Иванов К. Г3.

Особенности формирования магнитооптического

отклика кристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма………......137

1Елецкий государственный университет им. И.А. Бунина,

Елец, 2Российский государственный педагогический

университет им. А.И. Герцена, 3Санкт-Петербургский

университет технологии и дизайна, Санкт-Петербург, Россия

 

Kondakov O. V.1, Tokarev V. V.1, Grabov V. M.2, Ivanov K. G.3

Features of Magneto-Optical Response Creation of Bismuth

Crystals and Bismuth – Antimony Alloys Crystals

1A.I. Bunin Yelets State University, Yelets, 2Herzen,

State Pedagogical University, St.-Petersburg University

of Technology and Design, St.-Petersburg, Russia

 

20.     Ордин С.В.1, Енгалычев А.Э.2, Фокин А.В.1

Несоразмерность и твердофазные переходы в высшем

силициде марганца: слабоупорядоченные кристаллы…………….143

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

2ЗАО «НеваЛаб», Санкт-Петербург, Россия

 

Ordin S.V.1, Engalychev A.E.2, Fokin A.V.1

Incommensurability and Solid-Phase Transformations

in the Highest Silicide of Manganese: Weakly Ordered Crystals

1A.F. Ioffe Physical-Technical Institute of RAS,

2Joint-Stock Company " NEVALAB, St.-Petersburg, Russia

 

21.     Ордин С.В.1, Енгалычев А.Э.1

Несоразмерность и твердофазные переходы

в высокоупорядоченном высшем силициде марганца:

высокоупорядоченные кристаллы………………………………….149

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

2ЗАО «НеваЛаб», Санкт-Петербург, Россия

 

Ordin S.V.1, Engalychev A.E.2

Incommensurability and Solid-Phase Transformations

in the Highest Silicide of Manganese: High-Ordered Crystals

1A.F. Ioffe Physical-Technical Institute of RAS,

2Joint-Stock Company " NEVALAB, St.-Petersburg, Russia

 

22.     Ордин С.В.1, Окамото Е.2, Фокин А.В.1

Размерные плазменные эффекты в пористом SiC с металлом……155

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия, 2Чиба Технологический институт,

Чиба, Япония

 

Ordin S.V.1, Okamoto E.2, Fokin A.V.1

Dimensional Plasma Effects in Porous SiC with Metal

1A.F. Ioffe Physical-Technical Institute of RAS,

St.-Petersburg, Russia, 2Chiba Institute of Technology,

Chiba, Japan.

 

23.     Ордин С.В., Соколов И.А.

Размерный эффект в решеточном поглощении SiC……………….161

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

 

Ordin S.V., Sokolov I.A.

Dimensional Effect in Lattice Absorption of SiC

1A.F. Ioffe Physical-Technical Institute of RAS,

St.-Petersburg, Russia

 

24.     Криворучко С.П., Максимов М.З., Марколия А.И.,

Сабо Е.П., Судак Н. М., Чиликиди А.А.

Аппроксимация температурной зависимости

термоэлектрических параметров материалов на основе

теллурида германия………………………………………………….167

Сухумский физико-технический институт АНА,

Сухум, Абхазия

 

Krivoruchko S.P., Maksimov M.Z., Markolia A.I., Sabo E.P.,

Sudak N.M., Chilikidi A.A.

Approximation of Temperature Dependence of Thermoelectric

Parameters of the Materials Based on Germanium Telluride

The Sukhum Physical-Technical Institute of АSА,

Sukhum, Abkhazia

 

25.     Криворучко С.П., Максимов М.З., Марколия А.И.,

Сабо Е.П., Судак Н.М., Швангирадзе Р.Р.

К вопросу математического описания процесса преципитации

легирующих примесей в высокотемпературных

термоэлектрических материалах из сплава кремний-германий….173

Сухумский физико-технический институт АНА,

Сухум, Абхазия

 

Krivoruchko S.P., Maksimov M.Z., Markolia A.I.,

Sabo E.P., Sudak N.M., Shvangeradze R.R.

To Question of the Mathematical Description of Precipitation

Process of Alloying Impurities in High-Temperature

Thermoelectric Materials from Silicon - Germanium Alloy

The Sukhum Physical-Technical Institute of АSА,

Sukhum, Abkhazia

 

26.     Парфеньев Р.В., Шамшур Д.В., Черняев А.В.,

Фокин А.В., Романов С.Г., Конончук М.C.

Особенности электрофизических свойств нанокомпозита

In-опал при модуляции геометрических характеристик

матрицы………………………………………………………………179

Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

 

Parfeniev R.V., Shamshur D.V., Chernyaev A.V.,

Fokin A.V., Romanov S.G., Kononchuk M.S.

The Features of the In – opal Nanocomposite Physical Properties

under Geometric Modulation of Matrix Characteristics

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute RAS,

St.-Petersburg, Russia

 

27.     Булат Л.П.

Микро- и нано- неоднородные структуры для

термоэлектрических/термоионных преобразователей энергии…..185

Санкт-Петербургский государственный университет

низкотемпературных и пищевых технологий,

Санкт-Петербург, Россия

 

Bulat L.P.

Micro- and Nano- Inhomogeneous Structures for Thermoelectric/Thermionic Energy Converters

St. Petersburg State University of Refrigeration

and Food Engineering, St.-Petersburg, Russia

 

28.     Иорданишвили Е.К.

Термоэлектричество XXI– некоторые концептуальные

вопросы………………………………………………………………191

Санкт-Петербургский государственный политехнический

университет, Санкт-Петербург, Россия

 

Iordanishvily E.K.

Thermoelectricity XXI-some conceptual questions

St. Petersburg State Polytechnical University,

St. Petersburg, Russia

 

29.     Лугуев С.М.1, Лугуева Н.В.1, Исмаилов Ш.М.1,

Соколов В.В.2

Концентрационные зависимости теплопроводности и

теплового расширения термоэлектрических материалов

cистемы Gd-S………………………………………………………...197

1Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, Россия, 2Институт неорганической химии

Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия

 

Luguev S.M.1, Lugueva N.V.1, Ismailov Sh.M.1, Sokolov V.V.2

Composition Dependences of Thermal Conductivity and Thermal

Expansion of Gd-S System Thermoelectric Materials

1Institute of Physics Dagestan Scientific Center, RAS,

Makhachkala, Russia, 2Institute of Inorganic Chemistry of

Siberian Department of RAS, Novosibirsk, Russia

 

 

2. Термоэлектрическое материаловедение

Material science of thermoelectrics

 

30.     Гасенкова И.В.1, Свечникова Т.Е.2

Особенности структуры кристаллов

Bi2Te3-XSeХ - 5 мол. % In2Te3………………………………………...202

1Институт электроники НАН Беларуси, Минск, Беларусь,

2Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова

РАН, Москва, Россия

 

Gasenkova I.V.1, Svechnikova T.E.2

Peculiarities of Bi2Te3-XSeХ - 5 mol. % In2Te3 Crystal Structure

1Institute of Electronics , Belarus NAS, Minsk, Republic

of Belarus, 2A.A. Baikov Institute of Metallurgy and Materials

Science, RAS, Moscow, Russia

 

31.     Житинская М.К.1, Компанеец В.В.2, Немов С.А.1,

Никулина М.Ю.1

Термоэлектрические свойства направленно-

кристаллизованных образцов n-Bi2Te3-xSex: Sn……………………208

1Санкт-Петербургский государственный политехнический

университет, Санкт-Петербург, 2OАО ИПФ Криотерм,

Санкт-Петербург, Россия

 

Zhitinskaya M.K. 1, Kompaniets V.V.2,

Nemov S.A.1, Nikulina M.Yu.1

Thermoelectric Properties of the Samples n-Bi2Te3-xSex:

Sn Prepared by the Direction Crystallization Method

1St.Petersburg State Polytechnical University,

2EPF "Kryotherm", St.Petersburg, Russia

 

32.     Житинская М.К.1, Свечникова Т.Е.2, Степанова О.В.1

Примесь меди в Bi2Te2,85Se0,15………………………………………213

1Санкт-Петербургский государственный политехнический

университет, Санкт-Петербург, 2Институт металлургии

и материаловедения им. А.А.Байкова РАН, Москва, Россия

 

Zhitinskaya M.K.1, Svechnikova T.E.2, Stepanova O.V.1

Cu - impurity in n – type Bi2Te2,85Se0,15

1St.Petersburg State Polytechnical University,

St.Petersburg, Russia

 

33.     Пишкин С.С.1, Дерун Е.М.1, Пишкин М.Г.1, Кахраманов С.Ш.2

О некоторых механизмах упрочнения слоистых

высокоэффективных кристаллов для термоэлементов……………219

1Технический Университет «Йылдыз», Стамбул, Турция,

2Институт Физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

 

Pishkin S.S, Derun E.M.¹, Pishkin M.G.¹, Kahramanov S.Sh.²

About Some Mechanisms of Hardening of Layered

Highly Effective Crystals for Thermelements

1Yildiz Technical University, Department of Chemical

Engineering- Istanbul Terkey, 2Institute of Physics

of NAS of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan.

 

34.     Соколов О.Б., Скипидаров С.Я., Дуванков Н.И.

Закономерности диффузионных процессов и пластической

деформации при горячей экструзии твердых растворов

халькогенидов сурьмы и висмута…………………………………..225

СКТБ ”НОРД”, Москва, Россия

 

Sokolov O.B., Skipidarov S.Ya., Duvankov N.I.

Laws of Diffusion Processes and Plastic Deformation

at Hot Extrusion of Solid Solutions of Antimony

and Bismuth Chalkogenides

SCTB “Nord” Company, Moscow, Russia

 

35.     Палажченко В.И., Левицкий Ю.Т., Мудровский Е.А.

Модулированные структуры в монокристаллах висмута………...231

Амурский комплексный НИИ АмурНЦ ДВО РАН,

Благовещенск, Россия

 

Palazhchenko V.I., Levitskii Yu.T., Mudrovskii E.A.

The Modulated Structures in Single Crystals of Bismuth

Amur Institute Integrated Research, Far East Branch of RAS,

Blagoveshensk, Russia

 

36.     Палажченко В.И.

Локализация сурьмы в твердых растворах на основе висмута…...237

Амурский комплексный НИИ АмурНЦ ДВО РАН,

Благовещенск, Россия

 

Palazhchenko V.I.

Localization of Antimony in Solid Solutions

on the Basis of Bismuth

Amur Institute Integrated Research, Far East Branch of RAS,

Blagoveshensk, Russia

 

37.     Астахов М.В.1, Бублик В.Т.1, Каратаев В.В.2, Малькова Н.В.3,

Освенский В.Б.2, Сагалова Т.Б.1, Табачкова Н.Ю.1

Влияние процесса никелирования на структуру и адгезионные

свойства поверхностных слоев термоэлектрического

материала на основе халькогенидов Bi и Sb……………………….243

1Московский институт стали и сплавов, 2ГНЦ «Гиредмет»,

3Институт химических проблем микроэлектроники,

Москва, Россия

 

Astakhov M.V.1, Bublik V.T.1, Karataev V.V.2, Malkova N.V.3,

Osvensky V.B.2, Sagalova T.B.1, Tabachkova N.Yu.1

Influence of Nickel Plating Process on Structure and

Adhesive Properties of Surface Layers of Thermoelectric

Material Based on Bi and Sb Chalkogenides

1Moscow State Institute of Steel and Alloys,

2State Scientific Center “Geridmet”,

3Institute of Chemical Problems

for Microelectronics, Moscow, Russia

 

38.     Агаев З.Ф., Тагиев М.М.

Термомагнитные эффекты в экструдированных образцах

твердого раствора Bi0.85Sb0.15………………………………………..249

Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

 

Agaev Z.F., Tagiyev M.M.

Thermomagnetic Effects in Samples of Bi0.85Sb0.15

Solid Solution

Institute of Physics of NAS of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

 

39.     Агаев З.Ф., Багиева Г.З., Аллахвердиев Э.А., Муртузов Г.М.,

Абдинов Д.Ш.

Реальная структура и термоэлектрические свойства

образцов твердых растворов Pb1-xMnxTe…………………………...253

Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

 

Agaev Z.F., Bagieva G.Z., Allahverdiyev E.A.,

Murtuzov G.M., Abdinov D.Sh.

Real Structure and Thermoelectric Properties of Samples

of Pb1-xMnxTe Solid Solutions

Institute of Physics of NAS of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

 

40.     Соломкин Ф.Ю., Картенко Н.Ф., Колосова А.С.

Структура и микроструктура CrSi2…………………………………257

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

 

Solomkin F.Yu., Kartenko N.F., Kolosova A.S.

Structure and Microstructure of CrSi2

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, RAS,

St.-Petersburg, Russia

 

41.     Соломкин Ф.Ю., Самунин А.Ю., Картенко Н.Ф., Колосова А.С.

Исследование структуры и микроструктуры

дисилицида железа…………………………………………………..260

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

 

Solomkin F.Yu., Samunin A.Yu., Kartenko N.F., Kolosova A.S.

Structure and Microstructure investigation of Iron Disilicide

A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, RAS,

St.-Petersburg, Russia

 

42.     Криворучко С.П., Сабо Е.П., Швангирадзе Р.Р.

Возможности повышения термоэлектрической эффективности

сплава кремний-германий…………………………………………..264

Сухумский физико-технический институт АНА,

Сухум, Абхазия

 

Krivoruchko S.P., Sabo E.P., Shvangeradze R.R.

Opportunity of Thermoelectric Efficiency Increasing

of Silicon - Germanium Alloy

The Sukhum Physical-Technical Institute of АSА,

Sukhum, Abkhazia

 

43.     Залдастанишвили М.И., Криворучко С.П., Сабо Е.П.,

Судак Н.М., Чиликиди А.А.

Влияние условий горячего прессования и термообработки

на свойства Ge0,97Bi0,03Те, легированного медью………………….270

Сухумский физико-технический институт АНА,

Сухум, Абхазия

 

Zaldastanishvily M.I., Krivoruchko S.P., Sabo E.P.,

Sudak N.M., Chilikidi A.A.

Influence of Conditions of Hot Pressing and Heat Treatment

on Properties of Ge0,97Bi0,03Те Doping by Copper

The Sukhum Physical-Technical Institute of АSА,

Sukhum, Abkhazia

 

44.     Хуцишвили Э.В., Бигвава Н.К., Кобулашвили Н.В.

Микротвердость сплавов кремний-германий,

легированных As и B………………………………………………...276

Институт металлургии и материаловедения, ГАН,

Тбилиси, Грузия

 

Khutsishvili E.V., Bigvava N.K., Kobulashvili N.V.

Microhardness of Arsenic and Boron Doped SiGe Alloys

Institute of Metallurgic and Materials Science, ASG,

Tbilisi, Georgia

 

3.Тонкопленочные термоэлектрики

Thin-film thermoelectrics

 

45.     Комаров В.А., Климантов М.М.

Подвижности носителей заряда в пленках висмута………………279

Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

 

Komarov V.A., Klimantov M.M.

Charge Carriers Mobilities in Bismuth Films

Herzen Russian State Pedagogical University,

St. Petersburg, Russia

 

46.     Гаврикова Т.А., Зыков В.А., Немов С.А.

Влияние примесей на дефектообразование в тонких пленках

селенида свинца……………………………………………………...285

Санкт-Петербургский государственный политехнический

университет, Санкт-Петербург, Россия

 

Gavrikova T.A., Zykov V.A., Nemov S.A.

Influence of Impurities on Defect Formation

in Lead Selenide Thin Films

St.Petersburg State Polytechnical University,

St.Petersburg, Russia

 

47.     Камилов Т.С.1, Кабилов Д.К.1, Самиев И.С.1,

Хуснутдинова Х.Х.1, Клечковская В.В.2,

Занавескина И.С.2, Дадамухамедов С.3

Исследование границы раздела пленки силицида

марганца с Si- подложкой…………………………………………...291

1Ташкентский Государственный Авиационный Институт,

Ташкент, Узбекистан, 2Институт кристаллографии РАН,

Россия, 3Физико-технический институт

НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан

 

Kamilov T.S.1, Kabilov D.K.1, Samiev I.S.1, Husnutdinova H.H.1,

Klechkovskaya V.V.2, Zanaveskina I.S.2, Dadamukhamedov S.3

Investigation of Interface of Higher Manganese Silicide

Films and Si-Substrate

1Tashkent State Aviation Institute, Tashkent, Uzbekistan,

2A.V. Shubnikova Kristallografi Institute, RAS, Moscow,

Russia, Physical-Technical Institute of JSC “Physics-Sun”,

ASU, Uzbekistan

 

48.     Камилов Т.С.1, Кабилов Д.К.1, Самиев И.С.1,

Хуснутдинова Х.Х.1, Клечковская В.В.2, Дадамухамедов С.3

О возможности создания пленочных термоэлектрических

батарей на основе высшего силицида марганца…………………..297

1Ташкентский Государственный Авиационный Институт,

Ташкент, Узбекистан, 2Институт кристаллографии РАН,

Россия, 3Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце»

АН РУз, Узбекистан

 

Kamilov T.S.1, Kabilov D.K.1, Samiev I.S.1, Husnutdinova H.H.1,

Klechkovskaya V.V.2, Dadamukhamedov S.3

About Feasibility Creatiing of Thermopile Based

on the Higher Manganese Silicide Films

1Tashkent State Aviation Institute, Tashkent, Uzbekistan,

2A.V. Shubnikova Kristallografi Institute, RAS, Moscow, Russia,

Physical-Technical Institute of JSC “Physics-Sun”, ASU, Uzbekistan

 

4. Методические разработки

 Methods of measurements

 

49.     Абрютин В.Н.1, Драбкин И.А.2, Марончук И.И.2,

Освенский В.Б.3

Измерение термоэлектрических свойств образцов

методом Хармана……………………………………………………303

1ООО «АДВ-инжиниринг», 2Институт химических проблем

микроэлектроники, 3ГНЦ «Гиредмет», Москва, Россия

 

Abrutin V. N.1, Drabkin I.A.2, Maronchuk I.I.2, Osvenski V.B.3

Measurement of Thermoelectric Properties of Samples

by Harman Technique

1ADV-Engineering” Co, Ltd, 2Institute of Chemical Problems

for Microelectronics, 3The State Scientific Center “Geridmet”,

Moscow, Russia,

 

50.     Коржуев М.А., Авилов Е.С., Кобелева Л.И.

Использование прибора MT4080D фирмы MOTECH

для экспрессных оценок термоэлектрических

параметров образцов………………………………………………...309

Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова

РАН, Москва

 

Korzhuev M.A., Avilov E.S., Kobeleva L.I.

Use of LCR Meter MT4080D “Motech” for

Express Determinations of Thermoelectric

Characteristecs of Samples

A.A. Baikov Institute of Metallurgy and Material

Sciences of RAS, Moscow, Russian

 

51.     Бочегов В. И.

Методика прямого измерения теплопроводности

термоэлектрических материалов…………………………………...315

Курганский Государственный университет, Курган, Россия

 

Bochegov V.I.

Techniques of Direct Measurement of Heat Conductivity

of Thermoelectric Material

Kurgan State University, Kurgan, Russia

 

52.     Гусейнов Г. Г.

Определение градиента температуры при измерении

теплопроводности веществ методом параллельных пластин…….318

Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, Россия

 

Guseinov G.G.

Definition of Gradient of Temperature at Measurement

of Heat Conductivity of Substances by Method

of Parallel Plates

Institute of Physics, Daghestan Scientific

Center RAS, St. Petersburg, Makhachkala, Russia.

 

53.     Гусейнов Г. Г.

Термоэлектрическое устройство для измерения

теплопроводности…………………………………………………324

Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, Россия

 

Guseinov G.G.

Thermoelectrical Apparatus to Measure Thermal Conductivity

Institute of Physics, Daghestan Scientific

Center RAS, St. Petersburg, Makhachkala, Russia.