Лаборатория физики термоэлементов
01.01.2000Физика и материаловедение термоэлектриков

                                                                 Содержание

 

                   Физика и материаловедение термоэлектриков

 

I.           Материалы на основе твердых растворов халькогенидов висмута и сурьмы

                                                                                                                                стр.

1.          Свойства и применение монокристаллов твердого

раствора Sb2Te3-Bi2Te3 для эффективного охлаждения

при температурах ниже 180К…………………………………………...6

 

Иванова Л.Д.1, Гранаткина Ю.В.1, Сидоренко Н.А.2

1Институт металлургии и материаловедения

им. А.А. Байкова РАН, Москва,

2 Институт проблем механики РАН, Москва, Россия

2           Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства

смешанослойных халькогенидов гомологического

ряда nGeTe×mBi2Te3……………………………………………………..12

Шелимова Л.Е.1, Константинов П.П.2, Карпинский О.Г.1,

Авилов Е.С1., Кретова М.А.1, Земсков В.С.1

1Институт металлургии и материаловедения

им. А.А. Байкова РАН, Москва, 2Физико-технический

институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

 

3.        Твердые растворы n-(Bi, Sb)2(Te, Se, S)3 для интервала

температур 250K<T<350K…………………………………………….18

Лукьянова Л.Н., Кутасов В.А., Константинов П.П.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

4.        Термоэлектрические свойства твердых растворов

Bi2Te2.85Se0.15 с различной концентрацией носителей тока…………..24

Свечникова Т.Е.1, Константинов П.П.2

1Институт металлургии и материаловедения

им. А.А. Байкова РАН, Москва, 2Физико-технический

институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

5.        Электрические свойства и рентгеновские фотоэлектронные

спектры монокристаллов Sb2Te3, легированных атомами Sn………..30

Гасенкова И.В.1, Житинская М.К.2, Немов С.А.2,

Иванова Л.Д.3, Тявловская Е.А.1

1Институт электроники НАН Беларуси, Минск, Беларусь.

2Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Россия, 3Институт металлургии

и материаловедения им. А.А. Байкова РАН,

Москва, Россия

6.        Электронномикроскопическое исследование

монокристаллов Sb2Te3: и Sb1.96Sn0.04Te3……………………………...36

Гасенкова И.В.1, Иванова Л.Д.2, Гранаткина Ю.В.2

1Институт электроники НАН Беларуси, Минск, Республика

Беларусь, 2Институт металлургии и материаловедения

им. А.А. Байкова РАН, Москва, Россия

7.        Термоэлектрические свойства монокристаллов Bi2Te3:Sn

и Bi2Te3-xSex:Sn………….……………………………………………….42

Житинская М.К.1, Немов С.А.1, Свечникова Т.Е.2, Мюллер Э.3

1Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Санкт-Петербург, 2Институт металлургии и

материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва, Россия,

3Аэрокосмический центр, Институт исследования

материалов, Кельн, ФРГ

8.        Изучение механизмов нарушения адгезии антидиффузионного

покрытия Ni-P на термоэлектрических материалах

Bi-Te-Se и Bi-Te-Sb……………………………………………………...48

Освенский В.Б.,1 Каратаев В.В.1, Малькова Н.В.1, Бублик В.Т.2,

Гостев Ю.В.2, Сагалова Т.Б.2, Табачкова Н.Ю.2  

1Институт химических проблем микроэлектроники, Москва,

2Московский государственный технологический

университет, Москва, Россия

9.        Пленки Bi2Te3 субмикронной толщины, приготовленные

с использованием лазерного испарения и

методом горячей стенки………………………………………………...54

Бойков Ю.А., Данилов В.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

10.     Термоэлектрические свойства экструдированных образцов

твердых растворов Bi0.5Sb1.5Te3 и Bi2Te2.7Se0.3

с различными размерами зерен…………………………………….…..60

Джафаров Э.Г., Алиева Т.Д., Абдинов Д.Ш.

Институт фотоэлектроники АН Азербайджана,

Баку, Азербайджан

11.     Влияние легирования атомами редкоземельных элементов

на термоэлектрические свойства экструдированных

образцов твердых растворов Bi0.5Sb1.5Te3 и Bi2Te2.7Se0.3……………...64

Бархалов Б.Ш., Алиев Р.Ю., Багиева Г.З., Мустафаев Н.Б.

Институт фотоэлектроники АН Азербайджана,

Баку, Азербайджан

 

II.         Твердые растворы висмут-сурьма

 

12.  Влияние легирования сплавов висмут-сурьма на

термоэлектрическую добротность ………………………………….…68

Редько Н.А.1, Родионов Н.А.2, Польшин В.И.2, Зотова О.В.2

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, 2Благовещенский государственный

университет, Благовещенск, Россия

13.     Особенности энергетического спектра сплавов Bi1-xSbx………………72

Косарев В.В., Редько Н.А.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

14.     Сплавной механизм рассеяния электронов

в твердых растворах Bi-Sb……………………………………………...77

Редько Н.А.1, Каган В.Д.1, Родионов Н.А.2

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия, 2Благовещенский государственный

университет, Благовещенск, Россия

15.     Влияние эффекта фононного увлечения электронов

на термоэдс и термоэлектрическую добротность

в полупроводниковых сплавах n-Bi-Sb………………………………..82

Редько Н.А.1, Родионов Н.А.2, Польшин В.И.2, Зотова О.В.2

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, 2Благовещенский государственный

университет, Благовещенск, Россия

16.     Определение параметров носителей заряда в кристаллах

Bi-Sb методом плазменного отражения……………………………….85

Грабов В.М.1, Мальцев А.С.1, Степанов Н.П.2

1Российский государственный педагогический

университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург,

2Забайкальский государственный педагогический

институт им. Н.Г. Чернышевского, Чита, Россия

17.     Термоэдс пленок висмута в магнитном поле……………………….…90

Комаров В.А.

Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

18.     Температурная зависимость энергетических параметров

зон кристаллов Bi и сплавов Bi1-xSbx (0 £ x £ 0.22)

в интервале температур 77-300 К………………………………………96

Грабов В.М., Лужковский А.В., Яковлева Т.А.

Российский государственный педагогический

университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

19.     Гальваномагнитные свойства сплавов Bi0.88Sb0.12,

содержащих примеси переходных или

редкоземельных элементов……………………………………………102

Панарин А.Ф.

Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

20.     Термомагнитные эффекты в кристаллах Bi - Sb,

легированных донорными примесями….…………………………….105

Куликов В.А.1, Парахин А.С.2

1Курганский государственный университет, Курган,

2Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

21.     Гальваномагнитные явления в кристаллах Bi - Sb,

легированных теллуром……………………………………………….111

Куликов В.А.1, Парахин А.С.2

1Курганский государственный университет, Курган,

2Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

22.     Определение времени релаксации в висмуте моделированием

формы линии магнитооптических осцилляций……………………...116

Кондаков О.В.1, Иванов К.Г.2, Собченко С.О.1

1Елецкий государственный педагогический институт,

Елец, 2Санкт-Петербургский университет

технологии и дизайна, Санкт-Петербург, Россия

23.     Особенности равновесной концентрации электронов

в экструдированных сплавах Bi-Sb…………………………………...121

Сидоренко Н.А.

Институт проблем механики РАН, Москва, Россия

24.     Электронномикроскопические и рентгенофазовые

исследования монокристаллов висмута,

легированного Te и Se…………………………………………………127

Палажченко В.И.1, Левицкий Ю.Т.1, Корниенко А.В.2

1Амурский комплексный научно-исследовательский

институт ДВО РАН, 2Благовещенский государственный

педагогический институт, Благовещенск, Россия

25.     Электронномикроскопические и рентгеноспектральные

исследования системы Bi100-x-Pbx (при x £ 0.4 ат%)…………………131

Палажченко В.И., Левицкий Ю.Т.

Амурский комплексный научно-исследовательский

институт ДВО РАН, Благовещенск, Россия

26.     Влияние размеров зерен и термообработки

на магнитотермоэлектрические свойства

экструдированных образцов твердого раствора Bi85Sb15……………137

Тагиев М.М.

Институт фотоэлектроники АН Азербайджана,

Баку, Азербайджан

 

III.       Твердые растворы на основе халькогенидов свинца и олова

 

27.     Оптимизация состава твердого раствора Pb1-xSnxTe<Te>

для р-ветви термогенератора………………………………………….142

Гуриева Е.А.1, Прокофьева Л.В.1, Равич Ю.И.2

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, 2Санкт-Петербургский

государственный технический университет,

Санкт-Петербург, Россия

28.     Модель двухэлектронных центров олова с отрицательной

корреляционной энергией в халькогенидах свинца…………………148

Немов С.А., Серегин П.П.

Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Санкт-Петербург, Россия

29.     Определение плотности локализованных состояний

в твердом растворе (Pb0.78Sn0.22)0.95In0.05Te методом

измерения прыжковой термоэдс……………………………………...153

Немов С.А.1, Равич Ю.И.1, Потапова Д.А.2, Ханин С.Д.2

1Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Санкт-Петербург, 2Российский

государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

30.     Локальная симметрия решеток Pb1-xSnxTe в области

бесщелевого состояния………………………………………………..158

Серегин Н.П.1, Серегин П.П.1, Тураев Э.Ю.2, Халиков Б.2

1Санкт-Петербургский государственный технический

университет, Санкт-Петербург, Россия, 2Термезский

государственный университет, Термез, Узбекистан

31.     Термоэлектрические свойства соединений

Pb1-xMnnTe(0 £ x £ 0.5)………………………………………………...163

Аллахвердиев Э.А., Муртузов Г.М., Агаев З.Ф.

Институт фотоэлектроники АН Азербайджана,

Баку, Азербайджан

 

IV.       Твердые растворы германий-кремний

 

32.     Кремний-германиевый термоэлектрический материал,

полученный механоактивационным синтезом………………………166

Гогишвили О.Ш., Залдастанишвили М.И., Криворучко С.П.,

Сабо Е.П., Швангирадзе Р.Р.

Сухумский физико-технический институт АНА,

Сухум, Абхазия

33.     Изменение электрофизических свойств сплава кремний-

германий в результате взаимодействия с дисилицидом титана…….172

Барбакадзе К. Г., Векуа Т.С., Криворучко С.П.,

Сабо Е.П., Швангирадзе Р.Р.

Сухумский физико-технический институт АНА,

Сухум, Абхазия

34.     Кремний, модифицированный дисилицидом

молибдена, как коммутационный материал для

высокотемпературных термоэлементов……………………………...178

Барбакадзе К. Г., Векуа Т.С., Криворучко С.П.,

Судак Н.М., Сабо Е.П., Швангирадзе Р.Р.

Сухумский физико-технический институт АНА,

Сухум, Абхазия

35.     Исследование термообработанных сплавов Si- Ge…………………..182

Хуцишвили Э.В., Бердзенишвили К.С., Габричидзе Л.Л.,

Давитая З.Ф., Кучашвили А.З.

Институт металлургии им. Ф.Н. Тавадзе ГАН,

Тбилиси, Грузия

36.     Омический контакт к сложнолегированным

твердым растворам на основе Si1-x -Gex……………………………....186

Кекуа М.Г.1, Дарсавелидзе Г.Ш.2, Циклаури Ц.Г.1,

Бердзенишвили К.С.1, Джишкариани Г.И.1,

Квиникадзе Л.З.1, Лаперашвили Т.А.2

1Институт металлургии им. Ф.Н. Тавадзе ГАН,

Тбилиси, 2Институт кибернетики, ГАН, Тбилиси, Грузия

V.         Материалы на основе силицидов переходных металлов

 

37.     Влияние параметров кристаллической структуры

на удельное сопротивление дисилицида железа………………….…188

Федоров М.И., Зайцев В.К., Еремин И.С.,

Картенко Н.Ф., Константинов П.П., Попов В.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

38.     Исследование физико-химического взаимодействия

в контакте высшего силицида марганца с хромом………………….192

Петрова Л.И.1, Дудкин Л.Д.1, Федоров М.И.2,

Соломкин Ф.Ю.2, Зайцев В.К.2, Еремин И.С.2

1Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова

РАН, Москва, Россия, 2Физико-технический институт

им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

39.     Особенности распределения электрического потенциала

на поверхности текстурированных образцов

сложнолегированного высшего силицида марганца………………...198

Соломкин Ф.Ю.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

40.     Несоразмерность в высшем силициде марганца…….……………….203

Ордин С.В., Щеглов М.П.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

41.       Несоразмерность и гистерезисные явления в в реальных

кристаллах высшего силицида марганца ……………………………209

Ордин С.В., Бурков А.Т., Константинов П.П., Щеглов М.П.

Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

 

VI.       Другие термоэлектрические материалы

 

42.     Генерация электродвижущей силы в процессе

фазового перехода в SmS……………………………………………...215

Каминский В.В., Казанин М.М.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Санкт-Петербург, Россия

43.     Влияние условий синтеза на термоэлектрические

свойства сульфидов РЗМ……………………………………………...220

Гаджиев Г.Г.1, Камилов И.К.1, Исмаилов Ш.М.1,

Соколов В.В.2, Абдуллаев Х.Х.1, Омаров З.М.1

1Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, 2Институт неорганической химии СО РАН,

Махачкала, Россия

44.       Способы повышения термоэлектрических

свойств сульфидов РЗЭ………………………………………………..226

Гаджиев Г.Г., Камилов И.К., Исмаилов Ш.М.

Абдуллаев Х.Х., Хамидов М.М., Омаров З.М.

Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, Россия

45.     Термоэлектрические свойства некоторых составов

расплавов системы Te-Se……………………………………………...230

Магомедов Я.Б., Гаджиев Г.Г., Исмаилов Ш.М.

Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, Россия

46.     Влияние особенностей дефектообразования вблизи

стехиометрии Gd2S3 на теплопроводность и

термоэлектрические свойства сульфидов гадолиния...……………...234

Лугуев С.М.1 Лугуева Н.В.1, Соколов В.В.2

1Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, 2Институт неорганической химии СО РАН,

Новосибирск, Россия

47.     Ангармоническая компонента  теплоемкости

в сульфидах лантана и гадолиния………………………………..…...237

Митаров М.Г.

Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

Махачкала, Россия

48.     Автоматизированная установка для измерения

коэффициента теплового расширения

термоэлектрических материалов……………………………………...241

Магомедов М.-Р.М.1, Камилов И.К.1, Исмаилов Ш.М.1,

Хамидов М.М.1, Расулов М.М.2, Омаров З.М.1

1Институт физики Дагестанского научного центра РАН,

2Дагестанская государственная медицинская академия,

Махачкала, Россия

49.     Возможности увеличения термоэлектрической

эффективности радиационным воздействием в InP-InAs…………...247

Кекелидзе Н.П., Квиникадзе З.В., Гогиашвили В.А.,

Вепхвадзе А.Н., Давитая З.Ф., Милованова Л.С.

Тбилисский государственный университет

им. Джавахишвили, Тбилиси, Грузия

50.     Низкотемпературные исследования термоэлектрических

характеристик в системе InP-InAs……………………………………252

Кекелидзе Н.П., Квиникадзе З.В., Гогиашвили В.А.,

Вепхвадзе А.Н., Давитая З.Ф., Гиунашвили Ш.З.

Тбилисский государственный университет

им. Джавахишвили, Тбилиси, Грузия

51.       Анализ температурных зависимостей

термоэлектрических характеристик

в монокристаллах арсенида галлия (n - и p - типа)…………………256

Кекелидзе Н.П., Квиникадзе З.В., Гогиашвили В.А.,

Вепхвадзе А.Н., Давитая З.Ф., Гиунашвили Ш.З.

Тбилисский государственный университет

им. Джавахишвили, Тбилиси, Грузия

52.     Термоэлектрические свойства пирита (FeS2)

и их использование для определения параметров

электронной системы оптическим методом…………………………261

Степанов Н.П., Лапушков В.М., Дробышевский И.В.

Забайкальский государственный педагогический

институт им. Н.Г. Чернышевского, Чита, Россия

 

Практическое применение термоэлектриков

 

VII.     Термоэлектрические охладители

 

53.     Инженерная методика расчета стационарных режимов

термоэлектрических систем охлаждения……………………………267

Баукин В.Е.1, Винокуров А.В.1,

Данилин А.А.2, Тахистов Ф.Ю.3

1ИПФ "Криотерм", Санкт-Петербург,

2Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет,

Санкт-Петербург, 3Фонд "ФРИТЭ",

Санкт-Петербург, Россия

54.     Оптимизация конструкции термоэлектрического

охладителя "воздух-воздух" путем использования

дополнительного контура охлаждения……………………………….273

Вялов А.П.1, Гершберг И.А.1, Тахистов Ф.Ю.2

1ИПФ "Криотерм", Санкт-Петербург,

2Фонд "ФРИТЭ", Санкт-Петербург, Россия.

55.     Квазистационарная модель переходного процесса

термоэлектрической системы охлаждения…………………………..279

Тахистов Ф.Ю.

Фонд "ФРИТЭ", Санкт-Петербург, Россия

56.     Современные требования к экологии помещений

и термоэлектрическое охлаждение…………………………………...283

Булат Л.П., Бузин Е.В., Кузьмина Т.Г.

Санкт-Петербургский государственный университет

низкотемпературных и пищевых технологий,

Санкт-Петербург, Россия

57.     Термоэлектрическое охлаждение как раздел

учебного курса в СпбГНиПТ при подготовке

студентов по холодильным специальностям………………………...289

Булат Л.П., Бузин Е.В., Кузьмина Т.Г., Осипов Э.В.

Санкт-Петербургский государственный университет

низкотемпературных и пищевых технологий,

Санкт-Петербург, Россия

58.     Основные энергетические соотношения для холодильной

ветви с учетом температурных зависимостей

термоэлектрических параметров……………………………………...292

Драбкин И.А.1, Дашевский З. М.2

1Институт химических проблем микроэлектроники,

Москва, Россия, 2Университет Бен-Гуриона,

Беер-Шева, Израиль

59.     Различие в работе охлаждающих ветвей p- и n -типа

для материалов на основе Bi2Te3……………………………………...298

Драбкин И.А.

Институт химических проблем микроэлектроники,

Москва, Россия.

60.     Математическое моделирование нестационарных режимов

работы термоэлектрических преобразователей энергии……………303

Васильева Т.В., Дударев Ю.И., Максимов М.З.,

Марколия А.И., Судак Н.М.

Сухумский физико-технический институт АНА,

Сухум, Абхазия

61.     Два способа расчета термоэлектрических охладителей……………..309

Парахин А.С.1 Налетов В.Л.2

1Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

2Курганский государственный университет, Курган, Россия

62.     Полупроводниковое термоэлектрическое

охлаждающее устройство……………………………………………..315

Исмаилов Т.А., Евдулов О.В.

Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, Россия

63.     Термоэлектрические полупроводниковые устройства

для управляемого теплового воздействия в медицине……………...319

Магомедов К.А.1, Алиев А.-Г. Д.2, Аминова И.Ю.1

1Дагестанский государственный технический университет,

Махачкала, 2Дагестанская медицинская академия,

Махачкала, Россия

64.     Термоэлектрические полупроводниковые

устройства для изменения температуры

протекающих жидкостей……………………………………………...323

Исмаилов Т.А., Аминов Г.И.

Дагестанский государственный технический

университет, Махачкала, Россия

65.     Термоэлектрическое полупроводниковое устройство

для охлаждения герметичных блоков

радиоэлектронной аппаратуры………………………………………..328

Исмаилов Т.А., Юсуфов Ш.А.

Дагестанский государственный технический

университет, Махачкала, Россия

66.     Измерение параметров ветвей термоэлементов

и их подбор в термопару………………………………………………334

Вердиев М.Г., Юсуфов Б.С.

Дагестанский государственный технический

университет, Махачкала, Россия

67.     Перспективные пути технической реализации

термоэлектрических приборов точки росы

и их оптимизация………………………………………………………337

Вердиев М.Г., Салманов Н.Р., Юсуфов Б.С.

Дагестанский государственный технический

университет, Махачкала, Россия

68.     Термоэлектрические охлаждающие приборы в медицине:

по материалам патентной документации СССР и России…………..343

Малкович Б. Е.-Ш.

Фонд "ФРИТЭ", Санкт-Петербург, Россия

69.     Влияние двойников на эдс анизотропного термоэлемента……….…349

Ланкин С.В.

Благовещенский государственный педагогический

университет, Благовещенск, Россия

70.     Расчет оптимальных характеристик

термоэлектрического холодильного агрегата………………………..352

Новиков А.И.

Государственный ракетный центр "КБ

им. акад. В.П. Макеева",

Миасс, Россия

71.     Применение автоматизированного оборудования

для производства высококачественных

термоэлектрических охлаждающих модулей………………………..358

Варцов В.И., Скрябин В.В. Холопкин А.И., Шаманина Е.В.

ЗАО "Электроника НН", Нижний Новгород, Россия

 

VIII.   Термогенераторы

 

72.     Состояние и перспективы использования

термоэлектрического преобразования

в ядерной энергетике…………………………………………………..364

Марколия А.И., Судак Н.М., Сабо Е.П., Гречко Н.М.,

Дударев Ю.И., Криворучко С.П., Максимов М.З.,

Чиликиди А.А., Шамба В.Е., Швангирадзе Р.Р. Элошвили Ю.Л.

Сухумский физико-технический институт АНА,

Сухуми, Абхазия

73.       Быстродействие анизотропного термоэлемента……………………..369

Грабов В.М., Дивин Н.П., Комаров В.А., Парахин А.С.

Российский государственный педагогический университет

им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

74.     Термоэлемент Самойловича и его применения……………………....375

Булат Л.П., Осипов Э.В.

Санкт-Петербургский государственный университет

низкотемпературных и пищевых технологий,

Санкт-Петербург, Россия

75.     Германиевый термофотоэлектрический преобразователь…………...380

Джамагидзе Ш.З., Сабо Е.П., Чатов В.А., Швангирадзе Р.Р.

Сухумский физико-технический институт АНА,

Сухум, Абхазия

76.     Термоэлектрический источник питания для системы

электроснабжения космического аппарата…………………………..386

Новиков А.И.

Государственный ракетный центр "КБ

им. акад. В.П. Макеева",

Миасс, Россия

77.       О возможности создания искусственно-анизотропного

термоэлемента посредством фоторезистивного эффекта…………...392

Фискинд Е.М.

Нижнетагильский государственный педагогический

институт, Нижний Тагил, Россия

78.     Функционально градиентные материалы

на основе AIVBVI для термоэлектрического

преобразования энергии…………………………….…………………396

Дашевский З. М.1, Драбкин И.А.2, Дариэль М.Р.1

1Университет Бен-Гуриона, Беер-Шева, Израиль,

2Институт химических проблем микроэлектроники,

Москва, Россия

 

Abstracts …...………..………………………………………………….401

 

Содержание…………………………………………………………….468

 

Contents of Abstracts…………………………………………………....481

 

Авторский указатель…………………………………………………..492

 

Author index of Abstracts……………………………………………….496