Одним из важных систематических эффектов, который учитывают при определении распространенности первичного гелия-4 (Y_p), является эффект переноса излучения в гелиевых линиях. Для более аккуратного учета этого эффекта мы построили обновленную столкновительно-рекомбинационную модель спектра He I с использованием актуальных на сегодняшний день атомных данных. Особое внимание в модели уделяется заселенности метастабильного уровня 2³S, который и является причиной возникновения ненулевой оптической толщи в нескольких ключевых линиях ⁴He.

В оптически толстом случае эффекты переноса изменяют излучательную способность важных диагностических линий, таких как, например, λ3889 и λ7065, что сказывается на измеряемых потоках в этих линиях. С помощью новой модели мы продемонстрировали, что самый используемый на сегодняшний день способ поправки на перенос излучения может приводить к значительным отклонениями в рассчитываемую излучательную способность линий (∼5-20%). Столь заметное расхождение является критичным в задаче об определении Y_p.

Для корректного учета эффекта переноса излучения в гелиевых линиях мы предложили новые аналитические формулы в диапазонах параметров, типичных для областей H II и планетарных туманностей (n ∼ 1 – 104 см^-3, T ∼ 8000 – 25000 К). Полученные формулы имеют точность лучше 0.1% и могут быть непосредственно использованы в современных определениях первичного содержания ⁴He. В докладе основное внимание будет уделено атомным данным, лежащим в основе модели, деталям ее реализации, и значимости для исследований распространенности гелия-4.

Страница создана 3 марта 2026 г.