Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17166
Цитируемость
суммарная 176547
на статью 10.3
Индекс Хирша 131
G-индекс 215
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18666
Цитируемость
суммарная 183366
на статью 9.8
Индекс Хирша 133
G-индекс 221
 

Научные школы

Государственная программа поддержки ведущих научных школ существует с 1996 года и в настоящее время реализуется на конкурсной основе через Совет по грантам Президента РФ для поддержки молодых российских ученых и ведущих научных школ.

Исходным документом, регламентирующим выполнение программы, является Положение о порядке ... осуществления государственной поддержки ведущих научных школ РФ, утвержденным постановлением Правительства РФ от 23 мая 1996 г. N 633.

Согласно этому Положению ...

«Соискателями на получение средств государственной поддержки ведущих научных школ могут выступать граждане Российской Федерации, внесшие значительный вклад в науку, активно ведущие научные исследования в научных организациях, на промышленных предприятиях или в образовательных учреждениях Российской Федерации, занимающиеся подготовкой научных кадров в Российской Федерации».

Статистика конкурсов в области знаний «Физика и астрономия» по данным «Совета по грантам ...» представлена в таблице.

ГодЧисло заявокЧисло победителей
всегоиз ФТИ
200326918317
20062948213
2008254103 10
201024084 5
201219084 5
201416184 4

Перечень научных школ, возглавляемых сотрудниками института, приводится ниже. Дополнительная информация выводится при активации выделенных элементов текста.

Год конкурса

Фамилия руководителя

 
Всего записей: 56, страниц: 10

     

Конкурс 2008 года. НШ-2951.2008.2.
Физика неравновесных процессов в полупроводниковых структурах, микро- и нанотехнологии преобразования энергии
Коллектив школы:
Руководитель: Забродский,АГ, лаб. неравновесных процессов в полупроводниках
Забродский Андрей Георгиевич, зав. лабораторией неравновесных процессов в полупроводниках, директор института, доктор физ.-мат. наук, академик РАН

     

Конкурс 2008 года. НШ-1455.2008.2.
Синтез новых диэлектрических материалов и структур и изучение их физических свойств с помощью оптических и спектроскопических методов
Коллектив школы:
Руководитель: Каплянский,АА, лаб. спектроскопии твердого тела
Каплянский Александр Александрович, научный советник лаб. спектроскопии твердого тела, доктор физ.-мат. наук, академик РАН, лауреат Ленинской премии(1966 г.); Государственной премии СССР (1975 г.); премии им. А.Ф.Иоффе РАН (2008 г.)

     

Конкурс 2008 года. НШ-4870.2008.2.
Технология и физические свойства полупроводниковых наноструктур
Коллектив школы:
Руководитель: Копьев,ПС, лаб. квантоворазмерных гетероструктур
Копьев Петр Сергеевич, главный научный сотрудник лаб. квантоворазмерных гетероструктур, руководитель центра, доктор физ.-мат. наук, член-корреспондент РАН, лауреат Государственной премии РФ (2001 г.)

     

Конкурс 2008 года. НШ-2628.2008.2.
Экспериментальное и теоретическое исследование физических свойств сегнетоэлектриков и родственных материалов и выработка рекомендаций по их практическому применению
Коллектив школы: 32 человека, в том числе 8 докторов и 16 кандидатов наук. 10 человек младше 35 лет.
Руководитель: Леманов,ВВ, лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма
Леманов Владислав Всеволодович, научный советник лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма, доктор физ.-мат. наук, профессор

     

Конкурс 2008 года. НШ-2184.2008.2.
Низкотемпературные кинетические и магнитные явления в металлических и полупроводниковых наноструктурированных материалах
Коллектив школы:
Руководитель: Парфеньев,РВ, лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах
Парфеньев Роберт Васильевич, зав. лабораторией кинетических явлений в твердых телах при низких температурах, руководитель отделения, доктор физ.-мат. наук, профессор

     

Конкурс 2008 года. НШ-3415.2008.2.
Теория твердотельных наноструктур, оптоэлектронных устройств на их основе и элементарных атомных процессов при их формировании
Коллектив школы:
Руководитель: Сурис,РА, сектор теоретических основ микроэлектроники
Сурис Роберт Арнольдович, И.О.ГНС-ЗАВ.СЕКТОРОМ сектор теоретических основ микроэлектроники, доктор физ.-мат. наук, академик РАН, лауреат Государственной премии РФ (2001 г.); премии им. А. фон Гумбольта (Германия) (2002 г.); премии им. А.Ф.Иоффе РАН (2003 и 2005 г.)
firstprev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10nextlast
© 2005-17 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика