Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17403
Цитируемость
суммарная 180247
на статью 10.4
Индекс Хирша 132
G-индекс 217
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 19024
Цитируемость
суммарная 188013
на статью 9.9
Индекс Хирша 134
G-индекс 224
 

Защиты диссертаций

О советах Предстоящие защиты Состоявшиеся защиты Сводка

Состоявшиеся защиты диссертаций

Диссертант
Руководитель
 
Месяц

Год

Всего записей: 466
Четверг, 26 декабря 2013
    
Маглеванный,ИИ, Волгоградский государственный социально-педагогический университет
 
Критические и нелинейные явления самоорганизации в низкоразмерных структурах
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физическая электроника (01.04.04), совет: Д 002.205.03
Место выполнения работы: Волгоградский государственный социально-педагогический университет
Рассмотрение ВАК не завершено
Четверг, 19 декабря 2013
    
Гордеева,АБ, ФТИ
 Лаб. Берковица,ВЛ
Оптическая анизотропия поверхностей (001) GaAs и InAs
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Берковиц,ВЛ
Утверждена ВАК: 21 июля 2014, протокол: 463/нк
Четверг, 19 декабря 2013
    
Романов,ВВ, ФТИ
 Лаб. Яковлева,ЮП
Создание и исследование наногетероструктур в узкозонных системах на основе арсенида индия
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Моисеев,КД
Утверждена ВАК: 21 июля 2014, протокол: 463/нк
Четверг, 19 декабря 2013
    
Борисов,СА, ФТИ
 Лаб. Вахрушева,СБ
Структурные и динамические свойства разупорядоченных и сильно дефектных кристаллов
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физическая электроника (01.04.04), совет: Д 212.229.01
Место выполнения работы: СПбГПУ
Руководитель(и): Вахрушев,СБ
Утверждена ВАК: 21 апреля 2014, протокол: 208/нк
Четверг, 05 декабря 2013
    
Филиппов,ВВ, Липецкий государственный педагогический университет
 
Явления электронного переноса в анизотропных и низкоразмерных полупроводниковых структурах
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: Липецкий государственный педагогический университет
Консультант: Бормонтов,ЕН
Утверждена ВАК: 11 марта 2014, протокол: 97/нк
Четверг, 21 ноября 2013
    
Яковлев,СА, ФТИ
 Лаб. Голубева,ВГ
Фотонно-кристаллические гибридные структуры опал/Ge2Sb2Te5: получение, структурные и оптические свойства
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Певцов,АБ
Утверждена ВАК: 21 апреля 2014, протокол: 208/нк
Четверг, 21 ноября 2013
    
Ли,ГВ, ФТИ
 Лаб. Грехова,ИВ
Технология и оптические свойства фотонно-кристаллических структур на основе макропористого кремния
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Астрова,ЕВ
Утверждена ВАК: 30 июня 2014, протокол: 380/нк
Четверг, 17 октября 2013
    
Кузнецова,ЯВ, ФТИ
 Лаб. Заморянской,МВ
Особенности катодолюминесценции полупроводниковых структур на основе alInGaN
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10 ), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Заморянская,МВ
Утверждена ВАК: 10 февраля 2014, протокол: 52/нк
firstback10prev 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 nextfrwd10last
© 2005-17 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика