Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17179
Цитируемость
суммарная 176741
на статью 10.3
Индекс Хирша 131
G-индекс 215
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18680
Цитируемость
суммарная 183678
на статью 9.8
Индекс Хирша 133
G-индекс 222
 

Защиты диссертаций

О советах Предстоящие защиты Состоявшиеся защиты Сводка

Состоявшиеся защиты диссертаций

Диссертант
Руководитель
 
Месяц

Год

Всего записей: 461
Четверг, 15 декабря 2011
    
Надточий,АМ, ФТИ
 Лаб. Устинова,ВМ
Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Максимов,МВ
Утверждена ВАК: 23 июля 2012, протокол: 459нк
Четверг, 24 ноября 2011
    
Шабунина,ЕИ, ФТИ
 Лаб. Иванова,СВ
Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Шмидт,НМ
Утверждена ВАК: 23 июля 2012, протокол: 463нк
Четверг, 24 ноября 2011
    
Бакшаев,ИО, ФТИ
 Лаб. Портного,ЕЛ
Интегрально-оптическая абсорбционная спектроскопия полупроводниковых наногетероструктур
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Портной,ЕЛ
Утверждена ВАК: 28 апреля 2012, протокол: 148/нк
Четверг, 20 октября 2011
    
Кашерининов,ПГ, ФТИ
 Лаб. Белькова,ВВ
Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с тунельно-тонким диэлектриком (TI)
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Утверждена ВАК: 31 августа 2012, протокол: 679н/к
Четверг, 20 октября 2011
    
Емельянов,ВМ, ФТИ
 Лаб. Луке Лопеса,АИ
Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных А3В5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Лантратов,ВМ
Утверждена ВАК: 23 июля 2012, протокол: 463нк
Среда, 05 октября 2011
    
Тимошнев,СН, ФТИ
 Лаб. Берковица,ВЛ
Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: ДМ 002.269.01
Место выполнения работы: СПб Академический университет - НОЦ нанотехнологий
Руководитель(и): Бенеманская,ГВ
Четверг, 23 июня 2011
    
Лебедев,ДВ, ФТИ
 Лаб. Кусраева,ЮГ
Молекулярная подвижность в приповерхностных нанослоях полимеров
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: Д 002.205.01
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Мясникова,ЛП
Утверждена ВАК: 27 декабря 2011, протокол: 35/нк
Четверг, 16 июня 2011
    
Гагис,ГС, ФТИ
 Лаб. Портного,ЕЛ
Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Кучинский,ВИ
Утверждена ВАК: 27 декабря 2011, протокол: 35к
firstback10prev 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 nextfrwd10last
© 2005-17 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика