Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18589
Цитируемость
суммарная 199927
на статью 10.8
Индекс Хирша 138
G-индекс 228
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 20325
Цитируемость
суммарная 216120
на статью 10.6
Индекс Хирша 146
G-индекс 240
 

Защиты диссертаций

О советах Предстоящие защиты Состоявшиеся защиты Сводка

Состоявшиеся защиты диссертаций

Диссертант
Руководитель
 
Месяц

Год

Всего записей: 485
Понедельник, 05 июня 2006
    
Сизов,ДС, ФТИ
 Лаб. Устинова,ВМ
Светоизлучающие структуры на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 10 ноября 2006, протокол: 43к/80
Четверг, 01 июня 2006
    
Кузнецов,ВИ, ФТИ
 Лаб. Кузнецова,ВИ
Теория нелинейных колебаний и переходных процессов в плазменных диодах
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика плазмы (01.04.08), совет: Д 002.205.03
Утверждена ВАК: 08 декабря 2006, протокол: 48д/39
Четверг, 01 июня 2006
    
Гусаков,МЕ, ФТИ
 Лаб. Яковлева,ДГ
Остывание и пульсация сверхтекучих нейтронных звезд
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности астрофизика и радиоастрономия (01.03.02), совет: Д 002.205.03
Руководитель(и): Яковлев,ДГ
Утверждена ВАК: 13 октября 2006, протокол: 38к/41
Понедельник, 29 мая 2006
    
Блохин,СА, ФТИ
 Лаб. Устинова,ВМ
Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 13 октября 2006, протокол: 38к/117
Понедельник, 29 мая 2006
    
Нестоклон,МО, ФТИ
 Лаб. Голуба,ЛЕ
Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 13 октября 2006, протокол: 38к/112
Понедельник, 08 мая 2006
    
Захарьин,АО, ФТИ
 Лаб. Белькова,ВВ
Образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами редкоземельных элементов
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 212.238.04
Руководитель(и): Александров,ОВ
Пятница, 05 мая 2006
    
Никитина,ЕВ, ФТИ
 Лаб. Устинова,ВМ
Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волн 1.3 мкм
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и):
Утверждена ВАК: 10 ноября 2006, протокол: 43к/88
Понедельник, 17 апреля 2006
    
Школьник,АС, ФТИ
 Лаб. Тарасова,ИС
Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и):
firstback10prev 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 nextfrwd10last
© 2005-18 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика