Новые кремниевые приборы силовой импульсной электроники
Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Белякова,ЕИ; Юсупова,ША
лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
Предложены, разработаны, исследованы и запатентованы два новых кремниевых прибора силовой полупроводниковой импульсной электроники:
- Наносекундный диодный размыкатель тока позволяет за 1,5-2 нс размыкать ток с плотностью 5-10 кА/см2.
Предназначен для создания сверхмощных генераторов наносекундных импульсов.
- Диодный ударно-ионизационный обостритель импульсов тока, формирующий мощный высоковольтный импульс, который нарастает за время <100 пс и имеет высокую стабильность повторения импульсов.
Предназначен для создания излучателей мощных направленных электромагнитных импульсов.
Иллюстрации
а) исследуемая конструкция диодной p+N0n+ – структуры: 1 –
блокирующий p+N0 – переход, 2 – замыкающая металлизация,
3 – p+- слой, 4 – n+ - слой; b) форма распределения напряженности поля по поверхности N0 кольца;
с – форма распределения напряженности поля на p+N0 – переходе
|
Публикации
- Решение о выдаче патента на полезную модель по заявке 2016101357/08 (001875) от 18.01.2016 г.
«Полупроводниковый субнаносекундный обостритель импульсов», авторы И.В. Грехов, А.Г. Люблинский.
- И.В. Грехов, А.Г. Люблинский, И.А Смирнова
Исследование процесса наносекундного обрыва тока с высокой плотностью в SOS-диодах, ЖТФ, 2015 г., т.85, вып.11, стр.104-108.
- И.В. Грехов, А.Г. Люблинский, Е.И. Белякова
Мощный диодный наносекундный размыкатель на основе p-кремния (p-SOS), ЖТФ, т.86, вып.3, стр.108-109.
- Патент на полезную модель 160232
?Высоковольтный полупроводниковый диод с резким обрывом обратного тока?, авторы: И.В. Грехов, Л.С. Костина, А.Г. Люблинский, приоритет от 19.05.2015 г.
