|
Основные достижения 2020 годаПеречень
Светоизлучающие полевые транзисторы на основе нанокристаллов перовскитов в матрице полупроводниковых полимеров
; ; ; ;
лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН)
лаб. физики прочности (Кадомцева,АГ)
лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
Впервые получены светоизлучающие полевые транзисторы (СИ-ПТ) на основе композитных пленок нанокристаллов (НК) неорганических перовскитов (CsPbI3, CsPbBr3) внедренных в матрицу полупроводниковых полимеров и исследованы их оптические и электрические свойства. ПТ на основе пленок MEH-PPV:CsPbBr3(НК) демонстрируют вольт-амперные характеристики (ВАХ) характерные для дырочного транспорта, с малым гистерезисом ВАХ при Т < 200 K. Подвижности дырок при 300 K в ПТ на основе MEH-PPV:CsPbBr3(НК) составили ~ 9 сm2/Vs в режиме насыщения. Температурная зависимость подвижности свидетельствует о прыжковом механизме транспорта. Зависимости интегральной интенсивности фото- и электролюминесценции композитных пленок MEH-PPV:CsPbBr3(НК) и СИ-ПТ на их основе от мощности оптического и электрического возбуждения являются сублинейными и суперлинейными соответственно. Рассмотрены механизмы транспорта, излучательной рекомбинации и переноса энергии в таких структурах. Полученные структуры на основе НК перовскитов в матрице полупроводниковых полимеров совмещают в себе переключающие свойства ПТ с высокой подвижностью носителей и светоизлучающие свойства светодиодов. Такие композитные материалы и СИ-ПТ на их основе совместимы с технологией гибкой печатной органической электроники.
Иллюстрации
Публикации
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
