|
Основные достижения 2020 годаПеречень
Нестационарная фото-ЭДС на динамических решетках в широкозонных полупроводнике Ga2O3
; ; ;
лаб. физики анизотропных материалов (Кумзерова,ЮА)
лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
В изолирующем моноклинном кристалле оксиде галлия, выращенным в атмосфере кислорода, изучен эффект нестационарной фото-эдс на длине волны 457 нм. Кристалл является прозрачным для видимого света, тем не менее, формирование динамических решеток объемного заряда и регистрация сигнала нестационарной фото-эдс осуществляется без приложения внешних электрических полей к образцу. Фоточувствительный материал демонстрирует анизотропию вдоль направлений [100] и [010], а именно, наблюдается небольшое различие транспортных параметров и ярко выраженная поляризационная зависимость сигнала нестационарной фото-эдс. Для выбранной длины волны лазерного излучения определены фотопроводимость кристалла, чувствительность и длина диффузии электронов, проведено сравнение с аналогичными параметрами других широкозонных полупроводников
|
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
