Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 23023
Цитируемость
суммарная 291193
на статью 12.6
Индекс Хирша 163
G-индекс 273
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 25244
Цитируемость
суммарная 310152
на статью 12.3
Индекс Хирша 172
G-индекс 286
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Основные достижения 2020 года

Перечень 

Нестационарная фото-ЭДС на динамических решетках в широкозонных полупроводнике Ga2O3

Брюшинин,МА; Куликов,ВВ; Петров,АА; Соколов,ИА
лаб. физики анизотропных материалов (Кумзерова,ЮА)
лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)

В изолирующем моноклинном кристалле оксиде галлия, выращенным в атмосфере кислорода, изучен эффект нестационарной фото-эдс на длине волны 457 нм. Кристалл является прозрачным для видимого света, тем не менее, формирование динамических решеток объемного заряда и регистрация сигнала нестационарной фото-эдс осуществляется без приложения внешних электрических полей к образцу. Фоточувствительный материал демонстрирует анизотропию вдоль направлений [100] и [010], а именно, наблюдается небольшое различие транспортных параметров и ярко выраженная поляризационная зависимость сигнала нестационарной фото-эдс. Для выбранной длины волны лазерного излучения определены фотопроводимость кристалла, чувствительность и длина диффузии электронов, проведено сравнение с аналогичными параметрами других широкозонных полупроводников

Иллюстрации

Публикации

  1. M.A. Bryushinin, V.V. Kulikov, A.A. Petrov, I.A. Sokolov, R.V. Romashko, and Y.N. Kulchin, Non-steady-state photo-EMF in β-Ga2O3 crystal at λ=457 nm, Opt. Express
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе