|
Основные достижения 2020 годаНеупругое рассеяние света с переворотом спина одного и двух резидентных электронов в полупроводниковых коллоидных нанопластинках CdSeлаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)
лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле (Тарасенко,СА)
Коллоидные нанопластинки (НП) CdSe толщиной 3, 4 и 5 монослоев были изучены методом неупругого рассеяния света с переворотом спина (РСПС). При приложении магнитного поля в спектрах РСПС наблюдается линия, сдвинутая на зеемановскую энергию электрона. Она обусловлена взаимодействием экситонов с резидентными электронами в фотозаряженных НП. Более того, в спектре наблюдается линия, сдвинутая на удвоенную величину зеемановского расщепления электрона. Такое двукратное РСПС впервые наблюдается в наноструктурах. Механизм, ответственный за двойную реплику, включает два резидентных электрона, спины которых переворачиваются при взаимодействии с фотовозбужденным экситоном. В работе построена теория одно- и двукратного рассеяния, предсказывающая зависимости эффективности рассеяния от поляризации света и геометрии эксперимента, что, в частности, позволяет сделать выводы о расположении НП на подложке. Установлена зависимость g-фактора электрона от толщины НП, а также его анизотропия. Метод РСПС позволяет исследовать спиновую структуру уровней, измерять g-факторы носителей заряда и их анизотропию, изучать спин-зависимые явления и эффекты фотозарядки в коллоидных наноструктурах.
ИллюстрацииПубликации
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|