Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17179
Цитируемость
суммарная 176741
на статью 10.3
Индекс Хирша 131
G-индекс 215
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18680
Цитируемость
суммарная 183678
на статью 9.8
Индекс Хирша 133
G-индекс 222
 

Основные достижения 2012 года

Перечень 

Однородные спин–волновые возбуждения естественных 1D сверхрешеток с топологическим порядком при низких температурах, формирующихся в мультиферроиках

Головенчиц,ЕИ; Санина,ВА; Залесский,ВГ; Ханнанов,БХ
лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ)

Обнаружен набор линий однородных спин–волновых возбуждений (ферромагнитных резонансов), который оказался универсальным для целого ряда объектов: легированных Ce и Bi мультиферроиков Eu(Ce)Mn2O5 и Tb(B)iMnO3, нелегированных мультиферроиков RMn2O5 (R = Eu, Tb, Er, Bi), а также антиферромагнитного купрата Eu2CuO4. Ферромагнитные резонансы соответствуют отдельным слоям естественных 1D сверхрешетoк, формируемых за счет процессов фазового расслоения и самоорганизации носителей заряда. Характеристики резонансов позволили судить о свойствах слоев сверхрешеток, существующих при температурах T < 30– 40 K. В частности были обнаружены скачки электрической поляризации и спина на границах сверхрешеток, являющихся переходными слоями между объемными доменами. Подобие наблюдаемой картины в широком классе изученных кристаллов указывает на то, что в сверхрешетках возникает топологический порядок, аналогичный широко изучаемому топологическому изолятору.

Иллюстрации

Подобные наборы линий ферромагнитного резонанса, являющиеся откликами отдельных слоев естественных сверхрешеток, формирующихся за счет процессов самоорганизации в мультиферроиках Eu0.8Ce0.2Mn2O5, EuMn2O5 и антиферромагнетике Eu2CuO4. T = 5 K. Слои сверхрешеток ферромагнитны, содержат носители заряда и занимают малый объем основного диэлектрического кристалла. Локализованная проводимость, существующая в слоях сверхрешеток при температурах T < 40 K. Максимум при T = 40 K соответствует температуре, при которой туннельная и прыжковая проводимости сравниваются и сверхрешетка изменяет свою структуру. Свидетельствует о наличии носителей заряда в слоях сверхрешеток
Электрическая поляризация, обусловленная зарядовым расслоением в слоях сверхрешеток. Подтверждает наличие такого расслоения при температурах существования сверхрешеток
© 2005-17 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика