Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17166
Цитируемость
суммарная 176547
на статью 10.3
Индекс Хирша 131
G-индекс 215
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18666
Цитируемость
суммарная 183366
на статью 9.8
Индекс Хирша 133
G-индекс 221
 

Основные достижения 2013 года

Перечень 

Разработка технологии изготовления светодиодов для кремниевой оптоэлектроники

Соболев,НА; Гусев,ОБ; Емцев,ВВ; Забродский,ВВ; Кютт,РН; Шек,ЕИ
лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
лаб. оптики полупроводников (Кусраева,ЮГ)
лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Забродского,АГ)
лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Кютта,РН)

На основе проведенных исследований люминесценции с длиной волны ~1.5 мкм ионов Er3+ и дислокаций в кремнии разработаны технологии изготовления светодиодов для кремниевой оптоэлектроники с параметрами, соответствующими мировому уровню. Эти технологии совместимы с современной технологией больших интегральных схем на кремнии, что позволяет начать работы по созданию кремниевой интегральной оптоэлектроники. Также обнаружены и идентифицированы несколько новых структурных дефектов и люминесцентных центров.

© 2005-17 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика