|
Основные достижения 2013 годаПеречень
Высокотемпературная суперлинейная люминесценция в светодиодных гетероструктурах II типа на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами в зоне проводимости
; ; ; ;
лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Андреева,ИА)
Впервые в гетероструктурах на основе GaSb с высоким потенциальным барьером в зоне проводимости и узкозонной активной областью InGaAsSb обнаружено преобразование ударной ионизации в излучательную рекомбинацию, что приводит к сверхлинейной зависимости мощности оптического излучения от тока накачки при комнатной температуре и ее возрастанию на порядок с ростом температуры в интервале от 20 до 200 °С. Этот эффект обусловлен вкладом в излучательную рекомбинацию добавочных электронно-дырочных пар, созданных за счет ударной ионизации горячими электронами, разогретыми на скачке потенциала на гетерогранице и уменьшением ширины запрещенной зоны узкозонной области и пороговой энергии ионизации с температурой. Обнаруженный эффект может быть использован для повышения квантовой эффективности и оптической мощности и других полупроводниковых структур, а также для расширения интервала рабочих температур светоизлучающих диодов среднего ИК-диапазона. |
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
© 2005–19 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Рис.1. Спектр электролюминесценции гетероструктуры n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb при комнатной температуре
Рис.2. Температурная зависимость мощности излучения длинноволновой E1 и коротковолновой E2 компонент спектра электролюминесценции
