Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17179
Цитируемость
суммарная 176741
на статью 10.3
Индекс Хирша 131
G-индекс 215
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18680
Цитируемость
суммарная 183678
на статью 9.8
Индекс Хирша 133
G-индекс 222
 

Основные достижения 2013 года

Перечень 

Высокотемпературная суперлинейная люминесценция в светодиодных гетероструктурах II типа на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами в зоне проводимости

Петухов,АА; Калинина,КВ; Михайлова,МП; Стоянов,НД; Яковлев,ЮП
лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Андреева,ИА)

Впервые в гетероструктурах на основе GaSb с высоким потенциальным барьером в зоне проводимости и узкозонной активной областью InGaAsSb обнаружено преобразование ударной ионизации в излучательную рекомбинацию, что приводит к сверхлинейной зависимости мощности оптического излучения от тока накачки при комнатной температуре и ее возрастанию на порядок с ростом температуры в интервале от 20 до 200 °С. Этот эффект обусловлен вкладом в излучательную рекомбинацию добавочных электронно-дырочных пар, созданных за счет ударной ионизации горячими электронами, разогретыми на скачке потенциала на гетерогранице и уменьшением ширины запрещенной зоны узкозонной области и пороговой энергии ионизации с температурой. Обнаруженный эффект может быть использован для повышения квантовой эффективности и оптической мощности и других полупроводниковых структур, а также для расширения интервала рабочих температур светоизлучающих диодов среднего ИК-диапазона.

Иллюстрации

Рис.1. Спектр электролюминесценции гетероструктуры n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb при комнатной температуре Рис.2. Температурная зависимость мощности излучения длинноволновой E1 и коротковолновой E2 компонент спектра электролюминесценции
© 2005-17 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика