|
Основные достижения 2013 годаПеречень
Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN
; ; ; ; ;
лаб. физики аморфных полупроводников (Голубева,ВГ)
лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Впервые предложены, реализованы и исследованы оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN с барьерами GaN. Впервые удалось наблюдать формирование суперизлучательной экситон-поляритонной моды при комнатной температуре. Для увеличения резонансного оптического отклика системы был разработан и реализован новый дизайн структур с двумя квантовыми ямами в периодической сверхячейке. Для структур с 60 периодами получено резонансное отражение величиной 40% при комнатной температуре.
|
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
