|
Основные достижения 2015 годаЭффективная генерация терагерцового излучения полупроводниковыми нитевидными нанокристалламилаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ)
лаб. физики элементарных структур на поверхности (Кузьмина,МВ)
лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
Продемонстрирована эффективная генерация терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах на основе GaAs при возбуждении сверхкороткими оптическими импульсами. Генерация обусловлена быстрым движением фотовозбужденных носителей заряда в нанопроводах в поверхностном и контактном полях, а также амбиполярной диффузией фотовозбужденных носителей заряда. Эффективность генерации определяется усилением электромагнитного поля за счет резонансного возбуждения вытекающих волновых мод (резонансы Ми) в нанокристалле. При оптимальной геометрии массива полупроводниковых нитевидных нанокристаллов эффективность генерации выше, чем в объемном полупроводнике p-InAs, являющимся сегодня наиболее эффективным когерентным терагерцовым эмиттером.
Иллюстрации
Публикации
Пресс-релизНитевидные нанокристаллы могут преобразовывать оптическое излучение в терагерцовое более эффективно, чем объёмные полупроводники |
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|