Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 16202
Цитируемость
суммарная 159916
на статью 9.9
Индекс Хирша 126
G-индекс 205
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17848
Цитируемость
суммарная 165637
на статью 9.3
Индекс Хирша 127
G-индекс 212
 

Основные достижения 2015 года

Перечень 

Эффективная генерация терагерцового излучения полупроводниковыми нитевидными нанокристаллами

Трухин,ВН; Мустафин,ИА; Буравлев,АД; Цырлин,ГЭ
лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ)
лаб. физики элементарных структур на поверхности (Пронина,ИИ)
лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)

Продемонстрирована эффективная генерация терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах на основе GaAs при возбуждении сверхкороткими оптическими импульсами. Генерация обусловлена быстрым движением фотовозбужденных носителей заряда в нанопроводах в поверхностном и контактном полях, а также амбиполярной диффузией фотовозбужденных носителей заряда. Эффективность генерации определяется усилением электромагнитного поля за счет резонансного возбуждения вытекающих волновых мод (резонансы Ми) в нанокристалле. При оптимальной геометрии массива полупроводниковых нитевидных нанокристаллов эффективность генерации выше, чем в объемном полупроводнике p-InAs, являющимся сегодня наиболее эффективным когерентным терагерцовым эмиттером.

Иллюстрации

Рис.1 СЭМ изображение массивов нанокристаллов

Рис.2 Волновые формы терагерцовых импульсов

Публикации

  1. Appl.Phys.Lett., 103, 072108 (2013);
  2. Appl.Phys.Lett., 106, 252104 (2015)

Пресс-релиз

Нитевидные нанокристаллы могут преобразовывать оптическое излучение в терагерцовое более эффективно, чем объёмные полупроводники
© 2005-15 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика