|
Основные достижения 2016 годаЭлектронные свойства топологических изоляторов на основе теллуридовсектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС)
сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле (Тарасенко,СА)
Проведено теоретическое исследование поверхностных и краевых состояний в трехмерных и двумерных топологических изоляторах на основе соединений теллуридов ртути, висмута и сурьмы. Развита теория тонкой структуры дираковских состояний в квантовых ямах HgTe/CdHgTe, которая предсказывает расщепление дираковских конусов в толще квантовоий ямы (теория позволила объяснить эксперименты по магнитотранспорту) и сильную анизотропию эффекта Зеемана для электронов, распространяющихся по краевым состояниям. Разработана микроскопическая теория поверхностных и краевых фотогальванических эффектов в топологических изоляторах на основе HgTe, Bi2Te3 и Sb2Te3. Теория позволила описать эксперименты по фототокам, индуцированным терагерцовым излучением в этих системах, и определить параметры энергетического спектра граничных состояний.
Иллюстрации
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|