Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 16640
Цитируемость
суммарная 166095
на статью 10
Индекс Хирша 127
G-индекс 208
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18175
Цитируемость
суммарная 169920
на статью 9.3
Индекс Хирша 128
G-индекс 214
 

Основные достижения 2016 года

Перечень 

Новые кремниевые приборы силовой импульсной электроники

Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Белякова,ЕИ; Юсупова,ША
лаб. мощных полупроводниковых приборов (Грехова,ИВ)

Иллюстрации

а) исследуемая конструкция диодной p+N0n+ – структуры: 1 – блокирующий p+N0 – переход, 2 – замыкающая металлизация, 3 – p+- слой, 4 – n+ - слой; b) форма распределения напряженности поля по поверхности N0 кольца; с – форма распределения напряженности поля на p+N0 – переходе

  1. Решение о выдаче патента на полезную модель по заявке ? 2016101357/08 (001875) от 18.01.2016 г. ?Полупроводниковый субнаносекундный обостритель импульсов?, авторы И.В. Грехов, А.Г. Люблинский.
  2. И.В. Грехов, А.Г. Люблинский, И.А Смирнова ?Исследование процесса наносекундного обрыва тока с высокой плотностью в SOS-диодах?, ЖТФ, 2015 г., т.85, вып.11, стр.104-108.
  3. И.В. Грехов, А.Г. Люблинский, Е.И. Белякова ?Мощный диодный наносекундный размыкатель на основе p-кремния (p-SOS)?, ЖТФ, т.86, вып.3, стр.108-109.
  4. Патент на полезную модель ? 160232 ?Высоковольтный полупроводниковый диод с резким обрывом обратного тока?, авторы: И.В. Грехов, Л.С. Костина, А.Г. Люблинский, приоритет от 19.05.2015 г.
© 2005-17 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика