|
Основные достижения 2017 годаВысококачественный графен на SiC для электронных приборов нового поколениялаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Создана не имеющая аналогов в России технология роста эпитаксиального монослойного графена большой площади методом сублимации в аргоне Si-грани SiC. Структурные, электронные и транспортные свойства выращенного графена сравнимы с параметрами лучших мировых образцов, изготовленных сублимацией, что открывает возможность его использования для создания электронных приборов нового поколения. На основе системы графен/SiC изготовлен прототип твердотельного газового сенсора с рекордной чувствительностью к концентрации молекул NO2: не хуже 2 ppb (частиц на миллиард). Такая чувствительность сенсора достаточна для мониторинга окружающей среды. Тестирование прототипов биосенсоров, созданных на основе системы графен/SiC, указывает также на перспективность их использования в медицине и биологии.
Иллюстрации
Публикации
Пресс-релизТехнология роста монослойного графена на поверхности карбида кремния создана в ФТИ им. А.Ф. Иоффе |
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|