Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18044
Цитируемость
суммарная 190876
на статью 10.6
Индекс Хирша 136
G-индекс 223
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 19657
Цитируемость
суммарная 204396
на статью 10.4
Индекс Хирша 142
G-индекс 234
 

Основные достижения 2012 года

Перечень 

Высокотемпературная оптическая поляризация электронных спиновых состояний в широкозонных полупроводниках

Бабунц,РА; Баранов,ПГ; Ильин,ИВ; Солтамова,АА; Солтамов,ВА
лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)

Обнаружена индуцированная неполяризованным светом поляризация спиновых уровней дефектов в алмазе вплоть до температуры 600 К и карбиде кремния при 300 К с большим временем когерентности. На базе этих уникальных свойств показана возможность создания нового класса магнитометров, кубитов, биологических меток. Для успешной реализации этих возможностей совместно с компанией НТ–МДТ был изготовлен принципиально новый прибор, совмещающий зондово–оптическую микроскопию и спектроскопию магнитного резонанса–зондово–оптический спектрометр магнитного резонанса, представленный на рисунке слева. Справа показаны спектры оптически детектированного магнитного резонанса (ОДМР) по люминесценции азотно–вакансионных (NV) центров в алмазе, снятые из области оптического пятна диаметром 250 нм, возбуждаемого светом 532 нм. Вакансионные дефекты в карбиде кремния являются перспективными системами для будущих применений, оптическая накачка спиновых уровней и спектры электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) при комнатной температуре демонстрируется на нижнем рисунке.

Иллюстрации

Зондово-оптический спектрометр магнитного резонанса

Регистрация люминесценции и ОДМР NV центров в алмазе в оптическом пятне диаметром 250 нм

Оптическая накачка спиновых уровней при комнатной температуре

Оптически индуцированная инверсная населенность спиновых уровней

© 2005-18 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика