|
Основные достижения 2012 годаБыстродействующие p-i-n и лавинные фотодиоды на основе узкозонных гетероструктур полупроводников А3В5 для среднего ИК-диапазоналаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС)
На основе узкозонных полупроводников III-V и их твердых растворов созданы лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения GaInAsSb и умножения GaAlSb («резонансного»состава), работающие при комнатной температуре в спектральном диапазоне 1.6—4.0 мкм и обладающие сверхнизким коэффициентом избыточного шума F~1.6 (M=10). C использование новых конструктивных решений - разделение фоточувствительной и контактной мез с применением технологии «air-bridge» контакта разработаны сверхбыстродействующие GaInAsSb/GaAlAsSb и InAsSb/InAsSbP p-i-n фотодиоды для спектрального диапазона 1.1—4.0 мкм, что позволило снизить величину емкости фотодиодов и достигнуть рекордного быстродействия 50-150 пс (полоса пропускания ≥ 2-5 ГГц).
Иллюстрации
|
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|