Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17179
Цитируемость
суммарная 176741
на статью 10.3
Индекс Хирша 131
G-индекс 215
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18680
Цитируемость
суммарная 183678
на статью 9.8
Индекс Хирша 133
G-индекс 222
 

Основные достижения 2012 года

Перечень 

Быстродействующие p-i-n и лавинные фотодиоды на основе узкозонных гетероструктур полупроводников А3В5 для среднего ИК-диапазона

Яковлев,ЮП; Андреев,ИА; Куницына,ЕВ; Михайлова,МП; Ильинская,НД; Яссиевич,ИН
лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Андреева,ИА)
лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС)

В работе представлены оригинальные физические подходы к созданию малошумящих лавинных фотодиодов с большим отношением коэффициентов дырок и электронов за счет использования эффекта ?резонанса? зон. На основе узкозонных полупроводников III-V и их твердых растворов созданы лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения GaInAsSb и умножения GaAlSb («резонансного»состава), работающие при комнатной температуре в спектральном диапазоне 1.6—4.0 мкм и обладающие сверхнизким коэффициентом избыточного шума F~1.6 (M=10). C использование новых конструктивных решений - разделение фоточувствительной и контактной мез с применением технологии «air-bridge» контакта разработаны сверхбыстродействующие GaInAsSb/GaAlAsSb и InAsSb/InAsSbP p-i-n фотодиоды для спектрального диапазона 1.1—4.0 мкм, что позволило снизить величину емкости фотодиодов и достигнуть рекордного быстродействия 50-150 пс (полоса пропускания ≥ 2-5 ГГц).

Иллюстрации

Обнаружительная способность быстродействующих фотодиодов с красными границами спектральной чувствительности 2.4, 2.5, 3.6, 4.3 и 4.8 мкм Изображение фотодиода «мостиковой» конструкции, полученное с помощью растрового электронного микроскопа (a) микрофотография фотодиода, (b) 1 — меза с контактной площадкой, 2 — светочувствительная меза, 3 — фронтальный мостиковый контакт
Осциллограмма импульса фототока p-i-n GaSb/GaSbInAs/GaAlAsSb гетерофотодиода при засветке лазерным импульсом излучения с длиной волны 1.3 мкм Коэффициенты ионизации (a) InAs светлые кружки — b темные кружки — a; (b) Ga1-xAlxSb — светлые, темные кружки — x = 0; светлые, темные треугольники — x = 0.07; сетлые, темные квадраты — x = 0.2 светлые символы — b, темные символы — a
© 2005-17 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика