Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18044
Цитируемость
суммарная 190876
на статью 10.6
Индекс Хирша 136
G-индекс 223
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 19657
Цитируемость
суммарная 204396
на статью 10.4
Индекс Хирша 142
G-индекс 234
 

Основные достижения 2012 года

Перечень 

Графеновые материалы с изменяемой шириной запрещенной зоны

Микушкин,ВМ; Шнитов,ВВ; Дидейкин,АТ; Алексенский,АЕ; Брунков,ПН; Кириленко,ДА
лаб. атомных столкновений в твердых телах (Зиновьева,АН)
лаб. физики кластерных структур (Вуля,АЯ)
лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)

Продемонстрирована возможность управления шириной запрещённой зоны оксида графита в широком энергетическом интервале — от ближнего ультрафиолетового до инфракрасного диапазона. Изменение ширины запрещённой зоны осуществлялась термическим воздействием, удаляющим кислород. Полным термическим восстановлением из оксида графена получены плёнки графена на диэлектрической поверхности, соответствующие лучшим мировым аналогам по размерам составляющих микрокристаллитов. На поверхности двуокиси кремния сформированы плёнки гидрированного графена с высокой степенью водородного покрытия (~ 40 at %), которое обеспечивает открытие запрещённой зоны до величины (0.3 эВ), достаточной для разработки терагерцового «графенового» транзистора. Оксид графена получен с помощью оригинальной лабораторной технологии, основанной на термическом расщеплении интеркалированного природного графита.

Иллюстрации

Зависимость ширины запрещённой зоны плёнки оксида графита толщиной 2–3 монослоя от температуры обработки. Электронно-микроскопическое (СЭМ) изображение свободной плёнки оксида графена, полученной термическим расщеплением интеркалированного графита.
Электронно-микроскопическое (СЭМ) изображение чешуйки гидрированного графена на SiO2 поверхности.
© 2005-18 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика