Способ выращивания полупроводниковой пленки
Патент РФ #2814063 от
21 февраля 2024, тип: Изобретение Жмерик,ВН; Нечаев,ДВ; Семенов,АН
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Жмерик,ВН, Нечаев,ДВ, Семенов,АН
Подразделения: Торопова,АА, Торопова,АА, Торопова,АА
Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb
Патент РФ #2813746 от
16 февраля 2024, тип: Изобретение Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП; Васильев,ВИ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Сорокина,СВ, Хвостиков,ВП, Васильев,ВИ
Подразделения: Шварца,МЗ, Шварца,МЗ, Соколовского,ГС
Способ изготовления нанопорошка никель-цинкового феррита
Патент РФ #2813525 от
12 февраля 2024, тип: Изобретение Мартинсон,КД; Сахно,ДД; Беляк,ВЕ; Попков,ВИ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Мартинсон,КД, Сахно,ДД, Попков,ВИ
Подразделения: Попкова,ВИ, Берковица,ВЛ, Попкова,ВИ
Фотоэлектрический модуль с концентратором излучения
Патент РФ #2812093 от
22 января 2024, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Покровский,ПВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Покровский,ПВ
Подразделения: Шварца,МЗ, Левиной,СА
Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения
Патент РФ #221645 от
15 ноября 2023, тип: Полезная модель Ильинская,НД; Пивоварова,АА; Куницына,ЕВ; Андреев,ИА; Яковлев,ЮП
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Ильинская,НД, Пивоварова,АА, Куницына,ЕВ, Андреев,ИА, Яковлев,ЮП
Подразделения: Иванова,СВ, Ременного,МА, Ременного,МА, Ременного,МА, Ременного,МА