Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17168
Цитируемость
суммарная 176537
на статью 10.3
Индекс Хирша 131
G-индекс 215
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 18680
Цитируемость
суммарная 183144
на статью 9.8
Индекс Хирша 132
G-индекс 221
 

Патенты, полученные ФТИ

Название патента (фрагмент)
Номер патента
Год

Автор
 
Всего записей: 153, страниц: 31
Способ изготовления чипов концентраторных солнечных фотоэлементов
Патент РФ #2436194 от 10 декабря 2011, тип: Изобретение
Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Ильинская,НД, Калюжный,НА, Лантратов,ВМ, Малевская,АВ, Минтаиров,СА
Подразделения: Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Андреева,ВМ
Полупроводниковый частотно-перестраиваемый источник инфракрасного излучения
Патент РФ #2431225 от 10 октября 2011, тип: Изобретение
Шерстнев,ВВ;Монахов,АМ;Гребенщикова,ЕА;Баранов,АН;Яковлев,ЮП
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Шерстнев,ВВ, Монахов,АМ, Гребенщикова,ЕА, Яковлев,ЮП
Подразделения: Яковлева,ЮП, Сейсяна,РП, Яковлева,ЮП, Яковлева,ЮП
Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия
Патент РФ #2428766 от 10 сентября 2011, тип: Изобретение
Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Солдатенков,ФЮ; Усикова,АА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Калюжный,НА, Лантратов,ВМ, Солдатенков,ФЮ, Усикова,АА
Подразделения: Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Иванова,СВ
Полупроводниковый генератор высоковольтных импульсов наносекундным фронтом нарастания
Патент РФ #107651 от 20 августа 2011, тип: Полезная модель
Аристов,ЮВ; Коротков,СВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Аристов,ЮВ, Коротков,СВ
Подразделения: Короткова,СВ, Короткова,СВ
Солнечный фотоэлектрический модуль на основе наногетероструктурных фотопреобразователей
Патент РФ #2426198 от 10 августа 2011, тип: Изобретение
Андреев,ВМ; Власов,АС; Ракова,ЕП
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Ракова,ЕП
Подразделения: Андреева,ВМ, Андреева,ВМ
firstback10prev 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 nextfrwd10last
© 2005-17 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика