Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17657
Цитируемость
суммарная 184285
на статью 10.4
Индекс Хирша 133
G-индекс 219
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 19251
Цитируемость
суммарная 193313
на статью 10
Индекс Хирша 137
G-индекс 227
 

Патенты, полученные ФТИ

Название патента (фрагмент)
Номер патента
Год

Автор
 
Всего записей: 168, страниц: 34
Координато-чувствительный датчик Мультискан
Патент РФ #2399117 от 10 сентября 2010, тип: Изобретение
Подласкин,БГ; Гук,ЕГ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Подласкин,БГ, Гук,ЕГ
Подразделения: Подласкина,БГ, Подласкина,БГ
Устройство для определения положения светового пятна
Патент РФ #2399023 от 10 сентября 2010, тип: Изобретение
Подласкин,БГ; Гук,ЕГ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Подласкин,БГ, Гук,ЕГ
Подразделения: Подласкина,БГ, Подласкина,БГ
Полупроводниковое переключающее устройство
Патент РФ #97006 от 20 августа 2010, тип: Полезная модель
Грехов,ИВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ
Подразделения: Грехова,ИВ
Туннельно-связанная полупроводниковая гетероструктура
Патент РФ #2396655 от 10 августа 2010, тип: Изобретение
Тарасов,ИС; Арсентьев,ИН; Винокуров,ДА; Пихтин,НА; Симаков,ВА; Коняев,ВП; Мармалюк,АА; Ладугин,МА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Тарасов,ИС, Арсентьев,ИН, Винокуров,ДА, Пихтин,НА
Подразделения: Тарасова,ИС, Тарасова,ИС, Тарасова,ИС, Тарасова,ИС
Способ изготовления интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния
Патент РФ #2395868 от 27 июля 2010, тип: Изобретение
Грехов,ИВ; Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ, Иванов,ПА, Потапов,АС, Самсонова,ТП, Коньков,ОИ, Ильинская,НД
Подразделения: Грехова,ИВ, Грехова,ИВ, Грехова,ИВ, Грехова,ИВ, Терукова,ЕИ, Иванова,СВ
firstback10prev 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 nextfrwd10last
© 2005-18 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика